8050晶体管是一种小型设备，用于引导便携式无线电中的电流。数字“8050”基本上表示尺寸和特定输出额定值。工程师和电子专家通常会给晶体管起数字名称，以便更容易识别和区分它们。具有8050
2023-02-16 18:22:30
晶体管，门电路，锁存器，触发器的理解
2021-01-12 07:55:02
fT：增益带宽积、截止频率fT：增益带宽积指晶体管能够动作的极限频率。所谓极限，即基极电流对集电极电流的比为1（即hFE=1）的情况。提高基极输入频率，hFE变低。这时，hFE为1时的频率叫做fT（增益
2019-04-09 21:27:24
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
晶体管之间的差异性：就三极管，mos管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊，请各位大侠指点！！！
2016-06-07 23:27:44
晶体管交直流参数对电路设计的影响是什么？
2021-04-23 06:25:38
）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。 按功能和用途分类 晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带
2010-08-12 13:59:33
统通过VCCS输入，取平均等技术获得较理想的测试结果。目前能够完成三极管输入、输出特性曲线、放大倍数、开启电压等参数以及二极管一些参数的测定，并能测试比较温度对这些参数的影响。系统具有通用的RS232 接口和打印机接口，可以方便的将结果打印、显示。关键词AduC812压控流源晶体管参数
2012-08-02 23:57:09
晶体管发射极结间的正向压差越大电流是越小吧
2016-01-19 22:27:49
电路为电流放大倍数hFE=200的晶体管开关电路，试计算当5V的电压连接着100Ω的电阻加载到集电极（晶体管处于饱和状态）时的基极电流IB。这里，基极电流的富裕度为5倍。答案在原文章中。
2017-03-28 15:54:24
` 《晶体管电路设计（下）》是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管／FET电路设计技术的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路、源极跟随器电路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
晶体管图示仪器是用来测量晶体管输入、输出特性曲线的仪器。在实验、教学和工程中通过使用图示仪，可以获得晶体管的实际特性，能更好的发挥晶体管的作用。
2021-05-07 07:43:17
,晶体管射随器就是一种达到上述功能的缓冲电路。 晶体管射随电路实际上是晶体管共发电路,它是晶体三极管三大电路形式之一(共基电路、共集电路、共发电路),它的电路
2009-09-17 08:33:13
晶体管开关电路 回顾四种常用晶体管开关电路（2种NMOS，2种PMOS）一文中，1.2和2.2节所述NMOS和PMOS两种低使能开关电路，如图： 三，存储器编程开发环境 以NMOS开关电路为例
2016-08-30 04:32:10
1．反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN型管的集电极C接黑表笔
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改变晶体管的放大倍数？有的器件有放大倍数改变的参数。另外，不同的仿真模型参数不同如何改变？
2014-02-28 08:42:03
；频率特性和通频带。难点：静态工作点调整。[理论内容]一、电路工作原理及基本关系式1、工作原理晶体管放大器中广泛应用如图1所示的电路，称之为阻容耦合共射极放大器。它采用的是分压式电流负反馈偏置电路
2009-03-20 10:02:58
供应晶圆芯片，型号有： 可控硅， 中、大功率晶体管，13000系列晶体管，达林顿晶体管，高频小信号晶体管，开关二极管，肖特基二极管，稳压二极管等。有意都请联系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
➤ 01晶体管测量模块在 淘宝购买到的晶体管测试显示模块 （¥：67.0）刚刚到货。▲ 刚刚到货的集体管测试线是模块1.基本特性采用2015 V1.12版软件。采用12864点阵液晶屏，显示内容更加
2021-07-13 08:30:42
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
《晶体管电路设计与制作》是“图解实用电子技术丛书”之一。本书首先对各种模拟电路的设计和制作进行详细叙述；然后利用可在微机上使用的模拟器“SPICE”对设计的结果进行模拟。《晶体管电路设计与制作》中介
2018-01-15 12:46:03
晶体管电路设计丛书上册晶体管电路设计(pdf电子书下载):是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为上册主要内容有晶体管工作原理，放大电路的性能、设计与应用，射极跟随器的性能与应用电
2009-11-20 09:41:18
，故稳定性较好。由于硅管ICEO很小，故一般已不作为主要参数。(6) 集电极反向电流ICBOICBO是指晶体管发射极开路时的集电极反向电流。晶体管的ICEO约为ICBO的β倍，故ICEO要明显大于ICBO。(7) 特征频率FT FT越高，晶体管的高频性能越好，也就是可工作的频率越高。
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
（电阻器）组成。构成晶体管的硅是形成地球的岩石中大量含有的物质。因此，晶体管也俗称"石"，设计者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分类为满足客户需求，ROHM在分立式
2019-04-10 06:20:24
本文为大家介绍“Si晶体管”（之所以前面加个Si,是因为还有其他的晶体管，例如SiC）。 虽然统称为“Si晶体管”，但根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理
2020-06-09 07:34:33
本篇开始将为大家介绍“Si晶体管”。虽然统称为“Si晶体管”，不过根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理的电流、电压和应用进行分类。下面以“功率元器件”为主
2018-11-28 14:29:28
间电压 (VBE) 成比例的电流 (IB) 的hFE※1 倍的电流 (IC) 流经集电极。这一集电极电流IC流经电阻RL，从而IC×RL的电压反映在电阻RL两端。最终，输入电压e被转换（增幅）成ICRL电压反映在输出。※1：hFE晶体管的直流电流增幅率。
2019-07-23 00:07:18
晶体管，称之为“非集中保护” (和集中保护对照)。集成驱动电路的功能包括：(1)开通和关断功率开关；(2)监控辅助电源电压；(3)限制最大和最小脉冲宽度；(4)热保护；(5)监控开关的饱和压降。
2018-10-25 16:01:51
间电压 (VBE) 成比例的电流 (IB) 的hFE※1 倍的电流 (IC) 流经集电极。这一集电极电流IC流经电阻RL，从而IC×RL的电压反映在电阻RL两端。最终，输入电压e被转换（增幅）成ICRL电压反映在输出。※1：hFE晶体管的直流电流增幅率。
2019-05-05 00:52:40
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B极
2013-08-17 14:24:32
彩色电视机中使用的行输出管属于高反压大功率晶体管，其最高反向电压应大于或等于1200V，耗散功率应大于或等于50W，最大集电极电流应大于或等于3.5A（大屏幕彩色电视机行输出管的耗散功率应大于或等于60W
2012-01-28 11:27:38
可见，随着基极电流的增加，集电极电流以基极电流的β倍同步增加。此时，串于集电极回路的电阻Rc上的压降，也就随着Ic增大而增大。因晶体管的集电极电位Vce=电源电压减去集电极Rc上的压降，即Vce=Vc
2012-02-13 01:14:04
1. 晶体管的结构及类型 晶体管有双极型和单极型两种，通常把双极型晶体管简称为晶体管，而单极型晶体管简称为场效应管。 晶体管是半导体器件，它由掺杂类型和浓度不同的三个区（发射区、基区和集电区
2021-05-13 06:43:22
fT：增益带宽积、截止频率fT：增益带宽积指晶体管能够动作的极限频率。所谓极限，即基极电流对集电极电流的比为1（即hFE=1）的情况。提高基极输入频率，hFE变低。这时，hFE为1时的频率叫做fT（增益
2019-05-09 23:12:18
从事家电维修的朋友总少不了有一台晶体管耐压测试器，用来检查晶体管的反压（耐压）值、稳压管的稳压值，甚至电容的漏电流、电机绕组的绝缘电阻大小等等。
2021-05-07 06:21:48
;nbsp; 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为
2010-08-12 13:57:39
【不懂就问】图中的晶体管驱动电路，在变压器Tr的副边输出电阻R3上并联的二极管D2，说D2的作用是在输入端有正脉冲输入时使得变压器次级产生的的正脉冲通过D2，直接驱动MOSFET管Q2，达到提高导
2018-07-09 10:27:34
AM81214-030晶体管产品介绍AM81214-030报价AM81214-030代理AM81214-030咨询热线AM81214-030现货,王先生深圳市首质诚科技有限公司ASI为UHF，航空
2018-07-17 15:08:03
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-05-06 05:00:17
求大神相助，Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那，当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
2014-08-08 10:42:58
变化的β倍， 也就是说，电流变化放大了β倍，所以我们称之为β晶体管的放大倍率（β一般远大于1）。如果我们在基极和发射极之间增加一个变化的小信号，它会导致基极电流Ib的变化。Ib的变化被放大后，会导致
2023-02-08 15:19:23
发射极流向集电极。掺杂半导体可以在晶体管的三个不同部分中找到。一侧有一个发射器，另一侧有一个收集器。术语“基地”是指中心区域。晶体管的三个组件将在下面详细介绍。PNP 晶体管结构发射发射器有责任向接收器
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
路，包括矩形波振荡器，射极跟随器，宽带放大器，电子电位器，OP放大器，带自举电路的射极跟随器，Sallen-Key型低通滤波器，带隙型稳压电路，三角波→正弦波变换器，低失真系数振荡器，移相器，串联调节器，斩波放大器等。 点击链接进入旧版 ：晶体管电路设计与制作
2020-08-19 18:24:17
上使用的模拟器“SPICE”对设计的结果进行模拟。《晶体管电路设计与制作》中介绍了各种电路印制电路板的实际制作，以及电路特性的测量，并对电路的工作机制进行了验证。《晶体管电路设计与制作》分为两部分。第一部分介绍单
2021-01-05 22:38:36
`内容简介：《晶体管电路设计》(上)是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。《晶体管电路设计》(上)作为上册主要内容有晶体管工作原理，放大电路的性能、设计与应用，射极跟随器的性能与应用电
2017-07-25 15:29:55
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶体管是通常用于放大器或电控开关的半导体器件。晶体管是调节计算机、移动电话和所有其他现代电子电路运行的基本构件。由于其高响应和高精度，晶体管可用于各种数字和模拟功能，包括放大器、开关、稳压器、信号
2023-02-03 09:36:05
显示器和透明太阳能电池板产品的出现。 在许多透明电子系统中，晶体管都是至关重要的部件。如今，这种器件通常是薄膜晶体管形式，由In2O3、ZnO2、SnO2等透明导电氧化物材料制成。 不过，薄膜晶体管
2020-11-27 16:30:52
。达林顿通常用于需要低频高增益的地方。常见应用包括音频放大器输出级、功率调节器、电机控制器和显示驱动器。 达林顿晶体管也被称为达林顿对，由贝尔实验室的西德尼达林顿于 1953 年发明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
。 为什么使用鳍式场效应晶体管器件代替MOSFET？ 选择鳍式场效应晶体管器件而不是传统的MOSFET有多种原因。提高计算能力意味着增加计算密度。需要更多的晶体管来实现这一点，这导致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
晶体管，基极上的电压必须低于发射极上的电压。像这样的基本电路通常将发射器连接到电源的加号。通过这种方式，您可以判断发射极上的电压。PNP 晶体管如何开启？PNP 和 NPN 晶体管的端子电阻值然后，我们
2023-02-03 09:45:56
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-25 11:27:53
请教：单结晶体管在什么位置，有人说是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
音频放大器的差分输入电路及调制、较大、阻抗变换、稳流、限流、自动保护等电路，可选用结型场效应晶体管。音频功率放大、开关电源、逆变器、电源转换器、镇流器、充电器、电动机驱动、继电器驱动等电路，可选
2021-05-13 07:10:20
载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（4）场效应管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管
2017-05-06 15:56:51
）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管
2009-04-25 15:43:51
区域，而粉红色阴影区域表示截止区域。 图1. 晶体管工作区 这些区域定义为： • 饱和区域。 在这个区域，晶体管将偏置最大基极电流，用于在集电极上实现最大电流，在集电极-发射极处实现最小压降
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
如何去判别晶体管材料与极性？如何去检测晶体管的性能？怎样去检测特殊晶体管？
2021-05-13 07:23:57
~3.3nf。当Nb上端产生一个正的驱动电压时，由于电容两端电压不能突变，上电瞬间电容如同短路，因此可认为为VT1提供了很大的正向基极电流，使晶体管迅速导通。之后，电容CB被充电至激励电压的峰值而进入稳态
2020-11-26 17:28:49
集电极电流I C的10％。因此，这种类型的晶体管偏置配置在相对较低的电源电压下效果最佳。分压晶体管偏置此处，使用分压器网络对常见的发射极晶体管配置进行偏置，以提高稳定性。这种偏置配置的名称来自于以下事实
2020-11-12 09:18:21
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
。 如何提高晶体管的开关速度？——可以从器件设计和使用技术两个方面来加以考虑。（1）晶体管的开关时间：晶体管的开关波形如图1所示。其中开启过程又分为延迟和上升两个过程，关断过程又分为存储和下降两个过程
2019-09-22 08:00:00
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？
2021-06-24 07:29:25
有谁可以解答一下如何通过晶体管去提高倍压器的精度吗？
2021-04-20 07:27:55
。 如何提高晶体管的开关速度？——可以从器件设计和使用技术两个方面来加以考虑。（1）晶体管的开关时间：晶体管的开关波形如图1所示。其中开启过程又分为延迟和上升两个过程，关断过程又分为存储和下降两个过程
2019-08-19 04:00:00
2个电阻器的晶体管。直流电流放大率为 输出电流/输入电流 ，因此不因输入电阻R1，放大率下降。仅有输入电阻R1的类型 放大率表示为hFE，与个别晶体管hFE相等。如果在E-B间附加电阻R2，输入电流则
2019-04-22 05:39:52
晶体管是指普通晶体管上连接2个电阻器的晶体管。直流电流放大率为 输出电流/输入电流 ，因此不因输入电阻R1，放大率下降。仅有输入电阻R1的类型 放大率表示为hFE，与个别晶体管hFE相等。如果在E-B
2019-04-09 21:49:36
等效的提高开关速度的方法，较小R1值也会加快输出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶体管开关速度的另外一种方法，我们熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的数字IC TTL
2023-02-09 15:48:33
（电阻器）组成。构成晶体管的硅是形成地球的岩石中大量含有的物质。因此，晶体管也俗称"石"，设计者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分类为满足客户需求，ROHM在分立式
2019-05-05 01:31:57
和500KHz的半桥LLC谐振转换器的拓扑结构。在较高频率下，无源谐振电路（例如变压器、谐振电感器和谐振电容器）的尺寸明显减小，从而提高了功率密度。此外，还需要考虑功率晶体管（Q1和Q2）的选择，以权衡
2023-02-27 09:37:29
如何用晶体管搭建一个放大电路，要求输入为1V，输出至少放大一倍，这么大的输入怎么做到不失真呢？
2016-06-11 16:17:59
其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达
2016-01-26 16:52:08
` 引言 在功率变换器应用中，宽带隙（WBG）技术日益成为传统硅晶体管的替代产品。在某些细分市场的应用场景中，提升效率极限一或两个百分点依然关系重大，变换器功率密度的提高可以提供更多应用优势
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
用。（2）横向PNP管： 这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的水平方向运动的，故称为横向PNP管。由于受工艺限制，基区宽度不可能很小，所以它的值相对较低，一般为十几倍到二、三十倍。横向PNP管的优点
2019-04-30 06:00:00
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
保护的二极管必须选用快速恢复型二极管，以保证二极管能够迅速反应得以保护晶体管。对于二极管的耐压要求，一般其截止电压为开关晶体管C-E间电压的2倍。 2、RC阻尼电路 图二 图二中，在晶体管关断
2020-11-26 17:26:39
可折叠的防水晶体管是由哪些部分组成的？什么是生物传感器（biosensor）？生物传感器具有哪些功能？防水晶体管在生物传感器中的应用是什么？
2021-06-17 07:44:18
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