失效分析是指研究产品潜在的或显在的
失效
机理，
失效概率及
失效的影响等，为确定产品的改进措施进行系统的调查研究工作，是可靠性设计的重要组成部分。
失效
2009-07-03 14:33:23
3510
节能灯功率管
失效
机理分析 --------------------------------------------------------------------- 1引言 节能灯作为一种环保型的电源，在全世界得到了广泛的
2009-07-29 12:20:19
824
到底什么是
雪崩
失效呢，简单来说
MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在
MOSFET漏源之间，导致的一种
失效模式。简而言之就是由于就是
MOSFET漏源极的电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的
失效模式。
2017-09-18 10:35:30
9798
失效模式：各种
失效的现象及其表现的形式。
失效
机理：是导致
失效的物理、化学、热力学或其他过程。1、电阻器的主要
2017-10-11 06:11:00
12633
失效模式：各种
失效的现象及其表现的形式。
失效
机理：是导致
失效的物理、化学、热力学或其他过程。 1、电阻器的主要
失效模式与
失效
机理为 1) 开路：主要
失效
机理为电阻膜烧毁或大面积脱落，基体断裂，引线
2018-01-16 08:47:11
29569
电子元器件的主要
失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能
失效、电参数漂移、非稳定
失效等。
2022-10-24 16:10:44
2332
半导体元器件在整机应用端的
失效主要为各种过应力导致的
失效，器件的过应力主要包括工作环境的缓变或者突变引起的过应力，当半导体元器件的工作环境发生变化并产生超出器件最大可承受的应力时，元器件发生
失效。应力的种类繁多，如表1，其中过电应力导致的
失效相对其它应力更为常见。
2023-01-06 13:36:25
1931
所以掌握各类电子元器件的实效
机理与特性是硬件工程师比不可少的知识。下面分类细叙一下各类电子元器件的
失效模式与
机理。
2023-02-01 10:32:47
1255
当向
MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发
雪崩击穿。
2023-04-15 17:31:58
955
失效分析(FA)是根据
失效模式和现象，通过分析和验证，模拟重现
失效的现象，找出
失效的原因，挖掘出
失效的
机理的活动。
2023-09-06 10:28:05
1332
当功率器件承受的
雪崩耐量超过极限后，芯片最终会损坏，然而单脉冲
雪崩与重复
雪崩的
失效
机理并不相同。
2024-02-25 15:48:08
1123
功率
MOSFET的
雪崩损坏有三种模式：热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2024-02-25 16:16:35
487
MOSFET
失效原因全分析
2019-03-04 23:17:28
MOSFET的
失效
机理至此，我们已经介绍了
MOSFET的SOA
失效、
MOSFET的
雪崩
失效和
MOSFET的dV/dt
失效。要想安全使用
MOSFET，首先不能超过
MOSFET规格书中的绝对最大
2022-07-26 18:06:41
完整性、品种、规格等方面)来划分材料
失效的类型。对机械产品可按照其相应规定功能来分类。 2.2 按材料损伤
机理分类 根据机械
失效过程中材料发生变化的物理、化学的本质
机理不同和过程特征差异
2011-11-29 16:46:42
分析委托方发现
失效元器件，会对
失效样品进行初步电测判断，再次会使用良品替换确认故障。如有可能要与发现
失效的人员进行交流，详细了解原始数据，这是开展
失效分析工作关键一步。确认其
失效
机理，
失效
机理是指
失效
2020-08-07 15:34:07
`v
失效：产品失去规定的功能。v
失效分析：为确定和分析
失效器件的
失效模式，
失效
机理，
失效原因和
失效性质而对产品所做的分析和检查。v
失效模式：
失效的表现形式。v
失效
机理：导致器件
失效的物理，化学变化
2011-11-29 17:13:46
丢失、数据写入出错、乱码、全“0”全“F”等诸多
失效问题，严重影响了IC卡的广泛应用。因此，有必要结合IC卡的制作工艺及使用环境对
失效的IC卡进行分析，深入研究其
失效模式及
失效
机理，探索引起
失效
2018-11-05 15:57:30
IGBT传统防
失效
机理是什么IGBT
失效防护电路
2021-03-29 07:17:06
IGBT的
失效
机理 半导体功率器件
失效的原因多种多样。换效后进行换效分析也是十分困难和复杂的。其中
失效的主要原因之一是超出安全工作区（Safe Operating Area简称SOA
2017-03-16 21:43:31
`对于LED产品在可靠性的视角来看，光输出功率以及电性能随着时间的推移逐渐退化[1-3] 为了满足客户对产品可靠性的要求，研究
失效
机理显得尤为重要。 前些年有些科研人员针对负电极脱落开展
失效分析工作
2017-12-07 09:17:32
LLC做，其输入电压，输出电流和输出电压都不是恒定电压，可见工程师对LLC的爱有多深了。但是在平常的客户拜访中了解到LLC产品在产线或终端客户经常碰到低
失效率的问题，所以今天介绍一下LLC的
MOSFET
2016-12-12 15:26:49
LLC谐振变换器中常见
MOSFET
失效模式有哪几种?怎么解决？
2021-09-18 07:30:41
`请问SMT焊点的主要
失效
机理有哪些？`
2019-12-24 14:51:21
本文先对mos
失效的原因总结以下六点，然后对1,2重点进行分析：1：
雪崩
失效(电压
失效)，也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过
MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致
2018-08-15 17:06:21
进行分析：1：
雪崩
失效（电压
失效），也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过
MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致
MOSFET
失效。2：SOA
失效（电流
失效），既超出
MOSFET安全
2019-08-28 07:30:00
经常碰到电源板上
MOSFET
失效，烦！！！！！大家都是怎么解决的呢？
2015-08-31 11:31:46
次的
失效原因即是下一层次的
失效现象。越是低层次的
失效现象，就越是本质的
失效原因。基本概念 1.1
失效和
失效分析 产品丧失规定的功能称为
失效。 判断
失效的模式,查找
失效原因和
机理,提出预防再
失效
2011-11-29 16:39:42
`元件的
失效直接受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。 1、温度导致
失效：1.1环境温度是导致元件
失效的重要因素。温度变化对半导体器件的影响：构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感
2020-09-19 07:59:36
元器件进行诊断过程。1、进行
失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。2、
失效分析的目的是确定
失效模式和
失效
机理，提出纠正措施，防止这种
失效模式和
失效
机理的重复出现。3、
失效
2016-10-26 16:26:27
失效分析基本概念定义：对
失效电子元器件进行诊断过程。1、进行
失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。2、
失效分析的目的是确定
失效模式和
失效
机理，提出纠正措施，防止这种
失效
2016-12-09 16:07:04
的
失效
机理可以分为两类：过应力和磨损。过应力
失效往往是瞬时的、灾难性的；磨损
失效是长期的累积损坏，往往首先表示为性能退化，接着才是器件
失效。
失效的负载类型又可以分为机械、热、电气、辐射和化学负载等
2021-11-19 06:30:00
本文采用恒定温度应力加速寿命试验对功率VDMOS的可靠性进行了研究，得到较为完整的可靠性数据，并分析得到引起其漏源电流IDS退化的主要
失效
机理是栅极击穿，从而为功率VDMOS类型器件的加工制造及应用等方面提供有价值的数据。
2021-04-14 06:37:09
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑 IGBT
失效分析大概有下面几个方面：1、IGBT过压
失效，Vge和Vce、二极管反向电压
失效等。2、IGBT过流，一定程度
2012-12-19 20:00:59
`以IGBT、
MOSFET为主的电力电子器件通常具有十分广泛的应用，但广泛的应用场景也意味着可能会出现各种各样令人头疼的
失效情况，进而导致机械设备发生故障！因此，正确分析电力电子器件的
失效情况，对于
2019-10-11 09:50:49
(1)电机驱动系统
失效模式分类根据
失效原因、性质、
机理、程度、产生的速度、发生的时间以及
失效产生的后果，可将
失效进行不同的分类。电动观光车常见的
失效模式可以分为：损坏型、退化型、松脱型、失调型、阻漏
2016-04-05 16:04:05
就会缩短。其次，环境条件中如高温、高湿、空气中的尘埃和腐蚀性化学物质、ESD等都会影响元器件的寿命。常见的元器件
失效如下：（见附件）而按照导致的原因可将
失效
机理分为以下六种:1、设计问题引起的劣化 指
2020-12-07 17:03:41
`电容器的常见
失效模式和
失效
机理【上】电容器的常见
失效模式有――击穿短路；致命
失效――开路；致命
失效――电参数变化（包括电容量超差、损耗角正切值增大、绝缘性能下降或漏电流上升等；部分功能
失效――漏液
2011-11-18 13:16:54
`电容器的常见
失效模式和
失效
机理【下】3.2.6铝电解电容器的
失效
机理铝电解电容器正极是高纯铝，电介质是在金属表面形成的三氧化二铝膜，负极是黏稠状的电解液，工作时相当一个电解槽。铝电解电容器常见
失效
2011-11-18 13:19:48
`电容器的常见
失效模式和
失效
机理【中】3.2电容器
失效
机理分析3.2.1潮湿对电参数恶化的影响空气中湿度过高时，水膜凝聚在电容器外壳表面，可使电容器的表面绝缘电阻下降。此处，对于半密封结构电容器来说
2011-11-18 13:18:38
、性能和使用环境各不相同，
失效
机理也各不一样。各种常见
失效模式的主要产生
机理归纳如下。3.1
失效模式的
失效
机理3.1.1 引起电容器击穿的主要
失效
机理3.1.2 引起电容器开路的主要
失效
机理3.1.3
2011-12-03 21:29:22
请问一下元器件
失效
机理有哪几种？
2021-06-18 07:25:31
节能灯功率管的
失效
机理分析 节能灯作为一种环保型的电源，在全世界得到了广泛的应用，国内节能灯的生产
2009-05-13 15:25:19
677
从安全工作区探讨IGBT的
失效
机理 1、 引言 半导体功率器件
失效的原因多种多样。换效后进行换效分析也是十分困难和复杂的。其中
失效的主要原因之
2010-02-22 09:32:42
2665
通过剖析一晶体管的
失效
机理, 给出了对此类晶体管
失效分析的方法和思路。讨论了晶体管存在异物、芯片粘结
失效和热应力
失效等
失效模式。
2012-03-15 14:18:08
30
判断
失效的模式, 查找
失效原因和
机理, 提出预防再
失效的对策的技术活动和管理活动称为
失效分析。
2012-03-15 14:21:36
121
本文共讨论了MEMS加速计的三种高压灭菌器
失效
机理。分别说明了每一种
失效
机理的FA方法（通过建模和测量）和设计改进。排除了封装应力作为高压灭菌器
失效的根源。
2013-01-24 10:39:19
1261
德赢Vwin官网 网站提供《功率
MOSFET在汽车电子应用中的
失效分析.pdf》资料免费下载
2017-04-17 11:38:00
12
基于集成电路应力测试认证的
失效
机理中文版
2016-02-25 16:08:11
10
高压IGBT关断状态
失效的
机理研究，IGBT原理，PT,NPT,Planar IGBT, Trench IGBT
2016-05-16 18:04:33
0
电机驱动系统
失效模式分类 根据
失效原因、性质、
机理、程度、产生的速度、发生的时间以及
失效产生的后果，可将
失效进行不同的分类。电动观光车常见的
失效模式可以分为：损坏型、退化型、松脱型、失调
2017-03-09 01:43:23
1760
元器件长期储存的
失效模式和
失效
机理
2017-10-17 13:37:34
20
元器件的长期储存的
失效模式和
失效
机理
2017-10-19 08:37:34
32
磁珠磁环的主要
失效
机理是机械应力和热应力。作为导磁材料，磁珠磁环的脆性较强，在受到外部机械应力（如冲击、碰撞、PCB翘曲）的时候，磁珠本体易出现裂纹。因此磁珠和磁环的使用需要注意以下事项。
2018-01-18 15:15:41
16872
对电子元器件的
失效分析技术进行研究并加以总结。方法 通过对电信器类、电阻器类等电子元器件的
失效原因、
失效
机理等故障现象进行分析。
2018-01-30 11:33:41
10912
电容器的常见
失效模式有：――击穿短路；致命
失效――开路；致命
失效――电参数变化（包括电容量超差、损耗角正切值增大、绝缘性能下降或漏电流上升等；部分功能
失效――漏液；部分功能
失效――引线腐蚀或断裂；致命
失效――绝缘子破裂；致命
失效――绝缘子表面飞弧；
2018-03-15 11:00:10
26174
到底什么是
雪崩
失效呢，简单来说
MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在
MOSFET漏源之间，导致的一种
失效模式。简而言之就是由于就是
MOSFET漏源极的电压
2018-05-06 09:13:26
14531
本文通过大量的历史资料调研和
失效信息收集等方法，针对不同环境应力条件下的MEMS惯性器件典型
失效模式及
失效
机理进行了深入探讨和分析。
2018-05-21 16:23:45
6951
本文主要对变压器线圈常见的三种
失效
机理进行了介绍，另外还对电感和变压器类
失效
机理与故障进行了分析。
2018-05-31 14:41:52
9637
或者全
失效会在硬件电路调试上花费大把的时间，有时甚至炸机。今天主要说的是电容器，电阻器和电感。 电容器
失效模式与
机理电容器的常见
失效模式有：击穿短路；致命
失效开路；致命
失效电参数变化（包括电容量超差、损耗
2018-06-07 15:18:13
7239
电容器在工作应力与环境应力综合作用下，工作一段时间后，会分别或同时产生某些
失效模式。同一
失效模式有多种
失效
机理，同一
失效
机理又可产生多种
失效模式。
失效模式与
失效
机理之间的关系不是一一对应的。
2018-08-07 17:45:56
5294
1：
雪崩
失效(电压
失效)，也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超越
MOSFET的额定电压，并且超越到达了一定的才能从而招致
MOSFET
失效。 2：SOA
失效(电流
失效)，既超出
MOSFET平安工作
2023-03-20 16:15:37
231
外观检查就是目测或利用一些简单仪器，如立体显微镜、金相显微镜甚至放大镜等工具检查PCB的外观，寻找
失效的部位和相关的物证，主要的作用就是
失效定位和初步判断PCB的
失效模式。
2020-03-06 14:30:35
1913
或者全
失效会在硬件电路调试上花费大把的时间，有时甚至炸机。 所以掌握各类电子元器件的实效
机理与特性是硬件工程师比不可少的知识。下面分类细叙一下各类电子元器件的
失效模式与
机理。 电阻器
失效
失效模式：各种
失效的
2020-06-29 11:15:21
6642
随着LED产品制造技术的逐渐成熟，成本越来越低，性价比越来越高。目前小功率LED产品在大屏幕户外显示等商用领域有很大的应用范围，如何增加使用寿命，减少维护成本也是业界关注的要点所在。解决高成本问题的一个积极态度，就是要分析其
失效
机理，弥补技术缺陷，以提高LED产品的可靠性，提高LED的性价比。
2020-06-14 09:07:46
1111
元件的
失效直接受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。 1、温度导致
失效： 1.1 环境温度是导致元件
失效的重要因素。 温度变化对半导体器件的影响：构成双极型半导体器件的基本单元 P-N 结对温度
2020-11-03 21:45:30
448
本文对MOS
失效原因总结以下六点，然后对1，2重点进行分析： 1、
雪崩
失效（电压
失效），也就是漏源间的BVdss电压超过
MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致
MOSFET
失效
2021-06-22 15:53:29
7504
或断裂；致命
失效――绝缘子破裂；致命
失效――绝缘子表面飞弧；部分功能
失效引起电容器
失效的原因是多种多样的。各类电容器的材料、结构、制造工艺、性能和使用环境各不相同，
失效
机理也各不一样。 各种常见
失效模式的主要产
2021-12-11 10:13:53
2688
失效模式：各种
失效的现象及其表现的形式。
失效
机理：是导致
失效的物理、化学、热力学或其他过程。
2022-02-10 09:49:06
18
MOSFET的
失效
机理本文的关键要点 ・SOA是“Safety Operation Area”的缩写，意为“安全工作区”。 ・需要在SOA范围内使用
MOSFET等产品。 ・有五个SOA的制约要素
2022-03-19 11:10:07
2544
当向
MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发
雪崩击穿。
2022-05-16 15:05:58
3621
摘要：常用电路保护器件的主要
失效模式为短路，瞬变电压抑制器(TvS)亦不例外。TvS 一旦发生短路
失效，释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏．这是 TvS 生产厂家和使用方都想极力减少或避免
2022-10-11 10:05:01
4603
失效分析是根据
失效模式和现象，通过分析和验证，模拟重现
失效的现象，找出
失效的原因，挖掘出
失效的
机理的活动。
失效分析是确定芯片
失效
机理的必要手段。
失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息。
失效分析
2022-10-12 11:08:48
4175
讲述了电子器件的
失效进行分类 、对
失效的
机理行阐
失效的评估方法等制 。
2022-10-17 14:26:28
7
PCB
失效的
机理，必须遵守基本的原则及分析流程。一般的基本流程是，首先必须基于
失效现象，通过信息收集、功能测试、电性能测试以及简单的外观检查，确定
失效部位与
失效模式，即
失效定位或故障定位。
2022-11-09 14:35:48
691
失去原有的效力。在各种工程中，部件失去原有设计所规定的功能称为
失效。
失效简单地说就是“坏了”，但是“坏了”也有很多种情况。
2022-11-30 10:47:53
268
MOSFET的
失效
机理本文的关键要点・SOA是“Safety Operation Area”的缩写，意为“安全工作区”。・需要在SOA范围内使用
MOSFET等产品。
2023-02-13 09:30:07
1144
MOSFET的
失效
机理本文的关键要点・dV/dt
失效是
MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成
失效的现象。
2023-02-13 09:30:08
829
介绍了TVS瞬态抑制二极管的组成结构，
失效
机理和质量因素，希望对你们有所帮助。
2023-03-16 14:53:57
1
MOSFET等开关器件可能会受各种因素影响而
失效。因此，不仅要准确了解产品的额定值和工作条件，还要全面考虑电路工作中的各种导致
失效的因素。本系列文章将介绍
MOSFET常见的
失效
机理。
2023-03-20 09:31:07
638
失效率是可靠性最重要的评价标准，所以研究IGBT的
失效模式和
机理对提高IGBT的可靠性有指导作用。
2023-04-20 10:27:04
1119
常用电路保护器件的主要
失效模式为短路，瞬变电压抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦发生短路
失效，释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏．这是TVS生产厂家和使用方都想极力减少或避免的情况
2023-05-12 17:25:48
3682
功率
MOSFET的
雪崩强度限值是衡量器件针对于感性负载在开关动作应用中的重要参数。 清楚地理解
雪崩强度的定义，
失效的现象及评估的方法是功率
MOSFET电路设计必备的能力。 本文将以下面三个方面进行探讨。
2023-05-15 16:17:45
1135
为了防止在
失效分析过程中丟失封装
失效证据或因不当顺序引人新的人为的
失效
机理，封装
失效分析应按一定的流程进行。
2023-06-25 09:02:30
315
集成电路封装
失效
机理是指与集成电路封装相关的，导致
失效发生的电学、温度、机械、气候环境和辐射等各类应力因素及其相互作用过程。
2023-06-26 14:11:26
722
集成电路封装
失效
机理是指与集成电路封装相关的，导致
失效发生的电学、温度、机械、气候环境和辐射等各类应力因素及其相互作用过程。根据应力条件的不同，可将
失效
机理划分为电应力
失效
机理、温度-机械应力
失效
2023-06-26 14:15:31
603
本文通过对典型案例的介绍，分析了键合工艺不当，以及器件封装因素对器件键合
失效造成的影响。通过对键合工艺参数以及封装环境因素影响的分析，以及对各种
失效模式总结，阐述了键合工艺不当及封装不良，造成键合本质
失效的
机理；并提出了控制有缺陷器件装机使用的措施。
2023-07-26 11:23:15
932
PCB熔锡不良现象背后的
失效
机理
2023-08-04 09:50:01
546
电阻膜腐蚀造成电阻
失效的发生
机理为：外部水汽通过表面树脂保护层浸入到电阻膜层，在内部电场作用下，发生水解反应。电阻膜表面残留的K离子、Na离子极易溶于水，加速了电阻膜的水解反应，致使电阻膜腐蚀
失效。
2023-08-18 11:41:37
1102
肖特基二极管
失效
机理肖特基二极管（Schottky Barrier Diode, SBD）作为一种快速开关元件，在电子设备中得到了广泛的应用。但是，随着SBD所承受的工作压力和工作温度不断升高
2023-08-29 16:35:08
971
什么是
雪崩
失效
2023-12-06 17:37:53
295
保护器件过电应力
失效
机理和
失效现象浅析
2023-12-14 17:06:45
267
压接型IGBT器件与焊接式IGBT模块封装形式的差异最终导致两种IGBT器件的
失效形式和
失效
机理的不同，如表1所示。本文针对两种不同封装形式IGBT器件的主要
失效形式和
失效
机理进行分析。1.焊接式IGBT模块封装材料的性能是决定模块性能的基础，尤其是封装
2023-11-23 08:10:07
724
有效的热管理对于防止SiC
MOSFET
失效有很大的关系，环境过热会降低设备的电气特性并导致过早
失效，充分散热、正确放置导热垫以及确保充足的气流对于
MOSFET散热至关重要。
2023-12-05 17:14:30
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