等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。由于PECVD可以在低温条件下较快生长二氧化硅，所以用PECVD生长二氧化硅薄膜被广泛应用于半导体光电子器件、
2020-09-29 15:07:21
9585 我国科学家成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。我国氧化镓领域研究连续取得突破日前，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片
2023-03-15 11:09:59
，有如下反应：42 （2） 上式表明，被氧俘获的电子释放出来，这样半导体表面载流子浓度上升，从而半导体表面电阻率减小。三、氧化物半导体甲烷传感器的研究进展 尽管甲烷是分子结构最简单的一种碳氢
2018-10-24 14:21:10
高科技术领域及许多行业中已得到应用：1在电子工业中的应用（1）多芯片式封装用陶瓷多层基板：封装用的纳米氧化铝陶瓷多层基板的制造方法有厚膜印刷法、生坯叠片法、生坯印刷法、厚薄膜混合法等四种。（2）高压钠灯
2016-10-21 13:51:08
特定金属或者合金（例如镍铬合金、氧化锡或者氮化钽）淀积在绝缘基体（如模制酚醛塑料）表面上形成薄膜电阻体，构成的电阻叫做氧化膜电阻。来源于：上上电子网`
2013-07-15 16:47:00
开始着手研究基于新材料、新结构的滤波器。薄膜体声波谐振器(FBAR)是一种全新的射频滤波器[2]。FBAR器件尺寸远小于传统的基于电磁波的介质滤波器，其工作频率更高，且拥有更好的带外抑制性能和更低
2019-06-21 06:55:09
汇集于薄膜的某一处，并按设计指定的位置和标准的线距向外延伸，作为柔软的、可任意弯曲的、密封的引出导线与整机的后置电路相连。 硬性薄膜硬性薄膜开关是指开关的图形和线路是制作在普遍的印刷线路覆铜板上。硬性
2015-01-07 13:46:11
回来，电路断开，回路触发一个信号。薄膜开关结构严谨，外形美观，密封性好。具有防潮湿，使用寿命长等特点。广泛应用于电子通讯、电子测量的仪器，工业控制，医疗设备，汽车工业，智能玩具，家用电器等领域。
2019-07-23 02:06:13
对LINIO2、LIMN2I4、LINIXCO1AXO2、V2O5也有较多的研究；固体电解质膜方面以对LIPON膜的研究为主；阳极膜方面以对锂金属替代物的研究为主，比如锡和氮化物、氧化物以及非晶硅膜，研究多集中在循环交通的提高。在薄膜锂电池结构方面，三维结构将是今后研究的一个重要方向。
2011-03-11 15:44:52
光电子应用正在推动砷化镓（GaAs）晶圆和外延片市场进入一个新时代！在GaAs射频市场获得成功之后，GaAs光电子正成为一颗冉冉升起的新星
2019-09-03 06:05:38
车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。本分会的主题涵盖大尺寸衬底上横向或纵向氮化镓器件外延结构与生长、氮化镓电力电子器件的新结构与新工艺开发、高效高速氮化镓功率模块设计与制造，氮化镓功率应用与可靠性等。本届
2018-11-05 09:51:35
Molex 的薄膜电池由锌和二氧化锰制成，让最终用户更容易处置电池。大多数发达国家都有处置规定;这使得最终用户处置带有锂电池的产品既昂贵又不便。消费者和医疗制造商需要穿着舒适且轻便的解决方案
2024-01-26 15:51:04
苏试宜特实验室通过扫描电镜看试样氧化层的厚度，直接掰开看断面，这样准确吗？通过扫描电镜看试样氧化层的厚度，如果是玻璃或陶瓷这样直接掰开看断面是可以的；如果是金属材料可能在切割时，样品结构发生变化就不行了，所以要看是什么材料的氧化层。
2021-09-30 18:45:38
Verilog设计内外延时
2012-08-15 16:31:14
% 的能源浪费，相当于节省了 100 兆瓦时太阳能和1.25 亿吨二氧化碳排放量。
氮化镓的吸引力不仅仅在于性能和系统层面的能源利用率的提高。当我们发现，制造一颗片氮化镓功率芯片，可以在生产制造环节减少80
2023-06-15 15:47:44
，在半桥拓扑结构中结合了频率、密度和效率优势。如有源钳位反激式、图腾柱PFC和LLC。随着从硬开关拓扑结构到软开关拓扑结构的改变，初级FET的一般损耗方程可以最小化，从而提升至10倍的高频率。
氮化镓功率芯片前所未有的性能表现，将成为第二次电力电子学革命的催化剂。
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，宽禁带，以下简称为：WBG）”以及基于新型材料的电力半导体，其研究开发技术备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
`二氧化钛是一种高折射率材料，适于电子枪蒸镀，膜层致密，牢固，抗化学腐蚀。可分为白色和黑色。颜色的不同主要因为生产环境的因素，白色是在大气中烧结而成的，而黑色是在真空中烧结而成。在试用中，黑色比白色
2018-11-20 10:03:19
以晶态V2O5(c-V2O5)为原料,采用熔融淬冷法成功制取了V2O5薄膜电极,研究了该电极电化学阻抗谱(EIS)的基本形状及其随电位的变化,并用等效电路拟合了不同电位下的EIS,同时系统地测试分析了与电极材料性质和电极荷电状态相联系的一些参数。对引起这些界面参数变化的可能原因进行了解释。
2011-03-10 12:11:28
地，氮化镓晶体管以镍和金的薄膜组配作为栅极金属，并采用肖特基接触或金属氧化物半导体（MOS）结构。为确保透明，我们可以调整这种设计，将这些不透明金属改变为透明导电材料如氧化铟锡，它广泛应用于透明
2020-11-27 16:30:52
材料，将常规集成电路工艺和微机械加工独有的特殊工艺相结合，全面继承了氧化、光刻、扩散、薄膜、外延等微电技术，还发展了平面加『[技术、体硅腐蚀技术、固相键合技术、LIGA技术等，应用这些技术手段制造出层
2019-08-01 06:17:43
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
我想了解关于LED关于外延片生长的结构，谢谢
2013-12-11 12:50:27
的，有时甚至是有毒的材料，导致世界范围内严重的生态挑战。此外，电子产品的生产制备过程中消耗了大量的比如镓铟等稀缺元素（铟镓锌氧化物已广泛用于许多薄膜晶体管中，例如有源矩阵有机发光二极管背板，射频识...
2021-09-16 07:21:41
的存在，致使金属腐蚀的时候形成致密结构，也叫薄膜。因此改变了金属的表面状态，使金属的电极电位向正方向改变，形成耐腐的钝态。 2、防锈油：防锈油是利用油膜封闭金属表面的气孔，达到隔离与氧气接触，从而
2018-08-20 18:34:36
近日，微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室（三室）在阻变存储器研究工作中取得进展，并被美国化学协会ACS Nano杂志在线报道。 基于二元氧化物材料的电阻式随机存储器（ReRAM）具有低廉的价格
2010-12-29 15:13:32
是碳性材质印刷制成，并且没有保护涂层，受空气氧化逐渐形成脱落层，到最后导致断路而寿命终止，这是薄膜开关最容易出故障的地方，主要有环境所决定，不管使用与否，物理损坏时间是3-10年。一般适用范围最为广泛
2012-07-27 09:46:32
薄膜按键都是“按键+薄膜”的基本结构，所以，按键的手感、特色等很大方面都取决于薄膜按键的设计。考虑到开关触点的分离和回弹的可靠性，薄膜的厚度一般选择在0.125-0.2mm为最佳,过薄回弹无力，触点分离不灵敏。过厚反应迟钝增加操作力度。
2019-10-11 09:12:12
的存在，致使金属腐蚀的时候形成致密结构，也叫薄膜。因此改变了金属的表面状态，使金属的电极电位向正方向改变，形成耐腐的钝态。 2、防锈油：防锈油是利用油膜封闭金属表面的气孔，达到隔离与氧气接触，从而
2018-08-20 18:31:28
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。
又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
时间。
更加环保：由于裸片尺寸小、制造工艺步骤少和功能集成，氮化镓功率芯片制造时的二氧化碳排放量，比硅器件的充电器解决方案低10倍。在较高的装配水平上，基于氮化镓的充电器，从制造和运输环节产生的碳足迹，只有硅器件充电器的一半。
2023-06-15 15:32:41
扮演着关键的角色。与此同时，美国国防部还通过了高级研究计划局 (DARPA) 的宽带隙半导体技术 (WBST) 计划，该计划在氮化镓的早期开发中发挥了积极的推动作用。该项计划于 2001 年正式启动，力求
2017-08-15 17:47:34
激光器生长在氮化镓/蓝宝石模板上，位错密度在108cm-2量级，如今氮化镓激光器都生长在位错密度为106cm-2量级或更低的氮化镓自支撑衬底上，如图3所示。 图4、（a）由于外延结构各层生长
2020-11-27 16:32:53
特定金属或者合金（例如镍铬合金、氧化锡或者氮化钽）淀积在绝缘基体（如模制酚醛塑料）表面上形成薄膜电阻体，构成的电阻叫做氧化膜电阻。来源于：上上电子网
2013-07-15 16:49:07
。为了开发这些新的可弯曲产品，设计师现在可以使用现有的材料，如薄膜和塑料，来取代今天的硬电路板和大型电子元件。但他们很快就会有新的选择。威斯康星大学麦迪逊分校进行的研究发现了一种利用木材制造功能微波放大器
2022-04-15 15:25:08
真正将集成模块的概念付诸实现，在很大程度上取决于集成和封装的工艺技术。1传统封装结构与互连方式存在的主要问题1 封装技术是研究电力电子集成模块的核心问题电力电子集成的基本思路可以分成单片集成和多芯片
2018-08-28 11:58:28
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
:NMKE.0.2010-01-007【正文快照】：1前言随着纳米薄膜技术的发展,如今采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法可以制备出品质满足体声波器件所需择优取向的PZT压电薄膜,通过对其晶向结构和形貌的表征表明,制备
2010-04-24 09:00:23
肖特基二极管结构：肖特基二极管在结构原理上与。PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（金、银、铝、钼、铂等材料制造成阻挡层）、二氧化硅消除边缘区域的电场（提高管子耐压）、N一外延层、N型硅基片
2020-11-16 16:34:24
和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时，膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成
2019-08-16 11:09:49
物半导体在光电子器件中已经得到广泛应用,例如制作液晶显示器、紫外光探测器都要用到p型宽带隙氧化物半导体。目前这类氧化物研究主要包括P型ZnO[1]与P型铜铁矿结构氧化物[2]-[8]。在这类氧化物中,CuCrO2除了具有P型透明导电性以外,最近又报道了它的高温热电特全文下载
2010-04-24 09:00:59
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
硅来添加电子。 如果在任何其他宽带隙氧化物中这样做，结果可能是破碎的晶体和晶格斑点，这样的话电荷会被卡住。氧化镓能够适应通过“离子注入”标准工艺添加以及外延生长（沉积额外的晶体）过程中添加的掺杂剂
2023-02-27 15:46:36
由于透明导电薄膜具有优异的光电性能，因而被广泛地应用于各种光电器件中。
2019-09-27 09:01:18
采芯网转载：金属氧化膜电阻器也是膜式电阻器的一种，它是用锡和锑等金属盐溶液(如四氯化锡和三氯化锑盐溶液)，喷雾到炽热的陶瓷骨架表面水解沉积而形成的电阻器。金属氧化膜电阻器的导电膜均匀，其结构多为帽盖
2016-12-09 18:22:57
“重组”氢气和氧气，用以释放能量，将是理想状态。 斯坦福大学研究人员在不同温度条件下测试三种金属氧化物，分别是钒酸铋、氧化钛和氧化铁，所获结果超出预想：温度升高时，电子通过这三种氧化物的速率加快，所
2016-03-07 15:18:52
各位大神，目前国内卖铟镓砷红外探测器的有不少，知道铟镓砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生产的吗，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
of Houston)的 Ignatiev 研究小组报道了PrxCa12xMnO3 ( PCMO) 氧化物薄膜电阻转换特性后,人们才开始投入大量的精力和财力对 RRAM进行研究。
2019-10-10 09:02:30
通过对氧化铝薄膜式湿度仪工作原理的介绍，分析了此类湿度仪的良好性能，并比较了压力露点与常压露点的数值差异针对宝钢冷轧厂能源车间的在线实际应用较详细地分析了影响
2009-03-16 09:26:33
17 采用静电力自组装和原位化学氧化聚合相结合的方法制备了聚吡咯/纳米二氧化钛(PPy/TiO2)复合薄膜，并进行了表面电阻测试及紫外–可见光谱分析、原子力显微镜分析。利用平面叉
2009-05-12 21:38:2717 通过对阳极氧化多孔Al2O3 薄膜感湿材料的制备工艺及其电容湿敏特性进行研究,将阳极氧化参数对多孔Al2O3 薄膜的结构和形态的影响与多孔Al2O3 薄膜作为湿度传感器感湿材料的湿敏特
2009-06-22 11:24:5013 自旋阀结构薄膜及其自由层的特性研究刘 鹏（清华大学微电子学研究所，北京，100084）摘 要：基于自旋阀结构的磁传感器因其优良的性能，在传感器家族中具有越来越重要
2009-12-14 10:52:5534 GdFeCo/ TbFeCo 磁超分辨磁光记录薄膜研究
用磁控溅射法制备了GdFeCo/ TbFeCo 交换耦合两层薄膜,利用不同温度的克尔磁滞回线和VSM 磁滞回线研究了读出层( GdFeCo)
2010-02-22 15:31:1211 。本文将介绍薄膜电子拉力试验机的原理、应用及操作方法。二、薄膜电子拉力试验机的原理薄膜电子拉力试验机采用电子力学原理，通过高精度的力传感器和精密的机械结构，对样品
2023-10-25 16:03:00
美国深特公司独特的超薄膜氧化铝(HTF)水分传感器技术是在薄膜技术和氧化金属学的基础上发展而来，利用此技术制造的传感器的测量灵敏性要远远大于利用其它技术制造的传感器，
2011-01-01 22:47:0925 热壁外延（HWE）在导电玻璃上生长GaAs薄膜引 言 目前，太阳电池应用最大的障碍就是成本高，世界商品化生产的太阳电池主要是单晶硅、多晶硅和非晶硅电池
2009-02-23 21:30:571108 硅单晶(或多晶)薄膜的沉积
硅（Si）单晶薄膜是利用气相外延(VPE)技术，在一块单晶Si 衬底上沿其原来的结晶轴方向，生长一层导电类型
2009-03-09 13:23:416889 利用外延片焊接技术,把Si(111)衬底上生长的GaN蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上.在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光LED.与外延材料未转移的同侧结构相比,转移
2011-04-14 13:29:3429 海洋薄膜(Ocean Thin Films)现发布其用于氧化铟锡(ITO)薄膜上的独有的 PixelTecTM 图案式光学涂层技术。
2011-10-10 09:58:44669 本文将着重介绍氧化物无机 半导体材料 的光电化学研究领域的一些新进展. 本文简述了二氧化钛薄膜、氧化锌薄膜、ZnO/TiO 复合涂层、SnO2: F 薄膜的发展概况及应用
2011-11-01 17:49:4847 压电薄膜的制备、结构与应用
2017-10-17 14:16:1229 薄膜电容（Film Capacitor）器又称塑料薄膜电容（Plastic Film Capacitor）。其以塑料薄膜为电介质。 薄膜电容器结构 薄膜电容内部构成方式主要是： 以金属箔片（或者是
2017-12-01 17:16:4510905 微弧氧化是在金属及其合金表面生成陶瓷膜的一种表面处理技术，微弧氧化生成的陶瓷膜具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损、绝缘等优良性能，在航天、航空、汽车、电子、造船等领域具有广阔的应用前景。微弧氧化已经成为一个研究热点，电源是制约微弧氧化发展的一个重要因素，本文针对微弧氧化电源展开研究。
2018-11-26 08:00:006 中国科学院半导体研究所照明研发中心与北京大学纳米化学研究中心、北京石墨烯研究院刘忠范团队合作，开发出了石墨烯/蓝宝石新型外延衬底，并提出了等离子体预处理改性石墨烯，促进AlN薄膜生长实现深紫外LED的新策略。
2019-04-26 11:06:262919 
薄膜开关是整体结构密封，不易氧化，具有良好的防水、防尘、防油、防有害气体侵蚀的特点，适合用于各种恶劣环境。
2019-11-14 11:53:072774 本文介绍了用μ-PCD方法对氧化物半导体薄膜晶体管的迁移率和Vth漂移的评价结果。
2021-12-20 15:22:23855 
引言 近年来，氧化锌薄膜因其低成本、低光敏性、无环境问题、特别是高迁移率而被研究作为薄膜晶体管中的有源层来代替非晶硅。此外，氧化锌的低温制造使得在塑料薄膜上制造成为可能。氧化锌(ZnO)半导体由于
2022-01-06 13:47:53582 引言 氧化锌(ZnO)半导体由于在低沉积温度下具有高电子迁移率，非常适用于有机发光二极管器件。其作为一种新的半导体层取代了薄膜晶体管中使用的非晶硅半导体，在表征方面取得了重大进展。氧化锌的湿法图形化
2022-01-14 13:15:45872 
薄膜晶体管TFTs采用氧化锌等非晶氧化物半导体，如ZnO, Ga-In-Zn-O, or Hf-InZn-O HIZO，由于其在平板显示器上的高应用潜力，目前是深入研究的课题。由于其相对于
2022-01-14 13:54:35434 
引言 对于在涂有氧化锡的玻璃基板上制造的薄膜光伏组件中，有时会观察到电化学腐蚀效应。电化学腐蚀效应可能发生在薄膜光伏(PV)模块中，这些组件在氧化锡镀覆玻璃上制造，在高压和高温下工作。目前的研究表明
2022-01-17 13:27:47589 
近十年来，湿化学法制备超薄二氧化硅/硅和超薄二氧化硅/硅结构的技术和研究取得了迅速发展。这种结构最重要是与大尺寸硅晶片上氧化物层的均匀生长有关。
2022-03-11 13:57:22828 
）、扫描电子显微镜（SEM）和光致发光（PL）光谱进行表征，以允许对它们的结构和光学性质进行检查。XRD结果表明，当薄膜在不同的氢氮浓度下刻蚀不同的时间时，ZnO的强度降低。上述观察归因于氧化锌的溶解
2022-04-24 14:58:20930 
本文介绍了我们华林科纳研究了蚀刻时间和氧化剂对用氢氧化铵(铵根OH)形成的多孔氧化锌（氧化锌）薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影响。在本工作中，射频磁控管溅射的ZnO薄膜在氢氧化铵(NH4OH)溶液中腐蚀，全面研究了刻蚀时间和添加H2O2溶液对多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的影响。
2022-05-09 15:19:34563 
本文介绍了我们华林科纳采用射频磁控溅射系统，在衬底温度为275°C的氩气气氛下，在玻璃衬底上制备了氧化锌薄膜，将沉积的氧化锌薄膜在稀释的盐酸中蚀刻，制备出表面纹理的氧化锌。研究了合成膜的形貌、光学和电学性质对蚀刻剂浓度的影响，得到了具有良好捕光特性的高效表面纹理氧化锌薄膜。
2022-05-09 17:01:311343 
据麦姆斯咨询报道，近期，一支由中国矿业大学、中国空间技术研究院、哈尔滨工业大学的研究人员组成的团队设计并研制出一种基于超材料的宽带微波/红外兼容隐身结构器件，该结构包括基于氧化铟锡（ITO）薄膜制备
2022-09-28 09:50:362397 通过图形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生长，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生长外延层。这个过程称为选择性外延生长(SEG)。
2022-09-30 15:00:385893 二维半导体薄膜在任意表面的异质外延技术 上海超级计算中心用户北京大学陈基研究员与合作者提出了一种在不同晶体对称性、不同晶格常数和三维架构基底上异质外延生长半导体2H-MoTe2薄膜的通用合成技术
2022-10-19 20:20:571531 
如果按薄膜电容的内部结构来划分，我们可以把薄膜电容分为卷绕式结构和叠片式结构，如果没有见过薄膜电容生产过程的人，估计很难想象它们内部到底有什么区别，今天就来用详细的图片介绍薄膜电容的内部结构。
2022-11-28 16:07:031290 源漏选择性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作为硬掩模遮蔽层，利用刻蚀气体抑制遮蔽层上的外延生长，仅在曝露出硅的源漏极区域实现外延生长。
2022-11-29 16:05:151708 如何开发出有效的边缘终端结构，缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。由于氧化镓P型掺杂目前尚未解决，PN结相关的边缘终端结构一直是难点。
2022-12-21 10:21:58557 氮化镓外延片指采用外延方法，使单晶衬底上生长一层或多层氮化镓薄膜而制成的产品。近年来，在国家政策支持下，我国氮化镓外延片行业规模不断扩大。
2023-02-06 17:14:353012 氮化镓 ( GaN) 作为第三代半导体材料的典型代表，具有高击穿电场强度和高热导率 等优异的物理特性，是制作高频微波器件和大功率电力电子器件的理想材料。GaN 外延材料的 质量决定了高电子迁移率
2023-02-20 11:47:22876 氧化镓能带结构的价带无法有效进行空穴传导，因此难以制造P型半导体。近期斯坦福、复旦等团队已在实验室实现了氧化镓P型器件，预计将逐步导入产业化应用。
2023-02-27 18:06:43944 到目前为止我们已知的GaN有三种晶体结构，它们分别为纤锌矿（Wurtzite）、闪锌矿（Zincblende）和岩盐矿（Rocksalt）。通常的情况下纤锌矿是最稳定的结构。目前学术上在薄膜的外延
2023-04-29 16:41:0012113 
外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中应用最多的是4H-SiC 型衬底。
2023-05-31 09:27:092828 
近年来，薄膜陶瓷基板在电子器件中的应用逐渐增多。在制备和应用过程中，介电常数是一个极其重要的参数，不同介电常数的薄膜陶瓷基板在性能方面存在较大差异。本文旨在研究介电常数对薄膜陶瓷基板性能的影响，为薄膜陶瓷基板的制备和应用提供理论依据和实验数据。
2023-06-21 15:13:35632 
金刚石异质外延已发展 30 年有余,而基于 Ir 衬底的大面积、高质量的异质外延单晶金刚石已取得较大进展。本文主要从关于异质外延单晶金刚石及其电子器件两个方面对异质外延单晶金刚石的发展进行了阐述。
2023-07-12 15:22:23845 
液相外延是碲镉汞（MCT）薄膜生长领域最成熟的一种方法，被众多红外探测器研究机构和生产商所采用。
2023-08-07 11:10:20734 
氧化镓（Ga2O3）半导体具有4.85 eV的超宽带隙、高的击穿场强、可低成本制作大尺寸衬底等突出优点。
2023-08-17 14:24:16412 
近年来，氧化镓（Ga2O3）半导体受到世界各国科研和产业界的普遍关注。氧化镓具有4.9 eV的超宽禁带，高于第三代半导体碳化硅（SiC）的3.2 eV和氮化镓（GaN）的3.39 eV。
2023-09-11 10:24:44266 
通过有效控制AlN薄膜与Si衬底之间的界面反应，利用脉冲激光沉积（PLD）在Si衬底上生长高质量的AlN外延薄膜。英思特对PLD生长的AlN/Si异质界面的表面形貌、晶体质量和界面性能进行了系统研究。
2023-11-23 15:14:40232 
碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的碳化硅同质外延材料是碳化硅器件研制的基础，外延材料的性能直接决定了碳化硅器件性能的实现。
2023-12-15 09:45:53607 
薄膜电容是一种常见的电子元件，其具有体积小、重量轻、容量大、可靠性高等优点，广泛应用于各种电子设备中。薄膜电容的工艺与结构对其性能和可靠性有着重要的影响。本文将对薄膜电容的工艺与结构进行详细的介绍
2024-01-10 15:41:54444 
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