本内容介绍了IGBT模块的检测方法，以两单元为例:用模拟万用表测量，判断IGBT的方法
2011-12-21 10:30:26
8505 当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv
2015-01-14 17:10:297144 
米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS电压又开始上升直至完全导通。为什么会有稳定值这段
2018-09-28 08:02:0019124 什么叫米勒电容？如何作用和影响于MOSFET？
2019-05-12 07:27:0022239 
作者：Stephen Woodward 虽然最初人们认为米勒效应只不过是会限制带宽和稳定性的不想要的寄生电容倍增器，但它现在已被有用的拓扑所采纳，如模拟示波器时基积分器。根据这样一个事实：如果放大器
2021-01-26 16:05:202750 
在说MOS管的米勒效应之前我们先看下示波器测量的这个波形。
2023-02-03 15:35:472321 
从多个维度分析了米勒效应，针对Cgd的影响也做了定量的推导，今天我们再和大家一起，结合米勒效应的仿真，探讨下如何减小米勒平台。
2023-02-14 09:25:467164 当出现短路时IGBT的Vce快速上升，过高的dVce/dt会通过米勒电容给IGBT门极充电，若不进行保护会使得门极电压过高而损坏IGBT，门极钳位电路主要是在门极电压过高时起动保护电路动作，提供电流泻放通道抑制门极电压升高。
2023-02-23 14:45:093776 
闩锁(Lanch-up)效应，一般我们也可以称之为擎住效应，是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象，当然，闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。实际工作中我们可能很少听到一种失效率，闩锁失效，今天我们就来聊一聊什么是闩锁效应。
2023-04-06 17:32:551090 
对于MOSFET，米勒效应（Miller Effect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在反相放大作用下，使得等效输入电容值放大的效应。由于米勒效应，MOSFET栅极驱动过程中，会形成平台电压，引起开关时间变长，开关损耗增加，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。
2023-04-26 09:20:532057 
本文主要介绍了米勒效应的由来，并详细分析了MOSFET开关过程米勒效应的影响，帮助定性理解米勒平台的形成机制。最后给出了场效应管栅极电荷的作用。
2023-05-16 09:47:341316 
通过了解MOS管的的开关过程，以及MOS米勒电容的影响，来改进MOS管设计。
2023-07-21 09:19:364571 
米勒平台的形成与其材料、制造工艺息息相关，当GE之间电压大于阈值点的时候，管子的CE电压开始下降，但是下降的速度十分缓慢
2023-11-03 14:55:573339 
IGBT，即绝缘栅双极晶体管，是一种高效能的半导体器件，它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）的特性。
2024-02-22 14:42:40397 
的结电容要比VCE=600V 时要大一些(如图2)。由于门极的测量电压太低(VGE=0V )而不是门极的门槛电压，在实际开关中存在的米勒效应（Miller 效应）在测量中也没有被包括在内，在实际使用中
2012-07-25 09:49:08
，暂时不用考虑，重点考虑动态特性（开关特性）。 动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取： IGBT的开通过程 IGBT 在开通过程中，分为几段时间 1.与MOSFET类似的开通过程，也是
2011-08-17 09:26:02
工作电压（Vds）为200V，最大漏极电流为30A，饱和内阻RDS=85mΩ，VGS电压驱动范围为±20V，VGS≥6V管子才饱和，工作温度范围-55℃~150℃。 IGBT和场效应管有什么区别
2021-03-15 15:33:54
90kW变频器，当电流达到110A以上时，IGBT在关断的时候，出现这个波形，请问是怎么回事？在110A以下就不出现。这是IGBT Vce的电压波形，当关断的时候还要再开通一下，这样不就很容易上下桥直通了吗？这是怎么回事呢？是米勒效应导致的吗？如何解决呢？
2017-07-24 10:06:32
些负面效应中，介绍意外直通电流。如图1所示，该穿通电流会通过将相反 IGBT栅极充电至超过阀值电压的点而导致寄生导通。当一颗IGBT导通时，会对另外一颗IGBT施加上升的dvce/dt电压 。上升电压为
2015-12-30 09:27:49
IGBT的使用方法IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗
2020-09-29 17:08:58
它搞清楚，更能理解IGBT开关过程中栅极驱动电压的变化过程 简化示意图才好理解： 先命名： 反馈电容又称米勒电容： 输入电容： 输出电容： 输入电容Cies和米勒电容
2021-02-23 16:33:11
本帖最后由 dzdaw2013b 于 2013-6-18 16:14 编辑
选择 IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块
2013-06-18 16:13:38
各位大师，我有一个igbt想要判断它的好坏。igbt内部的一些电容和二级管是不是可以被测试啊。还有哪些测试方法呢，谢谢
2015-01-12 17:32:13
场效应管和IGBT的驱动经常听到米勒效应这个词，查阅了一些资料是栅极和漏极之间的等效电容，这个等效电容在场效应管或者IGBT开通的时候在某一阶段会放大较多倍，进而导致驱动电路需要提供的电压电流增多
2024-01-11 16:47:48
反相放大电路中，输入输出之间的分布电容或者寄生电容由于放大器的方法作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+k倍，k是增益。那么米勒效应和上面说的IGBT的正方向电容怎么联系上？【2】位移电流是如何而来
2017-12-21 09:01:45
米勒平台形成的基本原理米勒平台形成的详细过程
2021-03-18 06:52:14
等效的多数载流子MOSFET关断时，在IGBT少数载流子BJT中仍存在存储时间延迟td(off)I。不过，降低Eoff驱动阻抗将会减少米勒电容 (Miller capacitance) CRES和关断
2018-08-27 20:50:45
上一节讲了MOS管的等效模型，引出了米勒振荡，可以这么讲，在电源设计中，米勒振荡是一个很核心的一环，尤其是超过100KHz以上的频率，而作者是做超高频感应加热电源的，工作频率在500K~1MHz范围
2018-11-20 16:00:00
，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时
2021-01-27 15:15:03
超出毫米波技术范围(30GHz)，但的确也涉及RF和低端微波技术。 RF工程设计方法必须能够处理在较高频段处通常会产生的较强电磁场效应。这些
2009-03-25 11:49:47
低压mos只有几毫欧姆）的一个转变过程。比如一个mos最大电流100a，电池电压96v，在开通过程中，有那么一瞬间（刚进入米勒平台时）mos发热功率是P=V*I(此时电流已达最大，负载尚未跑起来，所有
2019-07-26 07:00:00
是直流输出电压。在实际应用中，计算IGBT在类似PFC电路中的传导损耗将更加复杂，因为每个开关周期都在不同的IC上进行。IGBT的VCE(sat)不能由一个阻抗表示，比较简单直接的方法是将其表示为阻抗
2017-04-15 15:48:51
大功率IGBT 在使用中驱动器至关重要，本文给出了不同功率等级IGBT 驱动器的设计计算方法，经验公式及有关CONCEPT 驱动板的选型标准。
2021-07-26 14:41:12
感应逆变器直通一般而言，有两种方法可以解决逆变器IGBT的感应导通问题——使用双极性电源和/或额外的米勒箝位。在栅极驱动器隔离端接受双极性电源的能力为感应电压瞬变提供了额外的裕量。例如，–7.5 V
2019-07-24 04:00:00
三相逆变器中IGBT的驱动电路有哪几种？用于IGBT驱动的集成电路芯片有哪些？其使用方法和优缺点是什么?
2021-04-20 06:35:24
IGBT有三个电极，分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正
2016-12-15 14:21:12
过低，测试时IGBT无法开启，因此无法判断IGBT。该方法还可用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的质量。六、变频器IGBT模块的静态测量变频器中使用的IGBT模块是七单元集成模块
2023-02-02 17:02:08
电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的识别方法为选择、判断、使用扫清
2019-05-02 22:43:32
栅极驱动器中的快速执行跳变电路必 须及时关断IGBT，防止超出短路耐受时间。这种方法的最大好 处是它要求在每个逆变器臂上各配备两个测量器件，并配备一 切相关的信号调理和隔离电路。只需在正直流总线线路和负
2018-08-20 07:40:12
件，以便应付直通故障和电机绕组故障。控制器和/或栅极驱动器中的快速执行跳变电路必须及时关断IGBT，防止超出短路耐受时间。这种方法的最大好处是它要求在每个逆变器臂上各配备两个测量器件，并配备一切相关的信号
2018-10-10 18:21:54
实现隔离式栅极驱动(它是一款磁性隔离式栅极驱动器产品，集成去饱和检测、米勒箝位和其它IGBT保护功能)。在电机相位之间，或在电机相位和负直流总线之间手动开关短路，进行短路测试。 本例中未测试短路至
2018-11-01 11:26:03
技巧。对于电流测量而言，逆变器臂和相位输出都需要诸如分流电阻等测量器件，以便应付直通故障和电机绕组故障。控制器和/或栅极驱动器中的快速执行跳变电路必须及时关断IGBT，防止超出短路耐受时间。这种方法的最大
2018-07-30 14:06:29
Vds彻底降下来，开通结束。 由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降,这样就会使损耗的时间加长。(Vgs.上升，则导通电阻下降，从而Vds下降) 米勒效应在MOS管驱动中
2018-12-19 13:55:15
电机控制中的MOSFET和IGBT基础知识当前的发动机越来越倾向于电子控制，相对于通过直接连接到相应电源（无论是直流源还是交流源）的做法来说，这种方式可以提供更好的控制速度、位置以及扭矩，以及更高
2016-01-27 17:22:21
应用，处理此类应用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或简称SiC已被证明是一种材料，可以用来构建类似MOSFET的组件，使电路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多关注，不仅因为它
2023-02-24 15:03:59
简单分析不间断电源系统在IGBT中的应用理念 简单分析不间断电源的应用方法及其理念 摘要：在UPS中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有
2012-03-29 14:07:27
MOS管与IGBT是不是都有这个GS米勒效应？
2019-09-05 03:29:03
三极管会不会存在米勒效应
2019-09-10 04:37:38
远远超出毫米波技术范围(30GHz)，但的确也涉及RF和低端微波技术。RF工程设计方法必须能够处理在较高频段处通常会产生的较强电磁场效应。这些电磁场能在相邻信号线或PCB线上感生信号，导致令人讨厌的串扰
2015-05-20 09:41:22
功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保护，以避免如欠压，缺失饱和，米勒效应，过载，短路等条件所造成的损害。本在线
2018-11-05 15:38:56
请问各路大神，场效应管组成的放大电路，存在米勒效应，阶跃时间变得很长，是不是需要增大前级驱动电流，就能减小阶跃时间，或者还有其他方法吗，我看米勒效应都在开关状态下来讲解，但在放大状态依然有米勒平台，这是正常的吗？
2018-08-08 10:29:41
什么是igbt
IGBT就是大功率绝缘栅型场效应管 ，在大功率电源上或变频器上广泛使用.
2007-12-22 10:38:3210754 
IGBT管的好坏检测方法
IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。检测前先将IGBT管
2009-07-02 18:39:438814 
场效应管的型号命名方法
现行场效应管有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应
2009-11-26 08:40:227746 《IGBT场效应半导体功率器件导论》以新一代半导体功率器件IGBT为主线，系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识，内容包括器件的原理、模型、设计、制
2011-11-09 18:03:37
0 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保护，以避免如欠压，缺失饱和，米勒效应，过载，短路等条件所造成的损害。这里介绍了为何光耦栅极驱动器能
2012-11-26 14:43:407693 IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor） IGBT是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件， 兼有
2017-05-14 11:10:5334989 
米勒效应解决
2017-06-09 09:56:4048 IGBT等功率器件的技巧。 1、如何避免米勒效应？ IGBT操作时所面临的问题之一是米勒效应的寄生电容。这种效果是明显的在0到15V类型的门极驱动器（单电源驱动器）。门集-电极之间的耦合，在于IGBT关断期间，高dV/dt瞬态可诱导寄生IGBT道通（门集电压尖峰），这是潜在的危险。 当上半桥的I
2017-10-26 16:52:4614 针对IGBT串联应用中关断过程均压问题，对IGBT的关断过程进行了详细分析，总结出影响IGBT关断过程的核心等效电路和计算公式。在此基础上提出一种基于门极补偿阻容网络的IGBT串联均压方法，推导
2018-03-08 11:29:4021 本文首先介绍了振铃效应原理，其次介绍了振铃效应产生的原因及在实际电路中减小和抑制振铃方法，最后介绍了图像处理中振铃的现象。
2018-05-14 10:18:1517699 IGBT模块的原理及测量判断方法 GBT模块的原理及测量判断方法 本文以介绍由单只 IGBT 管子或双管做成的逆变模块及其有关测盈和判断好坏的方法。场效应管有开关速度快、电压控制的优点，但也
2018-05-18 13:12:0014868 
米勒效应在单电源门极驱动过程中非常显著。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这里存在着潜在的风险。
2019-02-04 11:17:0037672 
在描述米勒平台（miller plateau）之前，首先来看看“罪魁祸首”米勒效应（miller effect） 。
2019-02-02 17:08:0058509 
闩锁(Lanch-up)效应，一般我们也可以称之为擎住效应，是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象，当然，闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。
2019-05-28 14:57:1916626 
IGBT绝缘栅双极型晶体管模块是场效应晶体管（MOSFET）和电力晶体管（GTR）相结合的产物。
2019-10-07 15:24:0047919 
一些测试IGBT的简单方法
2020-06-19 10:19:4513497 使用IGBT时，面临的常见问题之一是由于米勒电容器而导致的寄生导通。在0至+15 V型栅极驱动器（单电源驱动器）中，这种影响是明显的。
2021-05-17 07:31:006521 
闩锁（Lanch-up）效应，一般我们也可以称之为擎住效应，是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象，当然，闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。实际工作中我们可能很少听到一种失效率，闩锁失效，今天我们就来聊一聊什么是闩锁效应~
2021-02-09 17:05:0015268 
当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这是一个潜在的风险（如图1）。
2021-03-15 15:01:2615562 
ADuM4135：提供米勒箝位的单电源 / 双电源 高电压隔离 IGBT 栅极驱动器
2021-03-21 13:47:029 关于IGBT散热设计方法免费下载。
2021-06-19 15:43:1989 本文介绍了米勒效应的由来，并详细分析了MOSFET开关过程米勒效应的影响，帮助定性理解米勒平台的形成机制。最后给出了场效应管栅极电荷的作用。
2022-03-10 14:44:186226 
米勒平台的形成原理
2022-03-17 15:52:387 米勒电容器寄生导通效应的抑制方法
2022-03-17 15:32:1210 米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS电压又开始上升直至完全导通。
2022-08-30 15:34:142286 MOS管的米勒效应会在高频开关电路中，延长开关频率、增加功耗、降低系统稳定性，可谓是臭名昭著，各大厂商都在不遗余力的减少米勒电容。
2022-10-31 02:03:321073 
有源米勒钳位技术
2022-11-15 20:06:076 在现在使用的MOS和IGBT等开关电源应用中，所需要面对一个常见的问题 — 米勒效应，本文将主要介绍MOS管在开通过程中米勒效应的成因、表现、危害及应对方法。
2023-02-10 14:05:506736 
IGBT米勒平台产生原因 我们在使用IGBT的时候，可以从手册中得到IGBT栅极的充电特性，但是栅极的充电特性在中间一部分会出现一个平台电压，影响着IGBT的动态性能，这是为什么呢？ IGBT
2023-02-22 14:27:3010 在上一篇文章中详细描述了带阻性负载时米勒平台是怎样的，对各阶段做了定量分析，相信看过的同学应该会有所收获。今天我们来聊一聊带感性负载时米勒平台是怎样的。
2023-03-26 13:40:481714 关于MOS管的米勒效应，已经输出了8篇，今天这一篇是MOS管章节的最后一篇，下一篇就开始整理运放相关的内容。我个人认为今天聊的这个话题至关重要：抑制米勒效应和抑制EMI之间如何平衡。
2023-04-17 10:28:194149 米勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数
2023-05-15 16:11:324100 
搞电力电子的同学想必经常被“米勒效应”这个词困扰。米勒效应增加开关延时不说，还可能引起寄生导通，增加器件损耗。那么米勒效应是如何产生的，我们又该如何应对呢？我们先来看IGBT开通时的典型波形：上图
2023-03-03 16:04:061634 
为什么说共源共栅结构会减小米勒电容效应呢？ 共源共栅结构是一种常见的放大器电路结构，在多种电路应用中都有广泛的应用。它由共源、共栅、共耦合电容和外部负载等元件组成。共源共栅结构由于具有许多优良的特性
2023-09-05 17:29:36769 如何减轻米勒电容所引起的寄生导通效应？ 米勒电容是指由电路中存在的电感所形成的电容。它可以导致电路中的寄生导通效应，从而影响电路的性能。常见的一种解决方法是使用补偿电容，但这么做也会带来其他
2023-09-05 17:29:39977 米勒电容对IGBT关断时间的影响 IGBT，即绝缘栅双极性晶体管，是一种高效、高稳定性的半导体器件。它是一种功率开关元件，能够控制大电流和高电压的开关。IGBT的关断时间是非常重要的一个参数
2023-09-05 17:29:421284 米勒电容效应怎么解决？ 米勒电容效应是指在一个带有放大器的电路中，负载电容会产生一种反馈效应，使得整个电路的增益降低或者不稳定。这种效应的产生会影响到很多电路的稳定性和性能，是电子设计中必须面对
2023-09-18 09:15:451230 igbt模块的作用和功能 igbt有电导调制效应吗？ IGBT模块是一种封装了多个IGBT晶体管、驱动电路和保护电路的半导体器件。它的作用是将低电压高电流的控制信号转换成高电压低电流的输出信号，而且
2023-10-19 17:01:221318 场效应管与igbt管区别 怎样区分场效应管与IGBT管 场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）和绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar
2023-11-22 16:51:143258 MOS管开通过程的米勒效应及应对措施
2023-11-27 17:52:431378 
在半导体开关中使用共源共栅拓扑消除米勒效应
2023-12-07 11:36:43237 
德赢Vwin官网
网站提供《ADuM4135：提供米勒箝位的单电源/双电源 高电压隔离IGBT栅极驱动器.pdf》资料免费下载
2023-11-29 09:37:154
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