描述这项设计是一款工作在电压模式下的 100kHz FBPS 转换器。该设计支持 400Vdc 到 750Vdc 的输入电压范围，并能提供已调节 24V/12A 电源。TI 的 UCC28950
2018-12-14 15:39:09
描述此参考设计是一种 400W 相移全桥汽车转换器，可以 48V 汽车电池输入产生 12V 输出。这种增强型相移全桥控制器实施了可编程延迟，可确保在各种操作条件下实现零电压开关 (ZVS)。这种输出
2018-09-30 09:43:10
这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS(on) x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率
2023-09-08 06:00:53
完全释放干净。当原边的MOSFET都处于关断状态时，串联谐振电路中的谐振电流会对开关管MOSFET的等效输出电容进行充放电。MOSFET都关断时的等效电路如下图所示：通过对上图的分析，可以得出需要满足
2018-07-13 09:48:50
： 通过对上图的分析，可以得出需要满足ZVS的两个必要条件，如下： 公式看上去虽然简单，然而一个关于MOSFET等效输出电容Ceq的实际情况，就是MOSFET的等效寄生电容是源漏极电压Vds的函数
2018-11-21 15:52:43
完全释放干净。当原边的MOSFET都处于关断状态时，串联谐振电路中的谐振电流会对开关管MOSFET的等效输出电容进行充放电。MOSFET都关断时的等效电路如下图所示：通过对上图的分析，可以得出需要满足
2018-07-18 10:09:10
碳化硅（SiC）等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比，SiC显著降低了导通和关断损耗，并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
选择正确电源的一个关键因素。本技术文章将描述用于测量转换器 AC 电源抑制性能的技术，由此为转换器电源噪声灵敏度确立一个基准。我们将对一个实际电源进行的简单噪声分析，展示如何把这些数值应用于设计当中
2020-09-18 07:00:00
的电压可能非常低，但却需要高输出电压。此时，可以使用图3所示的转换器来驱动多个雪崩光电二极管、PIN二极管，以及其他需要高偏置电压的器件。这些升压转换器可以从3 V输入生成125 V输出，负载电流最高
2019-09-12 09:25:30
的升压转换器在有些情况下，可用的输入源的电压可能非常低，但却需要高输出电压。此时，可以使用图3所示的转换器来驱动多个雪崩光电二极管、PIN二极管，以及其他需要高偏置电压的器件。这些升压转换器可以从3 V
2020-08-12 08:59:43
用于高速数据转换器的串行接口有哪些选择？
2021-04-09 06:55:28
描述此设计是一种数字控制的相移全桥 600W 直流/直流转换器。此相移全桥转换器采用 C2000™ Piccolo™ 微控制器，这款微控制器支持峰值电流模式控制和同步整流。Piccolo 微控制器在
2022-09-19 07:42:55
”，亦即电源的开关DC/DC转换器之间的频差。如果拍频在100Hz到23kHz之间，则音频放大器很可能会检测到它们，并扰乱系统性能。文探讨了如何使用相移时延技术来对主/从（Master/Slave
2018-12-03 11:26:43
，效率现在已经达到相当高的水平了吧。用于电子设备等的DC/DC转换器中，效率高达95%左右的产品并不罕见，所以可以说的确已经达到了相当高的水平。但是，关于AC适配器等AC/DC转换器的话，随着开关方式
2019-04-15 06:20:02
SiC功率元器件，在Tech Web基础知识专栏中有详细介绍，可以结合起来阅读。在本篇章中计划介绍以下项目。＜使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例＞用于设计的IC变压器设计主要部件
2018-11-27 17:03:34
DC-DC 转换器 控制环路如何使用模拟或数字技术实现？如何使用典型的波特图来显示随频率变化的相移和环路增益？
2021-03-11 07:34:21
的电流具有快速开关边沿（可能存在与体二极管反向恢复和 MOSFET COSS 充电相关的前沿振铃），其中富含谐波成分，产生负面影响严重的 H 场耦合，导致传导和辐射 EMI 增加。转换器噪声类型主要
2019-11-03 08:00:00
储存在电容(感)里，当开关断开时，电能再释放给负载，提供能量。其输出的功率或电压的能力与占空比(由开关导通时间与整个开关的周期的比值)有关。开关电源可以用于升压和降压。中文名DC/DC转换器属于开...
2021-11-16 08:28:48
，二极管为OFF。MOSFET为OFF时，蓄积在电感的电能经由二极管D2供给至负载端。和正激转换器的D1相同，开启或关闭MOSFET。AC/DC转换中，开关方式限用于非绝缘电源。对于变压器方式而言
2021-04-10 07:00:00
能力。 IR中国及香港销售总监严国富指出：“我们扩展了中压DirectFET MOSFET产品系列，这使得电源设计人员可以有更多的器件选择去改善隔离式DC-DC转换器的初级和次级插槽的性能
2018-11-26 16:09:23
部分对于LLC工作过程中MOSFET的波形进行进一步分析，更对容易失效的问题点进行研究。 上面的图给出了启动时功率MOSFET前五个开关波形。在变换器启动开始前，谐振电容和输出电容刚好完全放电。与正常工作状况
2019-09-17 09:05:04
这些转换器的系统布线策略。除较高分辨率的器件外，基本的布线方法是一致的。对于这些器件，需要特别注意防止来自转换器串行或并行输出接口的数字反馈。 从电路和片内专用于不同领域的资源来看，模拟在逐次逼近型A
2018-08-28 15:28:40
在每个占空比输送更大功率。介绍eGaN场效应晶体管在高频谐振总线转换器和48 V降压转换器中的应用。高频谐振总线转换器分布式电力系统在电信、网络和高端服务器应用中普遍存在，通常电信业采用48V总线
2019-04-04 06:20:39
Ʃ-Δ 型模数转换器广泛用于需要高信号完整度和电气隔离的电机驱动应用。虽然Σ-Δ技术本身已广为人知，但转换器使用常常存在不足，无法释放这种技术的全部潜力。本文从应用角度考察Σ-Δ ADC，并讨论如何在电机驱动中实现最佳性能。
2019-08-01 07:10:20
LLC谐振变换器的优势！电路分析架构如下：第一，电路结构相对简单，有较高的效率。第二，它可以在整个运行范围内，实现零电压切换（ZVS）。所有寄生元件，包括所有半导体器件的结电容和变压器的漏磁电
2019-08-08 04:30:00
是ALTAIR05T-800，它是ALTAIR系列的第一个（全主传感开关稳压器）。该IC在同一封装中集成了高性能，低电压PWM控制器芯片和800V，雪崩耐用功率MOSFET。 PWM芯片是一种准谐振（QR）电流模式控制器IC，专为QR ZVS（零电压开关）反激式转换器而设计
2020-08-12 08:43:59
针对降压模式转换器级（400V至12V）的理想拓扑为相移全桥 (PSFB)。这个拓扑可以在隔离变压器的初级侧上实现4个电子开关的零电压切换 (ZVS)，以及次级侧的二极管整流器（或MOSFET开关
2018-09-04 14:39:40
，但有一个因素可能是搅局者：热量。如果转换器产生的热量过多，则它将无法用于已然很热的系统中。在上述解决方案中，LTC3310S内部温度升幅通过高效率操作而得以最小化，即使在CPU、SoC和FPGA等高功耗
2021-12-01 09:38:22
的温度下提供更多的功率。...更高能效所有 ZVS 稳压器的核心就是零电压开关拓扑，它能够在输入电压较高的条件下降低损耗，同时实现比竞争产品更高的转换效率。...更小尺寸所有有源元器件都集成到封装中
2018-08-21 10:43:35
摘要 本文介绍了碳化硅（SiC）器件在高频率 LLC 谐振 DC/DC 转换器中的应用。此类转换器可用于母线转换器、电动汽车充电机、服务器电源和储能系统。在开关频率较高的情况下，LLC 变压器
2023-02-27 14:02:43
来源：搜狐网DCDC电源模块在EMC常规测试失败占比很大，然而要解决Buck转换器中的EMI问题是一个很大的挑战，因为其中含有很多高频成分。在实际的电子元器件电气特性往往不可避免的寄生参数会影响我们
2020-10-22 15:40:42
业内先进的 AC/DC转换器IC ，采用 一体化封装 ，已将1700V耐压的SiC MOSFET*和针对其驱动而优化的控制电路内置于 小型表贴封装 （TO263-7L）中。主要适用于需要处理大功率
2022-07-27 11:00:52
ZVS谐振接通，从而完全回收存储在MOSFET寄生输出电容中的能量。与此同时，所有二次侧开关均随ZVS谐振关断，从而最大限度地降低通常与硬开关相关的开关损耗。LLC转换器中的所有开关器件均谐振操作，这
2022-04-12 11:07:51
ZVS谐振接通，从而完全回收存储在MOSFET寄生输出电容中的能量。与此同时，所有二次侧开关均随ZVS谐振关断，从而最大限度地降低通常与硬开关相关的开关损耗。LLC转换器中的所有开关器件均谐振操作，这
2022-06-14 10:14:18
Automotive H-Bridge电源模块设计应用的第一步中为客户提供支持。这个简易模块包含高速IGBT3和快速二极管，例如非常适用于高达100 kHz和3 kW的相移全桥零电压转换（ZVT）DC / DC转换器中的HV至LV DC / DC转换器
2020-04-15 09:55:46
描述 此直流-直流电源转换器采用UCD3138CC64EVM-030子卡实现数字控制功能。该子卡具有预加载的固件，为相移全桥转换器提供所需的控制功能。TIDA-00412
2022-09-23 07:06:58
描述 PMP10233 参考设计是适用于汽车应用的非同步降压转换器，输入电压范围是 9 至 42 V。它使用 TPS54140-Q1 提供 8.0 V、1.0 A 的输出。主要特色宽输入电压范围最高
2018-12-19 14:51:29
ROHM推出内置耐压高达80V的MOSFET的DC/DC转换器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐压是内置功率晶体管的非隔离型DC/DC转换器IC的业界最高水平，在ROHM的DC/DC
2018-10-19 16:47:06
ROHM推出内置耐压高达80V的MOSFET的DC/DC转换器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐压是内置功率晶体管的非隔离型DC/DC转换器IC的业界最高水平，在ROHM的DC/DC转换器
2018-12-04 10:10:43
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2019-07-04 06:22:42
本文主要介绍全新双向DC-DC转换器的设计与分析。这项全新的拓扑及其控制策略彻底解决了传统双向DC-DC转换器（电源容量及效率有限）中存在的电压尖峰问题。该转换器不仅可用作电池组和DC母线接口，而且
2021-11-20 08:00:00
本文主要介绍全新双向DC-DC转换器的设计与分析。这项全新的拓扑及其控制策略彻底解决了传统双向DC-DC转换器（电源容量及效率有限）中存在的电压尖峰问题。该转换器不仅可用作电池组和DC母线接口，而且
2021-11-23 06:30:00
可以轻松设计使用SiC-MOSFET的电源，不仅发力SiC-MOSFET的开发，还推进控制元器件的开发。“BD7682FJ-LB”是以将SiC-MOSFET用于功率开关为前提开发的反激式转换器控制IC
2018-12-04 10:11:25
负载点调节器的输入，负载点调节器则用于驱动FPGA、微处理器、ASIC、I/O和其他低压下游器件。然而，在许多新型应用中，比如48 V直接转换应用，IBC中没有必要进行隔离，因为上游48 V或54 V
2018-10-23 11:46:22
板· · 400kHz开关频率· · 扼流圈中的电流纹波约为额定电流的30%· · 紧凑型60V MOSFET，具有较低的Rdson、Rth和封装ESL· · 1Ω栅极串联电阻· 图3：转换器功率级简图
2020-09-01 14:07:07
器件的四倍。如果不对电路进行相应调整，很有机会在谐振LLC转换器上在轻负载时效率可能下降多达0.5%。设计人员还应注意，如果要在CCM图腾PFC设计中获得最高的峰值效率，则必须通过打开碳化硅
2023-03-14 14:05:02
，该规格适用于所有USB PD应用，如PC /笔记本电脑、移动电源和扩展口。在同步降压转换器中，有个现象众所周知，它称为“低端误导通”或“dv/dt电感导通”，这是造成击穿的罪魁祸首，有可能损坏开关并
2019-07-16 06:44:27
的输入，负载点调节器则用于驱动FPGA、微处理器、ASIC、I/O和其他低压下游器件。 然而，在许多新型应用中，比如48 V直接转换应用，IBC中没有必要进行隔离，因为上游48 V或54 V输入已经
2018-12-03 10:58:08
设计方面，SiC功率模块被认为是关键使能技术。 为了提高功率密度，通常的做法是设计更高开关频率的功率转换器。 DC/DC 转换器和应用简介 在许多应用中，较高的开关频率会导致滤波器更小，电感和电容值
2023-02-20 15:32:06
。反向恢复电流非常高并且在启动期间足以造成直通问题，如图4所示图4： 启动期间LLC 谐振转换器中的波形。图4： 启动期间LLC 谐振转换器中的波形
2019-01-15 17:31:58
输出整流器的损耗。用于LLC谐振转换器的同步整流器使用二极管整流器时，如图1所示，全部输出电流流过输出二极管。对于低电压或高输出电流应用，这些二极管整流器中存在显著的效率损失和热应力。图1.带二极管
2019-08-08 09:00:00
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
电子行业应用最普及的转换器之一是DC-DC降压（step-down，亦称buck）转换器。 简而言之，同步降压转换器用于将电压从较高的电平降至较低的电平。随着业界转向更高性能的平台，电源转换器的能效
2018-09-30 16:04:12
中的寄生源电感。因此，采用SMD封装的MOSFET也能实现快速开关，同时降低开关损耗。适用于4引脚器件的SMD封装名为“ThinkPAK 8X8”。 III.分析升压转换器中采用最新推出的TO247
2018-10-08 15:19:33
我们有一个带升降压转换器的宽输入电源管理 ic。28V VBUS 不是问题。那么是否有可能消除 N-MOSFET（至少在 Sink 模式下）？如果可以，您对 IN_GD、Gate 和 Source 引脚的连接有何建议？
2023-01-09 06:29:14
摘要Type II 补偿器通常用于电流模式控制的开关转换器回授电路，一般可获得良好的线电压与负载调节及瞬时响应。然而当工作点（如输入电压或负载电流）改变，原设计的补偿器可能会有稳定度变差，或相位裕度
2019-07-23 07:27:19
在开关电源转换器中,如何充分利用SiC器件的性能优势？
2021-02-22 07:16:36
公式Aβ=1＜-180°中的180°相移是由有源元件和无源元件引入的，像任何精心设计的反馈电路那样，使振荡器取决于无源元件的相移，因为它精确且几乎不漂移。应使由有源元件提供的相移最小，因为它随湿度而
2015-01-05 10:15:44
与传统的并联输出级晶体管相比，交错式DC/DC转换器拓扑结构能够实现更高效率的设计，且仍然有改进的余地。在交错式操作中，许多微型转换器单元（或相位）并联放置。理想情况下，有源相移控制电路将功率均匀
2011-07-14 08:52:28
的体二极管的存在，没有如上所述的硬雪崩操作。操作和损失分析图4给出了半桥LLC谐振转换器的稳态周期。以下是主要的五个状态，每个状态都有其随附的损失分析：在状态1下，当高端驱动信号VGSH变低时，初级侧
2023-02-27 09:37:29
回路Buck架构DC/DC转换器中存在两个电流发生剧烈变化的主回路 ：当上桥MOSFET Q1导通的时候，电流从电源流出，经Q1和L1后进入输出电容和负载，再经地线回流至电源输入端。在此过程中，电流中的交
2020-08-10 09:34:54
元器件数量。当然电源IC也能更小。因此小型化是可以实现的。而且，把至今为止的不可能变为可能就是工程师的工作。－也就是说，现有AC/DC转换器的课题是效率改善与小型化，而BM2Pxxx系列正是其解决方案吧
2018-12-03 14:40:31
您可能会把模数转换器或者数模转换器缺少输出稳定性的原因归咎于实际转换器本身。但其实转换器周围的电压参考才是真正的罪魁祸首。我们将围绕电压参考如何改变转换器性能作介绍？
2021-04-07 06:33:14
绕组电容器。在传统的谐振转换器设计过程中，设计人员必须确保存储在谐振槽中的能量高于存储在FET C oss中的能量，以便C oss耗尽存储在谐振槽中的能量以实现ZVS。以图1所示的LLC-SRC为例
2020-08-02 10:32:31
3：PSFB 转换器工作波形（C1/C2 是 Q1/Q3 和 Q2/Q4 对产生的电压，C4 是输出整流器 D1-D4 两端的电压，C3 是 L2中的电流）图 4：具有 ZVS 区域和恒定相移轮廓
2023-02-22 17:13:39
需要花时间了解它们的特性，以充分利用这一变化，同时还要了解它们的不同限制和故障模式。CoolSiC™ 器件中体二极管的正向电压是硅 MOSFET 的四倍。因此，LLC转换器在轻负载下的效率可能
2023-02-23 17:11:32
。为了防止MOSFET遭到破坏而设定缓冲电路，以抑制浪涌电压。位于上述电路图一次侧，由电阻、二极管、电容器组成的电路就是缓冲电路。请记住，缓冲电路是大多数反激式转换器中，基本且必要的电路。关键要点:・理解基本工作和电流、电压波形。・缓冲电路是基本且必要的。
2018-11-27 17:00:29
。如果转换器产生的热量过多，则它将无法用于已然很热的系统中。在上述解决方案中，LTC3310S内部温度升幅通过高效率操作而得以最小化，即使在CPU、SoC和FPGA等高功耗器件周围的恶劣温度条件下
2021-12-14 07:00:00
这是一款超声波转换器的驱动电路，大家帮忙分析一下，现在驱动转换器时 是可以驱动起来的 但是功率不够，振荡的幅度很小，需要如何调整才能提高输出的功率呢我拿仿真软件也使了一下，波形如下大家看一看问题出在哪呢
2016-03-11 10:56:23
将功率MOSFET外置的DC/DC转换器控制器IC和高耐压MOSFET相组合，可以构成高耐压DC/DC转换器。然而，非单体元器件、而是作为一个IC实现80V的高耐压，则需要高超的制造工艺技术。用于制造
2018-12-03 14:44:01
描述此 2kW 隔离式双向直流/直流转换器参考设计 (TIDA-00951) 可在 400V 直流总线和 12 - 14 节锂电池组之间进行电力传输，可用于 UPS、电池备份和电力存储等应用。在备用
2018-12-05 14:13:14
和多相降压转换器。该参考设计使用两个dsPIC33F16GS504器件，一个用于PFC升压转换器和ZVT全桥转换器，而另一个dsPIC DSC用于单相和多相降压转换器
2019-05-17 09:23:23
，该规格适用于所有USB PD应用，如PC /笔记本电脑、移动电源和扩展口。在同步降压转换器中，有个现象众所周知，它称为“低端误导通”或“dv/dt电感导通”，这是造成击穿的罪魁祸首，有可能损坏开关并
2018-10-30 09:05:44
阻抗转换器的定义是什么？典型阻抗分析系统的结构是怎样的？电容测量转换器的原理是什么？电容测量转换器的应用有哪些？
2021-04-20 06:56:49
。实际上，所有这些器件，无论是无源的还是有源的，都远不是完美的。它们的存在如何影响降压开关转换器的直流传输功能是本文将要研究的主题
2019-08-07 08:19:32
推导简单的等式，描述采用不连续导电模式工作的LED升压转换器的一阶响应。尽管存在一阶的固有局限，简要分析获得的答案是足以稳定控制环路。在第2部分（实际考虑因素）文章中，我们将深入研究实施方案，并验证
2018-09-29 16:52:10
种情况下达到50 mV。此外，所选择的峰峰值电感电流为0.5 A.每种设计均基于图1中的电路，采用TI的TPS54160，2.5 MHz，60 V，1.5 A降压DC/DC转换器，集成MOSFET。选择
2019-07-16 23:54:06
绕组电容器。在传统的谐振转换器设计过程中，设计人员必须确保存储在谐振槽中的能量高于存储在FET C oss中的能量，以便C oss耗尽存储在谐振槽中的能量以实现ZVS。以图1所示的LLC-SRC为例
2022-05-11 10:17:28
绕组电容器。在传统的谐振转换器设计过程中，设计人员必须确保存储在谐振槽中的能量高于存储在FET C oss中的能量，以便C oss耗尽存储在谐振槽中的能量以实现ZVS。以图1所示的LLC-SRC为例
2022-05-25 10:08:50
零电压开关全桥转换器设计降低元器件电压应力
很多电源管理应用文章都介绍过采用 ZVS(零电压开关)技术实现无损转换的优势。为了实现 ZVT(零电压转换)，漏－源电
2009-11-03 09:03:33
787 
升压转换器的应用设计分析
升压转换器的拓扑类型如何？
本质上，升压转换器IC被用于电池
2010-03-20 13:57:14910 
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS，需要满足以下三个基本条件
2018-06-11 07:51:0020147 
LTC®3722-1 / LTC3722-2 相移 PWM 控制器提供了实现高效率、零电压开关 （ZVS）、全桥式功率转换器所必需的全部控制和保护功能。自适应 ZVS 电路可延迟每个 MOSFET 的接通信号，这与内部和外部组件的容差无关。手动延迟设定模式负责启用副端控制操作或开关接通延迟的直接控制。
2020-10-30 10:38:071178 近几年来，开关电源市场对高能效、大功率系统的需求不断提高，在此拉动下，设计人员转向寻找电能损耗更低的转换器拓扑。PWM移相控制全桥转换器就是其中一个深受欢迎的软硬结合的开关电源拓扑，能够在大功率条件下达取得高能效。本文旨在于探讨MOSFET开关管在零压开关（ZVS）转换器内的工作特性。
2021-03-16 11:24:252358 
和软开关技术的优点。本文的目的是研究MOSFET器件用作零压开关（ZVS）转换器中的开关时所受到的潜在电气应力。
2022-04-01 16:18:391882 
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网站提供《360W数控相移全桥转换器参考设计.zip》资料免费下载
2022-09-07 10:08:24
3 作为Si功率元器件评估篇的第2波，将开始一系列有关Si功率元器件通过PSFB电路进行“相移全桥电路的功率转换效率提升”的文章。这类大功率电源中大多采用全桥电路，尤其是相移全桥（以下称“PSFB
2023-02-13 09:30:053711 
相移全桥电路中轻负载时流过的电流小，LS中积蓄的能量少，所以很有可能在滞后臂的COSS充放电完成之前就开始开关工作。因此，ZVS工作无法执行，很容易发生MOSFET的导通损耗。
2023-02-13 09:30:05881 
在下面的表格中，汇总了当着眼于上一篇文章中给出的基本电路的一次侧MOSFET时，LLC转换器的优缺点。LLC转换器通过部分谐振方式实现ZVS工作，部分谐振方式是使用激励电流对MOSFET的输出电容Coss进行充电和放电。这样可以减少开关损耗，从而可以减小MOSFET封装和散热器的尺寸。
2023-02-13 09:30:12661 
在上一篇的图2的区域（2）中，MOSFET导通时是ZVS工作，因此LLC转换器通常在这个区域使用。图3为区域（2）中的工作波形。Q1和Q2的漏极电流波形（ID_Q1、ID_Q2）表明在导通时是ZVS工作。
2023-02-13 09:30:13706 
的品质因数(RDS(on)x Qg)，能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率和功率水平，适用于工业和汽车应用。该产品系列提供了广泛的封装选项，包括长引线 TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封装。 最新的快速恢复体二极管超结MOSFET技术针对要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器进
2023-02-22 15:26:58601 德赢Vwin官网
网站提供《用于反激式转换器的同步MOSFET选择.pdf》资料免费下载
2023-07-26 10:29:261 如何避免LLC谐振转换器中的MOSFET出现故障？ 在LLC谐振转换器中，MOSFET扮演着至关重要的角色。因为它们在转换器的关键电路中，控制着电流的流动和开关。但是，由于转换器的工作环境可能很严
2023-10-22 12:52:19371 功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识
2023-11-23 09:06:38407 
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