SiC
MOSFET在开关状态下工作。然而，了解其在线性状态下的
行为是有用的，这可能发生在驱动器发生故障的情况下，或者出于某些目的，当设计者编程时会发生这种情况。
2022-07-29 08:07:04
489
谈谈
SiC
MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:13
1020
下面将对于
SiC
MOSFET和
SiCSBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46:19
736
SiC
MOSFET并联的动态均流与IGBT类似，只是
SiC
MOSFET开关速度更快，对一些并联参数会更为敏感。
2021-09-06 11:06:23
3813
有使用过
SIC
MOSFET的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
电阻
低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高
导通电阻越
低的特性。下图表示
SiC-MOSFET的
导通电阻与Vgs的关系。
导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-
MOSFET大得多。而在给栅极-源极间施加18V电压、
SiC-MOSFET
导通的条件下，电阻更小的通道部分（而非体二极管部分）流过的电流占支配低位。为方便从结构角度理解各种状态，下面还给出了
MOSFET的截面图
2018-11-27 16:40:24
导通电阻方面的课题，如前所述通过采用SJ-
MOSFET结构来改善
导通电阻。IGBT在
导通电阻和耐压方面表现优异，但存在开关速度方面的课题。
SiC-DMOS在耐压、
导通电阻、开关速度方面表现都很优异
2018-11-30 11:35:30
、SJ-
MOSFET的10分之1，就可以实现相同的
导通电阻。 不仅能够以小封装实现
低
导通电阻，而且能够使门极电荷量Qg、结电容也变小。 SJ-
MOSFET只有900V的产品，但是
SiC却能够以很低
2023-02-07 16:40:49
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此
导通电阻比
MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。
SiC器件漂移层的阻抗比Si器件
低
2019-04-09 04:58:00
对体二极管进行1000小时的直流8A通电测试，结果如下。试验证明，所有特性如
导通电阻，漏电流等都没有变化。短路耐受能力由于
SiC-MOSFET与Si-
MOSFET相比具有更小的芯片面积和更高的电流密度
2018-11-30 11:30:41
研究开发法人科学技术振兴机构合作开发，在CEATEC 2014、TECHNO-FRONTIER2015展出的产品。・超高压脉冲电源特征・超高耐压伪N通道
SiC
MOSFET・
低
导通电阻（以往产品的1
2018-11-27 16:38:39
`请问：图片中的红色白色蓝色模块是什么东西？芯片屏蔽罩吗？为什么加这个东西？抗干扰或散热吗？这是个
SiC
MOSFETDC-DC电源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
与IGBT相比，
SiC
MOSFET具备更快的开关速度、更高的电流密度以及更低的
导通电阻，非常适用于电网转换、电动汽车、家用电器等高功率应用。但是，在实际应用中，工程师需要考虑
SiC
MOSFET
2019-07-09 04:20:19
电子世界带来革命性的希望。IGBT为我们提供了一个同时能够阻止高电压的晶体管，具有
低
导通状态（即
导通）损耗和良好控制的开关。然而，该装置的切换速度有限，这导致高开关损耗，大而昂贵的热管理以及功率转换系统效率
2023-02-27 13:48:12
家公司已经建立了
SiC技术作为其功率器件生产的基础。此外，几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于
SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅（
SiC）
MOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
设计得
低，开启电压也可以做得
低一些，但是这也将导致反向偏压时的漏电流增大。ROHM的第二代SBD通过改进制造工艺，成功地使漏电流和恢复性能保持与旧产品相等，而开启电压降低了约0.15V。
SiC
2019-03-14 06:20:14
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此
导通电阻比
MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。
SiC器件漂移层的阻抗比Si器件
低
2019-05-07 06:21:55
载流子器件（肖特基势垒二极管和
MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现 "高耐压"、"
低
导通电阻"、"高频" 这三个特性。另外，带隙较宽，是Si的3倍，因此
SiC功率器件即使在高温下也可以稳定工作。
2019-07-23 04:20:21
误导通的话，将有可能发生在高
边－
低边间流过直通电流（Flow-through Current）等问题。这种现象是
SiC-MOSFET的特性之一–非常快速的开关引起的。
低
边栅极电压升高是由切换到高
边
导
2018-11-30 11:31:17
Sic
MOSFET主要优势.更小的尺寸及更轻的系统.降低无源器件的尺寸/成本.更高的系统效率.降低的制冷需求和散热器尺寸
Sic
MOSFET，高压开关的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
低
边和高
边电流监测器的架构和应用是什么
2021-03-11 07:39:28
上面原理图是 用51单片机控制
mosfet（NPN）开关的单相全波整流电路，整流桥采用的是IN4007二极管。焊接完毕后变压器上电，
mosfet始终处于
导通状态，无论单片机输出什么信号，即便是把
2019-01-23 11:17:05
MOSFET和逐渐成熟的高压GaN
MOSFET，这些器件都有非常广泛的应用，这里不一一举例，而这些常用的应用按驱动划分的话，我觉得可以分为
低
边驱动和非
低
边驱动，
低
边驱动例如PFC中的
MOSFET
2016-11-28 13:38:47
的
导通电阻大大降低。在25°C至150°C的温度范围内，
SiC的变化范围为20％，而Si的变化范围为200％至300％.
SiC
MOSFET管芯能够在200°C以上的结温下工作。该技术还得益于固有的
低
2022-08-12 09:42:07
差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC ) 发布专门用于高电流、
低
导通阻抗(RDSon) 碳化硅 (
SiC
2018-10-23 16:22:24
，
SiC
MOSFET可在更宽的范围内保持
低
导通电阻。此外，可以看到，与150℃时的Si
MOSFET特性相比，
SiC、Si-
MOSFET的特性曲线斜率均放缓，因而
导通电阻增加。但是
2018-12-03 14:29:26
项目名称：
SiC
MOSFET元器件性能研究试用计划：申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验，熟悉MOSET各种性能和应用，掌握各种
MOSFET的应用和失效分析方法，熟悉
MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏电压进行采集，由于使用的非隔离示波器，就在单管上进行了对两个波形进行了记录：绿色：栅极源极间电压；黄色：源极漏极间电压；由于
Mosfet使用的
SiC材料，通过分析以上两者电压的
导通时间可以判断出
2020-06-07 15:46:23
40mR
导通电阻Ron的
SIC-MOSFET来说，17A的电流发热量还是挺大，在实际应用中需要加强散热才可以。不过，1200V的
SIC-MOSFET并不适合做低压大电流的应用，这里才是48V的测试，属于
2020-06-10 11:04:53
项目名称：基于
Sic
MOSFET的直流微网双向DC-DC变换器试用计划：申请理由本人在电力电子领域（数字电源）有五年多的开发经验，熟悉BUCK、BOOST、移相全桥、LLC和全桥逆变等电路拓扑。我
2020-04-24 18:08:05
`收到了罗姆的
sic-mosfet评估板，感谢罗姆，感谢德赢Vwin官网 。先上几张开箱图，
sic-mos有两种封装形式的，SCT3040KR，主要参数如下：SCT3040KL，主要参数如下：后续准备搭建一个DC-DC BUCK电路，然后给散热器增加散热片。`
2020-05-20 09:04:05
项目名称：特种电源开发试用计划：在I项目开发中，有一个关键电源，需要在有限空间，实现高压、大电流脉冲输出。对开关器件的开关特性和
导通电阻都有严格要求。随着
SIC产品的技术成熟度越来越高，计划把IGBT开关器件换成
SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
;Reliability (可靠性) " ，始终坚持“品质第一”
SiC元器有三个最重要的特性：第一个高压特性，比硅更好一些；而是高频特性；三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型
SiC-MOSFET对应
2020-07-16 14:55:31
Navitas的GeneSiC碳化硅(
SiC)
mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域，如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分认识
SiC
MOSFET的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。
SiC器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在
导通和关断
2017-12-18 13:58:36
Arduino引脚为低电平时，
MOSFET保持
导通状态。如果后面的系统没有剩余电源（这里与电路无关），这是为Arduino本身提供电流。由于这个限制，这样的电路： 当arduino输入为低电平时，将
2018-08-23 10:30:01
、SOURCE引脚的状态，将二极管电桥的整流电压转换为所需的稳定DC电压。通过FB引脚和SOURCE引脚来控制开关
SiC
MOSFET的ON宽度（关断），通过ZT引脚来控制其OFF宽度（
导通）。如欲了解更详细
2022-07-27 11:00:52
从本文开始进入新的一章。继
SiC概要、
SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、
SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由
SiC功率元器件组成的“全
SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全
SiC
2018-11-27 16:38:04
是基于技术规格书中的规格值的比较，Eon为开关
导通损耗，Eoff为开关关断损耗、Err为恢复损耗。全
SiC功率模块的Eon和Eoff都显著低于IGBT，至于Err，由于几乎没有Irr而极其微小。结论是开关损耗
2018-11-27 16:37:30
SiC-MOSFET关断时
导通该
MOSFET，强制使Vgs接近0V，从而避免栅极电位升高。评估电路中的确认使用评估电路来确认栅极电压升高的抑制效果。下面是栅极驱动电路示例，栅极驱动L为负电压驱动。CN1
2018-11-27 16:41:26
1700V高耐压，还是充分发挥
SiC的特性使
导通电阻大幅降低的
MOSFET。此外，与
SiC-MOSFET用的反激式转换器控制IC组合，还可大幅改善效率。ROHM不仅开发最尖端的功率元器件，还促进充分发挥
2018-12-04 10:11:25
在开启时提供此功能。实验验证表明，在高负载范围和
低开关速度（《5V/ns）下，
SiC-MOSFET或IGBT的电流源驱动与传统方法相比，
导通损耗降低了26%。在电机驱动器等应用中，dv/dt 通常限制为 5V/ns，电流源驱动器可提高效率并提供有前途的解决方案。
2023-02-21 16:36:47
对于高压开关电源应用，碳化硅或
SiC
MOSFET带来比传统硅
MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用
SiC
MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
的反向恢复导致连续
导通模式（CCM）下的高功率损耗，使其不适用于高功率应用。随后，与
SiC肖特基二极管并联的lGBT被认为取代CCM图腾柱PFC和CLLC转换器中的硅
MOSFET［8］。遗憾的是，由于
2023-02-27 09:44:36
1.
SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了
SiC-MOSFET和
SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
求一款
低
边
MOSFET驱动,输入电压12V,电流1A以上，且一颗芯片驱动两个
MOSFET?
2020-03-18 09:31:32
结构
SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代
SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-
MOSFET中已被广为采用，在
SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低
导通电阻也备受关注。然而，普通的单
2018-12-05 10:04:41
的门槛变得越来越
低，价格也在逐步下降，应用领域也在慢慢扭转被海外品牌一统天下的局面。据统计，目前国内多家龙头企业已开始尝试与内资品牌合作。而
SiC-MOSFET, 当前国内品牌尚不具备竞争优势。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
测试，并观察波形。在双脉冲测试电路的高
边（HS）和
低
边（LS）安装ROHM的
SiC
MOSFETSCT3040KR，并使HS开关、LS始终OFF（栅极电压=0V）。图1所示的延长电缆已经直接焊接
2022-09-20 08:00:00
MOSFET几乎立即完全
导通，而相比之下，IGBT显示出明显的斜率。这导致Eon能量损失大幅下降。在相同的实验室条件下操作快速开关IGBT和东芝TW070J120B
SiC
MOSFET表明，
SiC
2023-02-22 16:34:53
非常接近，但是，
SiC器件可以提供更低的栅极电荷和更好的热规格。频谱的另一端是IGBT器件。很明显，由于
SiC
MOSFET的
低RDSon，这些器件无疑优于IGBT，更不用说更低的栅极电荷了。 当以
2023-02-24 15:03:59
Toshiba研发出一种
SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（
MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低
导通电
2023-04-11 15:29:18
低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现
SiC-SBD与
SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压（VF）降低70％以上，实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16:12
使用的N-ch 1700V 3.7A的
SiC-MOSFET：SCT2H12NZ（右）的
导通电阻与VGS特性比较图。从比较图中可以看出，上述IC的栅极驱动电压在每种
MOSFET将要饱和前变为VGS。由于该比较不是
2018-11-27 16:54:24
使用图腾柱无桥PFC升压转换器，以减少二极管数量并提高效率[6]，[7]。但是，硅
MOSFET体二极管的反向恢复会导致连续
导通模式（CCM）中的高功率损耗，从而使其不适用于高功率应用。随后，与
SiC
2019-10-25 10:02:58
，Si-
MOSFET在这个比较中，
导通电阻与耐压略逊于IGBT和
SiC-MOSFET，但在
低～中功率条件下，高速工作表现更佳。平面
MOSFET与超级结MOSFETSi-
MOSFET根据制造工艺可分为平面
2018-11-28 14:28:53
。与此同时，
SiC模块也已开发出采用第3代
SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通过采用第3代
SiC-MOSFET而促进实现更低
导通电阻和更大电流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
不能降低高压
MOSFET的
导通电阻，所剩的思路就是如何将阻断高电压的
低掺杂、高电阻率区域和导电通道的高掺杂、
低电阻率分开解决。如除
导通时
低掺杂的高耐压外延层对
导通电阻只能起增大作用外并无其他
2023-02-27 11:52:38
请问：驱动功率
MOSFET，IBGT，
SiC
MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
%。特性方面的定位是标准特性。低噪声SJ-
MOSFET：EN系列SJ-
MOSFET具有“
导通电阻
低，开关速度快”的特征，但存在其高速性导致噪声比平面型大的课题。为改善这个问题开发了EN系列。该系列产品融合了
2018-12-03 14:27:05
近年来，宽禁带半导体
SiC器件得到了广泛重视与发展。
SiC
MOSFET与Si
MOSFET在特定的工作条件下会表现出不同的特性，其中重要的一条是
SiC
MOSFET在长期的门极电应力下会产生阈值漂移现象。本文阐述了如何通过调整门极驱动负压，来限制
SiC
MOSFET阈值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:00
6
自2018年特斯拉Model3率先搭载基于全
SiC
MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速
SiC
MOSFET在汽车上的应用落地。
2021-12-08 15:55:51
1670
具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装
SiC
MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装
SiC
MOSFET产品相比，
SiC
MOSFET栅-源电压的
行为不同。
2022-06-08 14:49:53
2945
具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装
SiC
MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，
SiC
MOSFET的栅-源电压的
行为不同。
2022-07-06 12:30:42
1114
SiC
MOSFET在开/关切换模式下运行。然而，了解其在线性状态下的
行为是有用的，当驱动程序发生故障或设计人员为特定目的对其进行编程时，可能会发生这种情况。
2022-07-25 08:05:24
974
和
MOSFET。目前可提供击穿电压为 600 至 1,700 V、额定电流为 1 至 60 A 的
SiC开关。这里的重点是如何有效地测量
SiC
MOSFET。
2022-07-27 11:03:45
1512
关于
SiC
MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析
SiC
MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:15
1687
SiC
MOSFET的优势和用例是什么？
2022-12-28 09:51:20
1034
在大电流应用中利用
SiC
MOSFET模块
2023-01-03 14:40:29
491
本章将介绍部分
SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用
SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外，除了
SiC-MOSFET，还可以从这里了解
SiC-SBD、全
SiC模块的应用实例。
2023-02-06 14:39:51
645
从本文开始，将逐一进行
SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-
MOSFET的区别。尚未使用过
SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-
MOSFET有怎样的区别。
2023-02-08 13:43:20
644
本章将介绍部分
SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用
SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。
2023-02-08 13:43:21
366
在探讨“
SiC
MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对
SiC
MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。
2023-02-08 13:43:23
340
通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装
SiC
MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，
SiC
MOSFET的栅-源电压的...
2023-02-09 10:19:20
335
在
SiC
MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si
MOSFET相比，
SiC
MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。
2023-02-12 15:29:03
2102
SiC功率
MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面
SiC
MOSFET的结构，
2023-02-16 09:40:10
2938
本文将介绍与Si-
MOSFET的区别。尚未使用过
SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-
MOSFET有怎样的区别。在这里介绍
SiC-MOSFET的驱动与Si-
MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。
2023-02-23 11:27:57
736
在
SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构
SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代
SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18
426
本章将介绍部分
SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用
SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。
2023-02-24 11:49:19
481
下面给出的电路图是在桥式结构中使用
SiC
MOSFET时最简单的同步式boost电路。该电路中使用的
SiC
MOSFET的高边（HS）和低边（LS）是交替导通的，为了防止HS和LS同时导通，设置了两个
SiC
MOSFET均为OFF的死区时间。右下方的波形表示其门极信号（VG）时序。
2023-02-27 13:41:58
737
如何为
SiC
MOSFET选择合适的驱动芯片？（英飞凌官方） 由于
SiC产品与传统硅IGBT或者
MOSFET参数特性上有所不同，并且其通常工作在高频应用环境中， 为
SiC
MOSFET选择合适的栅极
2023-02-27 14:42:04
79
碳化硅
MOSFET驱动电路保护
SiC
MOSFET作为第三代宽禁带器件之一，可以在多个应用场合替换 Si
MOSFET、IGBT，发挥其高频特性，实现电力设备高功率密度。然而被应用于桥式电路
2023-02-27 14:43:02
8
SiC
MOSFET体二极管的关断特性与IGBT电路中硅基PN二极管不同，这是因为
SiC
MOSFET体二极管具有独特的特性。对于1200V
SiC
MOSFET来说，输出电容的影响较大，而PN
2023-01-04 10:02:07
1115
首先，是一张制造测试完成了的
SiC
MOSFET的晶圆(wafer)。
2023-08-06 10:49:07
1106
深入剖析高速
SiC
MOSFET的开关
行为
2023-12-04 15:26:12
293
SiC设计干货分享（一）：
SiC
MOSFET驱动电压的分析及探讨
2023-12-05 17:10:21
439
SiC
MOSFET的桥式结构
2023-12-07 16:00:26
157
SIC
MOSFET对驱动电路的基本要求
SIC
MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种新兴的功率半导体器件，具有良好的电气特性和高温性能，因此被广泛应用于各种驱动电路中。
SIC
2023-12-21 11:15:49
417
怎么提高
SIC
MOSFET的动态响应？ 提高
SIC
MOSFET的动态响应是一个复杂的问题，涉及到多个方面的考虑和优化。在本文中，我们将详细讨论如何提高
SIC
MOSFET的动态响应，并提供一些
2023-12-21 11:15:52
272
SIC
MOSFET在电路中的作用是什么？
SIC
MOSFET（碳化硅场效应晶体管）是一种新型的功率晶体管，具有较高的开关速度和功率密度，广泛应用于多种电路中。 首先，让我们简要了解一下
SIC
2023-12-21 11:27:13
687
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