电源和 DC-DC 转换器成为可能。在设计研究中，在Traco Power 电源单元的 PFC 阶段实现并测量了 GaN 晶体管的使用。对优缺点以及相关的技术问题进行了详细的研究和描述。 近几十年来，电力电子领域发展迅速。这主要是由于越来越快的半导体开关，这使得设计更小的用于存储电能的组件成为可能
2021-10-14 15:33:00
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)晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关，从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥GaN晶体管的优势，需要一种具有新规格要求的新隔离方案。 GaN晶体管的开关速度比硅MOSFET要快得多，并可降低开关损耗，原因在于： 栅极电容和输出电容更低。
2023-06-12 10:53:287388 
8050的情况下，补码通常是8550。8050和8550晶体管的技术额定值通常是相同的。区别在于它们的极性。它们共同允许电流安全地流过无线电和无线电，从而为传输提供动力，并允许在用户端实现多种功能
2023-02-16 18:22:30
作者: 德州仪器设计工程师谢涌；设计与系统经理Paul Brohlin导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管
2018-08-30 15:28:30
一、晶体管开关电路：是一种计数地接通-断开晶体管的集电极-发射极间的电流作为开关使用的电路，此时的晶体管工作在截止区和饱和区。当需要输出大的负载电流时，由于集电极电流(负载电流)是放大基极电流而来
2021-10-29 09:25:31
本帖最后由 elecfans德赢Vwin官网
于 2017-10-24 22:44 编辑
在四种常用晶体管开关电路（2种NMOS，2种PMOS）一文中，介绍了晶体管构成的开关电路。这里我们使用所述
2016-08-30 04:32:10
晶体管技术方案面临了哪些瓶颈？
2021-05-26 06:57:13
【不懂就问】图中的晶体管驱动电路，在变压器Tr的副边输出电阻R3上并联的二极管D2，说D2的作用是在输入端有正脉冲输入时使得变压器次级产生的的正脉冲通过D2，直接驱动MOSFET管Q2，达到提高导
2018-07-09 10:27:34
）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。 按功能和用途分类 晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带
2010-08-12 13:59:33
晶体管参数测量技术报告摘 要晶体管的参数是用来表征管子性能优劣和适应范围的指标，是选管的依据。为了使管子安全可靠的工作，必须注意它的参数。本文主要论述以AduC812为核心的晶体管参数测试系统，该系
2012-08-02 23:57:09
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 编辑
晶体管作为电流单方向通过的电子开关使用晶体管也可以作为电子开关使用。但这个开关的电流方向只能是单向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
` 《晶体管电路设计（下）》是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管／FET电路设计技术的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路、源极跟随器电路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
时，先将hFE/ICEO选择开关置于ICEO档，选择晶体管的极性，将被测晶体管的三个引脚插个测试孔，然后按下ICEO键，从表中读出反向击穿电流值即可。2．放大能力的检测 晶体管的放大能力可以用万用表
2012-04-26 17:06:32
供应晶圆芯片，型号有： 可控硅， 中、大功率晶体管，13000系列晶体管，达林顿晶体管，高频小信号晶体管，开关二极管，肖特基二极管，稳压二极管等。有意都请联系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
从事电子设计7年了，发觉这两本书挺好的，发上来给大家分享一下附件晶体管电路设计（上）放大电路技术的实验解析.pdf42.5 MB晶体管电路设计（下）FET_功率MOS_开关电路的实验解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
有效芯片面积的增加，(2)技术上的简化，(3)晶体管的复合——达林顿，(4)用于大功率开关的基极驱动技术的进步。、直接工作在整流380V市电上的晶体管功率开关晶体管复合(达林顿)和并联都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
-发射极间流过电流。如前面的特征汇总表中所示，关于驱动，需要根据与放大系数、集电极电流之间的关系来调整基极电流等。与MOSFET显著不同的是，用于放大或导通/关断的偏置电流会流经晶体管（基极）。另外
2018-11-28 14:29:28
相关的参数，以及双极晶体管的集电极-发射极相关的参数。 基本工作特性比较 这三种晶体管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相对于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作开关，因此一般尽量在Vce/Vds较低的条件下使用。这是在使用的电路条件下，探讨哪种晶体管最适合时的代表特性之一。
2020-06-09 07:34:33
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速
2019-07-23 00:07:18
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速
2019-05-05 00:52:40
型号的晶体管。 5．开关三极管的选用小电流开关电路和驱动电路中使用的开关晶体管，其最高反向电压低于100V，耗散功率低于1W，最大集电极电流小于1A，可选用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等
2012-01-28 11:27:38
;nbsp; 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为
2010-08-12 13:57:39
驱动篇 – BJT晶体管应用感谢阅读本文，在接下来很长的一段时间里，我将陆续分享项目实战经验。从电源、单片机、晶体管、驱动电路、显示电路、有线通讯、无线通信、传感器、原理图设计、PCB设计、软件设计
2021-07-21 06:31:06
Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
)：13.0效率（％）：33额定电压(V)：40形式：封装形式分立晶体管封装形式类别：法兰盘技术应用：GaN-on-SiC
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）衬底上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。这种GaN内匹配（IM）场效应晶体管与其他技术相比，提供了优异的功率附加效率。GaN与硅或砷化镓相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和双极技术。产品型号
2019-05-14 11:00:13
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-05-06 05:00:17
基于SiC HEMT技术的GaN输出功率> 250W预匹配的输入阻抗极高的效率-高达80％在100ms，10％占空比脉冲条件下进行了100％RF测试IGN0450M250功率晶体管
2021-04-01 10:35:32
和双极技术。产品型号：IGN1090M800产品名称： L波段晶体管 产品特性GaN HEMT技术对SiCP out-pk = 800w @ 128us / 2% / 50v1.090ghz操作频率
2019-05-20 09:16:24
和双极技术。产品型号：IGN2856S40产品名称：晶体管IGN2856S40产品特性SiC HEMT技术中的GaN500瓦输出功率AB类操作预匹配内阻抗100%高功率射频测试负栅电压/偏置序列
2018-11-12 11:14:03
，装在基于金属的封装中，并用陶瓷环氧树脂盖密封。GaN on SiC HEMT技术40W输出功率AB类操作预先匹配的内部阻抗经过100％大功率射频测试负栅极电压/偏置排序IGN2731M5功率晶体管
2021-04-01 09:57:55
）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和双极技术。产品型号：IGT2731L120产品名称： S波段晶体管 产品特性GaN HEMT技术对SiCP out-pk
2018-11-12 10:26:20
集电极提前有一定的电流。当输入基极电流变小时，可以减小集电极电流;当输入基极电流增加时，集电极电流增加。减少的信号和增加的信号都可以放大。3） NPN晶体管开关让我们谈谈萨图拉晶体管的模式。如上图所示
2023-02-08 15:19:23
化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：NPT2020产品名称：射频晶体管NPT2020产品特性GaN上硅HEMT耗尽型晶体管适合线性和饱和应用从直流3.5 GHz调谐48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
、PNP晶体管的应用PNP晶体管用于源出电流，即电流流出集电极。PNP 晶体管用作开关。这些用于放大电路。当我们需要通过按下按钮关闭某些东西时，就会使用 PNP 晶体管。即紧急关闭。用于达林顿对电路。用于
2023-02-03 09:44:48
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能
2010-08-13 11:36:51
了功率晶体管的性能。如 (1)开关晶体管有效芯片面积的增加， (2)技术上的简化， (3)晶体管的复合——达林顿， (4)用于大功率开关的基极驱动技术的进步。 、直接工作在整流380V市电上
2010-08-13 11:38:59
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
放大电路的设计与制作，下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。《晶体管电路设计》(上)面向实际需要，理论联系实际，通过大量具体的实验，通俗易懂地介绍晶体管电路设计的基础知识
2017-07-25 15:29:55
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶体管通道完全闭合；二维过渡金属二硫化物受损于其比透明导电氧化物还低的载流子迁移率。 在新加坡-麻省理工学院研究与技术联盟，正在先行研发一种有前景的替代材料：GaN。从光学角度看，GaN的带隙为
2020-11-27 16:30:52
类型。3.2 晶体管的种类及其特点》巨型晶体管GTR是一种高电压、高电流的双极结型晶体管（BJT），因此有时被称为功率BJT。特点：电压高，电流大，开关特性好，驱动功率高，但驱动电路复杂;GTR和普通双极结型
2023-02-03 09:36:05
。达林顿通常用于需要低频高增益的地方。常见应用包括音频放大器输出级、功率调节器、电机控制器和显示驱动器。 达林顿晶体管也被称为达林顿对，由贝尔实验室的西德尼达林顿于 1953 年发明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
鳍式场效应晶体管优势 更好地控制通道 抑制短通道效应 更低的静态漏电流 更快的开关速度 更高的漏极电流（每个封装的驱动电流更大） 更低的开关电压 低功耗 鳍式场效应晶体管缺点 难以
2023-02-24 15:25:29
光敏晶体管日光开关电路
2019-03-12 11:44:10
电路的设计与制作，下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。《晶体管电路设计(下)》是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管／FET电路设计技术
2017-06-22 18:05:03
对芯片作底层支撑的场效应晶体管，一款能起良好稳压作用的芯片非常重要。因此在进行开关电源设计时，工程师会更多地考虑使用更优质的场效应晶体管来支持电源芯片，这需要考虑场效应晶体管的什么性能呢？应从
2019-04-01 11:54:28
做了一个单结晶体管仿真（电力电子技术的初学者）。有个问题请教于各位高手。1：开关初始时刻是闭合的时候，点击仿真，发光二极管不亮 。:2：初始时刻，开关打开，点击仿真后，点击开关闭合，二极管开始闪烁。按照道理来说。情境1与情境2不应该是一样的吗，为什么会有差别啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
音频放大器的差分输入电路及调制、较大、阻抗变换、稳流、限流、自动保护等电路，可选用结型场效应晶体管。音频功率放大、开关电源、逆变器、电源转换器、镇流器、充电器、电动机驱动、继电器驱动等电路，可选
2021-05-13 07:10:20
）需要几毫安才能上电，并且可以由逻辑门输出驱动。然而，螺线管、灯和电机等大功率电子设备比逻辑门电源需要更多的电力。输入晶体管开关。 晶体管开关操作和操作区域 图 1 中图表上的蓝色阴影区域表示饱和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
为了改善晶体管的开关特性，减小晶体管的损耗，在晶体管基极驱动电路的设计上会采取一些加速措施。如下： 加速电路一 在加速电路一中，并联在RB两端的电容CB称为加速电容，数值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
您已了解GaN晶体管出色的性能，您很兴奋。样品总算来到，您将它们放入板中。您打开电源，施加负载，结果……性能并没有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的开关问题。这些晶体管不好。真遗憾。为何出现这种情况？有没有可能遗漏了什么？如何正确理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
。 如何提高晶体管的开关速度？——可以从器件设计和使用技术两个方面来加以考虑。（1）晶体管的开关时间：晶体管的开关波形如图1所示。其中开启过程又分为延迟和上升两个过程，关断过程又分为存储和下降两个过程
2019-09-22 08:00:00
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
探索晶体管驱动负载的技巧.pdf {:1:}
2013-05-16 09:37:25
。 如何提高晶体管的开关速度？——可以从器件设计和使用技术两个方面来加以考虑。（1）晶体管的开关时间：晶体管的开关波形如图1所示。其中开启过程又分为延迟和上升两个过程，关断过程又分为存储和下降两个过程
2019-08-19 04:00:00
=0.65V/10k=65μA)IB=Ii-IR2=Ii-65μA 即Ii在65µA以下时，IB没有电流流过，VO [VCE(sat)]上升。因此，在低电流区域不能测定VO。关于数字晶体管的开关动作
2019-04-22 05:39:52
的开关动作关于数字晶体管的用语选定方法①使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②输入电阻：R1是±30% E-B间的电阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V数字晶体管具有
2019-04-09 21:49:36
的内部电路中也是采用这种技术。如下图，肖特基箝位在基极-集电极之间，这种二极管开关速度快，正向压降比PN结小，准确来说叫做肖特基势垒二极管。由于肖特基二极管的正向压降比晶体管的Vbe小，因此，本来应该
2023-02-09 15:48:33
有没有关于晶体管开关的电路分享?
2021-03-11 06:23:27
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-05-05 01:31:57
和功率密度，这超出了硅MOSFET技术的能力。开发工程师需要能够满足这些要求的新型开关设备。因此，开始了氮化镓晶体管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和优势 松下混合漏极栅极注入晶体管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
，开辟了新的可能性。GaN晶体管可以实现高得多的dV/dt压摆率，因此可以比硅MOSFET更快地切换，从而显著降低开关损耗。GaN晶体管的另一个优势是没有反向恢复电荷，传统硅MOSFET设计的反向恢复
2017-08-21 14:36:14
） 和芯片照片 （b） 的框图 图 8：48 V – 12 V 降压转换器中单片 GaN 功率级（绿色）和外部驱动的等效分立 GaN 晶体管（蓝色）解决方案之间的效率比较，频率为 1 MHz（实线
2023-02-24 15:15:04
效率和功率密度。GaN功率晶体管作为一种成熟的晶体管技术在市场上确立了自己的地位，但在软开关应用中通常不被考虑使用。虽然在硬开关应用中使用GaN可以显著提高效率，但软开关转换器（如LLC）对效率和频率
2023-02-27 09:37:29
求一个晶体管开关时间的测试搭建电路，有脉冲发生器，直流电源，示波器。
2020-03-05 22:57:43
针对可靠的高功率和高频率电子设备，制造商正在研究氮化镓(GaN)来制造具有高开关频率的场效应晶体管(FET)由于硅正在接近其理论极限，制造商现在正在研究使用宽带隙(WBG)材料来制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
电子产品中，近年来逐渐被晶体管和集成电路所取代，但目前在一些高保真音响器材中，仍然使用电子管作为音频功率放大器件。 而晶体管是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多
2016-01-26 16:52:08
将会导致高频振荡电压。如果这些无法解决这些问题，将可能导致晶体管损坏。 尽管传统硅晶体管的并联配置技术已经十分成熟，但对于GaN器件并联技术研究还鲜有涉及。考虑到GaN器件驱动的特殊性以及其高速开关
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
电极-发射极电流与几乎零栅流驱动器。典型的 IGBT绝缘栅双极性晶体管，即 IGBT，结合了 MOSFET 的绝缘栅(因此得名第一部分)技术和传统双极性晶体管的输出性能特性，因此得名第二部分。这种混合
2022-04-29 10:55:25
这个晶体管为什么是开关管的作用，还有电流方向是怎样的？
2018-12-28 15:41:49
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
工作于开关状态的晶体管由于电流变化率di/dt和电压变化率dv/dt而产生瞬态过电流和瞬态过电压，这种现象称为电应力。电应力的本质是瞬时功耗的集中。这种电压和电流过冲形成的尖峰和毛刺，很容易
2020-11-26 17:26:39
大规模数据中心、企业服务器或电信交换站使得功耗快速增长,因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。但是,电力电子行业中的硅MOSFET已达到其理论极限。同时,近来氮化镓(GaN)晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关,从而可提高能源转换效率和密度
2020-12-26 04:10:19426 GaN（氮化镓）功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布，其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682 ) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压摆率很高时，特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。将GaN FET与驱动器集成在一个封装内可以减少寄生电感
2022-01-26 15:11:021649 
如何高效、安全地驱动Rad-Hard E型GaN晶体管
2021-11-29 16:31:42
1 GaN功率晶体管:器件、技术和可靠性详解
2022-12-21 16:07:11426
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