只要问任何经验丰富的电气工程师——如我们今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 栅极前要放什么，你很可能会听到“一个约 100 Ω 的电阻”。
2018-04-16 08:53:16
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MOSFET的栅极电阻有什么关键作用？
2019-05-11 09:32:1113279 
为了稳定性，必须在 MOSFET 栅极前面放一个 100 Ω 电阻吗？
2023-03-13 10:18:05957 为什么有时候需要MOSFET栅极电阻？它应该是什么价值？它应该在下拉电阻之前还是之后？事实上，有许多电路是在没有栅极电阻的情况下工作的，但添加一个可以防止一些潜在的问题。1000Ω很可能会起作用。
2023-07-06 11:10:48954 
MOSFET栅极电路常见的作用MOSFET常用的直接驱动方式
2021-03-29 07:29:27
防止两个MOSFET管直通，通常串接一个0.5～1Ω小电阻用于限流，该电路适用于不要求隔离的中功率开关设备。这两种电路特点是结构简单。 功率MOSFET 属于电压型控制器件，只要栅极和源极之间施加
2019-06-14 00:37:57
ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。 若先不接VGS（即VGS=0），在D与S极之间加一正电压VDS，漏极D与衬底之间的PN结处于反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压
2020-07-06 11:28:15
容量功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量。功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘，DS (漏极、源极) 间形成PN接合，成为内置
2019-04-10 06:20:15
，在栅极G和源极S之间加正电压，即UGS﹥0时,如图2—55（a）所示，则在栅极与衬底之间产生一个由栅极指向衬底的电场。在这个电场的作用下，P衬底表面附近的空穴受到排斥将向下方运动，电子受电场的吸引
2018-08-07 14:16:14
很重要，所以我们将选用半桥拓扑。这种拓扑是电力电子装置最常用的拓扑之一。这些例子重点介绍了同步压降转换器——一个半桥拓扑的具体应用。共源极电感效应图1为具备杂散电感和电阻(由封装键合线、引线框以及电路板
2019-05-13 14:11:31
MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压是为使MOSFET导通，栅极与源极间必需的电压。也就是说，VGS如果是阈值以上的电压，则MOSFET导通。可能有
2019-05-02 09:41:04
2个系列相关的技术信息链接。要想更深入了解产品，需要确认技术规格的规格值和特性图表，这一点是很重要的。关键要点:・PrestoMOS是具备SJ-MOSFET的高耐压、低导通电阻、低栅极总电荷量特征、且
2018-11-28 14:27:08
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33:51
电路设计如图；问题：MOSFET测量栅极有开启电压+3.6V，漏极电压+12V，但是源极电压测量为+1V;分析：有可能是MOSFET坏了，除了这个可能性，不清楚是不是设计上有问题，希望大家帮忙，目前源极没有接负载，这对电路有没有影响呢？
2019-09-11 14:32:13
是标准化过电流关断图时间与标准化MOSFET电流。这张图是用于选择两个延迟分量，RD和CD，在漏感之间构成了一个简单的RC延迟电阻和漏极检测输入。图的Y轴规范化为一个RC时间不变的。X轴规格化为电流。（布景
2020-09-08 17:28:16
你好，我打算使用FQD7P20TMCT-ND和FDD7N20TMCT-ND。为了驱动这些MOSFET，我正在使用MD1822K6-GCT-ND。我的问题是我需要在门到源之间安装二极管和电阻，如下
2018-10-26 14:46:14
栅极与源极之间加一个电阻，这个电阻起到什么作用？一是为场效应管提供偏置电压；二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S；
2019-05-23 07:29:18
和发射极。为了操作MOSFET/IGBT，通常须将一个电压施加于栅极（相对于器件的源极/发射极而言）。使用专门驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。本文讨论栅极驱动器是什么，为何需要栅极驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。
2021-01-27 07:59:24
驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。需要栅极驱动器IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导通，并允许电流在其漏极和源极引脚之间流动
2021-07-09 07:00:00
俺也是个初学者，对信号完整性了解不多。只是看到参考电路上，DSP和SDRAM之间的数据总线，地址总线中间都加了小电阻。感觉是信号完整性用的 。但是现在布线的时候，感觉比较麻烦，不如不加这个呢。所以，我想问一下。DSP（单片机）和SDRAM之间的数据总线，地址总线，一定要加电阻吗？什么时候一定要加？
2022-07-20 14:23:25
横向导电的MOSFET，如下图所示，这个结构及其工作原理以前的文章介绍过：功率MOSFET的结构及特点，其由三个电极：G栅极、D漏极和S源极组成。图1：平面横向导电MOSFET灰色Gate栅极的宽度
2017-01-06 14:46:20
普通N MOS管给栅极一个高电压 ，漏极一个低电压，漏源极就能导通。这个GS之间加了背靠背的稳压管，给栅极一个4-10V的电压，漏源极不能导通。是不是要大于栅源击穿电压VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
MOS管的开关电路中栅极电阻R5和栅源极级间电阻R6是怎么计算的？在这个电路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可变电阻状态中，作为开关电路是怎么计算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
;gt;N沟道MOSFET有三个电极，分别是源极S、漏极D和栅极G。当VGS=0时，漏、源极之间无原始导电沟道，ID=0；当VGS>0但是比较小时，漏、源极之间也无导电沟道。当
2010-08-17 09:21:57
MOSFET 切换高于5V 的电压，则需要另一个晶体管（某种晶体管）来打开和关闭它。P 沟道场效应管P沟道区域位于P沟道MOSFET的源极和漏极之间。它是一个四端子器件，具有以下端子：栅极、漏极、源极和主体
2023-02-02 16:26:45
，大部分电荷载流子是电子。增强模式和耗尽模式下的P沟道MOSFET符号如下图所示：P沟道MOSFET包括一个P沟道区域，该区域布置在两个端子之间，如源极 (S) 和漏极 (D) 并且主体为N区域。与N沟道
2022-09-27 08:00:00
通电阻比普通产品低61%（双极MOSFET的Pch部分比较），有助于进一步降低各种设备的功耗。此外，通过将两枚器件集成到一个封装中，有助于通过减少安装面积从而实现设备的小型化， 还有助于减少器件选型
2021-07-14 15:17:34
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
什么样的现象。绿色曲线表示高边SiC-MOSFET的栅极电压VgsH，红色曲线表示低边的栅极电压VgsL，蓝色曲线表示Vds。这三个波形都存在振铃或振荡现象，都不容乐观。比如一旦在低边必须关断的时间点
2018-11-30 11:31:17
应用角度来看，驱动回路和功率回路共用了源极的管脚。MOSFET是一个电压型控制的开关器件，其开通关断行为由施加在栅极和源极之间的电压（通常称之为VGS）来决定。 从图1模型来看，有几个参数是我们需要
2023-02-27 16:14:19
老规矩先放结论：与反向并联的二极管一同构成硬件死区电路形如：驱动电路电压源为mos结电容充电时经过栅极电阻，栅极电阻降低了充电功率，延长了栅极电容两端电压达到mos管开启电压的速度；结电容放电时经
2021-11-16 08:27:47
（Vin）施加在栅极端子和零伏电压轨（0v）之间。在施加恒定的栅极电压Vg的情况下，JFET像线性电阻器件一样在其“欧姆区域”内工作。漏极电路包含负载电阻Rd。在该负载电阻两端产生输出电压Vout
2020-11-03 09:34:54
的方向。MOSFET管是另一种非常常见的晶体管类型。它也具有三个引脚：栅极（G）、漏极（D）、源极（S）MOS管和三极管同为晶体管，它们之间的工作原理也有些类似之处：1）．MOS管的源极S、栅极G、漏极
2023-02-20 15:30:11
有一个图表代表一个电路，其目的是根据微控制器中编程的逻辑启用/禁用两个LED。在下面的电路中，据我所知，有两个n型晶体管，它们分别有一个电阻连接它们的栅极和它们的源极。我的问题是：为什么需要标记电阻？（红圈）
2018-08-21 10:35:11
1、为什么要加电阻下图是典型的 MIC 应用电路以及 MIC 内部的电路图。在 MIC 内部，驻极体电容将声音信号变为电信号，并立即通过一级共源 FET 放大输出。加电阻的目的是为了给 MIC 内部
2021-07-27 08:25:22
极性三极管，它是电流控制器件。它的基极串联电阻是为了了限制基极电流的大小，否则对于驱动信号源来说，三极管的基极对地之间就等效成一个二极管，会对前面驱动电路造成影响。 而MOS管，由于它的栅极相对于漏极
2023-03-10 15:06:47
，发现N-MOSFET管的源极S和漏极D之间存在两个背靠背的pn结，当栅极-源极电压VGS不加电压时，不论漏极-源极电压VDS之间加多大或什么极性的电压，总有一个pn结处于反偏状态，漏、源极间没有导电沟道
2023-02-10 15:33:01
当输入与输出电压之间有正电压时，运放肖特基二极管电路使MOSFET导通，如下式：VGATE=VOUT-(R2/R1)(VIN-VOUT)其中，肖特基二极管电路的VGATE是MOSFET的栅极驱动
2021-04-08 11:37:38
™ MOSFET几乎都没有寄生导通。 假设有一个良好设计的、栅漏极电容极低的PCB布局，这时英飞凌鼓励电力电子工程师使用0V的栅极关断电压来操作CoolSiC™ MOSFET分立器件。这有助于简化栅极驱动的设计，同时保证性能不受影响。原作者： Klaus Sobe 英飞凌工业半导体
2023-02-27 13:53:56
在通孔板上建立电路数小时后，我发现使用P-MOSFET时Vgs并不容易。经过搜索，我发现我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）将源极电压带到栅极，以便关断MOSFET。对我来说非常重要的是，当
2018-08-23 10:30:01
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V为驱动器的电源。电路中增加了CGS和米勒钳位MOSFET，使包括栅极电阻在内均可调整。将该栅极驱动器与全SiC功率模块的栅极和源极连接，来确认栅极电压的升高情况
2018-11-27 16:41:26
大家好，问个在网上经常碰到的问题，但我想再问得深入些。 关于MOSFET，就说NMOS管吧，平时说到栅极，大家都习惯性的串接一个栅极电阻大小从10欧--100欧不等。 而且有人说为了提高开通速度甚至
2013-02-08 15:28:29
和漏极电荷Qgs：栅极和源极电荷栅极电荷测试的原理图和相关波形见图1所示。在测量电路中，栅极使用恒流源驱动，也就是使用恒流源IG给测试器件的栅极充电，漏极电流ID由外部电路提供，VDS设定为最大
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢？
2021-03-10 06:19:21
，就会形成一个薄的高质量的氧化层，从而产生沟道。 工作原理是：栅极和源极间加正向电压，P-区中的少数载流子，即“少子”，也就是电子，被电场吸引到栅极下面的表面，随着栅极和源极正向偏置电压的增加，更多
2016-10-10 10:58:30
极)及D(漏极)，如图1d所示。从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。图1是N沟道增强型场效应管(MOSFET)的基本结构图
2011-12-19 16:52:35
反激式转换器工作原理图1为一个最简单的反激式转换器拓扑结构，并且包含以下寄生元件：如初级漏电感、MOSFET的寄生电容和次级二极管的结电容。 图1包含寄生元件的反激式转换器拓扑图该拓扑源自一个升降
2018-10-10 20:44:59
MOSFET只需要栅极引脚上的电压来允许电流在漏极和源极引脚之间流动。场效应管MOSFET在实际设计中具有非常高的栅极阻抗，这就决定了MOSFET的一个特点，非常擅长降低电路的运行所需要的功率。先来简单介绍
2022-09-06 08:00:00
MOSFET需要一个栅极驱动来将电流从源极传导至漏极，并且需要在AC正弦波变为负值时快速关断。通过将N沟道MOSFET与4个LM74670-Q1智能二极管整流控制器组合在一起，可以在在正弦波的负周期
2018-05-30 10:01:53
增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡，是否栅极电阻越大越好，为什么？请你分析一下增大栅极电阻能消除高平震荡的原因。
2023-03-15 17:28:37
增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡，是否栅极电阻越大越好，为什么？请你分析一下增大栅极电阻能消除高平震荡的原因
2023-05-16 14:32:26
（因为我在做电机时候，逆变桥用自举驱动MOS管是要GND网络的，不知道这个是否需要），我有个想法就是不需要此GND网络，但是在栅极和源极之间需要并个大电阻，不知这样是否可行。
2020-11-11 20:39:43
均采用 TO-247-4L 封装，其中包括一个驱动器发射极/源极引脚。两种情况均仅使用单极栅极驱动：IGBT为15V/0V，SiCMOSFET为18V/0V。表 1 显示了使用相应条件执行的测试列表
2023-02-21 16:36:47
MOSFET的高压RDC_ON降触发的保护也可以使用漏极至源极两端的大比率电阻分压器来实现（见图2）。电阻分压器R13/R14在其值方面有两个限制。R14两端的压降应高于300mV，以便在RDC_ON发生
2023-02-27 09:52:17
！它在高侧栅极驱动器源连接（R57、R58 和 R59）中也有 4R7 电阻，我不明白为什么需要这些。是否有任何设计指南可以告诉我如何定义栅极电阻器、自举电容器以及为什么高侧栅极驱动器可能需要对 MOSFET 源极施加一些电阻？
2023-04-19 06:36:06
在mos管的源极和栅极之间并一个电阻是为保护MOS的寄生电感，在电源瞬间上电时候该如何理解呢 ？
2023-03-15 17:30:51
Q1。如何计算IGBT栅极电阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 来操作感性开关负载。开关频率：- 在 400Hz 到 1Khz 之间集电极到发射极电压：- 24V。平均最大电流：- 5A。Q2。使用1Kohm电阻会有什么影响？
2023-01-04 09:00:04
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑
反相电压放大（共发射极（共源极）电路），输入电压（电流）增加，输出电压下降。是因为管压降低了，相当于管子的电阻小了，电流大了
2012-07-09 17:45:33
MOSFET模型， 3个电容为硅结构，分别位于各个连接引脚之间：栅漏电容Cgd、漏源电容Cds和栅源电容Cgs.键合丝产生了MOSFET寄生电感：栅极寄生电感Lg1、漏极寄生电感Ld1和源极寄生电感Ls1。这个
2018-10-08 15:19:33
重要作用。MOSFET既可工作在第一象限，也可工作在第三象限。没有施加栅-源极电压时，寄生体二极管导通。当栅极没有电压时，流入漏极的电流类似于典型的二极管曲线。图5：未栅控N沟道MOSFET工作于第三象限的典型
2021-04-09 09:20:10
电压等于0的时候，漏极电流是等于0.其中JFET中栅级与衬底之间的PN结工作在反偏，当所有的讨论都是基于源级接地的电路时，当耗尽型MOSFET、JFET的栅源电压大于0时，电流怎么变化，两种管子工作在
2019-04-08 03:57:38
的产生机理 由功率MOSFET的等效电路可知，3个极间均存在结电容，栅极输入端相当于一个容性网络，驱动电路存在着分布电感和驱动电阻，此时的桥式逆变电路如图1所示。以上管开通过程为例，当下管V2已经完全
2018-08-27 16:00:08
求大神帮忙推荐一个输入12v电压的场效应管：具体就是漏极与源极之间的电压为12v，栅极无输入电压时，源极与漏极截止，当栅极输入电压时，源极与漏极导通，求大神推荐一下产品，顺便告知一下电阻选用哪个范围的？谢谢
2015-08-17 16:07:41
沟槽结构由于栅极沟槽底部电场集中而存在长期可靠性相关的课题。针对这类课题，ROHM开发的双沟槽结构通过在源极部分也设置沟槽结构，缓和了栅极沟槽底部的电场集中问题，确保了长期可靠性，从而成功投入量产。这款
2018-12-05 10:04:41
，或者有可能造成功率管遭受过高的di／dt而引起误导通。为避免上述现象的发生，通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻，电阻的大小一般选取几十欧姆。 2)防止栅源极间过电压，由于栅极与源
2018-12-10 14:59:16
绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。找元器件现货上唯样商城在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一
2022-09-20 08:00:00
源导通电阻，它表示MOSFET在某一条件下导通时，漏源极之间的导通电阻。这个参数与MOSFET结温，驱动电压Vgs相关。在一定范围内，结温越高，Rds越大;驱动电压越高，Rds越小。Qg，栅极电荷
2020-03-04 10:11:00
，MOSFET与三极管一样，当MOSFET应用于放大电路时，通常要使用此曲线研究其放大特性。只是三极管使用的基极电流、集电极电流和放大倍数，而MOSFET管使用栅极电压、漏极电流和跨导。图2：AOT460
2016-11-29 14:36:06
电感，会由于高di/dt电流而影响到下桥栅极驱动。其中一个解决方案就是将分流电阻器放在上桥MOSFET的漏极内，这样的话，分流电阻器就不会影响到栅极驱动了。Vishay VCS1625/Y08500R01000F9R就具有这样的功能—它内置有开尔文连接，并且具有能够减少电感的结构…
2022-11-17 06:53:17
器件。一旦在MOSFET的栅极端施加电压，源极沟道的漏极电阻将变得更大。当栅源电压增加更多时，从漏极到源极的电流将减少，直到电流从漏极到源极的流动停止。耗尽型MOSFET有两种类型，分别是P沟道和N沟道
2022-09-13 08:00:00
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52:09
蓝牙电路图这里设计的原理不懂，为什么要加二极管和上拉电阻，有什么作用？求指点
2019-04-01 02:31:29
两层电源板，板子设计中有4个MOSFET管串联，由于只有两层，四个MOSFET管的3个源级要过大电流，所以用铜连接在一起；四个MOSFET管栅极串联的线走在器件源级和漏极之间（请看图片），不知道这样的栅极走线会不会受影响？
2018-07-24 16:19:28
本文概述了与低频MOSFET工作相关的各种特性和规格。相关信息了解MOSFET导通状态的漏源电阻MOSFET沟道长度调制假设您正在设计一个电动机控制电路，一个继电器驱动器，一个反极性保护电路或一个
2019-10-25 09:40:30
N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是
2011-08-17 14:18:59
压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不
2013-03-11 10:49:22
型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻
2012-10-30 21:45:40
型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻
2012-10-31 21:27:48
防止两个MOSFET管直通，通常串接一个0.5～1Ω小电阻用于限流，该电路适用于不要求隔离的中功率开关设备。这两种电路特 点是结构简单。 功率MOSFET属于电压型控制器件，只要栅极和源极之间施加
2023-02-27 11:52:38
驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。为什么需要栅极驱动器IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导通，并允许电流在其漏极和源极引脚之间
2018-10-25 10:22:56
是什么，为何需要栅极驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。需要栅极驱动器IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极和源极/发射极之间形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导
2018-11-01 11:35:35
Figure 4 是具有驱动器源极引脚的 MOSFET 的驱动电路示例。它与以往驱动电路（Figure 2）之间的区别只在于驱动电路的返回线是连接到驱动器源极引脚这点。从电路图中可以一目了然地看出
2020-11-10 06:00:00
MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121369 德赢Vwin官网
网站提供《为了稳定性必须在MOSFET栅极前面放一个100Ω电阻吗.pdf》资料免费下载
2023-11-24 09:16:14
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