本帖最后由 张飞电子学院郭嘉 于 2021-3-18 17:15 编辑
GBT 工作原理及应用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的保护引言绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管
2021-03-17 11:59:25
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导...
2022-02-16 06:48:11
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-03-27 06:20:04
一种载流子参与导电，则称为单极性晶体管，如MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）、SBD（肖特基二极管）等。若电子和空穴都参与了导电，则称为双极性晶体管，如BJT（双极结型晶体管）、IGBT等
2023-02-10 15:36:04
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 编辑
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管
2012-07-09 11:53:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 编辑
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管
2012-07-09 10:01:42
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 09:42 编辑
IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP 晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有
2012-07-11 17:07:52
IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域.IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定
2021-09-09 08:27:25
IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关
2021-09-09 07:16:43
IGBT的内部结构及特点：本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型
2021-11-16 07:16:01
温超过其结温的允许值,IGBT 都可能会永久性损坏。绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极
2018-10-18 10:53:03
模块中用作首选的电子电源开关，原因如下。。..IGBT具有快速的开关速度。这最大限度地减少了开关损耗，并允许高开关频率，有利于电机谐波和降噪。IGBT是整流器吗？与标准BJT（双极结型晶体管
2023-02-02 17:05:34
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
2021-09-09 08:29:41
双极型晶体管工作原理
2012-08-20 08:53:35
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
列出使用VBE的测试方法。VBE测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压：VBE根据温度变化。图1. 热电阻测量电路由此，通过测定VBE，可以推测结温。通过图1的测定电路，对晶体管输入封装功率：PC
2019-04-09 21:27:24
场效应晶体管，英语名称为Field Effect Transistor，简称为场效应管，是一种通过对输入回路电场效应的控制来控制输出回路电流的器件。可分为结型和绝缘栅型、增强型和耗尽型、N沟道和P沟道
2016-06-29 18:04:43
与漏极间流过电流，而IGBT是从P型的集电极向N型的发射极流过电流，也就是与双极晶体管相同。因此，具有MOSFET的栅极相关的参数，以及双极晶体管的集电极-发射极相关的参数。基本工作特性比较这三种晶体管
2018-11-28 14:29:28
创建通道来导通。另外，栅极通过源极及漏极与氧化膜被绝缘，因此不会流过 “导通”意义上的电流。但是，需要被称为“Qg”的电荷。 关于MOSFET，将再次详细介绍。 IGBT为双极晶体管与MOSFET
2020-06-09 07:34:33
之间）和发射结（B、E极之间），发射结与集电结之间为基区。 根据结构不同，晶体管可分为PNP型和NPN型两类。在电路图形符号上可以看出两种类型晶体管的发射极箭头（代表集电极电流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
—Ic*Rc；对于硅材料组成的双极型晶体管来讲，PN结的正向导通电压为0.7V，因此一般在工程中认为：当基极注入的电流，让晶体管的Ic与Rc的积满足下列公式时（Vce-Ic*Rc）-Vb≦0V（注意
2012-02-13 01:14:04
1. 晶体管的结构及类型 晶体管有双极型和单极型两种，通常把双极型晶体管简称为晶体管，而单极型晶体管简称为场效应管。 晶体管是半导体器件，它由掺杂类型和浓度不同的三个区（发射区、基区和集电区
2021-05-13 06:43:22
列出使用VBE的测试方法。VBE测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压：VBE根据温度变化。图1. 热电阻测量电路由此，通过测定VBE，可以推测结温。通过图1的测定电路，对晶体管输入封装功率：PC
2019-05-09 23:12:18
绝缘栅双极型晶体管检测方法
2009-12-10 17:18:39
绝缘栅双级晶体管IGBT
2012-08-20 09:46:02
绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。一．绝缘栅双极晶体管IGBT的工作原理： 半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣
2009-05-12 20:44:23
绝缘栅双极晶体管基础IGBT结构及工作原理IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率
2009-05-24 16:43:05
绝缘栅双极晶体管晶体管的发展1947年的圣诞前某一天，贝尔实验室中，布拉顿平稳地用刀片在三角形金箔上划了一道细痕，恰到好处地将顶角一分为二，分别接上导线，随即准确地压进锗晶体表面的选定部位。电流表
2012-08-02 23:55:11
绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)是适用于高压应用的经济高效型解决方案，如车载充电器、非车载充电器、DC-DC快速充电器、开关模式电源(SMPS)应用。开关频率范围：直流至100 kHz。IGBT可以
2020-10-27 09:07:21
电极-发射极电流与几乎零栅流驱动器。典型的 IGBT绝缘栅双极性晶体管，即 IGBT，结合了 MOSFET 的绝缘栅(因此得名第一部分)技术和传统双极性晶体管的输出性能特性，因此得名第二部分。这种混合
2022-04-29 10:55:25
的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分红耗尽型与加强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有加强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和加强型；P沟耗尽型和加强型四大类。见下图。
2018-10-29 22:20:31
场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。▲ MOSFET种类与电路符号有的MOSFET内部会有个二极管，这是
2022-04-01 11:10:45
Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。 IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路
2020-07-19 07:33:42
晶体管是现代电子产品的基本组成部分之一。在二极管教程中，我们看到简单的二极管由两块半导体材料组成，形成一个简单的pn结。而晶体管是通过背靠背连接两个二极管而形成的三端固态器件。因此，它有两个PN结
2023-02-15 18:13:01
多的空穴，n侧或负极有过量的电子。为什么存在pn结？以及它是如何工作的？什么是p-n结二极管？I. PN 结基本型1.1 PN半导体N型半导体在硅晶体（或锗晶体）中掺杂了少量的杂质磷元素（或锑元素），由于
2023-02-08 15:24:58
PNP双极型晶体管的设计
2012-08-20 08:29:56
一、引言PNP 晶体管是双极结型晶体管（BJT）。PNP晶体管具有与NPN晶体管完全不同的结构。在PNP晶体管结构中，两个PN结二极管相对于NPN晶体管反转，使得两个P型掺杂半导体材料被一层薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-3 15:11 编辑
ROHM 2Sx双极结型晶体管（BJT）设计用于工业和消费类应用。 这些BJT有PNP和NPN两种极性。 2Sx
2019-06-03 14:41:13
罗姆(ROHM)是半导体和电子零部件领域的著名生产商，其近期推出了TO-247N封装的RGSXXTS65DHR系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）——RGS60TS65DHR、RGS80TS65DHR
2019-04-09 06:20:10
`引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极性三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率
2019-07-18 14:14:01
工作电压的极性而可分为NPN型或PNP型。双极结型晶体管 双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结
2010-08-13 11:36:51
（肖特基二极管）等。若电子和空穴都参与了导电，则称为双极性晶体管，如BJT（双极结型晶体管）、IGBT等。两者相对比，双极性晶体管由于同时有电子和空穴参与导电，所以其关断速度相比单极性晶体管来说更慢。具体
2019-06-28 11:10:16
源电流IDSS是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中，栅极电压UGS＝0时的漏源电流。（2）夹断电压夹断电压UP是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。如同4-25所示为N沟道
2019-04-04 10:59:27
类型。
双极结型晶体管(BJT)
双极结型晶体管是由基极、集电极和发射极 3 个区域组成的晶体管。双极结型晶体管（与 FET 晶体管不同）是电流控制器件。进入晶体管基极区的小电流会导致从发射极流向集电极
2023-08-02 12:26:53
引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极性三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率
2023-02-10 15:33:01
`什么是IGBT?什么是IGBT模块？什么是IGBT模块散热器？IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS
2012-06-19 11:36:58
类型。3.2 晶体管的种类及其特点》巨型晶体管GTR是一种高电压、高电流的双极结型晶体管（BJT），因此有时被称为功率BJT。特点：电压高，电流大，开关特性好，驱动功率高，但驱动电路复杂;GTR和普通双极结型
2023-02-03 09:36:05
本文将重点讨论使用双极性结型晶体管(BJT)和NMOS晶体管的稳定电流源。稳定电流源(BJT)目标本实验旨在研究如何利用零增益概念来产生稳定（对输入电流电平的变化较不敏感）的输出电流。材料
2021-11-01 09:53:18
的使用中也是必不可少的。我们知道场效应晶体管的种类很多，根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管;绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管，或简称MOS场效应管. 1、如何防止绝缘栅型场效应管
2016-01-26 10:19:09
的规则，则可以互换使用NPN和PNP晶体管。双极晶体管实际上是两个背靠背连接的二极管，基极用作公共连接。PNP 结点如何工作？PNP晶体管是由夹在两个P型半导体之间的N型半导体组成的双极结型晶体管
2023-02-03 09:45:56
MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT )是三种常用的功率器件，它们的特点如表 9 .2 所列。 表 9.2 三种常用的 功率器件的比较名 称 特 点 双极型功率晶体管(BJT ) 输入阻抗低
2021-05-13 07:44:08
控制，功耗小，体积小，成本低。 单极型晶体管分类 根据材料的不同可分为结型场效应管JFET（JunctionFieldEffectTransistor）和绝缘栅型场效应管IGFET（InsulatedGateFET）。
2020-06-24 16:00:16
“步”。有两种类型的步进电机，单极型和双极型晶体管，而且知道你正在使用哪种类型是非常重要的。每种电机，都有一个不同的电路。示例代码将控制两种电机。看看单极性和双极性电机的原理图，和关于如何连接你的电...
2021-07-08 09:14:42
晶闸管)、MGT(MOS控制晶体管)、MCT(MOS控制晶闸管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、HVIGBT(耐高压绝缘栅双极型晶闸管)的发展过程，器件的更新促进了电力电子变换技术的不断发展。
2020-03-25 09:01:25
的种类很多，根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管；绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管，或简称MOS场效应管。1、如何防止绝缘栅型场效应管击穿由于绝缘栅场效应管的输入阻抗非常高，这本
2018-03-17 14:19:05
，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。一、场效应管的分类 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全
2011-12-19 16:30:31
的种类很多，根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管；绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管，或简称MOS场效应管．1、如何防止绝缘栅型场效应管击穿由于绝缘栅场效应管的输入阻抗非常高，这本
2019-06-18 04:21:57
运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。场效应晶体管有哪几种分类场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽
2019-05-08 09:26:37
先焊源极后焊栅极。3、绝缘栅场效应晶体管由于输出电阻极高，故不能在开路形态下保管。即无论管子运用与否，都应将三个电极短路或用铝(锡)箔包好，不要用手指触摸以避免感应电势将栅极击穿。结型场效应晶体管可以
2019-03-22 11:43:43
载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（4）场效应管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管
2017-05-06 15:56:51
）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管
2009-04-25 15:43:51
`二极管、三极管是沿袭原来电子管的叫法,由半导体晶体制成的管子具有三极管的功能的叫半导体晶体三极管,简称为半导体管或者晶体管. 在晶体管中靠两种载流子形成电流的叫双极型晶体管, 另有一种仅靠一种
2012-07-11 11:42:48
材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结
2009-04-25 15:38:10
。对于NPN，它是灌电流。 达林顿晶体管开关 这涉及使用多个开关晶体管，因为有时单个双极晶体管的直流增益太低而无法切换负载电压或电流。在配置中，一个小输入双极结型晶体管（BJT）晶体管参与打开和关闭
2023-02-20 16:35:09
IGBT-1200A型测试仪可以测试大功率IGBT（双极型晶体管），大功率MOS管的Vce-Ic特性曲线。在国内电子市场上，鱼目混珠的产品太多，特别是大功率的IGBT，全新的和翻新的很难分辨出真假
2015-03-11 13:51:32
IGBT是由哪些部分组成的？绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点？如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
绝缘栅双极晶体管（IGBT）有哪些应用呢？如何去实现绝缘栅双极晶体管（IGBT）的电磁兼容设计呢？
2022-01-14 07:02:41
IGBT的英文全称是Insulated Gate Bipolar Transistor，译为绝缘栅双极型晶体管。IGBT是由场效应管和大功率双极型三极管构成的，IGBT将场效应管的开关速度快、高频
2023-02-03 17:01:43
障碍!MOS管MOS管即MOSFET，中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其特性，输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。IGBT管IGBT中文名绝缘栅双极型场效应晶体管，是MOS管
2019-05-02 22:43:32
绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为 MOSFET,输出极为 PNP 晶体管,因此,可以把其看作是 MOS 输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点
2021-03-19 15:22:33
常用场效应管及晶体管参数常用场效应管及晶体管参数场效应管的主要参数 (1)直流参数 饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流
2008-08-12 08:39:59
结型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。前者是本次讨论的重点。 双极结型晶体管的类型 BJT安排有两种基本类型：NPN和PNP。这些名称是指构成组件的P型（正极）和N型（负极）半导体材料
2023-02-17 18:07:22
到底什么是 IGBT？ IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极 型晶体管，是由晶体三极管和 MOS 管组成的复合型半导体器 件。IGBT 作为
2021-02-24 10:33:18
的种类很多，根据结构不同分爲结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管;绝缘栅型场效应晶体管又称爲金属氧化物导体场效应晶体管，或简称MOS场效应晶体管.一、如何防止绝缘栅型场效应晶管击穿由于绝缘栅
2019-03-21 16:48:50
。IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，是由BJ T(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压
2019-06-27 09:00:00
进行学习，有了基础知识，再结合实际产品进行对照，基本上可以掌握电机控制器或者逆变器的工作原理，进而就可以科学匹配设计。下面对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及应用进行讨论，供初级工程技术人员参考。一
2018-11-01 11:04:57
的种类繁多，根据结构不同分为结型场效晶体应管和绝缘栅型场效应晶体管；绝缘栅型场效应晶体管又称为金属氧化物导体场效应晶体管，或简称MOS场效应晶体管。1、防止绝缘栅型场效晶体应管击穿由于绝缘栅场效应管
2019-03-26 11:53:04
栅双极晶体管（IGBT）实现此类拓扑。本文中，我们将重点介绍直接驱动GaN晶体管的优点，包括更低的开关损耗、更佳的压摆率控制和改进的器件保护。
2020-10-27 06:43:42
长期回收富士IGBT 回收富士IGBT模块 快速上门 IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管
2021-10-28 19:46:46
都很高，同时芯片边缘由于晶格损伤和应力会引起较大的漏电流，所以普通IGBT不具备反向阻断能力（一般只有40V左右）。 逆阻型绝缘栅双极型晶体管（ＲB-IGBT）是一种新型的IGBT器件，它是将
2020-12-11 16:54:35
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2023-01-07 15:43:47
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2023-01-07 15:48:44
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2023-01-13 14:07:08
绝缘栅双极晶体管（IGBT)
基础知识绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET复合，结合二者的优点1986年投
2009-04-14 22:13:39
6003 
绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。
一．绝缘栅双极晶
2009-05-12 20:42:001282 
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
2009-12-10 14:24:311299 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是什么意思
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型
2010-03-05 11:42:028933 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的资料大全
绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体
2010-03-05 11:46:077456 如何去识别IGBT绝缘栅双极型晶体管呢？ IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种功率半导体器件，结合了双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）的特点。IGBT通常用于高电压和高电流应用，例如工业
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