为了匹配CREE SiC MOSFET的低开关损耗，栅极驱动器必须能够以快速压摆率提供高输出电流和电压，以克服SiC MOSFET的栅极电容。
2021-05-24 06:17:00
2391 
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构，如图1所示。这种结构的特点是工艺简单，单元的一致性较好，雪崩能量比较高。但是，这种结构
2023-02-12 16:03:093214 
当前量产主流SiC MOSFET芯片元胞结构有两大类，是按照栅极沟道的形状来区分的，平面型和沟槽型。
2023-06-07 10:32:074310 
在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>
2023-08-03 11:09:57740 
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在给栅极-源极间施加18V电压、SiC-MOSFET导通的条件下，电阻更小的通道部分（而非体二极管部分）流过的电流占支配低位。为方便从结构角度理解各种状态，下面还给出了MOSFET的截面图
2018-11-27 16:40:24
”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，这里给出了DMOS结构，不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
1. 器件结构和特征 Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过
2019-04-09 04:58:00
确认现在的产品情况，请点击这里联系我们。ROHM SiC-MOSFET的可靠性栅极氧化膜ROHM针对SiC上形成的栅极氧化膜，通过工艺开发和元器件结构优化，实现了与Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
作的。全桥式逆变器部分使用了3种晶体管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介绍的第三代沟槽结构SiC-MOSFET），组成相同尺寸的移相DCDC转换器，就是用来比较各产品效率的演示机
2018-11-27 16:38:39
`请问：图片中的红色白色蓝色模块是什么东西？芯片屏蔽罩吗？为什么加这个东西？抗干扰或散热吗？这是个SiC MOSFET DC-DC电源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
专门的沟槽式栅极结构（即栅极是在芯片表面构建的一个凹槽的侧壁上成形的），与平面式SiC MOSFET产品相比，输入电容减小了35%，导通电阻减小了50%，性能更优异。图4 SCT3030KL的内部电路
2019-07-09 04:20:19
（MPS）结构，该结构保持最佳场分布，但通过结合真正的少数载流子注入也可以增强浪涌能力。如今，SiC二极管非常可靠，它们已经证明了比硅功率二极管更有利的FIT率。 MOSFET替代品 2008年推出
2023-02-27 13:48:12
栅极电压，在20V栅极电压下从几乎300A降低到12V栅极电压时的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受时间短于IGTB的短路耐受时间，也可以通过集成在栅极驱动器IC中的去饱和功能来保护SiC
2019-07-30 15:15:17
的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同，小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定，通常如果将势垒高度
2019-03-14 06:20:14
1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的构成中，SiC-MOSFET切换（开关）时高边SiC-MOSFET的栅极电压产生振铃，低边SiC-MOSFET的栅极电压升高，SiC-MOSFET误动作的现象。通过下面的波形图可以很容易了解这是
2018-11-30 11:31:17
极-源极电压振铃。将栅极驱动放置在紧邻 SiC MOSFET 的位置，以最小的走线长度将栅极回路电感降至最低。此外，这种做法还有助于使各并联 MOSFET 设计之间的共源极电感保持恒定。以最小走线长
2022-03-24 18:03:24
Sic MOSFET 主要优势.更小的尺寸及更轻的系统.降低无源器件的尺寸/成本.更高的系统效率.降低的制冷需求和散热器尺寸Sic MOSFET ，高压开关的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
结构 引言 功率MOSFET以其开关速度快、驱动功率小和功耗低等优点在中小容量的变流器中得到了广泛的应用。当采用功率MOSFET桥式拓扑结构时，同一桥臂上的两个功率器件在转换过程中，栅极驱动信号
2018-08-27 16:00:08
开来，并应用于电缆以将电线与电缆所穿过的环境隔离开来。 SiC MOSFET可作为1200V，20A器件提供，在+ 15V栅极-源极电压下具有100mΩ。此外，固有的导通电阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
时的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流过尾电流，因此相应的开关损耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基势垒二极管）的组合与IGBT＋FRD（快速恢复二极管）的关断损耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
失效模式等。项目计划①根据文档，快速认识评估板的电路结构和功能；②准备元器件，相同耐压的Si-MOSFET和业内3家SiC-MOSFET③项目开展，按时间计划实施，④项目调试，优化，比较，分享。预计成果分享项目的开展，实施，结果过程，展示项目结果
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏电压进行采集，由于使用的非隔离示波器，就在单管上进行了对两个波形进行了记录：绿色：栅极源极间电压；黄色：源极漏极间电压；由于Mosfet使用的SiC材料，通过分析以上两者电压的导通时间可以判断出
2020-06-07 15:46:23
项目名称：基于Sic MOSFET的直流微网双向DC-DC变换器试用计划：申请理由本人在电力电子领域（数字电源）有五年多的开发经验，熟悉BUCK、BOOST、移相全桥、LLC和全桥逆变等电路拓扑。我
2020-04-24 18:08:05
。碳化硅有优点相当突出。是半导体公司兵家必争之地。应用场景;评估板采用常见的半桥电路配置，并配有驱动电路、驱动电源、过电流保护电路及栅极信号保护电路等评估板的主要特点如下： 可评估 TO-247-4L
2020-07-26 23:24:05
导电沟道越大，则导通电阻越小；但是栅极驱动电压太大的话，很容易将栅极和漏极之间绝缘层击穿，造成Mosfet管的永久失效；3.为了增加开关管的速度，减少开关管的关断时间是有必要的；且为了提高Mosfet管
2020-07-16 14:55:31
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36
MOSFET栅极为低电平时，其漏极电压上升直至使SiC JFET的GS电压达到其关断的负压时，这时器件关断。Cascode结构主要的优点是相同的导通电阻有更小的芯片面积，由于栅极开关由Si MOSFET控制
2022-03-29 10:58:06
，而且结构简单 。可显著减少SiC MOSFET选型和栅极驱动电路调整等 设计和评估工时 。 内置各种保护功能 ，基本上只需根据要设计的电源规格设置外置元器件的常数即可，使利用了SiC MOSFET性能
2022-07-27 11:00:52
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V为驱动器的电源。电路中增加了CGS和米勒钳位MOSFET，使包括栅极电阻在内均可调整。将该栅极驱动器与全SiC功率模块的栅极和源极连接，来确认栅极电压的升高情况
2018-11-27 16:41:26
介绍了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二极管的100KHz，10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加
2019-05-30 09:07:24
2的结构，用深度来换面积，将栅极埋入基体中，形成垂直的沟道，从而保持沟道的宽度，这样形成的结构称为垂直导电的沟槽结构。图3：N沟道垂直导电的沟槽结构及Rdson组成 工作原理是：栅极和源极间加正向电压
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢？
2021-03-10 06:19:21
; } ＜BD7682FJ-LB＞准谐振方式（低EMI）SiC-MOSFET驱动栅极箝位电路工作电源电压范围(VCC)：15.0V～27.5V轻负载时突发脉冲工作、降频功能工作电流：0.80mA(typ.)、突发时 0.50mA
2018-12-04 10:11:25
CRD-60DD12N，60 kW交错式升压转换器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。该演示板由四个15 kW交错升压级组成，每个级使用CGD15SG00D2隔离式栅极驱动板
2019-04-29 09:18:26
本帖最后由 liuyongwangzi 于 2018-5-30 10:03 编辑
使用桥式整流器配置中的四个二极管是对AC电压进行整流的最简单、也是最常规的方法。在一个桥式整流器中运行一个
2018-05-30 10:01:53
极驱动器的优势和期望，开发了一种测试板，其中测试了分立式IGBT和SiC-MOSFET。标准电压源驱动器也在另一块板上实现，见图3。 图3.带电压源驱动器（顶部）和电流源驱动器（底部）的半桥
2023-02-21 16:36:47
MOSFET一般工作在桥式拓扑结构模式下，如图1所示。由于下桥MOSFET驱动电压的参考点为地，较容易设计驱动电路，而上桥的驱动电压是跟随相线电压浮动的，因此如何很好地驱动上桥MOSFET成了设...
2021-07-27 06:44:41
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
升压转换器。不幸的是，二极管桥式整流器的传导损耗效率不高，也不支持双向操作［5］。接下来，考虑使用图腾柱无桥PFC升压转换器，以减少二极管数量并提高效率［6］，［7］。然而，硅MOSFET体二极
2023-02-27 09:44:36
） MOSFET很难在图腾柱PFC拓扑中的连续导通模式（CCM）下工作，因为体二极管的反向恢复特性很差。碳化硅（SiC） MOSFET采用全新的技术，比Si MOSFET具有更胜一筹的开关性能、极小
2022-04-19 08:00:00
的一个潜在问题是，仅有一个隔离输入通道，而且依赖高压驱动器来提供通道间所需的时序匹配以及应用所需的死区。另一问题是，高压栅极驱动器并无电流隔离，而是依赖结隔离来分离同一IC中的上桥臂驱动电压和下桥臂驱动
2018-10-16 16:00:23
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
1、结构 第一个功率MOSFET - 与小信号MOSFET不同 -出现在1978年左右上市，主要供应商是Siliconix。它们是所谓的V-MOS设备。MOSFET的特点是源极和漏极之间的表面
2023-02-20 16:40:52
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
MOS的结构碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式，在1700℃温度中进行退火激活。一个关键的工艺是碳化硅MOS栅氧化物的形成。由于碳化硅材料中同时有Si和C
2019-09-17 09:05:05
的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同，小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定，通常如果将势垒高度
2019-05-07 06:21:51
SiCMOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的单端反激式转换器设计演示板。该设计采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面贴装封装，占板面
2019-04-29 09:25:59
MOSFET中的开关损耗为0.6 mJ。这大约是IGBT测量的2.5 mJ的四分之一。在每种情况下，均在 800 V、漏极/拉电流 10 A、环境温度 150 °C 和最佳栅极-发射极阈值电压下进行测试（图
2023-02-22 16:34:53
栅极处获得 20V，以便在最小 RDSon 时导通。 当以0V关闭SiC MOSFET时，必须考虑一种效应，即Si MOSFET中已知的米勒效应。当器件用于桥式配置时，这种影响可能会出现问题，尤其是
2023-02-24 15:03:59
小型化。然而，必须首先解决一个问题：SiC MOSFET反向操作期间，体二极管双极性导通会造成导通电阻性能下降。将肖特基势垒二极管嵌入MOSFET，使体二极管失活的器件结构，但发现用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压（VF）降低70％以上，实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16:12
输入动作禁止功能）、过流保护、二次侧电压过压保护等。在高耐压应用中，与Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET具有开关损耗及传导损耗少、温度带来的特性波动小的优点。这些优点有利于解决近年来的重要课题
2018-11-27 16:54:24
使用图腾柱无桥PFC升压转换器，以减少二极管数量并提高效率[6]，[7]。但是，硅MOSFET体二极管的反向恢复会导致连续导通模式（CCM）中的高功率损耗，从而使其不适用于高功率应用。随后，与SiC
2019-10-25 10:02:58
损耗。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低组成全SiC功率模块的SiC-MOSFET在不断更新换代，现已推出新一代产品的定位–采用沟槽结构的第3代产品
2018-12-04 10:11:50
） MOSFET很难在图腾柱PFC拓扑中的连续导通模式（CCM）下工作，因为体二极管的反向恢复特性很差。碳化硅（SiC） MOSFET采用全新的技术，比Si MOSFET具有更胜一筹的开关性能、极小
2022-05-30 10:01:52
单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制，采用节省空间的窄体SO-8封装，通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率，STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间，并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
ADI隔离栅极驱动器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:08
30 具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。
2022-07-06 12:30:421114 近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。
2023-02-08 13:43:211381 
从本文开始，我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”。前言：MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。
2023-02-08 13:43:22250 
本文将针对上一篇文章中介绍过的SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。
2023-02-08 13:43:23491 
在上一篇文章中，对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。
2023-02-08 13:43:23291 
上一篇文章中，简单介绍了SiC MOSFET桥式结构中栅极驱动电路的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的电流和电压情况。本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况。
2023-02-08 13:43:23300 
上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作：下面是表示LS MOSFET关断时的电流动作的等效电路和波形示意图。
2023-02-08 13:43:23399 
本文的关键要点・通过采取措施防止SiC MOSFET中栅极－源极间电压的负电压浪涌，来防止SiC MOSFET的LS导通时，SiC MOSFET的HS误导通。・具体方法取决于各电路中所示的对策电路的负载。
2023-02-09 10:19:16589 
关于SiC功率元器件中栅极－源极间电压产生的浪涌，在之前发布的Tech Web基础知识 SiC功率元器件 应用篇的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”中已进行了详细说明，如果需要了解,请参阅这篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 
本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比，SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2023-02-09 10:19:20301 
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构，
2023-02-16 09:40:102938 
SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。但是，沟槽结构可以增加单元密度，没有JFET效应，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低；而且
2023-02-16 09:43:011446 
在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
ROHM针对SiC上形成的栅极氧化膜，通过工艺开发和元器件结构优化，实现了与Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784 
下面给出的电路图是在桥式结构中使用SiC MOSFET时最简单的同步式boost电路。该电路中使用的SiC MOSFET的高边（HS）和低边（LS）是交替导通的，为了防止HS和LS同时导通，设置了两个SiC MOSFET均为OFF的死区时间。右下方的波形表示其门极信号（VG）时序。
2023-02-27 13:41:58737 
驱动芯片，需要考虑如下几个方面： 驱动电平与驱动电流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高频开关场合，其面对的由于寄生参数所带来的影响更加显著。由于SiC MOSFET本身栅极开启电压较
2023-02-27 14:42:0479 SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。
2023-04-01 09:37:171329 SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介
2023-04-06 09:11:46731 
布局注意事项。 桥式结构SiC MOSFET的栅极信号，由于工作时MOSFET之间的动作相互关联，因此导致SiC MOSFET的栅－源电压中会产生意外的电压浪涌。这种浪涌的抑制方法除了增加抑制电路外，电路板的版图布局也很重要。希望您根据具体情况，参考本系列文章中介绍的
2023-04-13 12:20:02814 SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介
2023-05-08 11:23:14644 SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiCMOSFET的结构，如图1所示。这种结构的特点是工艺简单，单元的一致性较好，雪崩能量比较高。但是，这种结构的中间
2023-06-19 16:39:467 SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作
2023-12-07 14:34:17223 
SiC MOSFET的栅极驱动电路和Turn-on/Turn-off动作
2023-12-07 15:52:38185 
SiC MOSFET的桥式结构
2023-12-07 16:00:26157 
MOSFET的基本结构。SIC MOSFET是一种由碳化硅材料制成的传导类型晶体管。与传统的硅MOSFET相比，SIC MOSFET具有更高的迁移率和击穿电压，以及更低的导通电阻和开关损耗。这些特性使其成为高温高频率应用中的理想选择。 SIC MOSFET在电路中具有以下几个主要的作用： 1. 电源开关
2023-12-21 11:27:13687
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