转变，不少专注GaN器件的Fabless公司正在 有着越来越大的影响力。 器件设计 GaN器件设计根据类型我们可以分为三个部分，分别是：射频、功率和光电子，这次主要关注的是射频以及功率方面的应用。 GaN射频器件设计 GaN射频器件主要可以分为三种：大
2022-07-18 01:59:45
4002 SiC、GaN等下一代功率器件的企业有所增加，为数众多的展示吸引了各方关注。SiC和GaN也变得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:493475 （SiC）和氮化镓（GaN）占有约90％至98％的市场份额。供应商。WBG半导体虽然还不是成熟的技术，但由于其优于硅的性能优势（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷却），正在跨行业进军。 使用基于SiC或GaN的功率半导体来获
2021-04-06 17:50:533169 
电力电子将在未来几年发展，尤其是对于组件，因为 WBG 半导体技术正变得越来越流行。高工作温度、电压和开关频率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。从硅到 SiC 和 GaN 组件的过渡标志着功率器件发展和更好地利用电力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化镓 (GaN) HEMT 等宽带隙 (WBG) 功率器件的采用目前正在广泛的细分市场中全面推进。在许多情况下，WBG 功率器件正在取代它们的硅对应物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有显着差异。
2021-11-17 09:06:184236 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361220 领域的热点。
如图1所示，GaN材料作为第三代半导体材料的核心技术之一，具有禁带宽度高、击穿场强大、电子饱和速度高等优势。由GaN材料制成的GaN器件具有击穿电压高、开关速度快、寄生参数低等优良特性
2023-06-25 15:59:21
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了GaN 适用于微波器件制造的原因，介绍了几种GaN 基微波器件最新研究动态，对GaN 调制掺杂场效应晶体管（MODFETs）的工作原理以及特性进行了具体分析，并同其他微波器件进行了比较，展示了其在微波高功率应用方面的巨大潜力。
2019-06-25 07:41:00
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器
2019-07-31 06:16:52
一样，商用SiC功率器件的发展走过了一条喧嚣的道路。本文旨在将SiC MOSFET的发展置于背景中，并且 - 以及器件技术进步的简要历史 - 展示其技术优势及其未来的商业前景。 碳化硅或碳化硅的历史
2023-02-27 13:48:12
新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步，从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率，将有助于实现更紧
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-05-07 06:21:55
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-05-06 09:15:52
，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为合适
2019-07-23 04:20:21
/电子设备实现包括消减待机功耗在内的节能目标。在这种背景下，削减功率转换时产生的能耗是当务之急。不用说，必须将超过Si极限的物质应用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的开关损耗降低85
2018-11-29 14:35:23
与硅相比，SiC有哪些优势？SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能？碳化硅器件的缺点有哪些？
2021-07-12 08:07:35
一.功率电子器件及其应用要求功率电子器件大量被应用于电源、伺服驱动、变频器、电机保护器等功率电子设备。这些设备都是自动化系统中必不可少的，因此，我们了解它们是必要的。近年来，随着应用日益高速发展
2018-05-08 10:08:40
功率电子器件及其应用要求
2019-04-10 11:47:48
电子器件是指什么？电子器件可分为哪几种？电子器件有何作用？
2021-11-05 08:32:42
谁有电子器件测试仪相关方面的资料啊？求共享。{:1:} 好头痛哦
2012-04-30 11:09:24
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管，旨在满足P波段雷达系统的独特需求。它在整个420-450 MHz频率范围内运行。 在100毫秒以下，10％占空比脉冲条件
2021-04-01 10:35:32
，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率电子和模拟
2023-03-29 15:06:13
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 编辑
亲爱的电子发烧友小伙伴们！罗姆作为 SiC 功率元器件的领先企业，自上世纪 90 年代起便着手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
方形，通过两个晶格常数（图中标记为a 和c）来表征。GaN 晶体结构在半导体领域，GaN 通常是高温下（约为1,100°C）在异质基板（射频应用中为碳化硅[SiC]，电源电子应用中为硅[Si]）上通过
2019-08-01 07:24:28
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PND的特征SiC-SBD为形成
2018-11-29 14:33:47
光子学是什么？纳米光子学又是什么？光子器件与电子器件的性能有哪些不同？
2021-08-31 06:37:56
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
功率电子器件概览
2019-04-10 12:24:53
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
求助一些网购的技巧：在那些网上买电子器件材料，花费可以减到最小？求助。。。。。。。。。。
2013-06-12 12:39:38
（GaN）和碳化硅（SiC）晶体管等化合物半导体器件限制了高频条件下的开关损耗，加速了电路越来越小的趋势。事实上，高频操作导致电子电路的收缩，这要归功于减小的磁性器件尺寸和增加的功率密度。这一点对于
2023-09-06 06:38:52
在开关电源转换器中,如何充分利用SiC器件的性能优势？
2021-02-22 07:16:36
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽禁带半导体电力电子技术的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带电力电子
2017-07-11 14:06:55
由于设备本来用的老电子器件不生产了，现在找到一款贴近老电子器件的新器件，我想问一下用新器件替换的时候，需要注意哪些方面，有哪些指标是特别重要的。
2023-03-14 17:14:21
。但是，SiC器件需要对其关键规格和驱动要求有新的了解才能充分发挥其优势。本文概述了EV和HEV的功率要求，解释了为什么基于SiC的功率器件非常适合此功能，并阐明了其辅助器件驱动器的功能。在简要讨论了
2019-08-11 15:46:45
`①未来发展导向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半导体”已逐渐步入大众生活，以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立（分立半导体）元器件备受瞩目。在科技发展道路上的，“小型化”和“节能化
2017-07-22 14:12:43
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
、阴抗匹配等系统级功能。PEBB最重要的特点就是其通用性。基于新型材料的电力电子器件SiC（碳化硅）是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，可制作出性能更加优异的高温(300℃～500℃)、高频、高功率
2017-11-07 11:11:09
本文由QYResearch整理发布 电力电子器件的回顾电力电子器件又称作开关器件，相当于信号电路中的A/D采样，称之为功率采样，器件的工作过程就是能量过渡过程，其可靠性决定了系统的可靠性。根据可控
2017-05-25 14:10:51
【不懂就问】在书上看到的说，电力电子器件工作在开关状态，这样损耗很小，但是不是说功率器件在不停开关过程中有大量损耗吗？这个矛盾吗？而且开关电源的功率管工作在饱和区，而线性电源的功率管工作在线性区，这个和上面又有什么关系？
2018-01-23 16:10:48
电力电子器件1.1 电力电子器件概述1.2 不可控器件——电力二极管1.3 半控型器件——晶闸管1.4 典型全控型器件 1.5 其他新型电力电子器件 小结
2009-09-16 12:09:44
甚至无法工作。解决方法就是在管壳内引入内匹配电路，因此内匹配对发挥GaN功率管性能上的优势，有非常重要的现实意义。 2.SIC碳化硅(SiC)以其优良的物理化学特性和电特性成为制造高温、大功率电子器件
2017-06-16 10:37:22
请问一下SiC和GaN具有的优势主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
如题所说，希望各位前辈能指导的具体点，而不是说简单说需要光学情况或需要看清电子器件的简单说明，最好能具体到哪种产品上。
2020-08-25 08:08:51
比如某个型号的二极管、三极管的额定整流电流等，请问到哪里可以查到电子器件的电参数？
2015-07-25 04:59:24
集成微电子器件
2018-11-07 22:02:15
Stefano GallinaroADI公司各种应用的功率转换器正从纯硅IGBT转向SiC/GaN MOSFET。一些市场（比如电机驱动逆变器市场）采用新技术的速度较慢，而另一些市场（比如太阳能
2018-10-22 17:01:41
1.电力电子器件一般工作在________状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。 3.电力电子器件组成
2009-01-12 11:31:46
62 电力电子器件及应用1.1 电力电子器件概述一、电力电子器件的分类按照器件的控制能力分为以下三类：半控型器件：晶闸管（Thyristor or SCR）及其大部分派生器件其特
2009-04-14 21:08:49146 电力电子器件电子教案:第一节 电力电子器件概述第二节 不可控器件——二极管第三节 半控型器件——晶闸管第四节 典型全控型器件第五节 其他新型电力电子器件第
2009-09-19 19:40:320 功率电子器件及其应用要求
功率电子器件大量被应用于电源、伺服驱动、变频器、电机保护器等功率电子设备。这些设备都是自动
2009-05-12 20:28:08801 功率电子器件概览
一． 整流二极管：二极管是功率电子系统中不可或缺的器件，用于整流、续流等。目前比较多地使用如下三种选
2009-05-12 20:32:471374 
电力电子器件与应用
2012-06-19 13:39:4229699 
据权威媒体分析，SiC和GaN器件将大举进入电力电子市场，预计到2020年，SiC和GaN功率器件将分别获得14%和8%市场份额。未来电力电子元器件市场发展将更多地集中到SiC和GaN的技术创新上。
2013-09-18 10:13:112464 第2章 电力电子器件
2016-12-15 22:08:531 安华高科技公司（Avago Technologies）推出了四款光电耦合器新产品，主要用于使用 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓）制造的功率半导体器件等的门极驱动。新产品的最大特点是最大传播延迟
2017-09-12 16:07:001 随着以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料（即第三代半导体材料）设备、制造工艺与器件物理的迅速发展，SiC和GaN基的电力电子器件逐渐成为功率半导体器件的重要发展方向。
2017-10-17 17:23:191633 器件。 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强高、热导率高等优点，是制作高压、大功率半导体器件的理想材料。碳化硅电力电子器件，特别是SiC MOSFET器件是下一代高效电力电子器件技术的核心。 碳化硅电力电子器件研究团队基于微电子所4英寸硅工艺平台，
2017-11-08 15:14:3637 1.GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮镓（GaN） 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:529 SiC电力电子器件主要包括功率二极管和三极管（晶体管、开关管）。SiC功率器件可使电力电子系统的功率、温度、频率、抗辐射能力、效率和可靠性倍增，带来体积、重量以及成本的大幅减低。SiC功率器件应用领域可以按电压划分：
2018-06-05 17:21:096462 
基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率开关技术的出现促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技术的传统系统。
2018-10-04 09:03:004753 
基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率开关技术的出现促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技术的传统系统。
2019-01-05 09:01:093767 
目前世界范围内围绕着GaN功率电子器件的研发工作主要分为两大技术路线，一是在自支撑Ga N衬底上制作垂直导通型器件的技术路线，另一是在Si衬底上制作平面导通型器件的技术路线。
2019-08-01 15:00:037275 
该GaN功率器件可以应用在快速充电设备中, 令其避免出现受高温熔断的情况，进而确保此功率器件在进行快速充电时能够很好的运行使用。
2020-03-16 15:34:303656 
通过使用SiC功率元器件，大陆集团旗下的Vitesco将能够进一步提高电动汽车用电力电子器件的效率。
2020-06-06 11:12:422875 上电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类。自20世纪50年代以来，真空管仅还在频率很高（如微波）的大功率高频电源中在使用，而电力半导体器件已取代了汞弧整流器
2021-01-07 15:31:1237192 电力电子器件的损耗包括哪些 电力电子器件的损耗主要包括有开通、关断、通态损耗。 在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。另外，si的二极管
2021-01-07 15:40:0330907 第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料拥有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高热导率、导通阻抗小、体积小等优势
2021-05-03 16:18:0010175 
日前，SiC & GaN功率器件设计和方案商派恩杰官方正式宣告与德国Foxy Power合作组建欧洲&北美销售团队。
2021-09-09 09:39:171065 电力电子技术的核心是电能的变换与控制，常见的有逆变（即直流转交流）、整流（即交流转直流）、变频、变相等。在工程中拓展开来，应用领域非常广泛。但千变万化离不开其核心——功率电子器件。
2022-03-11 11:20:172699 
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。
2022-04-16 17:13:015712 /dt也就越大。影响dv/dt和di/dt的主要因素是器件材料，其次是器件的电压、电流、温度以及驱动特性。为了加深大家对高速功率半导体器件的理解，今天我们以SiC和GaN为例来聊一下这个话题，看看高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?
2022-04-22 11:29:482477 器件都是基于碳化硅的(SiC) 或氮化镓 (GaN)。尽管迄今为止它在低压应用（大约 650 V 及以下）方面取得了成功，但最成熟的 GaN 基功率器件高电子迁移率晶体管 (HEMT) 并不适用于中压（大致定义为 1.2 至 20 kV） ) 应用，包括电动汽车传动系统和许多电网应用。这
2022-07-29 10:35:011569 
在基本半导体特性（带隙、临界电场和电子迁移率）的材料比较中，GaN 被证明是一种优异的材料。“Si 的带隙略高于一个电子伏特，临界电子场为 0.23 MV/cm，而 GaN 的电子迁移率和带隙更宽
2022-08-03 08:04:292748 
碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、动态性能和可靠性的显著优势电子和电气系统。回顾了SiC功率器件发展的挑战和前景
2022-11-11 11:06:141503 相比于横向功率电子器件，GaN纵向功率器件能提供更高的功率密度/晶圆利用率、更好的动态特性、更佳的热管理，而大尺寸、低成本的硅衬底GaN纵向功率电子器件吸引了国内外众多科研团队的目光，近些年已取得了重要进展。
2022-12-15 16:25:35754 本文介绍了使用多个电流探头研究SiC和GaN功率半导体器件的电极间电容。它分为四部分：双电流探头法原理、测量结果、三电流探头法原理和测量结果。
2023-02-19 17:06:18350 
电力电子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。广义上电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类，目前往往专指电力
2023-04-04 15:31:433961 
SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG)，因为将这些材料的电子从价带炸毁到导带所需的能量：而在硅的情况下，该能量为1.1eV，SiC（碳化硅）为3.3eV，GaN（氮化镓）为3.4eV。这导致了更高的适用击穿电压，在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
随着科技的不断进步，电力电子设备在我们的日常生活和工业生产中发挥着越来越重要的作用。然而，随着电力电子设备向着更高效、更小型化以及更可靠的方向发展，传统的硅基功率器件已经逐渐暴露出其局限性。此时，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新兴的电力电子器件，以其独特的优势逐渐受到人们的关注。
2023-12-06 09:53:18381 由于其宽带隙和优异的材料特性, SiC基功率电子器件现在正成为许多杀手级应用的后起之秀，例如汽车、光伏、快速充电、PFC等。
2023-12-08 14:33:47513 功率等级的功率转换、更快的开关速度、传热效率上也优于硅材料。 本篇博客探讨了SiC材料如何提升产品性能以超越基于硅材料的领域，从而为我们全新的数字世界创造下一代解决方案。 硅基MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET、氮化镓（GaN）HEMT或
2023-12-21 10:55:02182 随着半导体技术的发展，垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
2023-12-27 09:32:54374 
氮化物半导体具有宽禁带、可调，高光电转化效率等优点，在紫外传感器，功率器件，射频电子器件，LED照明、显示、深紫外杀菌消毒、激光器、存储等领域具有广阔的应用前景，被认为是有前途的发光材料。
2024-01-15 18:18:56672 
SiC器件的核心优势在于其宽禁带、高热导率、以及高击穿电压。具体来说，SiC的禁带宽度是硅的近3倍，这意味着在高温下仍可保持良好的电性能；其热导率是硅的3倍以上，有利于高功率应用中的热管理。
2024-03-08 10:27:1542 
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