工程师对电磁干扰，并行化和布局非常熟悉，但是当从基于硅的芯片过渡到碳化硅或宽带隙器件时，需要多加注意。 芯片显示，基于硅（Si）的半导体比宽带隙（WBG）半导体具有十多年的领先优势，主要是碳化硅
2021-04-06 17:50:53
3169 
半导体器件与工艺
2012-08-20 08:39:08
《电子电路分析与设计：半导体器件及其基本应用》主要内容：电子学是研究电荷在空气、真空和半导体内运动的一门科学（注意此处不包括电荷在金属中的运动）。这一概念最早起源于20世纪早期，以便和电气工程
2018-11-13 15:34:39
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
2011-10-23 22:05:11
半导体器件热谱分析方法
2016-04-18 16:38:19
半导体器件物理（胡正明）
2020-09-22 19:57:16
!!1、半导体元件与芯片的区别按照国际标准分类方式，在国际半导体的统计中，半导体产业只分成四种类型：集成电路，分立器件，传感器和光电子。所有的国际半导体贸易中都是分成这四类。上面说的...
2021-11-01 09:11:54
请问半导体分立器件怎么分类？
2011-10-26 10:29:14
摘要 : 导读：ASEMI半导体这个品牌自打建立以来，就一直不间断在研发半导体各类元器件，在半导体的制程和原理上可谓已经是精益求精，今天ASEMI半导体要和大家一起分享的，就是这个半导体的制程导读
2018-11-08 11:10:34
近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体
2021-07-12 07:49:57
家电企业作为储备技术。真正最多应用于家电的电机控制IC产品是MCU。来自家电行业的信息显示，意法半导体（ST）、NEC、瑞萨半导体是家电电机控制的主要MCU产品提供商。
2019-06-21 07:45:46
本人小白，最近公司想上半导体器件的塑封生产线，主要是小型贴片器件封装，例如sot系列。设备也不需要面面俱到，能进行小规模正常生产就行。哪位大神能告知所需设备的信息，以及这些设备的国内外生产厂家，在此先行感谢！
2022-01-22 12:26:47
半导体存储元器件工作原理
2017-02-05 13:25:23
半导体气敏器件相关资料分享
2021-04-01 06:01:54
、635nm、650nm、670nm）。这些器件的特征是：单频窄线宽、高速率、可调谐、短波长、光电单片集成化等。 大功率半导体激光器（功率型激光器），主要用于泵浦源、激光加工系统、印刷行业、生物医疗等领域
2016-01-14 15:34:44
在这里我们通过半导体与其他材料的主要区别来了解半导体的本性： 在室温下，半导体的电导率处在103~10-9西[门子]/厘米之间，其中西[门子]/厘米为电导率的单位，电导率与电阻率互为倒数。一般金属
2018-03-29 09:04:21
宽带隙器件的技术优势实际应用中的宽带隙功率转换
2021-02-22 08:14:57
带隙高于硅半导体的新型材料可缩减芯片尺寸，同时保持相同的隔离电压。 较小的芯片产生较低的寄生电容，并降低了晶体管栅极电荷 (Qg) 及输出电容 (Coss)。相比于标准的硅 MOSFET，在给定的频率
2022-11-16 06:48:11
应用于EMI及ESD的新型片式元器件有哪些？
2021-05-31 06:06:13
意法半导体拥有最先进的平面工艺，并且会随着G4不断改进：• 导通电阻约比G3低15%• 工作频率接近1 MHz• 成熟且稳健的工艺• 吞吐量、设计简单性、可靠性、经验…• 适用于汽车的高生产率
2023-09-08 06:33:00
GVM电机技术特点是什么？有哪些主要特征？GVM电机优势有哪些？主要应用于哪些方面？
2021-09-30 08:35:56
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料。与目前绝大多数的半导体材料相比，GaN 具有独特的优势：禁带更宽、饱和漂移速度更大、临界击穿电场和热导率更高，使其成为最令人瞩目的新型半导体材料之一。目前，GaN 基发光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
IHDF-1300AE-10是什么？主要应用于哪些领域？IHDF-1300AE-10器件规格是什么？
2021-07-09 07:03:19
KIA半导体MOS管具备挺大的核心竞争力，是开关电源生产厂家的最好的选择。KIA半导体 MOS管厂家主要研发、生产、经营：场效应管（MOS管）、COOL MOS（超结场效应管）、三端稳压管、快恢复
2021-11-12 08:43:18
LED具备哪些重要优势？ LED在汽车领域应用所面临的挑战有哪些？LED主要应用于哪些领域？
2021-05-19 06:42:00
LED有哪些关键特性？控制LED的方法有哪些？LED主要应用于哪些领域？
2021-05-12 06:42:04
TQ6122是什么？TQ6122的结构有哪些特点？TQ6122的引脚功能包括哪些？TQ6122主要应用于哪些领域？TQ6122在应用中有哪些问题？
2021-04-14 06:53:20
XCP是什么？它为什么会出现？XCP的结构是由哪些部分组成的？XCP从设备包括哪些?XCP有哪些设计准则？XCP主要应用于哪些领域？
2021-04-15 06:05:24
最近手上好多半导体芯片职位，可是人都不知道去哪了，都没什么人关注。请教：1. 对现在工作很满意2. 形势不好，不敢跳槽3. 不知道招聘信息4. 跳槽工资不吸引5. 其他你们心里是怎么想的？[此贴子已经被作者于2009-8-27 10:58:45编辑过]
2009-08-27 10:58:18
_BV（i）指令到底是什么意思？_BV（i）指令主要应用于哪些地方？
2021-07-08 07:19:03
和 102 之间变化Q cm（硅的电阻率在 0.1 到 60 Qcm 之间）。半导体介于绝缘体和导体之间，因为它们的带隙（价带最高能级与电导带最低能级之间的能量差）相对较小。分子轨道理论指出，当原子
2021-07-01 09:38:40
镓和碳化硅的各种蚀刻剂，包括水性无机酸和碱溶液以及熔融盐。湿法刻蚀在宽带隙半导体技术中有多种应用，包括缺陷装饰、通过产生特征凹坑或小丘识别极性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。对于氮化镓
2021-10-14 11:48:31
使用这些纳米线阵列，可以实现宽带光捕获。接触电极，如氧化铟锡 (ITO)、银和铜，对具有不同带隙的半导体纳米线太阳能电池器件的影响，重点是光吸收。虽然传统的导电氧化物材料，如氧化铟锡 (ITO
2021-07-09 10:20:13
变换和电路控制，更是弱电控制与强电运行之间的沟通桥梁，主要作用是变频、变压、变流、功率放大和功率管理，对设备正常运行起到关键作用。与此同时，功率半导体器件还具有绿色节能功能，被广泛应用于几乎所有的电子制造业
2019-02-26 17:04:37
建模工具所采用。基于其集成的并行SPICE引擎，BSIMProPlus提供强大的全集成SPICE建模平台，可以用于对各种半导体器件从低频到高频的各种器件特性的SPICE建模，包括电学特性测试、器件模型
2020-07-01 09:36:55
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管
2021-05-25 08:01:53
满足市场需求，使用硅的新器件年复一年地实现更大的功率密度和能效，已经越来越成为一个巨大的挑战。从本质上讲，芯片的演进已经接近其基础物理极限。但是，为什么说宽带隙半导体的表现已经超越了硅呢？
2019-07-30 07:27:44
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合用于
2019-07-29 07:16:49
1，半导体基础2，PN节二极管3，BJT和其他结型器件4，场效应器件
2020-11-27 10:09:56
基于霍耳效应的半导体磁电转换传感器。在磁场测量以及利用磁场作为媒介对位移、速度、加速度、压力、角度、角速度、流量、电流、电功率等许多非电量测量中，半导体磁敏元件是一种重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
去的三十年里，III-V 技术（GaAs 和InP）已经逐渐扩大到这个毫米波范围中。新近以来，由于工艺尺寸持续不断地减小，硅技术已经加入了这个“游戏”。在本文中，按照半导体特性和器件要求，对可用于
2019-07-31 07:43:42
什么是OP4177？它有什么优点？OP4177主要应用于哪些领域？OP4177的电源解决方案有哪些？
2021-04-20 07:25:28
的钳位感性负载电路。 一旦对半导体器件进行了表征，就需要对其进行评估。这同样适用于WBG设备。为了评估用WBG半导体代替硅器件可能获得的优势，需要从系统级的角度进行评估。评估程序通常基于在连续和非连续
2023-02-21 16:01:16
电路保护用于几乎所有的电气或电子设备,不仅保护设备,而且保护人、企业和声誉。这些器件有针对性地保护敏感电子免受过流、过压、静电放电、浪涌和其他破坏性的故障所导致的失效。国内电路保护专家优恩半导体专业研发及生产高规格、高性能电路保护元件，本文将介绍优恩半导体电路保护器件的优势
2018-09-25 15:45:33
Python是什么？Python主要应用于哪些领域？
2021-07-02 06:15:31
说到功率转换电子器件，每位设计师都希望用到损耗最小的完美半导体开关，而宽带隙碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件通常被认为是接近完美的器件。不过，想要达到“完美”，只靠低损耗是远远不够的。开关必须
2023-02-05 15:14:52
点击: 功率半导体器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半导体器件应用手册功率半导体器件应用手册——弯脚及焊接应注意的问题本文将向您介绍大家最关心的有关TSE功率半导体器件封装的两个问题：一、 怎样弯脚才能不影响器件的可靠性？二、 怎样确保焊接
2008-08-12 08:46:34
电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上)电子器件。可以分为半控型器件
2021-09-09 06:29:58
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
。目前，凯仕德离子风机，离子风棒，凯仕德空间离子棒具有很好的去除工业静电的作用，已应用于大多数半导体生产中。
2023-12-12 17:18:54
，安森美半导体提供优质的全局快门系列产品，可捕获快速移动的的对象，主要应用于扫码的VGA、100万像素及更高像素输出，产品经市场验证，质量、信用及技术水平都得到客户的广泛认可，目前占据超过40
2018-11-08 16:23:34
安森美半导体应用于物联网的成像技术和方案分享
2021-05-31 07:07:32
安森美半导体将于下周在德国纽伦堡举办的Embedded World展示应用于汽车、工业及消费的的基于半导体的集成系统方案。我们将重点展示物联网(IoT) 及工业物联网(IIoT) 或工业4.0，以及
2018-10-11 14:28:55
（GaN）宽带隙器件，助力开发先进、高能效的下一代电动车（EV）和混合动力电动车（HEV），实现更高的安全性、智能性和每次充电后更远的续航里程。 此次安森美半导体与奥迪的全新合作将加快开发进程，打造自动驾驶系统和汽车功能电子化的全新性能，推进汽车领域的变革。
2018-10-11 14:33:43
安森美半导体电源方案部（PSG）加速了扩展分立器件、集成电路(IC)、模块和驱动器产品阵容，针对汽车应用中的高电源能效方案。公司电源方案部的汽车认证的器件数现已超过4,000，是该行业中最大的供应商
2018-10-25 08:53:48
常用半导体器件本章要求：一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和 &
2009-09-30 18:12:20
1.常用半导体器件型号命名的国家标准常用半导体器件的型号命名由五个部分组成，第一部分用数字表示电极的数目；第二部分用汉语拼音字母表示器件的材料和极性；第三部分表示器件的类别；第四部分表示器件的序号
2017-11-06 14:03:02
半导体元器件是用半导体材料制成的电子元器件，随着电子技术的飞速发展，各种新型半导体元器件层出不穷。半导体元器件是组成各种电子电路的核心元件，学习电子技术必须首先了解半导体元器件的基本结构和工作原理
2008-05-24 10:29:38
常用的功率半导体器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
带隙高于硅半导体的新型材料可缩减芯片尺寸，同时保持相同的隔离电压。 较小的芯片产生较低的寄生电容，并降低了晶体管栅极电荷 (Qg) 及输出电容 (Coss)。相比于标准的硅 MOSFET，在给定的频率
2018-08-30 14:43:17
能量转换效率是一个重要的指标，各制造商摩拳擦掌希望在95%的基础上再有所提升。为了实现这一提升，开始逐渐采用越来越复杂的转换拓扑，如移相全桥（PSFB）和LLC变换器。而且二极管将逐渐被功耗更低的MOSFET所取代，宽带隙（WBG）器件更是以其惊人的开关速度被誉为未来的半导体业明珠。
2020-10-29 07:12:23
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
电力半导体器件的分类
2019-09-19 09:01:01
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
(SiC)、氮镓(GaN)为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
半导体材料是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。按种类可以分为元素半导体和化合物半导体两大类
2019-06-27 06:18:41
在功率转换应用中，使用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料的宽带隙（WBG）半导体器件作为开关，能让开关性能更接近理想状态。相比硅MOSFET或IGBT，宽带隙器件的静态和动态损耗都更低。此外还有
2023-02-05 15:16:14
半导体器件,半导体器件的种类
半导体器件从肯有2个管脚的二极管到最新的系统LSI、超大功率器件均有广泛的研究，且被广泛地运用于手机、数码家电产品
2010-03-01 17:25:025985 什么是宽带隙半导体材料
氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料，因为它的禁带宽度都在3个电子伏以上，在室温下不可
2010-03-04 10:32:487106 半导体分立器件器件国内主要公司有韦尔股份、扬杰科技、捷捷微电、苏州固锝、华微电子、台基股份、士兰微等。
2018-11-15 17:06:5425412 半导体光电器件是指把光和电这两种物理量联系起来，使光和电互相转化的新型半导体器件。即利用半导体的光电效应（或热电效应）制成的器件。光电器件主要有，利用半导体光敏特性工作的光电导器件，利用半导体光伏打效应工作的光电池和半导体发光器件等。
2019-01-09 15:06:1624699 本文档的主要内容详细介绍的是半导体教程之半导体器件基础的资料说明主要内容包括了:1 半导体的基本知识，2 半导体二极管，3 半导体三极管，4 BJT模型，5 场效应管
2019-01-22 08:00:00
52 正是由于带隙，使得半导体具备开关电流的能力，以实现给定的电子功能;毕竟，晶体管仅仅是嵌入在硅基衬底上的微型开关。更高的能量带隙赋予了WBG材料优于硅的半导体特性。 相较于硅器件，WBG器件可以在较小
2019-08-28 12:31:068446 
近日，为了促进宽带隙（WBG）半导体技术的发展，IEEE电力电子学会（PELS）发布了宽带隙功率半导体（ITRW）的国际技术路线图。
2020-04-13 16:01:314681 宽带隙 （WBG） 半导体器件的集成在多种技术应用中作为硅技术的替代品是一个不断增长的市场，它可以提供效率和功率密度的改进，这对能源和成本节约有很大的影响 。WBG 具有显着优势，例如更高的开关频率、更低的功率损耗和更高的功率密度。
2022-04-22 17:01:511719 
宽带隙 (WBG) 半导体，例如氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已经终结了硅在电力电子领域的主导地位。自硅问世以来，WBG 半导体被证明是电力电子行业最有前途的材料。与传统的硅基技术相比
2022-07-27 15:11:441258 使用宽带隙半导体的技术可以满足当今行业所需的所有需求。顾名思义，它们具有更大的带隙，因此各种电子设备可以在高电压、高温和高频率下工作。碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 是最近推出的宽带
2022-07-29 08:06:461389 
宽带隙 (WBG) 半导体极大地影响了使用它们的设备的可能性。材料的带隙是指电子从半导体价带的最高占据态移动到导带的最低未占据态所需的能量。
2022-07-29 15:10:451618 工程师熟悉电磁干扰、并联和布局，但在从硅基芯片过渡到碳化硅或宽带隙器件时，需要多加注意。 据chip称，硅（Si）基半导体比宽带隙（WBG）半导体领先十年，主要是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN
2022-08-05 14:30:09731 
追求更高效的电子产品以功率器件为中心，而半导体材料则处于研发活动的前沿。硅的低成本和广泛的可用性使其在几年前超越锗成为主要的功率半导体材料。然而，今天，硅正在将其在功率器件中的主导地位让给两种更高
2022-08-08 10:16:49935 
碳化硅（SiC）晶圆经常出现在新闻中，这一事实预示着这种宽带隙（WBG）材料作为颠覆性半导体技术的证书，适用于更小、更轻、更高效的电力电子设备。
2022-12-15 11:08:18691 用于光电子和电子的宽带隙和超宽带隙半导体
2022-12-22 09:32:25640 碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许
2022-12-30 13:57:49632 
随着硅接近其物理极限，电子制造商正在转向非常规半导体材料，特别是宽带隙（WBG）半导体，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。由于宽带隙材料具有相对较宽的带隙（与常用的硅相比），宽带隙器件可以在高压、高温和高频下工作。宽带隙器件可以提高能效并延长电池寿命，这有助于推动宽带隙半导体的市场。
2023-02-05 14:25:15677 宽带隙半导体是一种具有宽带隙的半导体材料，其特性是具有较宽的能带隙，可以吸收和发射更多的光子，从而提高半导体器件的效率。它广泛应用于太阳能电池、激光器件、光电子器件等领域。
2023-02-16 15:07:08700 功率半导体器件是一种用于控制和转换大功率电能的半导体器件，主要包括以下几种类型：
二极管：功率二极管是一种只允许电流单向流动的半导体器件，常用于整流、反向保护等应用中。
2023-02-28 11:41:342705 德赢Vwin官网
网站提供《用于高密度和高效率电源设计的意法半导体WBG解决方案.pdf》资料免费下载
2023-08-01 16:54:170 调查结果显示，SiC、GaN（氮化镓）等宽带隙半导体单晶主要用于功率半导体器件，市场正在稳步扩大。
2023-09-04 15:13:24365 
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时栅极电阻选型注意事项
2023-11-23 16:56:32254 
德赢Vwin官网
App
工商网监
评论