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合科泰NMOS管HKTQ50N03与HKTQ80N03应用案例

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2020-04-05 12:46:16

TA07N65 650V 7A N沟道 MOS 7N65

/P沟道】HN3400:30V5.8ASOT23N沟道 MOSHN3401:-30V -4.2ASOT23 P沟道 MOSHN20N03: 30V20ASOT-89N沟道 MOS
2021-03-24 10:35:56

THS4081IDGNR和BSC050N03MSG有货源

8-MSOP-PowerPadBSC050N03MSGN沟道场效应规格:FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)16A(Ta),80A(Tc)驱动电压(最大 Rds
2019-05-10 10:34:49

N32WB03x】开发环境搭建

一、必要资料下载(1)使用官方FTP服务器(2)选择N32WB03X的资料也可以使用下面直达:[ftp://58.250.18.138/Nations Products File
2023-01-04 22:53:08

【国民技术】N32WB03x开发板资料

产品简介*附件:PB_N32WB03x_Series_product_brief_V1.0_CN[1].pdf数据手册*附件:DS_N32WB03
2022-11-03 14:57:05

供应2N15 、3N10 、15N10 低压MOS 适用于智能电子锁 LED家具灯配件

SOT23-3LSL3N10 100V3A 220毫欧SOT23-3LSL15N10 100V15A 100毫欧 TO-252SL40P03 -30V-39A 14毫欧DFN3x3-8SL50N06 60V50
2020-05-18 14:14:55

供应,安费诺,JST等进口品牌连接器,海量现货库存RT001412SNH、MB2LLN0600

2AHDM06-24-31PTAHDM06-18-08SN97-4102A-18-4SSJS860900ATHD04-1-4P-L013RTS714N3P03CB-04BMMC-RL7001AHD10-9-1939P-BP80
2021-08-02 09:18:14

开关HTM040N03 / HTM040N03P+丝印TM040N03P

开关HTM040N03 / HTM040N03P+丝印TM040N03P 优势出售。产品信息供应芯片:HTM040N03 / HTM040N03属性:输出VBUS开关丝印:TM040N03P关于
2021-01-11 17:42:53

惠海半导体60V50A低结电容SGT工艺NMOSHG012N06L

(MOSFET)MOS型号:惠海半导体HG012N06LMOS参数:60V50A(50N06)内阻:11mR(VGS=10V)结电容:550pF 类型:SGT工艺NMOS开启电压:1.8V封装
2020-08-29 14:51:46

请问NMOS***4170N芯片手册中的时间t<=30s是什么意思?

NMOS***4170N芯片手册中的时间t
2019-03-18 06:35:46

长虹HS2804N03电源板电路原理图相关资料推荐

长虹HS280-4N03电源板电路原理图文件下载
2021-05-27 06:02:29

静电防护二极LC3311CCW JEB03C BV03C BV05C GBLC03C 抑制器 DLLC03CI-SB

`静电防护二极ESD 抑制器 DLLC03CI-SB千兆以太网,USB3.0高速通信端口ESD防护器件 为高速数据通信提供适当的系统级ESD防护,ESD防护器件(TVS二极)必须满足不同的要求
2020-04-09 09:39:25

EIA 364 03B

EIA STANDARD TP-03BAltitude Immersion Test ProcedureFor Electrical ConnectorsANSI/EIA-364-03
2008-08-10 18:11:5424

100V 3A SOT-89香薰机MOSHN03N10D

深圳市三佛科技有限公司 供应100V 3A SOT-89香薰机MOSHN03N10D,原装,库存现货HN03N10D参数:100V 3A  SOT-89 N沟道 MOS/场效应品牌
2022-11-22 16:42:35

30V 20A SOT-89 N沟道 MOSHN20N03

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2022-11-29 11:02:59

30V 20A TO-252 N沟道 MOSHN20N03DA

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2022-11-29 11:09:22

30V 10A TO-252 N沟道 MOSHN10N03DA

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2022-11-29 11:15:02

30V 85A TO-252 N沟道 MOSHN85N03DA

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2022-11-29 11:17:48

30V 30A DFN3*3-8 N沟道 MOSSLN30N03T

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2022-11-29 11:44:32

100V 3A SOT-89 N沟道 MOSHN03N10D

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2022-12-22 14:20:05

AP50P03K p沟道mos -30v -35a丝印:AP50P03 储能、小家电mos

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2023-08-22 17:30:12

ZXMD63N03X 双 30V N 沟道增强型 MOSFET 晶体

ZXMD63N03X 产品简介DIODES 的 ZXMD63N03X 新一代高密度 MOSFET 采用独特的结构,结合了低导通电阻和快速开关速度的优点。这使得它们非常适合高效率、低电压
2023-09-21 18:10:58

AP30N03K 电压30V的贴片MOSTO-252封装丝印30N03K

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2023-09-25 11:13:03

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2023-09-27 15:17:48

SLD80N03T贴片MOS美浦森 30V 80A TO252

场效应型号:SLD80N03TVDS:30VIDS:  80A封装:TO-252沟道:N沟道 SLD80N03T原装正品,SLD80N03T库存现
2023-11-30 16:26:19

CMP100N03-VB场效应一款N沟道TO220封装的晶体

(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V- 阈值电压:Vth=1.7V应用简介:CMP100N03-VB是一款N—Channel沟道的功率场效应,封装为TO220
2023-12-29 11:14:25

50N03-TO251-VB场效应一款N沟道TO251封装的晶体

**VBsemi 50N03-TO251-VB 产品详细参数说明与应用简介****参数说明:**- **型号:** 50N03-TO251-VB- **丝印:** VBFB1311- **品牌
2024-01-03 15:44:57

40N03GP-VB一款N沟道TO220封装MOSFET应用分析

型号: 40N03GP-VB丝印: VBM1310品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: N—Channel- 额定电压: 30V- 额定电流: 80A- 导通电阻 (RDS(ON)): 6m
2024-02-03 11:48:33

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**详细参数说明:**- 型号:NTD50N03T4G-VB- 丝印:VBE1307- 品牌:VBsemi- 封装:TO252- 类型:N-Channel沟道- 额定电压:30V- 额定电流
2024-02-20 10:27:30

TE Connectivity-03

TE Connectivity-03 TE Connectivity-03
2016-02-17 14:39:390

AM50P03-09D完美替代AOD403

AM50P03-09D完美替代AOD403!
2017-08-02 09:33:5817

U―03RM/U―03RS技术资料

  U―03RM及U―03RS是构成小型高功能PCKOSTACSU―5/SU-6远程分散型I/O通讯系统的模块。U―03RM作为主局安装在PC上使用,而U―03RS作为远程I/O局单独使用。
2017-09-22 16:12:080

EVL80WLED-STCH03 STMicroelectronics EVL80WLEDSTCH03演示板

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2020-10-21 11:27:56

STTH50W03CW - (STMicroelectronics) - 二极管 - 整流器 - 阵列

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2023-02-20 18:49:03

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2023-04-28 19:18:030

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2023-06-26 20:02:300

永裕泰 二极管 BZG03C10 - BZG03C270

稳压二极管BZG03C10THRUBZG03C270SMA
2022-10-08 15:45:120

AP50P03K 35a 30v p沟道增强型mos管丝印AP50P03

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