水平。2022年12月，铭镓半导体完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。2022年5月，浙大杭州科创中心首次采用新技术
2023-03-15 11:09:59
高压硅二极管具有低正向传导压降，但由于其反向恢复行为，会在功率转换器中造成显著的动态损耗。与硅相比，SiC二极管的反向恢复行为可以忽略不计，但确实表现出更高的体电容和更大的正向传导降。由于砷化镓技术
2023-02-22 17:13:39
砷化镓铟微光显微镜(InGaAs)与微光显微镜(EMMI)其侦测原理相同，都是用来侦测故障点定位，寻找亮点、热点(Hot Spot)的工具，其原理都是侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子。差别
2018-10-24 11:20:30
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
Removal)方式，让您后续实验无往不利。封装体开盖(Decap)LED、砷化镓芯片、车用芯片、光耦合芯片特殊开盖(Decap)Backside、MEMS、封装材料制作、各式封装体拆解化学法蚀刻分析弹坑实验、去焊油/污渍、化学蚀刻去光阻、Pin脚清洗
2018-08-29 15:21:39
或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体
2020-04-22 11:55:14
”在一块半导体单晶片上，从而完成特定的电路或者系统功能。半导体芯片在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓（砷化镓有毒，所以一些劣质电路板不要
2020-02-18 13:23:44
AM003536WM-EM-R美产0.01-3.5GHz超宽带砷化镓功放AM153540WM-EM-R，美产1.5-3.5GHz砷化镓功放AM153540WM-EM-R现货
2020-06-11 08:49:44
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
MHz到70 GHz的宽带性能。这些产品可以采用裸片形式或SURMOUNT™、倒装芯片、塑料和陶瓷封装。这些产品是开关、限位器、移相器和衰减器电路应用的上佳之选。MACOM公司提供采用硅、砷化镓或砷化铝
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：DU2880V产品名称：射频晶体管DU2880V产品特性N沟道增强型器件比双极器件低的噪声系数高饱和输出功率宽带操作的低电容DMOS结构
2018-08-08 11:48:47
°C常规芯片FHC30LG砷化镓晶体管FHC40LG砷化镓晶体管FHX04LG砷化镓晶体管FHX04X砷化镓晶体管FHX06X砷化镓晶体管FHX13LG砷化镓晶体管FHX13X砷化镓晶体管
2021-03-30 11:21:24
` 本帖最后由 330538935 于 2018-5-25 17:14 编辑
FHX45X 砷化镓功率管产品介绍FHX45X询价热FHX45X现货王先生 深圳市首质诚科技有限FHX45X是超高
2018-05-25 17:03:59
•无外部匹配•针对每个频段进行了优化笔记Tc（op）= + 25°CELM5964-16F砷化镓场效应管FLM5964-18F砷化镓场效应管FLM5964-25F砷化镓场效应管FLM5964-35F砷化
2021-03-30 12:35:14
`FLM8596-8F砷化镓晶体管产品介绍FLM8596-8F报价FLM8596-8F代理FLM8596-8FFLM8596-8F现货, 深圳市首质诚科技有限公司FLM8596-8F是一种功率
2019-07-10 09:40:09
的HG106A砷化镓线性霍尔效应IC采用电子迁移率比硅大5～6倍的砷化镓作为器件的半导体材料，而砷化镓被誉为“半导体材料中的贵族”，原因就是砷化镓制成的半导体器件相对于传统的硅半导体具有高频、高温
2013-11-13 10:56:14
关键词：AKM，旭化成，砷化镓线性霍尔效应IC，响拇指电子，Sumzi提要：AKM的HG106C砷化镓线性霍尔效应IC采用电子迁移率比硅大5～6倍的砷化镓作为器件的半导体材料，而砷化镓被誉为“半导体
2013-11-13 10:54:57
Sumzi官网AKE的HG166A砷化镓线性霍尔效应IC采用电子迁移率比硅大5～6倍的砷化镓作为器件的半导体材料，而砷化镓被誉为“半导体材料中的贵族”，原因就是砷化镓制成的半导体器件相对于传统的硅半导体具有
2013-11-13 10:53:33
的透明晶棒，但由于纯度不够，杂质较多，晶体存在晶格缺陷，位错大于1000，造成外延加工时候镀砷化镓晶格位错不准，做出的芯片后LED不发光，或发光率低，造成下游客户没法用。进而后期进而退货影响到晶棒的销售
2011-12-20 10:03:56
、移相器和衰减器电路应用的上佳之选。MACOM公司提供采用硅、砷化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：MA4E20541-1141T产品名称: 二极管MA4E20541-1141T产品特性Low IR（
2018-10-15 16:05:06
芯片，加快硅上氮化镓在主流市场上的应用。意法半导体和MACOM为提高意法半导体CMOS晶圆厂的硅上氮化镓产量而合作多年，按照目前时间安排，意法半导体预计2018年开始量产样片。 MACOM公司总裁
2018-02-12 15:11:38
，尤其是2010年以后，MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场，如今的MACOM拥有包括氮化镓（GaN）、硅锗（SiGe）、磷化铟（InP）、CMOS、砷化镓等技术，共有40多条生产线
2017-09-04 15:02:41
是硅基氮化镓技术。2017 电子设计创新大会展台现场演示在2017年的电子设计创新大会上，MACOM上海无线产品中心设计经理刘鑫表示，硅衬底有一些优势，材料便宜，散热系数好。且MACOM在高性能射频领域
2017-07-18 16:38:20
`SGC1112-100A-R砷化镓晶体管产品介绍SGC1112-100A-R报价SGC1112-100A-R代理SGC1112-100A-R咨询热线SGC1112-100A-R现货, 深圳市首质诚
2018-06-11 14:52:17
SGC8598-100A-R砷化镓晶体管产品介绍SGC8598-100A-R报价SGC8598-100A-R代理SGC8598-100A-R咨询热SGC8598-100A-R现货, 深圳市首质诚
2018-08-13 10:20:49
SGK1011-25A砷化镓晶体管产品介绍SGK1011-25A报价SGK1011-25A代理SGK1011-25A咨询热SGK1011-25A现货, 深圳市首质诚科技有限SGK1011-25A
2018-08-06 11:41:49
SGK1314-25A砷化镓晶体管产品介绍SGK1314-25A报价SGK1314-25A代理SGK1314-25A咨询热SGK1314-25A现货, 深圳市首质诚科技有限SGK1314-25A
2018-08-06 11:45:41
SGK1314-30A砷化镓晶体管产品介绍SGK1314-30A报价SGK1314-30A代理SGK1314-30A咨询热SGK1314-30A现货, 深圳市首质诚科技有限SGK1314-30A
2018-08-06 11:48:15
SGK5254-120A-R砷化镓晶体管产品介绍SGK5254-120A-R报价SGK5254-120A-R代理SGK5254-120A-R咨询热SGK5254-120A-R现货, 深圳市首质诚
2018-08-13 10:23:05
）5.4Rth Typ。（°C / W）1.3操作模式连续作业笔记Tc（op）= + 25°CELM5964-4PS砷化镓场效应管ELM5964-7PS砷化镓场效应管ELM6472-4PS砷化镓场效应管
2021-03-30 12:17:43
）= + 25°CSGC7172-30A砷化镓晶体管SGC7172-120A砷化镓晶体管SGC8598-50A-R砷化镓晶体管SGC8598-100A-R砷化镓晶体管SGC8598-200A-R砷化镓晶体管
2021-03-30 12:28:02
SGM6901VU砷化镓晶体管产品介绍SGM6901VU报价SGM6901VU代理SGM6901VU咨询热SGM6901VU现货, 深圳市首质诚科技有限SGM6901VU是一种高功率GaN HEMT
2018-06-11 14:29:01
°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管SGN26H080M1H砷化镓
2021-03-30 11:37:49
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
TGF2040砷化镓晶体管产品介绍TGF2040报价TGF2040代理TGF2040咨询热线TGF2040现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司, TGF2040是离散的400微米pHEMT由DC至
2018-07-18 12:00:19
TGF2160砷化镓晶体管产品介绍TGF2160报价TGF2160代理TGF2160咨询热线TGF2160现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司. TGF2160离散的1600微米pHEMT由DC至
2018-07-19 10:35:47
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花？看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样
2019-07-31 07:54:41
相比，在硅衬底上设计集成电路更具成本效益。最终，砷化镓可能完全取代硅，目前作为 VLSI 和 ULSI 设计的替代品。砷化镓的速度是硅电路的五倍，因此随着对高速电路需求的增加，它可能会变得更有吸引力。随着技术和网络设计的不断发展，这一点尤其正确。如果说过去是未来的象征，那么这只是时间问题。
2022-04-04 10:48:17
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
。
在器件层面，根据实际情况而言，归一化导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）乘积得出的优值系数，氮化镓比硅好 5 倍到 20 倍。通过采用更小的晶体管和更短的电流路径，氮化镓充电器将能实现了
2023-06-15 15:53:16
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合
2019-07-29 07:16:49
”在一块半导体单晶片上，从而完成特定的电路或者系统功能。半导体芯片在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓（砷化镓有毒，所以一些劣质电路板不要
2020-03-20 10:29:48
eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、氮化镓驱动器，逻辑和保护功能于单芯片中。该芯片被封装到行业标准的、低寄生电感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射频氮化镓技术是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的半导体材料。[color
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
常温下可激发载流子的能力大大增强，同时弥补了单质的一些缺点，因此在半导体行业中也广泛应用，如砷化镓、磷化铟、碳化硅、氮化镓等。这几天集成电路概念股大涨，看到有人又炒作石墨烯，估计想趁机炒作一把。石墨烯...
2021-07-29 08:32:53
南昌凯迅光电有限公司是南昌市重点引进高科技产业企业，公司成立于2015年8月，注册资金7072万元人民币；公司的主要产品为四元系LED芯片和高效率砷化镓太阳电池外延片；公司在四元系LED芯片及高效率
2016-05-05 17:14:17
我的霍尔传感器是砷化镓，也是一种测量磁场的传感器，两个输入端，两个输出端。我把十二个砷化镓串联使用，三个一组，输入电流保持在1毫安。每一组测试的时候，所有的单个砷化镓都对磁场有响应，但是把四组串联
2016-04-23 16:13:19
砷化镓功率二极管是宽带隙半导体器件，其性能仅为碳化硅（SiC）的70%左右。本文对10kW LLC转换器中GaAs、SiC和超快硅二极管的性能进行基准测试，该转换器也常用于高效电动汽车充电
2023-02-21 16:27:41
简介 AKE（旭化成）的HG106A砷化镓线性霍尔效应IC采用电子迁移率比硅大5～6倍的砷化镓作为器件的半导体材料，而砷化镓被誉为“半导体材料中的贵族”，原因就是砷化镓制成的半导体器件相对于传统的硅
2013-08-22 16:11:17
比硅大5～6倍的砷化镓作为器件的半导体材料，而砷化镓被誉为“半导体材料中的贵族”，原因就是砷化镓制成的半导体器件相对于传统的硅半导体具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，这就
2013-06-19 17:00:47
硅大5～6倍的砷化镓作为器件的半导体材料，而砷化镓被誉为“半导体材料中的贵族”，原因就是砷化镓制成的半导体器件相对于传统的硅半导体具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，这就使得使用该
2013-06-17 17:05:35
，4,000pcs/reel6. -40℃-125℃的极宽工作温度范围7. 1.7mV/mT的极高灵敏度器件概述：AKE的HG106A砷化镓线性霍尔效应IC采用电子迁移率比硅大5～6倍的砷化镓作为器件的半导体
2013-05-20 11:41:47
比硅大5～6倍的砷化镓作为器件的半导体材料，而砷化镓被誉为“半导体材料中的贵族”，原因就是砷化镓制成的半导体器件相对于传统的硅半导体具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，这就
2013-05-21 14:45:25
硅大5～6倍的砷化镓作为器件的半导体材料，而砷化镓被誉为“半导体材料中的贵族”，原因就是砷化镓制成的半导体器件相对于传统的硅半导体具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，这就使得使用该
2013-05-21 14:41:41
。”Higham说，“这意味着覆盖系统的全部波段和频道只需要更少的放大器。”氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的三五价半导体材料，LDMOS（横向扩散MOS技术）是基于硅
2016-08-30 16:39:28
厂商大放异彩。其中砷化镓晶圆代工龙头稳懋就是最大的受益者。
稳懋：全球最大的砷化镓晶圆代工龙头
稳懋成立于1999年10月，是亚洲首座以六吋晶圆生产砷化镓微波通讯芯片的晶圆制造商，自2010年为全球最大
2019-05-27 09:17:13
`砷化镓GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7倍，非常适合
2016-09-15 11:28:41
晶体管可以让工程师开发出速度更快、集成度和效率更高的集成电路，进而设计出更轻薄的笔记本电脑，散发的热量远远低于现在的水平。这些晶体管包含很多由砷化铟镓做成的纳米管，并没有采用传统的材料硅。生产工艺采用
2011-12-08 00:01:44
之一。由于硅的物理性质稳定，是最常被使用的半导体材料，近年又研发出第 2 代半导体砷化镓、磷化铟，和第 3 代半导体氮化镓、碳化硅、硒化锌等。晶圆是用沙子做成的，你相信吗？自然界中的硅，通常是
2022-09-06 16:54:23
镓器件大约在2015年推出市场，与具有相同导通电阻和额定电压的硅功率MOSFET相比，其价格更低 。从那时起，产量继续提升、氮化镓器件的价格持续下降、氮化镓技术不断改进和芯片进一步更小化。下图显示了
2023-06-25 14:17:47
高效能、高电压的射频基础设施。几年后，即2008年，氮化镓金属氧化物半导场效晶体（MOSFET）（在硅衬底上形成）得到推广，但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件，使用率较低。
2023-06-15 15:50:54
。
与硅芯片相比：
1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸为硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解决方案更便宜
然而，虽然 GaN 似乎是一个更好的选择，但它
2023-08-21 17:06:18
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消。最近，氮化镓凭借在硅基氮化镓技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出，成为大多数射频应用中可替代砷化镓和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
和意法半导体今天联合宣布将硅基氮化镓技术引入主流射频市场和应用领域的计划，这标志着氮化镓供应链生态系统的重要转折点，未来会将MACOM的射频半导体技术实力与ST在硅晶圆制造方面的规模化和出色运营完美结合
2018-08-17 09:49:42
硅衬底和砷化镓衬底金金键合后，晶圆粉碎是什么原因，偶发性异常，找不出规律，有大佬清楚吗，求助！
2023-03-01 14:54:11
目前极大多数的光耦输入部分采用砷化镓红外发光二极管，输出部分采用硅光电二极管、硅光电三极管及光触发可控硅。这是因为峰值波长900～940nm的砷化镓红外发光二极管能与硅光电器件的响应峰值波长
2019-07-10 07:23:56
的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。 半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类
2016-11-27 22:34:51
目前使用发烟硝酸：硫酸比例5:3，温度90，开封出来有部分芯片崩边了，求合适的配酸比例和温度
2022-03-29 18:44:42
请问一下VGA应用中硅器件注定要改变砷化镓一统的局面？
2021-05-21 07:05:36
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
各位大神，目前国内卖铟镓砷红外探测器的有不少，知道铟镓砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生产的吗，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
用于化合物半导体衬底：GaN氮化镓 、GaAs砷化镓 、GaP磷化鎵外延: MBE, LPE ,VPE
2022-01-17 13:46:39
XU1006-QB砷化镓变送器MACOM 的 36.0-42.0 GHz GaAs 发射器在整个频段具有 +17.0 dBm 输出三阶截距。该器件是一个平衡的电阻式 pHEMT 混频器，后跟一个
2022-12-28 15:31:26
MAVR-011020-1411可焊接 GaAs 恒定伽马倒装芯片变容二极管MAVR-011020-1411 是一款砷化镓倒装芯片超突变变容二极管。该器件是在 OMCVD 外延晶圆上制造的，采用专为
2023-02-09 15:09:46
MAVR-000120-12030W GaAs超突变MACOM 的 MA46H120 系列是一种砷化镓倒装芯片超突变变容二极管。这些器件是在 OMCVD 外延晶圆上制造的，采用
2023-02-10 11:22:13
MAVR-000120-14110PGaAs超突变MACOM 的 MAVR-000120-1411 是一种砷化镓倒装芯片超突变变容二极管。该器件是在 OMCVD 外延晶圆上制造的，采用专为实现高器件
2023-02-13 11:30:35
MADZ-011001肖特基二极管 W 波段MADZ-011001 是一款太赫兹截止频率的砷化镓倒装芯片肖特基势垒二极管。该二极管是在 OMCVD 外延晶圆上制造的，采用专为实现高器件均匀性和极低
2023-02-13 15:01:52
）材料灵敏度较高，是Si硅材料的八倍以上，且随温度变化很小（0.03-0.05%/度）主要用于线性传感应用，也可用于高端开关传感应用。砷化镓（GaAs）霍尔元件有
2023-03-09 17:42:14
SW-209-PIN砷化镓匹配 GaAs SPST 开关 DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射频开关
2023-04-18 15:19:22
GaAs的灵敏度比Si材料高1个数量级、温漂小1个数量级，是优异的线性磁传感霍尔材料。芯片特征：● 砷化镓+ Si混合可编程线性霍尔效应IC● 单电源：VDD 3
2023-05-31 10:02:47
FSX027X型号简介Sumitomo的FSX027X是一种通用砷化镓场效应管，设计用于介质高达12GHz的电源应用。这些设备具有广泛的动态适用于中功率、宽带、线性驱动放大器或振荡器。Eudyna
2023-12-19 11:48:16
FLK017XP型号简介Sumitomo的FLK017XP芯片是一种功率砷化镓场效应管，设计用于Ku频段的通用应用提供卓越的功率、增益和效率。Eudyna严格的质量保证计划确保可靠性和一致的性能
2023-12-19 12:00:45
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