当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv
2015-01-14 17:10:29
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米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS电压又开始上升直至完全导通。为什么会有稳定值这段
2018-09-28 08:02:0019124 MOS管的米勒效应会在高频开关电路中，延长开关频率、增加功耗、降低系统稳定性，可谓是臭名昭著，各大厂商都在不遗余力的减少米勒电容。
2022-09-29 09:26:071441 上篇文章聊了MOS管-传输特性曲线的细微之处，希望同学们能精准识别三种特性曲线的区别，而不是死记硬背。研究MOS管，一定绕不开一个重要现象——Miller效应，今天我们就一起探讨下，一次聊不完，可能会分几篇来探讨。
2023-02-01 10:18:411547 在说MOS管的米勒效应之前我们先看下示波器测量的这个波形。
2023-02-03 15:35:472321 
从多个维度分析了米勒效应，针对Cgd的影响也做了定量的推导，今天我们再和大家一起，结合米勒效应的仿真，探讨下如何减小米勒平台。
2023-02-14 09:25:467164 对于MOSFET，米勒效应（Miller Effect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在反相放大作用下，使得等效输入电容值放大的效应。由于米勒效应，MOSFET栅极驱动过程中，会形成平台电压，引起开关时间变长，开关损耗增加，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。
2023-04-26 09:20:532057 
本文主要介绍了米勒效应的由来，并详细分析了MOSFET开关过程米勒效应的影响，帮助定性理解米勒平台的形成机制。最后给出了场效应管栅极电荷的作用。
2023-05-16 09:47:341316 
通过了解MOS管的的开关过程，以及MOS米勒电容的影响，来改进MOS管设计。
2023-07-21 09:19:364571 
的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。按沟道半导体资料
2018-10-29 22:20:31
`电子元器件行业有今天的成就，那绝离不开MOS管与场效应晶体管的鼎力相助，但是一些刚入电子行业的常常把MOS管与场效应晶体管混为一谈，到底MOS管和场效应晶体管两者背后到底有何联系？这对于初学者来说
2019-04-15 12:04:44
大部分的MOS管中并在D极和S极有一个二极管，如下图：相信很多人都会有这个疑问，究竟这个二极管起什么作用呢？是什么性质的二极管呢？原来这个叫寄生二极管。当电路中产生很大的瞬间反向电流时，就可以通过
2016-12-20 17:01:13
可以看出，Inifineon6代MOS管和APT7代MOS管性能远远不如碳化硅性能，它的各个指标都很小，当米勒振荡通过其他手段无法降低时，可以考虑更换更小的米勒电容MOS管，尤其需要重视Cgd要尽可能的小于Cgs。下期讲解MOS管的米勒振荡。转自雨滴科技论坛-凤舞天
2018-11-21 14:43:01
米勒振荡可以认为是开关电源设计的核心关键。A、减缓驱动强度 1、提高MOS管G极的输入串联电阻，一般该电阻阻值在1~100欧姆之间，具体值看MOS管的特性和工作频率，阻值越大，开关速度越缓。2、在MOS
2018-11-26 11:40:06
通过电容，因为不平衡引起振荡，这个类似热水器的温控PID。）相同条件下，低压下因为负反馈没有这么剧烈，所以米勒振荡会很小，一般高频电源先用低压100V测试，波形很好，看不到米勒振荡，但是到了300V，波形就变差了。下期讲解MOS管的米勒振荡应对方法。转自雨滴技术论坛-凤舞天
2018-11-20 16:00:00
MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后
2021-01-27 15:15:03
MOS管的开通/关断原理
2021-03-04 08:28:49
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。下面先了解MOS管的开通/关断
2021-10-28 08:37:47
击穿，进而保护MOS；对于高速开关场合，寄生二极管由于开通速度慢，导致反向后无法迅速开通，进而损坏MOS，因此需要在外部并联一个快恢复或肖特基二极管。 2.MOS管的主要参数 IRF3205
2021-01-20 16:20:24
MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度比三极管快。
2023-03-12 05:16:04
如图，一直在纠结这个问题，MOS管的控制脚是方波输入还是正弦波？通过MOS控制脚的高低电平，来控制MOS的开通关断
2016-05-30 15:54:16
MOS场效应管的工作原理MOS场效应管也被称为MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写
2011-06-08 10:43:25
电路中的工作状态 开通过程、导通状态、关断过程、截止状态、击穿状态。 MOS管主要损耗包括开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要
2019-02-28 10:53:29
加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以
2012-07-14 15:34:14
，延长了开通时间，关断也是如此，延长了关断时间，因此米勒效应对场效应管或者IGBT的驱动是有害的，因只要减少或者消除米勒效应，解决办法是在栅极和漏极之间并联一个电容，这是我迷惑的点，电容不是并联越并越大
2024-01-11 16:47:48
【不懂就问】看到TI的一个三相逆变器设计资料中，关于有源米勒钳位的设计这是一段原话“开关IGBT过程中，位移电流流经IGBT的GE极电容，使其栅极电压上升，可能让器件误导通原因是，当逆变器的上管导
2017-12-21 09:01:45
米勒平台形成的基本原理米勒平台形成的详细过程
2021-03-18 06:52:14
90kW变频器，当电流达到110A以上时，IGBT在关断的时候，出现这个波形，请问是怎么回事？在110A以下就不出现。这是IGBT Vce的电压波形，当关断的时候还要再开通一下，这样不就很容易上下桥直通了吗？这是怎么回事呢？是米勒效应导致的吗？如何解决呢？
2017-07-24 10:06:32
MOSFET在快速关短过程中，驱动电压VGS会在米勒电平处震荡很厉害？请问有解决措施吗？
2018-04-19 21:17:29
如图所示，Pspice仿真mosfet开通过程，通过仿真得到的波形如图所示（蓝色是Vds，红色是Vgs，绿色是Id），与课本上给的开通过程有区别。想请教一下仿真图中的几个问题：为什么电流Id上升
2019-06-04 20:39:14
振荡。防止mos管烧毁。过快的充电会导致激烈的米勒震荡，但过慢的充电虽减小了震荡，但会延长开关从而增加开关损耗。Mos开通过程源级和漏级间等效电阻相当于从无穷大电阻到阻值很小的导通内阻（导通内阻一般
2019-07-26 07:00:00
MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；
2019-09-12 09:05:05
MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型，本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话详细描述。
2021-03-11 06:11:03
`逆变器是一种DC-AC的变压器，将直流电转变成交流电，它其实与转化器一样，是一种电压逆变的过程。电子设计工程师都知道，逆变器广泛应用于各种家用电器中，包括电视、空调、冰箱、电脑等，而场效应管在其
2019-08-10 16:05:34
.认为这个二极管的作用有2点,十分巧妙:1,这是个自举驱动形式,可以隔离反向电压对驱动电路的损坏.但是不是真正意义上的隔离! 2,MOS有米勒效应,这个二极管可以使米勒平台很陡,也就是米勒效应时间变短
2012-12-25 09:55:24
` MOS管是属于绝缘栅场效应管，栅极是无直流通路，输入阻抗极高，极易引起静电荷聚集，产生较高的电压将栅极和源极之间的绝缘层击穿。 早期生产的MOS管大都没有防静电的措施，所以在保管及应用上要
2018-11-01 15:17:29
Mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗
2021-07-05 07:19:31
导致激烈的米勒震荡，但过慢的充电虽减小了震荡，但会延长开关从而增加开关损耗。Mos开通过程源级和漏级间等效电阻相当于从无穷大电阻到阻值很小的导通内阻（导通内阻一般低压mos只有几毫欧姆）的一个转变过程
2020-06-26 13:11:45
的开通过程中，跨越线性区是产生开关损耗的最根本的原因。这表明：米勒平台时间在开通损耗中占主导地位，这也是为什么在选择功率MOSFET的时候，如果关注开关损耗，那么就应该关注Crss或QGD，而不仅仅是
2017-02-24 15:05:54
`逆变器其实和转化器一样，将直流电转变为交流电，是一种电压逆变的过程，而跟逆变器工作效率关联比较大的就是场效应管，所以电子产品生产厂家都知道场效应管的质量在一定程度上也决定着这个电子产品的使用寿命
2019-07-22 15:36:13
场效应管电机驱动-MOS管H桥原理所谓的H 桥电路就是控制电机正反转的。下图就是一种简单的H 桥电路，它由2 个P型场效应管Q1、Q2 与2 个N 型场效应管Q3、Q3 组成，所以它叫P-NMOS
2021-06-29 07:52:44
的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。 按沟道半导体
2009-04-25 15:38:10
欧盟玩具安全新指令的措施实施后，相关企业应何应对呢？北测检测作为第三方权威检测机构，建议相关企业积极应对欧盟玩具安全新指令的措施，尽量做到以下几点： 1.加快了解国际玩具标准体系。玩具制造商需要
2016-01-18 11:22:01
在高速PCB设计过程中，由于存在传输线效应，会导致一些一些信号完整性的问题，如何应对呢？
2021-03-02 06:08:38
一般我们设计这个MOS管的驱动电路的时候，这个MOS管的gs端有一个寄生结电容，通常在设计电路时让这个gs端开通后，当关闭时还需要把这个Gs端的电容的电放电，那么使用一个电阻，我们现在有个问题：假如
2019-08-22 00:32:40
的米勒平台区，它会影响MOS管的开通和关断过程。对于这个平台区，在开关电源中会引起较大的开关损耗，这是它不利的一面；但是在EMI超标的时候，适当的增加Cgd电容，延长MOS管的开通过程，又可以用来降低
2023-03-22 14:52:34
电路图如下：开关电源芯片viper22a DS极电压波形如下：对于mos管开通瞬间的尖峰消除，大家有没有什么好的方法？谢谢！
2019-03-26 09:24:26
开关电源如何去除mos管开通时采样电阻上的纹波？
2023-05-09 14:53:06
臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某-电压值后GS电压有一段稳定值,过后GS电压又开始上升直至完全导通。为什么会有稳定值这段呢?因为，在MOS管开通前，D
2018-12-19 13:55:15
一.基本原理MOS管本身有Cgs，Cgd，Cds寄生电容，这是由制作工艺决定的。MOS管的开通和关断其实就是对Cgs充放电的过程。开启时通过栅极R1电阻对Cgs充电，充电时间常数=R1*Cgs。所以
2023-02-16 13:44:12
` 以下有场效应管短路保护视频。功率场效应管自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用功率MOSFET对必须为其设计合理的保护电路来提高器件
2018-12-10 14:59:16
为0，此时mos管栅极电压变为-6.3V（正常情况下，AI+输入0时，栅极电压受ref反偏影响在-3v左右），即使再次给定AI+AI-至50a电流的给定值，mos管仍无法开通，栅极电压仍维持在-6.3v。请大家帮忙分析下什么原因？谢谢
2018-08-22 11:27:10
只有吃透MOS管的相关开关特性后才能对这个电路有深入的理解。 本文首先从MOSFET的开通过程进行叙述： 尽管MOSFET在开关电源、电机控制等一些电子系统中得到广泛的应用，但是许多电子工程师并没有
2018-10-09 10:33:56
MOS管与IGBT是不是都有这个GS米勒效应？
2019-09-05 03:29:03
MOS管的门极开通电压典型值为多少伏？那么IGBT的门极开通电压典型值又为多少伏呢？
2019-08-20 04:35:46
三极管会不会存在米勒效应
2019-09-10 04:37:38
网上基本都是说，当MOS关断时，漏感会产生尖峰电压。那我想问下，当MOS管开通时，这个漏感就不会对MOS管产生影响吗？
2018-12-20 14:12:20
由MOS场效应管和普通电源变压器构成，TK8A50D场效应管是目前家用电器的逆变器后级电路应用得比较多的场效应管型号之一。冰箱、空调、LED等是我们每天都会应用到的电器，如果场效应管的质量不过关，无法进行
2019-08-15 15:08:53
传送与运输过程需要特别注意，以减少损失，避免无所谓的纠纷。防护的话加齐纳稳压管保护。 现在的MOS管没有那么容易被击穿，尤其是是大功率的VMOS，主要是不少都有二极管保护。 VMOS栅极电容大，感应
2022-05-14 10:22:39
个型号的场效应管使用。广州飞虹电子通过不断的研发新品，逐渐把MOS管产品的使用范围拓展到更多电子领域，希望为电子产品的生产厂家提供强有力的元器件保障。例如这款飞虹的FHP3205低压MOS管，不仅质优价廉，而且还能替代IRF1010E场效应管。除提供免费试样外，飞虹可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。
2019-08-29 13:59:20
请问各路大神，场效应管组成的放大电路，存在米勒效应，阶跃时间变得很长，是不是需要增大前级驱动电流，就能减小阶跃时间，或者还有其他方法吗，我看米勒效应都在开关状态下来讲解，但在放大状态依然有米勒平台，这是正常的吗？
2018-08-08 10:29:41
，一般对于小功率的电源用的MOS管电流不是很大，用芯片直接驱动是可以的，有些芯片在规格书里面指出芯片最大能做多W的电源。下面的电路是芯片通过电阻直接驱动，开通与关断的速度一样。我们很多的时候为了让开通
2021-06-28 16:44:51
米勒平台是开关管开通和关断过程中出现的极短平台，学习了解米勒平台的形成的原理，对它有个直观的认识，有利于我们分析实际的电路波形。
2016-11-02 17:20:30
10 串联晶闸管在大脉冲电流下的开通过程研究_王晨
2017-01-07 17:16:231 米勒效应解决
2017-06-09 09:56:4048 米勒效应在单电源门极驱动过程中非常显著。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这里存在着潜在的风险。
2019-02-04 11:17:0037672 
在描述米勒平台（miller plateau）之前，首先来看看“罪魁祸首”米勒效应（miller effect） 。
2019-02-02 17:08:0058509 
MOS管的等效模型 我们通常看到的MOS管图形是左边这种，右边的称为MOS管的等效模型。
2020-09-24 11:24:3727499 
当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这是一个潜在的风险（如图1）。
2021-03-15 15:01:2615562 
MOS管的开通和管段原理及电路图
2022-11-21 14:42:3798 Mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。
2022-02-09 11:55:4112 MOS管的细节
2022-02-11 16:33:053 本文介绍了米勒效应的由来，并详细分析了MOSFET开关过程米勒效应的影响，帮助定性理解米勒平台的形成机制。最后给出了场效应管栅极电荷的作用。
2022-03-10 14:44:186226 
米勒电容器寄生导通效应的抑制方法
2022-03-17 15:32:1210 后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。
2022-04-19 10:28:2725969 从t1时刻开始，MOS进入了饱和区。在饱和有转移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨导，只要Id不变Vgs就不变。Id在上升到最大值以后，而此时又处于饱和区，所以Vgs就会维持不变。
2022-08-22 09:11:431821 如图，MOS管内部有寄生电容Cgs，Cgd，Cds。因为寄生电容的存在，所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。
2022-08-25 09:47:265204 米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS电压又开始上升直至完全导通。
2022-08-30 15:34:142286 MOS管的米勒效应会在高频开关电路中，延长开关频率、增加功耗、降低系统稳定性，可谓是臭名昭著，各大厂商都在不遗余力的减少米勒电容。
2022-10-31 02:03:321073 
在上一篇文章中详细描述了带阻性负载时米勒平台是怎样的，对各阶段做了定量分析，相信看过的同学应该会有所收获。今天我们来聊一聊带感性负载时米勒平台是怎样的。
2023-03-26 13:40:481714 关于MOS管的米勒效应，已经输出了8篇，今天这一篇是MOS管章节的最后一篇，下一篇就开始整理运放相关的内容。我个人认为今天聊的这个话题至关重要：抑制米勒效应和抑制EMI之间如何平衡。
2023-04-17 10:28:194149 。虽然一般密勒效应指的是电容的放大，但是任何输入与其它高放大节之间的阻抗也能够通过密勒效应改变放大器的输入阻抗。米勒效应是以约翰·米尔顿·米勒命名的。1919年或1920年密勒在研究真空管三极管时发现了这个效应，但是这个效应也适用于现代的半导体三极管。说白了就是通过电容输出对输入产生了影响。
2023-05-15 16:11:324100 
之前我们在介绍MOS和IGBT的文章中也有提到米勒电容和米勒效应的概念，在IGBT的导通过程分析的文章中我们也简单提到过米勒平台
2023-05-25 17:24:253999 
搞电力电子的同学想必经常被“米勒效应”这个词困扰。米勒效应增加开关延时不说，还可能引起寄生导通，增加器件损耗。那么米勒效应是如何产生的，我们又该如何应对呢？我们先来看IGBT开通时的典型波形：上图
2023-03-03 16:04:061634 
如何减轻米勒电容所引起的寄生导通效应？ 米勒电容是指由电路中存在的电感所形成的电容。它可以导致电路中的寄生导通效应，从而影响电路的性能。常见的一种解决方法是使用补偿电容，但这么做也会带来其他
2023-09-05 17:29:39977 米勒电容效应怎么解决？ 米勒电容效应是指在一个带有放大器的电路中，负载电容会产生一种反馈效应，使得整个电路的增益降低或者不稳定。这种效应的产生会影响到很多电路的稳定性和性能，是电子设计中必须面对
2023-09-18 09:15:451230 MOS管开通过程的米勒效应及应对措施
2023-11-27 17:52:431378 
，在IGBT的开通过程中，有时会发生过流和短路等故障，这给电力电子系统的正常运行带来了一定的影响。接下来，我们将详细介绍这两种故障的成因和应对措施。 首先，我们来分析IGBT的过流故障。IGBT开通过程中的过流通常是由于IGBT的导通能力不
2024-02-18 11:14:33309
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