、Eoff 和 Erec ) 进 行准确测量,建立了一种通用的功率器件导通损耗和开关损耗模型。在考虑 IGBT 芯片间热偶合影响基础上 提出了一种结温估算数学模型。搭建三相电感结温测试平台,通过结温试验验证
2023-03-06 15:02:51
1536 PWM控制型IGBT工作在斩波模式，使得IGBT本身自带干扰源属性，自扰与互扰系统中的其他设备。
2023-09-08 15:22:26526 
IGBT的结温不能超过125℃，不宜长期工作在较高温度下，因此要采取恰当的散热措施进行过热保护。 散热一般是采用散热器（包括普通散热器与热管散热器），并可进行强迫风冷。散热器的结构设计应满足：Tj
2011-08-17 09:46:21
一种载流子参与导电，则称为单极性晶体管，如MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）、SBD（肖特基二极管）等。若电子和空穴都参与了导电，则称为双极性晶体管，如BJT（双极结型晶体管）、IGBT等
2023-02-10 15:36:04
对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响，因此，它与结温的关系也非常密切；在结温和增益提高的情况下，P基区的电阻率会升高，破坏了整体特性。因此，器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩锁电流之间保持
2012-07-09 14:14:57
在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结，即NPNP结构，在原理上是MOS推动的P型BJT；多的这个P层因内有载流子，有电导调制作用，可以使IGBT在跟...
2021-09-09 08:05:31
）时设计注意事项：如原系统功率模块使用 IGBT，现考虑用 Mosfet 功率模块替换，原系统的驱动设计需注意的事项如下：1.适当减小栅极电阻，以减小开关损耗，以维持相近的温升，同时可进一步降低误导通的可能性
2022-09-16 10:21:27
MOSFET一旦turn-on，这个Vbe一定很容易就大于0.7V了，所以这个BJT的Vbe就导通了，此时BJT管就导通进入放大区了(发射结正偏，集电结反偏)。IGBT里面有一个天然寄生的NPNP晶闸管，这个
2023-02-08 16:50:03
集电极、发射极击穿或造成栅极、发射极击穿。IGBT保护方法当过流情况出现时，IGBT必须维持在短路安全工作区内。IGBT承受短路的时间与电源电压、栅极驱动电压以及结温有密切关系。为了防止由于短路故障
2020-09-29 17:08:58
平衡。如果较高电流通过一个并联支路或不均匀冷却导致运行结温偏高，其VCEsat 就会相应升高，并将电流转移至其它饱和电压较低的支路，以实现自我保护。因此，PTC特性有利于实现IGBT并联的均流。 图2
2018-12-03 13:50:08
IGBT作为电力电子领域的核心元件之一，其结温Tj高低，不仅影响IGBT选型与设计，还会影响IGBT可靠性和寿命。因此，如何计算IGBT的结温Tj，已成为大家普遍关注的焦点。由最基本的计算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，损耗Ploss和热阻Rth(j-a)是Tj计算的关键。
2019-08-13 08:04:18
至关重要。除了软度，IGBT的开关速度还取决于结温。提高结温意味着增大IGBT的软度。不过，必须给出器件在低温条件下（如25 °C）的适当特性。图4显示了在Tvjop=25 °C条件下1200V/150A
2018-12-07 10:23:42
通常流过IGBT的电流较大，开关频率较高，故器件的损耗较大。若热量不能及时散掉，器件的结温将会超过最大值125℃ ，IGBT就可能损坏。因此需采用有效的散热措施对其进行过热保护。 散热一般是采用
2012-06-01 11:04:33
)P系列IGBT的VCE(SAT)与温度成正比，易于并联。 (3)开关损耗的温度系数比PT-IGBT小，当结温升高时，其开关损耗比PT-IGBT增加的少，因此P系列模块更适合高频应用。 (4
2012-06-19 11:17:58
及使用原则 一、散热器选择的基本原则 1， 散热器选择的基本依据 IGBT散热器选择要综合根据器件的耗散功率、器件结壳热阻、接触热阻以及冷却介质温度来考虑。 2， 器件与散热器紧固力的要求 要使
2012-06-20 14:33:52
是IGBT模块控制的平均电流与电源电压的 乘积。由于IGBT模块散热器是大功率半导体器件，损耗功率使其发热较多，加之IGBT模块散热器的结温不能超过125℃，不宜长期工作在较高温度下，因此要采取恰当
2012-06-19 11:26:00
在实际工作过程中通过测量模块的壳温及功率，得到实时工作过程中的结温变化，并将键合引线的损伤作为总体损伤的一部分及时反馈到系统中，从而增加IGBT模块的寿命预测精度。
2020-12-10 15:06:03
3.1 设备简述 IGBT高压反偏试验是在一定温度条件（125℃）下，按照规定的时间和电压，对IGBT施加反偏电压，从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。EN-320测试系统是专为
2018-08-29 21:20:11
IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关
2021-09-09 07:16:43
;——IGBT 集电极与发射极之间的电压;——流过IGBT 集电极－发射极的电流;——IGBT 的结温。如果IGBT 栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT 不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极
2018-10-18 10:53:03
开启IGBT时IGBT的电压与电流有何关系？关断IGBT时IGBT的电压与电流有何关系？
2021-10-14 09:09:20
这里以单个IGBT管为例（内含阻尼二极管），IGBT管的好坏可用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，使IGBT的CE脚在关闭状态下，避免
2012-04-18 16:15:53
`我需要通过LC电路产生一个1200A，2.5KHz的脉冲电流，所加电压500V，电路图如下。需要用到IGBT来进行开关控制，初步选定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驱动电路
2017-10-10 17:16:20
谁能仔细阐述一下igbt是什么吗？
2019-08-22 15:20:53
需谨慎在比较额定值为600V的器件时，IGBT的传导损耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。这种比较应该是在集电极和漏极电流密度可明显感测，并在指明最差情况下的工作结温下进行的。例如
2019-03-06 06:30:00
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-20 10:07 编辑
一、概述 IGBT热循环负载实验台是对平板型IGBT进行热循环负载试验的一套系统，是用耐久性实验确认IGBT内部的键合或是内部
2018-06-19 20:20:56
一种过温保护电路的设计摘要：本文提出一种过温保护电路。由于在功率管工作过程中，比较容易耐高的反向电压，导致结温上升：而半导体器件的自然散热一般不足以保护器件本身，所以我们需要设计过温保护电路来防止
2009-12-02 17:05:49
双极结型晶体管（BJT）是放大或切换电子信号和电力的常用设备。 当BJT在集电极和发射极之间传导电流时，BJT将消耗功率。那么，应该如何估算BJT额定功率(Power Rating)？功率额定值
2018-08-26 23:03:52
我想咨询一下，HMC608LC4芯片,该芯片的额定结温Tj（junction temperature）是多少？即该芯片所能承受的最大结温是多少？ 其数据手册没有给出。请问如下图的Channel Temperature是否就是该芯片的结温？
2023-11-20 07:48:54
：IKW30N60H3；IKW15N120H3Infineon 其它相关产品请 点击此处 前往了解特性：一流的开关性能：可实现低于500μJ的总开关损耗最高结温：175°C包装类型：PG-TO247-3
2019-06-10 09:23:54
普通的高亮度 (HB) LED 仅将约 45% 的应用能量转换给可见光子，其余的则产生热量。 如果产生的这些热量不能从 LED 充分散去，将会导致过热，并可能造成灾难性故障。 即使不出现灾难性故障，LED 结温升高也会造成光输出下降、颜色发生变化和/或预期寿命显著缩短。
2019-08-12 07:57:16
结温相对时间的变化，在计算机界面上用连续曲线绘制，同时绘制粘接在玻壳上一热电偶的参考点温度和环境温度曲线。从上图中我们看到灯泡点亮后(第一时段)灯泡内LED结温逐步升高，到达平稳时温度读数为122
2018-03-19 09:14:39
。2传导损耗需谨慎在比较额定值为600V的器件时，IGBT的传导损耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。这种比较应该是在集电极和漏极电流密度可明显感测，并在指明最差情况下的工作结温下进行
2018-08-27 20:50:45
的600 V MOSFET少。这种比较应该是在集电极和漏极电流密度可明显感测，并在指明最差情况下的工作结温下进行的。例如，FGP20N6S2 SMPS2 IGBT 和 FCP11N60 SuperFET均
2021-06-16 09:21:55
损耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。这种比较应该是在集电极和漏极电流密度可明显感测，并在指明最差情况下的工作结温下进行的。例如，FGP20N6S2 SMPS2 IGBT
2018-09-28 14:14:34
传感器应运而生。所谓集成温敏传感器就是将PN结温敏传感器与运放连同外围元件集成在一块芯片上，然后封装而成。 图2为使用集成温敏传感器LM334将温度转换成频率的转换电路(便于计算机识别处理)。LM334
2021-05-21 07:30:05
，如图3所示。由于RC-IGBT电流的增加，M至N点之间的电势进一步降低，致使该处的 P-emitter/N-buffer 结逐渐正偏，这样就有更多的空穴注入N-drift区，电导调制效应增强，从而
2019-09-26 13:57:29
ad8346汽车级最高工作环境温度是125度，最高结温是多少摄氏度？
2023-12-05 07:44:20
周围环境的电阻共同形成一个梯形网络。这种模型假设1）电路板为垂直安装，2）无强制对流或辐射制冷，所有热流均出现在电路板的铜中，3）在电路板两侧几乎没有温差。图 2 热流电气等效简化了温升估算图 3 所示为
2017-05-18 16:56:10
。这种比较应该是在集电极和漏极电流密度可明显感测，并在指明最差情况下的工作结温下进行的。例如，FGP20N6S2 SMPS2 IGBT 和 FCP11N60 SuperFET均具有1℃/W的RθJC值
2017-04-15 15:48:51
的区别请参考：PT，NPT，FS型IGBT的区别）。技能：低导通压降，125℃工作结温（600V器件为150℃），开关性能优化得益于场截止以及沟槽型元胞，IGBT3的通态压降更低，典型的Vce(sat
2021-05-26 10:19:23
的结温可靠性，硅管一般是150℃，只要结温不超过该值，三极管一般来说是正常使用的，而器件资料里面的PD其实也是根据结温计算出来的PD＝(TJ－TA)/RJATJ即结温，TA即环境温度，RJA即结到环境
2013-05-27 23:00:26
Fullpack和TO247）和芯片面积。最终给出了一组完整的公式，来计算结温。利用本文的结果，设计工程师将能够准确而轻松地计算器件的真实结温。导言对于电子器件原型的评估通常包括对功率晶体管和二极管最大结温
2018-12-05 09:45:16
温度是汽车发光二极管(LED)前照灯和尾灯应用中的一大问题。LED可承受高环境温度，同时在大电流下驱动以产生必要的亮度。这些高环境温度与大工作电流相结合，会使LED的结温升高，通常仅额定温度就高达
2019-03-01 09:52:39
了IGBT的VCESat，其原因在于Trench栅下方可以形成一个载流子积累层，提高了近表面的载流子浓度，同时也消除了平面栅固有的结型场效应晶体管（Junction Field Effect
2015-12-24 18:23:36
请问怎么确定可控硅的结温？？？超过结温时会有哪些危害？
2014-05-24 11:35:10
电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效、尺寸和稳健性的要求越来越高。 为满足市场需求，意法半导体针对不同的工况提供多种功率开关技术，例如， IGBT和最新的超结功率MOSFET。 本文在实际
2018-11-20 10:52:44
的功率耗散也不同，各自要求单独计算。此外，每个裸片互相提供热能，故必须顾及到这种交互影响。 本文将阐释怎样测量两个元件的功率耗散，使用IGBT及二极管的θ值计算平均结温及峰值结温。 图1： 贴装在
2018-09-30 16:05:03
模块输出电流能力会约束整个逆变器的功率密度，最大结温是IGBT开关运行的限制因素，本文介绍了PrimePACKTM封装将IGBT工作结温提高到150℃，并给出了在苛刻条件下逆变器性能和电流利用率的情况
2018-12-03 13:56:42
测量和校核开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器的功率器件结温，如 MOSFET 或 IGBT 的结温，是一个不可或缺的过程，功率器件的结温与其安全性、可靠性直接相关。测量功率器件的结温常用二种方法：
2021-03-11 07:53:26
我如何计算VIPER37HD / LD的结温 以及频率（60k，115k hz）如何影响结温？
2019-08-05 10:50:11
的结温不能超过125℃，不宜长期工作在较高温度下，因此要采 取恰当的散热措施进行过热保护。散热一般是采用散热器（包括普通散热器与热管散热器），并可进行强迫风冷。散热器的结构设计应满足：Tj=P
2011-10-28 15:21:54
通过电流和电压探头以及标准的示波器进行数据记录和获得。在逆变器运行过程中，芯片的结温很少通过实验方法确定。热处理通常是供应商提供典型值或最差值（如IGBT模块和冷却板的热阻）与仿真产生的损耗情况结合在一
2018-12-07 10:19:13
大家好， 我对M95256-WMN3TP /ABE²PROM的最高结温感兴趣。 3级器件的最高环境工作温度为125°C，因此结温必须更高。数据手册中没有提到最大结温。 我还在寻找SO-8封装中M95256-W的结至环境热阻。 最好的祝福， 托马斯
2019-08-13 11:08:08
摘要相对于第二代NPT芯片技术，最新的3.3kV IGBT3系列包含两款优化开关特性的L3和E3芯片，其在开关软度和关断损耗之间实现折衷，以适应不同的应用。最大工作结温可升高至150℃，以便提升输出
2018-12-06 10:05:40
各位大神，请问整流二极管的结温对性能影响大吗？另外规格书的结温范围一般都是-55~150℃，但是实际测的实在170℃，这样正常吗？在同一条件下。
2016-05-26 09:06:39
随着功率电子和半导体技术的快速进步，各类电力电子应用都开始要求用专门、专业的半导体开关器件，以实现成本和性能的共赢。与传统的非穿通（NPT） IGBT相比，场截止（FS） IGBT进一步降低
2018-09-30 16:10:52
上表现为过温。3、IGBT过温，计算寿命，与焊点、材料的热膨胀系数等有关。4、求助上面几个失效模式的分析，也可以大家讨论一下，共同进步
2012-12-19 20:00:59
例如IGBT机械可靠性特性也需要额外的关注1） 功率循环通常逆变器设计，主要考虑IGBT Tjmax（最高结温）的限制，但在混合动力车应用中，逆变器较少处于恒定工况，加速、巡航、减速都会带来电流、电压的改变
2018-12-06 09:48:38
测量功率器件的结温常用二种方法
2021-03-17 07:00:20
我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。一种估算热插拔MOSFET 温升的简单方法进行研究根据系统组件的物理属性，计算得到热阻和热容。本文中，我们把图1 所示模型的瞬态响应
2013-09-12 15:51:10
真的需要一些帮助。这个功率估算有什么问题吗？如何在不降低工作频率的情况下降低功耗？我已经在船上测试了这个项目。它运作良好。但是，我担心它会因为我继续这样做而崩溃。非常感谢！
2020-06-19 09:23:48
IGBT是什么？IGBT是由哪些部分组成的？IGBT有哪些特征？IGBT的主要应用领域是什么？
2021-06-18 08:01:12
Fullpack和TO247）和芯片面积。最终给出了一组完整的公式，来计算结温。利用本文的结果，设计工程师将能够准确而轻松地计算器件的真实结温。关键词：塑封料温度测量结温计算方法[中图分类号] ？？[文献
2018-12-03 13:46:13
芯片在开关损耗和软特性上得到进一步优化。另外它的最高允许工作结温达到了150℃, 比前几代的IGBT提高了25℃，这使得模块的功率密度可以做得更高。众所周知，功率半导体的总损耗主要是由通态损耗
2018-12-03 13:47:57
。 此外，闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响，因此，它与结温的关系也非常密切;在结温和增益提高的情况下，P基区的电阻率会升高，破坏了整体特性。因此，器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩
2012-03-23 11:13:52
。 背景通常，芯片的结温(Junction Temperature)（Tj）每上升10℃，器件的寿命就会大约减为一半，故障率也会大约增大２倍。Si 半导体在Tj 超过了175℃时就有可能损坏。由此，使用时
2019-09-20 09:05:08
上一个输错了型号，AD8436BRQZ 的datasheet里没有最大结温
2023-12-05 06:37:12
请问OP37S和AD574S这两个宇航级型号的结温（Junction Temperature）最大范围是多少？
2018-09-07 10:42:57
请问OP37S和AD574S这两个宇航级型号的结温（Junction Temperature）最大范围是多少？
2023-11-21 08:17:33
=111.83℃/W ；计算方式2： θJA=42℃/wTJ=Ta+θJA*PD=26℃+0.826w*42℃/w=60.7℃。两者相差太大，方式2中结温60.7℃小于方式1中表面温度73℃，这个就很难理解
2019-03-25 10:54:06
称为冷结。为了得出测量结的温度(TMJ)，用户必须知道热电偶所产生的差分电压。用户还必须知道基准结温(TRJ)所产生的误差电压。补偿基准结温误差电压一般称为冷结补偿。为使输出电压精确地代表热结电子装置
2018-10-15 14:39:30
从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率
2018-11-28 14:28:53
），到现在的超结IGBT（SJ-IGBT），新结构层出不穷，并且正在向功率器件集成化和智能功率模块方向发展。今天我们来聊一聊一种具有双向阻断能力的，逆阻型IGBT（RB-IGBT）。 ” 1、逆阻
2020-12-11 16:54:35
不同，两个裸片的功率耗散也不同，各自要求单独计算。此外，每个裸片互相提供热能，故必须顾及到这种交互影响。 本文将阐释怎样量测两个组件的功率耗散，使用IGBT及二极管的θ值计算平均结温及峰值结温。 功率计算
2018-10-08 14:45:41
转换为光，其余的则产生热量。由于 P-N 结较小，单位面积的生热率就大：一个 1 W、1 mm2 的 LED 可产生高达 100 W/cm2 的热量。 随着结温升高，LED 的正向电压和流明输出
2017-04-10 14:03:41
），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的功率范围。硅片结温可高达1
2023-01-10 11:29:08
），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的功率范围。硅片结温可高达1
2023-01-10 11:33:54
概述了自IGBT 发明以来其主要结构和相应性能的改进，包括芯片集电结附近（下层）结构的改进（透明集电区），耐压层附近（中层）结构的改进（NPT，FS/ SPT 等）和近表层（上层
2010-10-13 15:53:57
0 IGBT结温估算（算法+模型），多年实际应用，准确度良好 能够同时对IGBT内部6个三极管和6个二极管温度进行估计，并输出其中最热的管子对应温度。 可用于温度保护，降额，提高
2023-02-23 09:45:057 IGBT结温估算
2023-02-23 09:23:148 IGBT结温估算模型。
2023-02-24 10:48:425 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和绝缘
2023-05-20 15:19:12583 
IGBT模块损耗包含IGBT损耗和Diode损耗两部分
2023-05-26 11:21:231257 
前边介绍了IGBT/Diode损耗的计算，那么得到了损耗之后，如何转化为温升呢？
2023-05-26 11:24:31860 
车用IGBT器件技术概述
2023-08-08 10:00:312 什么叫SOC？为什么要进行SOC估算？SOC估算的难点 SOC全称为State of Charge，是指电池的充放电状态。SOC估算是指对电池容量的估算，可以通过对电池充放电过程中的电压和电流信号
2023-10-26 11:38:301503
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