工程师对电磁干扰，并行化和布局非常熟悉，但是当从基于硅的芯片过渡到碳化硅或宽带隙器件时，需要多加注意。 芯片显示，基于硅（Si）的半导体比宽带隙（WBG）半导体具有十多年的领先优势，主要是碳化硅
2021-04-06 17:50:53
3291 
随着世界希望电气化有助于有效利用能源并转向可再生能源，氮化镓（GaN）等宽带隙半导体技术的时机已经成熟。传统硅MOSFET和IGBT的性能现在接近材料的理论极限，进一步发展只是以缓慢和高成本实现微小
2023-10-25 16:24:43949 
在2012年，整体的电子元器件行业形势不佳，尤其是半导体芯片库存积压过多，而在今年陆续有听说行业有缓和迹象，不知半导体的发展将如何呢？
2013-02-27 14:12:58
等公司是这一历史阶段的先驱。现在，ASIC 供应商向所有人提供了设计基础设施、芯片实施和工艺技术。在这个阶段，半导体行业开始出现分化。有了设计限制，出现了一个更广泛的工程师社区，它们可以设计和构建定制
2024-03-13 16:52:37
公司是这一历史阶段的先驱。现在，ASIC 供应商向所有人提供了设计基础设施、芯片实施和工艺技术。在这个阶段，半导体行业开始出现分化。有了设计限制，出现了一个更广泛的工程师社区，它们可以设计和构建定制
2024-03-27 16:17:34
半导体技术在汽车动力系统中的应用是什么？
2021-05-18 06:09:40
请教下以前的[半导体技术天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半导体技术是如何变革汽车设计产业的？
2021-02-22 09:07:43
减小这些解决方案的尺寸、重量和功率。本文将简要介绍现有的天线解决方案以及电控天线的优势所在。在此基础上，本文将介绍半导体技术的发展如何帮助实现改进电控天线SWaP-C这一目标，然后举例说明ADI技术如何做到这一点。
2021-01-20 07:11:05
最终减小这些解决方案的尺寸、重量和功率。本文将简要介绍现有的天线解决方案以及电控天线的优势所在。在此基础上，本文将介绍半导体技术的发展如何帮助实现改进电控天线SWaP-C这一目标，然后举例说明ADI技术如何做到这一点。
2021-01-05 07:12:20
本文将简要介绍现有的天线解决方案以及电控天线的优势所在。在此基础上，本文将介绍半导体技术的发展如何帮助实现改进电控天线SWaP-C这一目标，然后举例说明ADI技术如何做到这一点。
2021-06-17 07:21:44
的火花,即450mm及EUV 光刻 机。在LinkedIn半导体制造小组中近期从一家成员公司偶然提出一个问题让我产生了思考。当经济处于复苏的好时机时会改涠杂诖50mm硅片的看法吗？WWK的总裁David Jimenez回答了它的问题。设备制造商会愿意更多的投资来发展450mm设备？传感技术
2010-02-26 14:52:33
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分别采用了什么芯片？ 3协同通信的方式有哪些？ 4大数据及认知无线电（名词解释） 4半导体工艺的4个主要步骤： 4简叙半导体光刻技术基本原理 4给出4个全球著名的半导体设备制造商并指出其生产的设备核心技术： 5卫
2021-07-26 08:31:09
半导体制冷片是利用半导体材料的Peltier效应而制作的电子元件，当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术，其特点是无运动部件，可靠性也比较高。半导体制冷片的工作原理是什么？半导体制冷片有哪些优缺点？
2021-02-24 09:24:02
作为通讯乃至军事行业的技术支撑者，半导体厂商曾经离家用电器行业很“远”，而现在，随着家电应用市场和功能的扩展，消费者对家电产品的质量和技术的要求越来越高，半导体厂商转身成为了家电变频技术的竞技者
2019-06-21 07:45:46
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-07-05 08:13:58
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-08-20 08:01:20
半导体材料半导体的功能分类集成电路的四大类
2021-02-24 07:52:52
半导体材料从发现到发展，从使用到创新，拥有这一段长久的历史。宰二十世纪初，就曾出现过点接触矿石检波器。1930年，氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用，是半导体材料开始受到重视。1947年锗点接触三极管制成，成为半导体的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
激光器分类二、半导体激光器技术发展情况自1962年发明了世界上第一台半导体激光器以来，半导体激光器发生了巨大的变化，极大地推动了其他科学技术的发展。近年来用于信息技术领域的小功率半导体激光器发展极快。如用
2019-04-01 00:36:01
增长率高达15％，占据了激光器整体市场份额的四成，是绝对的主导地位。2012－2017年全球半导体激光器市场规模及增长率（单位：亿美元）图片来自OFweek产业研究院技术发展 应用领域延伸随着半导体技术
2019-05-13 05:50:35
国际半导体芯片巨头垄断加剧半导体芯片产业呈现三大趋势
2021-02-04 07:26:49
宽带隙器件的技术优势实际应用中的宽带隙功率转换
2021-02-22 08:14:57
带隙高于硅半导体的新型材料可缩减芯片尺寸，同时保持相同的隔离电压。 较小的芯片产生较低的寄生电容，并降低了晶体管栅极电荷 (Qg) 及输出电容 (Coss)。相比于标准的硅 MOSFET，在给定的频率
2022-11-16 06:48:11
来源:半导体器件应用网 www.ic.bit-bit.com原创摘要：2011年转眼即逝，纵观2011年，企业在半导体行业的市场有着怎么样的发展呢？为适应市场需求，半导体器件市场出现了哪些新的技术
2011-12-08 17:24:00
水平，购买或者开发EUV光刻机是否必要？中国应如何切实推进半导体设备产业的发展？EUV面向7nm和5nm节点所谓极紫外光刻，是一种应用于现代集成电路制造的光刻技术，它采用波长为10～14纳米的极紫外光作为
2017-11-14 16:24:44
和 102 之间变化Q cm（硅的电阻率在 0.1 到 60 Qcm 之间）。半导体介于绝缘体和导体之间，因为它们的带隙（价带最高能级与电导带最低能级之间的能量差）相对较小。分子轨道理论指出，当原子
2021-07-01 09:38:40
镓和碳化硅的各种蚀刻剂，包括水性无机酸和碱溶液以及熔融盐。湿法刻蚀在宽带隙半导体技术中有多种应用，包括缺陷装饰、通过产生特征凹坑或小丘识别极性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。对于氮化镓
2021-10-14 11:48:31
使用这些纳米线阵列，可以实现宽带光捕获。接触电极，如氧化铟锡 (ITO)、银和铜，对具有不同带隙的半导体纳米线太阳能电池器件的影响，重点是光吸收。虽然传统的导电氧化物材料，如氧化铟锡 (ITO
2021-07-09 10:20:13
在研究雷达探测整流器时，发现硅存在PN结效应，1958年美国通用电气（GE）公司研发出世界上第一个工业用普通晶闸管，标志着电力电子技术的诞生。从此功率半导体器件的研制及应用得到了飞速发展，并快速成长为
2019-02-26 17:04:37
满足市场需求，使用硅的新器件年复一年地实现更大的功率密度和能效，已经越来越成为一个巨大的挑战。从本质上讲，芯片的演进已经接近其基础物理极限。但是，为什么说宽带隙半导体的表现已经超越了硅呢？
2019-07-30 07:27:44
长期演进（LTE）等4G技术的发展，分立技术在通信领域中正变得越来越少见。事实上许多人相信，智能手机的普及敲响了手持通信产品中分立实现技术的丧钟。这也是为什么大家说，移动终端发展引领了半导体工艺新方向。
2019-08-02 08:23:59
阻使这些材料成为高温和高功率密度转换器实现的理想选择 ［4］。 为了充分利用这些技术，重要的是通过传导和开关损耗模型评估特定所需应用的可用半导体器件。这是设计优化开关模式电源转换器的强大
2023-02-21 16:01:16
去的三十年里，III-V 技术（GaAs 和InP）已经逐渐扩大到这个毫米波范围中。新近以来，由于工艺尺寸持续不断地减小，硅技术已经加入了这个“游戏”。在本文中，按照半导体特性和器件要求，对可用
2019-07-31 07:43:42
随着密集波分复用（DWDM）技术、光纤放大技术，包括掺铒光纤放大器（EDFA）、分布喇曼光纤放大器（DRFA）、半导体放大器（SOA）和光时分复用（OTDM）技术的发展和广泛应用，光纤通信技术不断
2019-10-17 06:52:52
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
医疗将带动半导体产业的发展 英特尔的首席执行官贝瑞特表示，通过发现癌症和微芯片
2008-08-20 11:31:38
（GaN）宽带隙器件，助力开发先进、高能效的下一代电动车（EV）和混合动力电动车（HEV），实现更高的安全性、智能性和每次充电后更远的续航里程。 此次安森美半导体与奥迪的全新合作将加快开发进程，打造自动驾驶系统和汽车功能电子化的全新性能，推进汽车领域的变革。
2018-10-11 14:33:43
安森美半导体应用于物联网的成像技术和方案分享
2021-05-31 07:07:32
全球汽车市场发展整体向好，汽车中的半导体含量将持续增长，尤其是动力系统、照明、主动安全和车身应用领域。新能源汽车推动汽车动力系统中半导体成分增高约5倍。燃油经济性、先进驾驶辅助系统(ADAS)、便利及信息娱乐系统，以及占全球汽车销售比例50%以上的新兴市场，推动全球汽车半导体市场同比增长7%。
2020-05-04 06:30:06
文章主要介绍了当前射频集成电路研究中的半导体技术和CAD技术，并比较和讨论了硅器件和砷化镓器件、射频集成电路CAD和传统电路CAD的各自特点。近年来，无线通信市场的蓬勃发展，特别是移动电话、无线
2019-07-05 06:53:04
半导体元器件是用半导体材料制成的电子元器件，随着电子技术的飞速发展，各种新型半导体元器件层出不穷。半导体元器件是组成各种电子电路的核心元件，学习电子技术必须首先了解半导体元器件的基本结构和工作原理
2008-05-24 10:29:38
完善IC产业链出发调整相关政策，鼓励发展新型电子设备、电子材料；对于高起点、高技术的产品予以优惠政策使其产业化、避免低水平的重复建设，以此推动我国半导体封装业的发展。3．3 注重新事物新技术的应用在
2018-08-29 09:55:22
时代。当前全球LED产业处于飞速发展阶段，我国半导体照明产业进入自主创新发展时期，今年以来，半导体照明市场呈现高速增长态势。加之国家对节能环保政策推动，技术进步使得价格降低，市场需求连年上升，驱动
2016-03-03 16:44:05
尊敬的先生/女士，我想找出所有VIRTEX-6的半导体安装技术，是倒装芯片安装技术的芯片吗？谢谢问候，缺口
2020-06-15 16:30:12
文/编译杨硕王家农在网络无处不在、IP无处不在和无缝移动连接的总趋势下，国际半导体技术路线图(ITRS)项目组在他们的15年半导体技术发展预测中认为，随着技术和体系结构推进“摩尔定律”和生产力极限
2019-07-24 08:21:23
带隙高于硅半导体的新型材料可缩减芯片尺寸，同时保持相同的隔离电压。 较小的芯片产生较低的寄生电容，并降低了晶体管栅极电荷 (Qg) 及输出电容 (Coss)。相比于标准的硅 MOSFET，在给定的频率
2018-08-30 14:43:17
智能传感器技术-随着半导体集成技术的发展，微处理器和存储器不断进步，敏感元件与信号处理电路有可能集成在同一芯片上，故智能传感器将成为现实。智能化传感器是一种带微处理器的，兼有信息检测、信息处理、信息记忆、逻辑思维与判断功能的传感器。以下重点探讨智能传感器的应用和发展。
2020-04-20 07:24:17
未来半导体照明市场竞争激烈，将如何发展呢？哪部分照明将占主要部分呢？依业内人士推测，通用照明将是未来半导体照明市场最大部分。 通用照明包括室内照明和室外照明两大类。这两类应用都要求灯具具有高发光效率
2013-10-10 18:01:59
半导厂商如何跟汽车工业打交道？未来车用半导体厂商谁来扮演？
2021-05-14 07:19:40
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
“通过创新，电子系统将使汽车可以自动操作，使其更加安全、舒适和高效”。飞思卡尔半导体汽车及标准产品部亚太地区市场总监Allen Kwang高度评价汽车电子的创新意义。而汽车电子创新显然与动力、底盘、安全、车身、信息娱乐系统发展趋势息息相关。
2019-07-24 07:26:11
、高频率等方面特有的优势，在信息通信、光电应用以及新能源汽车等产业中有着不可替代的地位。 多年以来，世界各国始终对化合物半导体保持高度重视，出台相关政策支持本国产业的发展，2017年美国、德国、欧盟
2019-06-13 04:20:24
本人在半导体研究所工作多年，目前自己成立公司，希望能申请半导体技术论坛的版主！谢谢
2009-12-22 09:14:02
希尔顿酒店）盛大召开，会期持续两天半，参会者近千人，该论坛为海内外众多半导体照明行业人士提供了全球性、全产业链、高层次的交流平台。 本次论坛峰会以“协同创新 融通发展”为主题，涉及生物农业光照明技术、光
2017-11-03 14:14:29
半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中
2016-11-27 22:34:51
请问一下半导体发展至今经历了什么？
2021-06-17 08:10:52
，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。随着无线通信的发展，高频电路应用越来越广，今天我们来介绍适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。
2019-06-27 06:18:41
怎样通过ASV技术去生成准确的3D深度图？采用艾迈斯半导体的ASV技术有什么特点？
2021-07-09 06:25:46
在功率转换应用中，使用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料的宽带隙（WBG）半导体器件作为开关，能让开关性能更接近理想状态。相比硅MOSFET或IGBT，宽带隙器件的静态和动态损耗都更低。此外还有
2023-02-05 15:16:14
什么是宽带隙半导体材料
氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料，因为它的禁带宽度都在3个电子伏以上，在室温下不可
2010-03-04 10:32:487180 2018年宽带隙基准源半导体市场与技术发展趋势
2018-02-06 14:41:13
5 正是由于带隙，使得半导体具备开关电流的能力，以实现给定的电子功能;毕竟，晶体管仅仅是嵌入在硅基衬底上的微型开关。更高的能量带隙赋予了WBG材料优于硅的半导体特性。 相较于硅器件，WBG器件可以在较小
2019-08-28 12:31:068783 
近日，为了促进宽带隙（WBG）半导体技术的发展，IEEE电力电子学会（PELS）发布了宽带隙功率半导体（ITRW）的国际技术路线图。
2020-04-13 16:01:314783 摘要：传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。 商用硅基功率MOSFET已有近40年
2020-09-18 17:08:332192 寻找硅替代物的研究始于上个世纪的最后二十年，当时研究人员和大学已经对几种宽带隙材料进行了试验，这些材料显示出替代射频，发光，传感器和功率半导体的现有硅材料技术的巨大潜力。应用程序。在新世纪即将来临
2021-04-01 14:10:192216 
宽带隙 （WBG） 半导体器件的集成在多种技术应用中作为硅技术的替代品是一个不断增长的市场，它可以提供效率和功率密度的改进，这对能源和成本节约有很大的影响 。WBG 具有显着优势，例如更高的开关频率、更低的功率损耗和更高的功率密度。
2022-04-22 17:01:511906 
众所周知，与硅相比，碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 等宽带隙 （WBG） 半导体可提供卓越的性能。这些包括更高的效率、更高的开关频率、更高的工作温度和更高的工作电压。
2022-04-22 17:07:541815 
以及在非酸性乙酰丙酮中容易被蚀刻，但是III族氮化物和SiC非常难以湿法蚀刻，并且通常使用干法蚀刻。已经研究了用于GaN和SiC的各种蚀刻剂，包括含水无机酸和碱溶液，以及熔融盐。湿法蚀刻对宽带隙半导体技术具有多种应用，包括缺陷装饰、通过产生特征凹坑或小丘来识
2022-07-06 16:00:211968 
宽带隙 (WBG) 半导体，例如氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已经终结了硅在电力电子领域的主导地位。自硅问世以来，WBG 半导体被证明是电力电子行业最有前途的材料。与传统的硅基技术相比
2022-07-27 15:11:441427 了解半导体价带和导带的形成机制对于新材料生产的潜在技术影响至关重要。这项工作提出了一种宽带隙计算模型，突出了理解能带结构的理论困难，然后将其与实验数据进行了比较。
2022-07-29 11:18:02917 
用电动汽车市场的爆炸式增长。 在先进汽车技术论坛的电动汽车宽带隙半导体小组会议上，三位行业专家讨论了解决 GaN 和 SiC 当前挑战和未来机遇的努力。 把握电气化势头 在清洁能源领域，电动汽车市场是迄今为止最具活力的。 2012 年，全球售出约 130,000 辆电动汽车
2022-07-29 12:06:00515 使用宽带隙半导体的技术可以满足当今行业所需的所有需求。顾名思义，它们具有更大的带隙，因此各种电子设备可以在高电压、高温和高频率下工作。碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 是最近推出的宽带隙
2022-07-29 08:06:461597 
宽带隙 (WBG) 半导体极大地影响了使用它们的设备的可能性。材料的带隙是指电子从半导体价带的最高占据态移动到导带的最低未占据态所需的能量。
2022-07-29 15:10:451803 对硅替代品的探索始于上个世纪的最后二十年，当时研究人员和大学对几种宽带隙材料进行了试验，这些材料显示出在射频、发光、传感器和功率半导体等领域替代现有硅材料技术的巨大潜力应用程序。在新世纪之初，氮化镓
2022-08-05 11:58:28710 
宽带隙半导体 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，与硅相比具有更出色的性能：更高的效率和开关频率、更高的工作温度和工作电压。EV 和 HEV 包括几个功率转换阶段，累积功率损耗
2022-08-08 10:21:49768 
自硅问世以来，宽带隙半导体，如氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已被证明是电力电子领域最有前途的材料。与传统的硅基技术相比，这些材料具有多个优势，例如能够管理高功率水平、对辐射不敏感、能够在
2022-08-08 10:57:391244 
长期以来，硅基器件一直是半导体领域的基准标准。从 2007 年开始，由于摩尔定律的失败，复合材料被开发出来，特别关注宽带隙半导体，因为它们利用了重要的特性，与传统的硅对应物（如电力电子）相比，它们可以实现具有卓越性能的器件。
2022-09-11 09:29:00453 
用于光电子和电子的宽带隙和超宽带隙半导体
2022-12-22 09:32:25780 宽带隙增强功率转换
2023-01-03 09:45:08355 集成宽带隙(WBG)半导体器件作为硅技术在多种技术应用中的替代品，是一个不断增长的市场，可以提供效率和功率密度的改善，在能源和成本节约方面有很大的反响。WBG具有更高的开关频率、更低的功率损耗和更高的功率密度。继续阅读，了解更多关于基于WBG的半导体器件的广泛应用。
2023-02-02 16:36:161587 宽带隙半导体材料（如SiC）与更传统的半导体材料（如Si）相比具有许多优势。考虑带隙随着温度升高而缩小的事实：如果我们从宽带隙开始，那么温度升高对功能的影响要小得多。由于SiC具有宽带隙，因此它可以在更高的温度下继续工作，通常高达400°C。
2023-05-24 11:13:481640 调查结果显示，SiC、GaN（氮化镓）等宽带隙半导体单晶主要用于功率半导体器件，市场正在稳步扩大。
2023-09-04 15:13:24523 
本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗，开关损耗会被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成电路
2023-09-21 17:09:32471 
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时栅极电阻选型注意事项
2023-11-23 16:56:32401 
新的宽带隙半导体技术提高了功率转换效率
2023-11-30 18:00:18317 
解决方案（火车、飞机和轮船）。为了控制温室气体 (GHG) 排放并减缓全球变暖，我们需要既能最大限度提高效率，又能减少环境影响的解决方案。 宽带隙 (WBG) 半导体具备多种特性，使得其对交通运输应用具有很大吸引力。使用这些半导体可以打造更高效、更快速、更轻巧的汽车，
2024-02-13 16:38:00805 
全球领先的半导体制造商Nexperia今日宣布将投入高达2亿美元(折合约1.84亿欧元)的资金，以显著扩大其位于德国汉堡工厂的宽带隙(WBG)半导体研究、开发及生产能力。此次投资的核心聚焦于下一代
2024-07-15 17:02:3791 
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