氮化镓外延片工艺流程介绍 外延片与晶圆的区别

氮化镓作为第三代半导体材料，具有耐高温、兼容性高、热导率高、宽带隙等优势，在我国应用较为成熟。按照衬底材料不同，氮化镓外延片又可分为氮化镓基氮化镓、碳化硅基氮化镓、蓝宝石基氮化镓以及硅基氮化镓四类。硅基氮化镓外延片生产成本低且生产技术较为成熟，为目前应用最广泛的产品。

　　氮化镓外延片主要用于制造电子元件，如晶体管、集成电路、光电子器件等。它可以提高电子元件的性能，提高元件的可靠性，并延长元件的使用寿命。

　　氮化镓外延片工艺流程介绍

　　氮化镓外延片工艺是一种用于制备氮化镓外延片的工艺，主要包括表面清洗、氮化处理、清洗处理、干燥处理和检测处理等步骤。其中，表面清洗是为了消除表面污染，并在表面形成氧化层；氮化处理是将外延片放入氮化炉中，在高温下进行氮化处理，使外延片表面形成氮化层；清洗处理是将外延片从氮化炉中取出，用清洗液进行清洗，以去除氮化层上的污染物；干燥处理是将清洗后的外延片放入烘箱中，进行干燥处理，以去除清洗液中的水分；检测处理是将外延片放入检测仪器中，进行检测，以确保外延片质量符合要求。

　氮化镓外延片工艺流程主要包括以下几个步骤：

　　1. 准备工作：清洗外延片表面，消除表面污染，并在表面形成氧化层；

　　2. 氮化处理：将外延片放入氮化炉中，在高温下进行氮化处理，使外延片表面形成氮化层；

　　3. 清洗处理：将外延片从氮化炉中取出，用清洗液进行清洗，以去除氮化层上的污染物；

　　4. 干燥处理：将清洗后的外延片放入烘箱中，进行干燥处理，以去除清洗液中的水分；

　　5. 检测处理：将外延片放入检测仪器中，进行检测，以确保外延片质量符合要求。

　　外延片与晶圆的区别

　　区别是半成品和成品的区别。 外延片就是在衬底上做好外延层的硅片，外延是半导体工艺当中的一种，硅片最底层是P型衬底硅（有的加点埋层）然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层再后来在外延层上注入基区、发射区等等。而晶圆片通常说经过光刻、蚀刻等工序形成的。所以外延片属于半成品，而晶圆属于成品。

　　外延片和晶圆的主要区别在于：

　　1.外延片是一种半导体材料，而晶圆是一种半导体器件；

　　2.外延片是用来制造电子元件的原材料，而晶圆是用来安装电子元件的基板；

　　3.外延片的尺寸小于晶圆，晶圆的尺寸大于外延片；

　　4.外延片的表面经过特殊处理，而晶圆的表面没有经过特殊处理。

　　根据相关数据整理，截至第三季度，氮化镓相关企业营收排名前十依次是：欣旺达、闻泰科技、领益智造、楚江新材、深康佳A、利欧股份、北方华创、有研新材、兆驰股份、安克创新。