于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考，并期待与您进一步的交流。 前两篇文章我们分别探讨了 SiC MOSFET的驱动电压 ，以及 SiC器件驱动设计中的寄生导通问题 。本文作为系列文章的第三篇，会从SiC MOS寄生电容损耗与传统Si MOS作比较，给
2022-07-07 09:55:00
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PCB布线设计时寄生电容的计算方法
在PCB上布两条靠近的走线，很容易产生寄生电容。由于这种寄生电容的存在，
2009-09-30 15:13:3326465 
电源纹波和瞬态规格会决定所需电容器的大小，同时也会限制电容器的寄生组成设置。低频下，所有三种电容器均未表现出寄生分量，因为阻抗明显只与电容相关。
2013-03-14 11:12:331052 
在被测点阻抗较高时，即使该点仅有较小的电容，其带宽也会受限。在基于磁簧继电器的多路选择器中，由于各磁簧继电器的寄生电容会在输出端并联，加大了输出端的电容，使得电路的带宽变窄。
2018-12-14 15:14:4721354 
从开关节点到输入引线的少量寄生电容（100毫微微法拉)会让您无法满足电磁干扰(EMI)需求。那100fF电容器是什么样子的呢？在Digi-Key中，这种电容器不多。即使有，它们也会因寄生问题而提
2019-04-09 13:56:011373 首先，我们介绍设计寄生电容对三极管产生的影响；然后，我们学习上拉电阻和下拉电阻的含义以及在电路中的使用方法。
2019-05-20 07:28:009438 
我们应该都清楚，MOSFET 的栅极和漏源之间都是介质层，因此栅源和栅漏之间必然存在一个寄生电容CGS和CGD，沟道未形成时，漏源之间也有一个寄生电容CDS，所以考虑寄生电容时，MOSFET
2021-01-08 14:19:5915830 
寄生电容有一个通用的定义：寄生电容是存在于由绝缘体隔开的两个导电结构之间的虚拟电容（通常不需要的），是PCB布局中的一种效应，其中传播的信号表现得好像就是电容，但其实并不是真正的电容。
2024-01-18 15:36:14868 
MOSFET的工作波形。由于感性负载下，电流相位上会超前电压，因此保证了MOSFET运行的ZVS。要保证MOSFET运行在感性区，谐振电感上的谐振电流必须足够大，以确保MOSFET源漏间等效的寄生电容上存储
2018-11-21 15:52:43
感性负载下，电流相位上会超前电压，因此保证了MOSFET运行的ZVS。要保证MOSFET运行在感性区，谐振电感上的谐振电流必须足够大，以确保MOSFET源漏间等效的寄生电容上存储的电荷可以在死区时间内被
2018-07-13 09:48:50
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和温度特性关于MOSFET的寄生容量和温度特性MOSFET的静电容
2019-04-10 06:20:15
感性负载下，电流相位上会超前电压，因此保证了MOSFET运行的ZVS。要保证MOSFET运行在感性区，谐振电感上的谐振电流必须足够大，以确保MOSFET源漏间等效的寄生电容上存储的电荷可以在死区时间内被
2018-07-18 10:09:10
以及漏极源极电容。这些电容不能直接测量到，它们是通过测量输入、输出和反向传输电容等参数然后计算得到。这三类寄生电容之间的关系如下：10. 反向二极管特性MOSFET都有一个寄生的反向二极管，这个二极管
2018-07-12 11:34:11
和热量造成的失效。什么是dV/dt失效本文的关键要点・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。・dV/dt是单位
2022-07-26 18:06:41
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性在功率转换中，MOSFET基本上被用作开关。MOSFET的开关特性一般提供导通延迟时间：Td(on）、上升时间：tr
2018-11-28 14:29:57
低频下，所有三种电容器均未表现出寄生分量，因为阻抗明显只与电容相关。但是，铝电解电容器阻抗停止减小，并在相对低频时开始表现出电阻特性。这种电阻特性不断增加，直到达到某个相对高频为止（电容器出现电感）。铝聚合物电容器为与理想状况不符的另一种电容器。
2019-08-15 06:33:32
，各有优点。低频下，所有三种电容器均未表现出寄生分量，因为阻抗明显只与电容相关。但是，铝电解电容器阻抗停止减小，并在相对低频时开始表现出电阻特性。这种电阻特性不断增加，直到达到某个相对高频为止（电容
2018-09-29 09:22:17
寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串联，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。
2019-09-29 10:20:26
寄生电容的影响是什么？焊接对无源器件性能的影响是什么？
2021-06-08 06:05:47
在LTC6268-10芯片手册中，为了减小寄生反馈电容的影响，采用反馈电阻分流的方式减小寄生电容。
请问，在这种工作方式下，为了使寄生电容降到最低，对电路板的材料类型和厚度有什么要求吗？
2023-11-16 06:28:44
二极管所谓二极管－分类与特性所谓二极管－整流二极管的特征比较所谓二极管－肖特基势垒二极管的特征所谓二极管－快速恢复二极管的特征Si晶体管所谓晶体管－分类与特征所谓MOSFET－寄生电容及其温度特性所谓
2018-11-27 16:40:24
二极管的特征Si晶体管所谓晶体管－分类与特征所谓MOSFET－寄生电容及其温度特性所谓MOSFET－开关特性及其温度特性所谓MOSFET－阈值、ID-VGS特性及温度特性所谓MOSFET－超级结
2018-11-27 16:38:39
寄生电容是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，一个电阻的串联，低频情况下表现不明显，而高频情况下，等效值会增大。在计算中我们要考虑
2021-01-11 15:23:51
，各有优点。低频下，所有三种电容器均未表现出寄生分量，因为阻抗明显只与电容相关。但是，铝电解电容器阻抗停止减小，并在相对低频时开始表现出电阻特性。这种电阻特性不断增加，直到达到某个相对高频为止（电容
2018-09-10 08:16:02
在高压回路中，正负极对地会产生一个寄生电容，而寄生电容与回路中的电阻会组成一个RC充放电电路。在使用国标电流桥检测电路方法时，正负极对地的寄生电容和电阻的大小会影响到AD采集。在RC充满的时间一般为3RC以上，在此过程中如何探讨RC电路充满电压的时间？
2020-07-27 23:14:10
从开关节点到输入引线的少量寄生电容（100毫微微法拉)会让您无法满足电磁干扰(EMI)需求。那100fF电容器是什么样子的呢？在Digi-Key中，这种电容器不多。即使有，它们也会因寄生问题而提
2019-05-14 08:00:00
I.引言 高效率已成为开关电源（SMPS）设计的必需要求。为了达成这一要求，越来越多许多功率半导体研究人员开发了快速开关器件，举例来说，降低器件的寄生电容，并实现低导通电阻，以降低开关损耗和导
2018-10-08 15:19:33
大部分传导 EMI 问题都是由共模噪声引起的。而且，大部分共模噪声问题都是由电源中的寄生电容导致的。对于该讨论主题的第 1 部分，我们着重讨论当寄生电容直接耦合到电源输入电线时会发生的情况1. 只需
2022-11-22 07:29:30
贴片晶振的PCB layout需要注意哪些晶振相邻层挖空是如何控制寄生电容Cp的呢？为什么温度会影响晶振频率呢？
2021-02-26 07:43:28
VDMOS的基本原理一种减小寄生电容的新型VDMOS结构介绍
2021-04-07 06:58:17
也是基于电容的特性，下面将从结构上介绍这些寄生电容，然后理解这些参数在功率MOSFET数据表中的定义，以及它们的定义条件。1、功率MOSFET数据表的寄生电容沟槽型功率MOSFET的寄生电容的结构如图
2016-12-23 14:34:52
`磁芯对电感寄生电容的影响`
2012-08-13 15:11:07
`磁芯对电感寄生电容的影响`
2012-08-14 09:49:47
;Verdana">磁芯对电感寄生电容的影响分析</font></strong&
2009-12-23 16:07:01
如何用一种能够远程或者通过一个大寄生电容降低光电二极管带宽和噪声影响的电路？
2021-04-06 07:39:35
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段（图
2022-11-16 08:00:15
环境温度的影响。图3 寄生电容引起“振铃”难道就没办法对付它们了吗？通过工程师们的不懈努力，发现这些影响是可以通过合理的电路设计来减少的。下面我们将讨论下怎样“利用二极管的电容特性来减小高速信号上
2020-12-15 15:48:52
铁氧体电感器在较高频率时可等效为“电阻、电感”的串联支路与一寄生电容的并联，该电容的存在对电感器的高频性能有重要影响。本文建立了铁氧体环形电感器2D平行平面场和3D
2009-04-08 15:45:17
66 PCB板寄生元件的危害:印刷电路板布线产生的主要寄生元件包括：寄生电阻、寄生电容和寄生电感。例如：PCB的寄生电阻由元件之间的走线形成；电路板上的走线、焊盘和平行走线会
2009-11-15 22:28:470 寄生电容对电磁干扰滤滤器效能的影响
本文將針對交換式電源供應器在高頻切換所帶來的傳導性電磁干擾(Conducted Electromagnetic Interference)問題，藉由不同繞
2010-06-19 16:30:3754 一种减少VDMOS寄生电容的新结构
0 引 言 VDMOS与双极晶体管相比，它的开关速度快，开关损耗小，输入电阻高，驱动电流小，频率特性好，跨导高度线性
2009-11-25 17:49:501003 一种减少VDMOS寄生电容的新结构
0 引 言 VDMOS与双极晶体管相比，它的开关速度快，开关损耗小，输入电阻高，驱动电流小，频率特性好，跨
2009-11-27 09:24:23613 一种减少VDMOS寄生电容的新结构
0 引 言 VDMOS与双极晶体管相比，它的开关速度快，开关损耗小，输入电阻高，驱动
2010-01-11 10:24:051321 寄生电容,寄生电容是什么意思
寄生的含义 寄身的含义就是本来没有在那个地方设计电容，但由于布线构之间总是有互容，互
2010-03-23 09:33:552558 每个通孔都有对地寄生电容。因为通孔的实体结构小，其特性非常像集总线路元件。我们可以在一个数量
2010-06-11 17:21:491168 
过孔本身存在着寄生的杂散电容，如果已知过孔在铺地层上的阻焊区直径为D2,过孔焊盘的直径为D1,PCB板的厚度为T,板基材介
2010-06-13 15:33:523751 电磁干扰EMI中电子设备产生的干扰信号是通过导线或公共电源线进行传输，互相产生干扰称为传导干扰。传导干扰给不少电子工程师带来困惑，如何解决传导干扰？这里，我们先着重讨论当寄生电容直接耦合到电源输入
2018-05-18 01:17:002785 
二极管以其单向导电特性，在整流开关方面发挥着重要的作用；其在反向击穿状态下，在一定电流范围下起到稳压效果。令人意外的是，利用二极管的反偏压结电容，能够有效地减少信号线上的接入寄生电容，这里将近一步讨论这个运用。
2017-03-21 11:31:303813 
升压设计中最关键的部件之一像图1是变压器。变压器的寄生组件，可以使他们偏离它们的理想特性和寄生电容与二次关联可引起大共鸣开关电流前沿的电流尖峰波形。这些尖峰可以导致调节器显示表现为义务的不稳定的操作
2017-05-02 14:15:4019 走线越长对开关的寄生电容效用越明显，过大的寄生电容会使开关不能正常工作。如果寄生电容太大，当手指与触摸开关接触时，过大的寄生电容使MCU不能检测到开关状态的变化。通常，根据不同的开关图形与所用的材料不同，触摸开关感应电容一般控制在2~15pF之间是比较合理的。
2017-05-31 09:02:123194 
和电容乘积的平方根成反比，开关总输出电容（增加的电容与初始寄生电容之和）增加四倍。因此，寄生电容Cp为外部所增加电容值的1/3。现在，式通过下可获得寄生电感Lp：
2017-06-01 10:48:4011789 
大家最熟悉的就是二极管的单向导电性，二极管如何减少寄生电容。正向接入方法，二极管接在信号线与附件功能模块之间，这表示附加功能模块使能时是高电平输出的。
2017-09-23 09:40:099656 
寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串连，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。
2018-01-31 10:09:2921526 
寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串连，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。
2018-01-31 10:57:5626012 电容的寄生电感和寄生电阻主要是指它的引线和极板形成的电感和电阻，尤其是容量较大的电容更为明显。如果你解剖过电容器，会看到它的极板是用长达1米的金属薄膜卷曲而成的，其层状就像一个几十、甚至上百圈的线圈
2018-01-31 13:44:5537300 
本文开始阐述了寄生电感的概念和和寄生元件危害，其次阐述了寄生电感测量仪的设计和寄生电感产生原因或产生方式，最后介绍了PCB过孔的寄生电容和电感的计算以及使用。
2018-03-28 14:50:4239049 
区大。因此，不论是开关应用还是线性应用，VDMOS都是理想的功率器件。VDMOS的开关速度是在高频应用时的一个重要的参数，因此提出一种减小寄生电容的新型VDMOS结构。
2019-07-08 08:17:002675 
ADI公司的Matt Duff讲解为什么运算放大器反相引脚的寄生电容会引起不稳定。
2019-06-11 06:11:004700 本文首先介绍了寄生电容的概念，其次介绍了寄生电容产生的原因，最后介绍了寄生电容产生的危害。
2019-04-30 15:39:3728588 分布电容强调的是均匀性。寄生跟强调的是意外性，指不是专门设计成电容，却有着电容作用的效应，比如三极管极间电容。单点说，两条平行走线之间会产生分布电容，元器件间在高频下表现出来的容性叫寄生电容。
2019-04-30 15:56:3019503 
减小电感寄生电容的方法
如果磁芯是导体，首先：
用介电常数低的材料增加绕组导体与磁芯之间的距离
2019-07-18 08:00:001 寄生电感一半是在PCB过孔设计所要考虑的。在高速数字电路的设计中，过孔的寄生电感带来的危害往往大于寄生电容的影响。它的寄生串联电感会削弱旁路电容的贡献，减弱整个电源系统的滤波效用。我们可以用下面的公式来简单地计算一个过孔近似的寄生电感。
2019-10-11 10:36:3319064 寄生的含义就是本来没有在那个地方设计电容，但由于布线之间总是有互容，互容就好像是寄生在布线之间的一样，所以叫寄生电容，又称杂散电容。
2020-09-17 11:56:1127673 寄生电容是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，一个电阻的串联，低频情况下表现不明显，而高频情况下，等效值会增大。在计算中我们要考虑进去。
2020-10-09 12:04:1734949 德赢Vwin官网
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2021-04-14 08:48:3511 德赢Vwin官网
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2021-04-24 08:40:343 功率MOSFET的输出电容Coss会随着外加电压VDS的变化而变化，表现出非线性的特性，超结结构的高压功率MOSFET采用横向电场的电荷平衡技术，如图1所示。相对于传统的平面结构，超结结
2021-05-02 11:41:003017 
AN39-升压变压器设计中的寄生电容效应
2021-04-28 17:42:254 之间或电路模块之间，由于相互靠近所形成的电容，是设计时不希望得到的电容特性，一般来说在低频应用中我们一般不考虑，但是对于MOS管驱动电路来说，寄生电容的存在是个不可绕过的考虑因素。
2022-04-07 09:27:124967 
本来没有在那个地方设计电容，但由于布线之间总是有互容，互容就好像是寄生在布线之间的一样，所以叫寄生电容 寄生电容： 本质上还是电容，满足i=c*du/dt。 电容是用来衡量储存电荷能力的物理量。根据
2022-07-27 14:23:5515292 
每个通孔都有对地寄生电容，通孔寄生电容会使数字信号的上升沿减缓或变差，不利于高频信号的传输，这是通孔寄生电容主要的不利影响。一般情况下，通孔寄生电容的影响极小，可以忽略不计。通孔直径越小，寄生电容越小。
2022-08-17 15:51:06515 对于MOSFET，米勒效应（Miller Effect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在反相放大作用下，使得等效输入电容值放大的效应。由于米勒效应，MOSFET栅极驱动过程中，会形成平台电压，引起开关时间变长，开关损耗增加，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。
2022-10-28 10:18:378282 过孔的两个寄生参数是寄生电容和寄生电感。 过孔本身存在着对地的寄生电容，如果已知过孔在铺地层上的隔离孔直径为D2，过孔焊盘的直径为D1，PCB板的厚度为T，板基材介电常数为ε，则过孔的寄生电容可以
2022-10-30 13:15:182725 前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性：在功率转换中，MOSFET基本上被用作开关。
2023-02-09 10:19:242519 
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性--栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
MOSFET的失效机理本文的关键要点・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。
2023-02-13 09:30:08829 
作者：泛林集团半导体工艺与整合工程师 Sumant Sarkar 使用Coventor SEMulator3D®创建可以预测寄生电容的机器学习模型 减少栅极金属和晶体管的源极/漏极接触之间的寄生电容
2023-03-28 17:19:08559 
来源：《半导体芯科技》杂志 作者：Sumant Sarkar, 泛林集团半导体工艺与整合工程师 使用Coventor SEMulator3D® 创建可以预测寄生电容的机器学习模型 减少栅极金属
2023-06-02 17:31:46305 
本文要点寄生电容的定义寄生电容影响电路机理消除寄生电容的方法当你想到寄生虫时，你可能会想到生物学上的定义——一种生活在宿主身上或在宿主体内的有机体，从宿主身上吸取食物。从这个意义上说，寄生虫可能是
2022-05-31 11:09:011733 
AMAZINGIC晶焱科技考虑寄生电容的高速接口中的TVS选择以及方案应用由授权一级代理分销KOYUELEC光与电子0755-82574660，82542001为ODM研发设计工程师提供技术选型和方案应用支持。
2023-07-05 09:28:47530 
使用Coventor SEMulator3D®创建可以预测寄生电容的机器学习模型
2023-07-06 17:27:02187 
寄生电容和开关时间：功率MOS具有极快的开关速度，器件导通或关断前需要对寄生电容进行充放电，而电容的充放电需要一定时间，其开关速度要受器件的寄生电容限制。
2023-07-13 14:13:31241 
寄生电容和开关时间：功率MOS具有极快的开关速度，器件导通或关断前需要对寄生电容进行充放电
2023-07-13 17:47:02309 寄生电容和开关时间：功率MOS具有极快的开关速度，器件导通或关断前需要对寄生电容进行充放电，而电容的充放电需要一定时间
2023-07-13 17:50:52551 寄生电容有一个通用的定义：寄生电容是存在于由绝缘体隔开的两个导电结构之间的虚拟电容（通常不需要的），是 PCB 布局中的一种效应，其中传播的信号表现得好像就是电容，但其实并不是真正的电容。
2023-07-24 16:01:365440 
pcb连线寄生电容一般多少 随着电子产品制造技术的成熟和发展，随之而来的是布线技术的迅速发展。不同的 PCB 布线技术对于电路性能的影响不同，而其中最常见的问题之一就是 PCB 连线寄生电容。这种
2023-08-27 16:19:441608 寄生电容对MOS管快速关断的影响 MOS（Metal Oxide Semiconductor）管是一种晶体管，它以其高性能和可靠性而广泛应用于许多电子设备，如功率放大器和开关电源。尽管MOS管具有
2023-09-17 10:46:581244 如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54:35591 
IGBT 功率模块的开关特性是由它的内部结构，内部的寄生电容和内部和外接的电阻决定的。
2023-09-22 09:06:14432 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
2023-12-05 14:31:21258 
【科普小贴士】MOSFET的性能：电容的特性
2023-11-23 09:09:05507 
寄生电容和寄生电感是指在电路中存在的非意图的电容和电感元件。 它们通常是由于电路布局、线路长度、器件之间的物理距离等因素引起的。
2024-02-21 09:45:35246 
电源纹波和瞬态规格会决定所需电容器的大小，同时也会限制电容器的寄生组成设置。
2024-03-17 15:45:39243 
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