晶体管,还是MOS
管?哪个漏电流小?
一般常用哪些型号?
2019-10-23 07:52:32
8050
晶体管是
一种小型设备,用于引导便携式无线电中的电流。数字“8050”基本上表示尺寸和特定输出额定值。工程师和电子专家通常会给
晶体管起数字名称,以便更容易识别和区分它们。具有8050
2023-02-16 18:22:30
的
晶体管是电流控制电流型的.
一般不可以直接代换的除非稍微改变
一下电路结构。二、
晶体三极管和场效应
管选用技巧:(1)
晶体三极管选型技巧:必须了解
晶体管的
类型和材料,常用的有NPN和PNP两种,这两种管工
2019-04-09 11:37:36
,PHP型
管置换PNP型
管。特性相近用于置换的
晶体管应与原
晶体管的特性相近,它们的主要参数值及特性曲线应相差不多。
晶体管的主要参数近20个,要求所有这些参数都相近,不但困难,而且没有必要。
一般来说,只要下述
2015-07-07 16:56:34
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说,逆接C、E也同样有
晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向
晶体管有如下特点。hFE低(正向约10%以下)耐压低 (7 to 8V 与VEBO
一样低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶体管并联时,当需要非常大的电流时,可以将几个
晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象,有必要在每
一个
晶体管的发射极上串联
一个小电阻。电阻R用以保证流过每个
晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
晶体管之间的差异性:就三极
管,mos
管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊,请各位大侠指点!!!
2016-06-07 23:27:44
晶体管交直流参数对电路设计的影响是什么?
2021-04-23 06:25:38
阻尼
晶体管、微波
晶体管、光敏
晶体管和磁敏
晶体管等多种
类型
2010-08-12 13:59:33
晶体管参数
2012-04-19 06:47:38
用。基极电压源通过电阻提供基极电流为了使
晶体管成为电子开关工作,需要提供
一个电压源,并将其通过电阻与基极相连接。如果要使开关导通,基极电压源通过电阻向
晶体管的基极提供足够大的电流IB就可以使得
晶体管导
2017-03-28 15:54:24
` 《
晶体管电路设计(下)》是“实用电子电路设计丛书”之
一,共分上下二册。本书作为下册主要介绍
晶体管/FET电路设计技术的基础知识和基本实验,内容
包括FET放大电路、源极跟随器电路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
晶体管图示仪器是用来测量
晶体管输入、输出特性曲线的仪器。在实验、教学和工程中通过使用图示仪,可以获得
晶体管的实际特性,能更好的发挥
晶体管的作用。
2021-05-07 07:43:17
。需要说明的是,
晶体管有很多种
类型,每种
类型又分为N型和P型,下面图中的电路符号就是
一个N型
晶体管。
晶体管电路有导通和截止两种状态,这两种状态就可以作为“二进制”的基础。从模电角度来说
晶体管还有
2021-01-13 16:23:43
,发射极E接红表笔;PNP
管的集电极C接红表笔,发射极E接黑表笔。正常时,锗材料的小功率
晶体管和中功率
晶体管的电阻值
一般大于10Kω(用R×100档测,电阻值大于2kΩ),锗大功率
晶体管的电阻值为1.5k
2012-04-26 17:06:32
晶体管技术方案面临了哪些瓶颈?
2021-05-26 06:57:13
在PROTUES中如何改变
晶体管的放大倍数?有的器件有放大倍数改变的参数。另外,不同的仿真模型参数不同如何改变?
2014-02-28 08:42:03
供应晶圆芯片,型号有: 可控硅, 中、大功率
晶体管,13000系列
晶体管,达林顿
晶体管,高频小信号
晶体管,开关二极
管,肖特基二极
管,稳压二极
管等。有意都请联系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶体管测量模块的基本特性有哪些?
晶体管测量模块的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
从事电子设计7年了,发觉这两本书挺好的,发上来给大家分享
一下附件
晶体管电路设计(上)放大电路技术的实验解析.pdf42.5 MB
晶体管电路设计(下)FET_功率MOS_开关电路的实验解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不错的
晶体管电路设计书籍!`
2016-11-08 14:12:33
《
晶体管电路设计与制作》是“图解实用电子技术丛书”之
一。本书首先对各种模拟电路的设计和制作进行详细叙述;然后利用可在微机上使用的模拟器“SPICE”对设计的结果进行模拟。《
晶体管电路设计与制作》中介
2018-01-15 12:46:03
晶体管电路设计丛书上册
晶体管电路设计(pdf电子书下载):是“实用电子电路设计丛书”之
一,共分上下二册。本书作为上册主要内容有
晶体管工作原理,放大电路的性能、设计与应用,射极跟随器的性能与应用电
2009-11-20 09:41:18
是交流参数。 (2) 4个h参数都是在Q点的偏导数,因此,它们都和Q点密切相关,随着Q点的变化而变化; (3) h参数是
晶体管在小信号条件下的等效参数。 h参数可以从
晶体管的特性曲线上近似求得,也可以用人h参数测试仪直接测出。对
一般小功率
晶体管,h参数的数量级如图Z0213所示。
2021-05-13 07:56:25
是
晶体管的直流电流放大系数,是指在静态(无变化信号输入)情况下,
晶体管IC与IB的比值。即hFE=IC/IB。
一般情况下β和hFE较为接近,也可相等,但两者含义是有明显区别的,而且在许多场合β并不
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些?
晶体管的开关电路是怎样的?
2021-06-07 06:25:09
晶体管的半导体的电流由空穴(正极性)和电子(负极性)产生。
一般而言的
晶体管是指这种由硅构成的
晶体管。FETField Effect Transistor的简称,是指场效应
晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相对于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作开关,因此
一般尽量在Vce/Vds较低的条件下使用。这是在使用的电路条件下,探讨哪种
晶体管最适合时的代表特性
2018-11-28 14:29:28
相关的参数,以及双极
晶体管的集电极-发射极相关的参数。 基本工作特性比较 这三种
晶体管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相对于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作开关,因此
一般尽量在Vce/Vds较低的条件下使用。这是在使用的电路条件下,探讨哪种
晶体管最适合时的代表特性之
一。
2020-06-09 07:34:33
是"增幅"和"开关"。比如收音机。放大空中传播的极微弱信号,使音箱共鸣。这
一作用便是
晶体管的增幅作用。不改变输入信号的波形,只放大电压或电流。这是模拟信号的情况,但是
2019-07-23 00:07:18
对于
晶体管放大电路,比如常用的共射放大电路,
一般基极会有两个分压电阻,用来控制给基极
一个合适的电平,保证
晶体管的基极能导通,这两个分压电阻的阻值
一般选用的都是K欧姆级别的阻值,原因是什么? 理论依据是?谢谢!
2020-06-08 17:23:20
晶体管,称之为“非集中保护” (和集中保护对照)。集成驱动电路的功能
包括:(1)开通和关断功率开关;(2)监控辅助电源电压;(3)限制最大和最小脉冲宽度;(4)热保护;(5)监控开关的饱和压降。
2018-10-25 16:01:51
。 (3)微变等效电路只适用于低频小信号放大电路,只能用来计算交流分量,不能计算总的瞬时值和静态工作点。 (4)
晶体管的输入电阻 RbE(hie)
一般可用下列近似公式进行估算: 式中 表示
晶体管
2021-05-25 07:25:25
是"增幅"和"开关"。比如收音机。放大空中传播的极微弱信号,使音箱共鸣。这
一作用便是
晶体管的增幅作用。不改变输入信号的波形,只放大电压或电流。这是模拟信号的情况,但是
2019-05-05 00:52:40
晶体管的 电流放大原理 该怎么解释?
2017-03-12 20:30:29
之间)和发射结(B、E极之间),发射结与集电结之间为基区。 根据结构不同,
晶体管可分为PNP型和NPN型两类。在电路图形符号上可以看出两种
类型
晶体管的发射极箭头(代表集电极电流的方向)不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
晶体管的品种繁多,不同的电子设备与不同的电子电路,对
晶体管各项性能指标的要求是不同的。所以,应根据应用电路的具体要求来选择不同用途,不同
类型的
晶体管。 1.
一般高频
晶体管的选用
一般小信号处理(例如
2012-01-28 11:27:38
—Ic*Rc;对于硅材料组成的双极型
晶体管来讲,PN结的正向导通电压为0.7V,因此
一般在工程中认为:当基极注入的电流,让
晶体管的Ic与Rc的积满足下列公式时(Vce-Ic*Rc)-Vb≦0V(注意
2012-02-13 01:14:04
1.
晶体管的结构及
类型
晶体管有双极型和单极型两种,通常把双极型
晶体管简称为
晶体管,而单极型
晶体管简称为场效应
管。
晶体管是半导体器件,它由掺杂
类型和浓度不同的三个区(发射区、基区和集电区
2021-05-13 06:43:22
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说,逆接C、E也同样有
晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向
晶体管有如下特点。hFE低(正向约10%以下)耐压低 (7 to 8V 与VEBO
一样低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
电流的开关,和
一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于
晶体管是利用电讯号来控制,而且开关速度可以非常之快,在实验室中的切换速度可达100GHz以上  
2010-08-12 13:57:39
晶体管配对
2017-08-24 18:48:13
1.MOSFET的速度比
晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中;
晶体管是
一个流控流型的,要使集电极上的电流增大,基极上的电流就要增大,但是基极上的电流是无用的。IGBT
一般使用在大电流的场景。...
2021-10-29 08:28:40
求大神相助,Multisim里面雪崩
晶体管的过压击穿怎么放着那,当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见
晶体管导通。
2014-08-08 10:42:58
变化的β倍, 也就是说,电流变化放大了β倍,所以我们称之为β
晶体管的放大倍率(β
一般远大于1)。如果我们在基极和发射极之间增加
一个变化的小信号,它会导致基极电流Ib的变化。Ib的变化被放大后,会导致
2023-02-08 15:19:23
低功耗设计中,
晶体管控制电路会对电路产生
一定的影响。无论是NPN还是PNP,
晶体管的PN结都会有漏电流。当I/O控制基极电压时,为了稳定基极电压,
一般在NPN开关电路的基极上加
一个下拉电阻。在PNP开关电路的设计中,基极增加了
一个下拉电阻。上拉和下拉电阻根据控制芯片、
晶体管和电路电压进行选择。
2023-02-15 18:13:01
一、引言PNP
晶体管是双极结型
晶体管(BJT)。PNP
晶体管具有与NPN
晶体管完全不同的结构。在PNP
晶体管结构中,两个PN结二极
管相对于NPN
晶体管反转,使得两个P型掺杂半导体材料被
一层薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
)= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓
晶体管SGN19H240M1H砷化镓
晶体管SGN21H180M1H砷化镓
晶体管SGN21H121M1H砷化镓
晶体管SGN21H181M1H砷化镓
晶体管
2021-03-30 11:32:19
。
晶体管作为
一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,因此
晶体管可做为电流的开关,和
一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于
晶体管是利用电讯号来控制,而且开关速度可以非常之快,在实验室中
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高频
晶体管BFG35能用哪个
晶体管来代替,MFR151管子能用哪个来代替?或是谁有这两个高频管子的原件库?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
s1307是什么
类型的
晶体管?
2022-09-25 09:21:11
本帖最后由 生还者 于 2020-8-20 03:57 编辑 《
晶体管电路设计与制作》分为两部分。第
一部分介绍单
管和双管电路,主要目的是理解
晶体管的基本工作机制。第二部分介绍各种
晶体管应用电
2020-08-19 18:24:17
本帖最后由 王栋春 于 2021-1-5 22:40 编辑 《
晶体管电路设计与制作》是“图解实用电子技术丛书”之
一。本书首先对各种模拟电路的设计和制作进行详细叙述;然后利用可在微机
2021-01-05 22:38:36
`内容简介:《
晶体管电路设计》(上)是“实用电子电路设计丛书”之
一,共分上下二册。《
晶体管电路设计》(上)作为上册主要内容有
晶体管工作原理,放大电路的性能、设计与应用,射极跟随器的性能与应用电
2017-07-25 15:29:55
它们不像放大器那样使用。
一般来说,
晶体管的工作方式既像开关又像放大器。然而,由于其设计原因,UJT 不会提供任何
类型的放大。因此,它的设计目的不是提供足够的电压或电流。 这些
晶体管的引线是 B1、B2
2023-08-02 12:26:53
互补
晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
到1的频率。
一般来说,高频
晶体管的最大振荡频率低于共基极截止频率fα,而特征频率fT高于共基极截止频率fα,低于共集电极截止频率fβ。4.6 最大集电极电流(ICM)最大集电极电流(ICM)是允许通过
2023-02-03 09:36:05
是降低电子导带的
一种有效方法。我们在这方面有着丰富的经验,优化了离子注入技术以形成高掺杂的AlGaN/GaN区域,并在GaN
晶体管中实现了良好的CMOS兼容欧姆接触。我们的努力
包括开发出
一种激活退火
2020-11-27 16:30:52
。除了这
一优势之外,NPN
晶体管比PNP
晶体管更容易制造,因此制造成本更低。然而,某些电路受益于PNP型
晶体管,如果没有第二种
类型的
晶体管,即使不是不可能,也很难实现。B类放大器就是这样
一种应用,其中
一
2023-02-03 09:50:59
,这种产品能够承受相当于65.0:1的电压驻波比(VSWR)的负载失配。但这些
晶体管真的无懈可击吗?这种耐用性适用于哪些
类型的应用?
2019-08-22 08:14:59
Sziklai
晶体管
一起使用相反
类型的
晶体管。当电路中需要许多低功耗对时,可以使用达林顿
晶体管阵列IC。驱动器经常利用这些器件,因为它们通常
包括二极
管,以防止在负载关闭时出现尖峰。许多达林顿电路也是由成对的单独分立
晶体管连接在
一起构成的。
2023-02-16 18:19:11
开关。其应用
包括家用电脑、笔记本电脑、平板电脑、智能手机、可穿戴设备、高端网络、汽车等。 鳍式场效应
晶体管代表鳍状场效应
晶体管。鳍片,因为它有
一个鳍状体——形成
晶体管主体的硅鳍片区分了它。场效应,因为
2023-02-24 15:25:29
`简介:《
晶体管电路设计》(上)是“实用电子电路设计丛书”之
一,共分上下二册。《
晶体管电路设计》(上)作为上册主要内容有
晶体管工作原理,放大电路的性能、设计与应用,射极跟随器的性能与应用电路,小型
2017-06-22 18:05:03
可以将PNP
晶体管定义为通常为“OFF”,但是适度的输出电流和相对于其发射极(E)的基极(B)的负电压将使其“打开”,从而允许大的发射极-集电极电流流动。我可以用NPN代替PNP吗?如果您还记得
一个简单
2023-02-03 09:45:56
器件,又称巨型
晶体管或电力勗体
管,简称GTR。它从本质上讲仍是
晶体管,因而工作原理与
一般
晶体管相同。但是,由于它主要用在电力电子技术领域,电流容量大,耐压水平高,而且大多工作在开关状态,因此其结构
2018-01-15 11:59:52
器件,又称巨型
晶体管或电力勗体
管,简称GTR。它从本质上讲仍是
晶体管,因而工作原理与
一般
晶体管相同。但是,由于它主要用在电力电子技术领域,电流容量大,耐压水平高,而且大多工作在开关状态,因此其结构
2018-01-25 11:27:53
请教:单结
晶体管在什么位置,有人说是UJT,但好象用不了呀?
2013-09-26 16:55:49
各位高手,小弟正在学习单结
晶体管,按照网上的电路图做的关于单结
晶体管的仿真,大多数都不成功,请问谁有成功的单结
晶体管的仿真仿真啊,可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
NPN型双极性
晶体管可以视为共用阳极的两个二极
管接合在
一起。在双极性
晶体管的正常工作状态下,基极-发射极结(称这个PN结为“发射结”)处于正向偏置状态,而基极-集电极(称这个PN结为“集电结”)则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
,则分析时则按照单独的
晶体管电路分析,与
一般
晶体管电路无差。 如果多发射极或多集电极的电路在非多极的
一侧全部短起来当作
一个
晶体管,那么此时的关系可以看作
一个或门的关系,只要有
一路导通,则
晶体管就实现
2024-01-21 13:47:56
场效应
晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应
管。
一般的
晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型
晶体管,而FET
2021-05-24 06:27:18
IC与基极电流IB的比值,
一般用hFE或β表示。2.交流电流放大系数交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数,是指在交流状态下,
晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值,
一般用
2012-07-11 11:36:52
晶体管开关对电子产品至关重要。了解
晶体管开关,从其工作区域到更高级的特性和配置。
晶体管开关对于低直流开/关开关的电子设备至关重要,其中
晶体管在其截止或饱和状态下工作。
一些电子设备(如 LED
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分组成的?绝缘栅双极型
晶体管IGBT有哪些特点?如何去使用绝缘栅双极型
晶体管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06
如何去判别
晶体管材料与极性?如何去检测
晶体管的性能?怎样去检测特殊
晶体管?
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率
晶体管?如何提高微波功率
晶体管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
为了改善
晶体管的开关特性,减小
晶体管的损耗,在
晶体管基极驱动电路的设计上会采取
一些加速措施。如下: 加速电路
一 在加速电路
一中,并联在RB两端的电容CB称为加速电容,数值
一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
来至网友的提问:如何选择分立
晶体管?
2023-11-24 08:16:54
,这种产品能够承受相当于65.0:1的电压驻波比(VSWR)的负载失配。但这些
晶体管真的无懈可击吗?这种耐用性适用于哪些
类型的应用?
2019-08-22 06:13:27
常用
晶体管
2012-08-20 08:41:25
晶体管依照用途大致分为高频与低频,它们在型号上的大致区别是什么?例如《
晶体管电路设计》中列举的:高频(2SA****,2SC*****)、低频(2SB****,2SD****)。现在产品设计中最常用的型号是哪些?
2017-10-11 23:53:40
什么是电信号?常见的
晶体管的电路符号有哪几种?
2021-10-29 07:04:27
bandgap中
晶体管的热噪声比较大,通过什么手段能解决?
2021-06-24 07:29:25
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这
一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字
晶体管的电阻R1、R2,使数字
晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基础上计算将R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这
一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字
晶体管的电阻R1、R2,使数字
晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流
2019-04-09 21:49:36
1、使用加速电容在基极限流电阻并联小容量的电容(
一般pF级别),当输入信号上升、下降时候能够使限流电阻瞬间被旁路并提供基极电流,所以在
晶体管由导通状态变化到截止状态时能够迅速从基极抽取电子(因为电子
2023-02-09 15:48:33
有没有关于
晶体管开关的电路分享?
2021-03-11 06:23:27
晶体管的半导体的电流由空穴(正极性)和电子(负极性)产生。
一般而言的
晶体管是指这种由硅构成的
晶体管。FETField Effect Transistor的简称,是指场效应
晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
,避免故障。表1总结了三种
晶体管
类型参数以及GaN、Si和SiC的物理材料。对于Si SJ MOS,选择了最新的具有本征快速体二极
管的Si基MOSFET。GaN和SiC是最新
一代的宽带隙
晶体管,更适合
2023-02-27 09:37:29
其它功能。
晶体管作为
一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,因此
晶体管可做为电流的开关,和
一般机械开关不同处在于
晶体管是利用电讯号来控制,而且开关速度可以非常之快,在实验室中的切换速度可达
2016-01-26 16:52:08
型的.
一般不可以直接代换的.除非稍微改变
一下电路结构。三、
晶体三极管和场效应
晶体管选型诀窍:
晶体三极管:必须了解
晶体管的
类型和材料,常用的有NPN和PNP两种,这两种管工作时对电压的极性要求不同,所以是
2019-03-27 11:36:30
用。(2)横向PNP
管: 这种结构管子的载流子是沿着
晶体管断面的水平方向运动的,故称为横向PNP
管。由于受工艺限制,基区宽度不可能很小,所以它的值相对较低,
一般为十几倍到二、三十倍。横向PNP
管的优点
2019-04-30 06:00:00
来至网友的提问:如何选择分立
晶体管?
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由
一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 编辑 請問各大大有無 Multisim 14 基本
晶体管模型數據庫以外,更多更多
晶体管模型數據庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx
晶体管模型數據庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
这个达林顿
晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
保护的二极
管必须选用快速恢复型二极
管,以保证二极
管能够迅速反应得以保护
晶体管。对于二极
管的耐压要求,
一般其截止电压为开关
晶体管C-E间电压的2倍。 2、RC阻尼电路 图二 图二中,在
晶体管关断
2020-11-26 17:26:39
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