驱动 SiC/GaN 功率开关需要设计一个完整的 IC 生态系统，这些 IC 经过精密调整，彼此配合。于是这里的设计重点不再只是以开关为中心……
2018-06-22 09:19:28
4847 
SiC适合高压领域，GaN更适用于低压及高频领域。
2019-05-04 23:15:4813824 SiC、GaN等下一代功率器件的企业有所增加，为数众多的展示吸引了各方关注。SiC和GaN也变得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:493475 东芝的人体传感器“SilmeeTM”系列可通过佩戴者的日常生活采集并分析各种各样的生活日志数据，在促进健康、提高安全性、预防疾病等方面拥有广阔的应用前景。
2015-10-10 10:12:141270 市场研究机构IHS最新统计报告指出，随着愈来愈多供应商推出产品，2015年碳化矽（SiC）功率半导体平均销售价格已明显下滑，有望刺激市场加速采 用；与此同时，氮化镓（GaN）功率半导体也已开始
2016-03-24 08:26:111306 作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。
2020-09-11 10:51:1010918 
（SiC）和氮化镓（GaN）占有约90％至98％的市场份额。供应商。WBG半导体虽然还不是成熟的技术，但由于其优于硅的性能优势（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷却），正在跨行业进军。 使用基于SiC或GaN的功率半导体来获
2021-04-06 17:50:533169 
电力电子将在未来几年发展，尤其是对于组件，因为 WBG 半导体技术正变得越来越流行。高工作温度、电压和开关频率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。从硅到 SiC 和 GaN 组件的过渡标志着功率器件发展和更好地利用电力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化镓 (GaN) HEMT 等宽带隙 (WBG) 功率器件的采用目前正在广泛的细分市场中全面推进。在许多情况下，WBG 功率器件正在取代它们的硅对应物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
超结（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商业化用于功率器件应用领域以来，在400–900V功率转换电压范围内取得了巨大成功。参考宽带隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件，我们将在本文中重点介绍其一些性能特性和应用空间。
2023-06-08 09:33:241389 
功率半导体”多被用于转换器及逆变器等电力转换器进行电力控制。目前，功率半导体材料正迎来材料更新换代，这些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓），二者的物理特性均优于现在使用的Si（硅），作为“节能王牌”受到了电力公司、汽车厂商和电子厂商等的极大期待。
2013-03-07 14:43:024596 。 近年来，全球电信运营商不断扩大通讯领域的基础设施建设，也为GaN和SiC功率半导体提供了广阔的应用场景，比
2021-05-21 14:57:182257 GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有显着差异。
2021-11-17 09:06:184236 
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网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361220 栅极电荷，它可以使用高开关频率，从而允许使用较小的电感器和电容器。 相较于SiC的发展，GaN功率元件是个后进者，它是一种拥有类似于SiC性能优势的宽能隙材料，但拥有更大的成本控制潜力，尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器
2019-07-31 06:16:52
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步，从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率，将有助于实现更紧
2018-10-30 11:48:08
(51, 51, 51) !important]隔离式栅极驱动器的要求已经开始变化，不同于以前的。对于SiC和GaN，宽栅极电压摆幅、快速上升/下降时间和超低传播延迟。ADuM4135隔离式栅极驱动器
2019-07-16 23:57:01
各位您好！谁拥有用51单片机制作电流和电压表的成功案例？
2012-11-02 08:47:07
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管，旨在满足P波段雷达系统的独特需求。它在整个420-450 MHz频率范围内运行。 在100毫秒以下，10％占空比脉冲条件
2021-04-01 10:35:32
，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率电子和模拟
2023-03-29 15:06:13
在消费类应用领域，由于快速充电器的快速增长，GaN 技术在 2020-2021 跨越了鸿沟，目前其他交直流应用场景中也采用了GaN• 带有嵌入式驱动程序 / 控制器（MasterGaN、VIPerGaN）的系统封装 (SiP) 由于集成简单，将有助于更广泛的使用
2023-09-07 07:20:19
Qorvo 的 T2G6001528-Q3 是 15 W (P3dB) 宽带无与伦比的分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 6 GHz 和 28V 电源轨范围内运行。该器件采用行业标准
2021-08-04 11:50:58
应用领域加速采用并推广拥有合适的封装方式、高性能以及高可靠性的GaN技术，从而为它提供更广阔的市场发展空间。
2018-09-11 14:04:25
针对电源应用领域加速采用并推广拥有合适的封装方式、高性能以及高可靠性的GaN技术，从而为它提供更广阔的市场发展空间。
2018-09-10 15:02:53
【MiCO普及贴】米客 : 我们的征途，是星辰大海！一.MiCO是什么? 对于我们的嵌入式开发者来说，大家对物联网开发的热情已经到了一定的渴望，我们在这里用最通俗的语言来讲述一下 MiCO 到底做了
2015-07-27 18:11:41
润和软件OpenHarmony业务速览：携手生态伙伴和行业客户，共赴OpenHarmony的星辰大海！
2022-04-24 09:42:53
方形，通过两个晶格常数（图中标记为a 和c）来表征。GaN 晶体结构在半导体领域，GaN 通常是高温下（约为1,100°C）在异质基板（射频应用中为碳化硅[SiC]，电源电子应用中为硅[Si]）上通过
2019-08-01 07:24:28
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换器等高开关频率应用大有裨益，可帮助减小磁性元件
2022-11-04 06:18:50
硅代工厂生产，拥有相应的规模经济优势。但GaN on SiC支持高得多的功率密度，支持更高的功率输出。这是因为SiC具有更优秀的导热率：大约比Si高三倍。GaN on SiC功率密度约为5W/mm，约
2018-12-05 15:18:26
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽禁带半导体电力电子技术的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带电力电子技术
2017-07-11 14:06:55
的改善也同样显著。图 1：100KHz 和 500KHz 时的半桥 LLC 谐振转换器本文讨论了商用GaN功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器中的优势。对晶体管
2023-02-27 09:37:29
时间会给我答案！ O(∩_∩)O~----------------------------- 人生看到的不应该只是眼前的卑微和苟且，还应有美丽的星辰和大海！
2015-04-03 21:01:14
两种原子存在，需要非常特殊的栅介质生长方法。其沟槽星结构的优势如下（图片来源网络）：平面vs沟槽SiC-MOSFET采用沟槽结构可最大限度地发挥SiC的特性。相比GAN, 它的应用温度可以更高。
2019-09-17 09:05:05
、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率器件在C波段以上受频率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
请问一下SiC和GaN具有的优势主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
本文介绍了适用于5G毫米波频段等应用的新兴SiC基GaN半导体技术。通过两个例子展示了采用这种GaN工艺设计的MMIC的性能：Ka频段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G应用的24至
2020-12-21 07:09:34
，从而达到让受众群自主自愿的去观赏广告而不是被强迫观赏的效果。另外，由于其拥有半透明的面板，斯博锐意自主研发生产透明显示屏产品还给显示产品带来了更广泛的应用，特别是一些橱窗展示、奢侈品专卖店、一些高端
2014-04-15 13:12:44
Stefano GallinaroADI公司各种应用的功率转换器正从纯硅IGBT转向SiC/GaN MOSFET。一些市场（比如电机驱动逆变器市场）采用新技术的速度较慢，而另一些市场（比如太阳能
2018-10-22 17:01:41
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说，相比LDMOS硅技术而言，GaN这一材料技术，大大提升了效率和功率密度。
2011-12-01 10:13:101513 “功率半导体”多被用于转换器及逆变器等电力转换器进行电力控制。目前，功率半导体材料正迎来材料更新换代，这些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓），二者的物理特性均优
2012-07-02 11:18:331387 据权威媒体分析，SiC和GaN器件将大举进入电力电子市场，预计到2020年，SiC和GaN功率器件将分别获得14%和8%市场份额。未来电力电子元器件市场发展将更多地集中到SiC和GaN的技术创新上。
2013-09-18 10:13:112464 这篇文章的目的是提供一个指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶体管的热性能的克里宽禁带半导体设备的用户。
2017-06-27 08:54:11
23 1.GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮镓（GaN） 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:529 5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。
2018-03-29 14:56:1235825 
基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率开关技术的出现促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技术的传统系统。
2018-10-04 09:03:004753 
与SiC/GaN开关的驱动相关的一个关键方面是它们需要其在高压和高频条件下工作。在这些条件下，根本不允许使用容性或感性寄生元件。设计必须精雕细琢，在设计电路板路由、定义布局时务必特别小心。
2018-10-11 10:26:173807 基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率开关技术的出现促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技术的传统系统。
2019-01-05 09:01:093767 
新一代逆變器採用GaN和SiC等先進開關技術。寬帶隙功率開關，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過提高開關頻率來實現。
2019-07-25 06:05:001892 新一代逆变器采用GaN和SiC等先进开关技术。宽带隙功率开关，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更轻的重量，通过提高开关频率来实现。
2019-06-21 06:16:002723 预计2030年（与2018年相比）SiC成长10倍，GaN翻至60倍，Si增长45.1％。
2019-06-28 16:03:582825 碳化硅（SiC）是最成熟的WBG宽带隙半导体材料， 它已经广泛用于制造开关器件，例如MOSFET和晶闸管。氮化镓（GaN）具有作为功率器件半导体的潜力，并且在射频应用中是对硅的重大改进。
2020-04-30 14:35:3111724 作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以，出现了以Si基器件为主导，SiC和GaN为"游击"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 
，最优质的单晶GaN是通过几种需要昂贵的一次性碳化硅（SiC）衬底的外延工艺生长而成的，这限制了其在包括消费电子产品在内的更广泛市场中的商业化。IBM TJ Watson研究中心科学家最近的一项发现可能会在称为直接范德华外延的单晶GaN薄膜生长过程中改变所有这些
2021-04-04 06:17:001404 
11月15日消息 根据 Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半导体报告》，在混合动力及电动汽车、电源和光伏逆变器需求的拉动下，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体的新兴市场
2020-11-16 10:19:322223 在大象转身成功后，广汽埃安又构筑起了星辰大海。 这届广州车展，又多了一个我们陌生而又熟悉的新能源品牌广汽埃安。 11月20日，在第十八届广州车展上，广汽集团总经理冯兴亚宣布广汽埃安品牌将正式独立运营
2020-11-24 10:03:021406 地球上最富裕的两个人，都在把更多精力聚焦在星辰大海。 马斯克是这样。现在，57岁的贝佐斯也是这样。 为了“挤”出更多时间，杰夫·贝佐斯，亚马逊创始人、CEO，公开宣布： 不再继续担任亚马逊CEO
2021-02-19 10:07:061352 第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料拥有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高热导率、导通阻抗小、体积小等优势
2021-05-03 16:18:0010175 
操作系统产业峰会2021上，以逐梦数字时代星辰大海为主题进行展开讨论。
2021-11-09 11:03:151584 
openEuler Summit开发者峰会：开放原子开源基金会理事长杨涛发言称，openEuler逐梦数字时代星辰大海，服务数字化全场景。
2021-11-10 09:33:341899 
欧拉（openEuler）Summit2021上，第一个主题演讲是凝聚创新力量，逐梦数字时代的星辰大海。
2021-11-10 09:42:251063 
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。这些器件与长使用寿命的硅功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) MOSFET和超级结MOSFET竞争。
2022-04-01 11:05:193412 半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。
2022-04-16 17:13:015712 宽带隙半导体具有许多特性，这些特性使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀，即ZnO、GaN和SiC。虽然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的许多酸性溶液
2022-07-06 16:00:211644 
半导体应用中替代现有硅材料技术的巨大潜力。新世纪之初，氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 已经足够成熟，并获得足够的牵引力，将其他潜在的替代品抛在身后，并得到全球工业制造商的充分关注。
2022-07-27 15:52:59735 我们深入探讨了 WBG 技术的前景和缺陷，考察了这些硅替代品的优缺点，以及汽车和 5G 等要求苛刻的应用是否足以将 GaN 和 SiC 技术推向未来芯片设计的前沿。
2022-07-27 15:44:03490 AspenCore 的 2021 年 PowerUP 博览会 用一整天的时间介绍宽带隙 (WBG) 半导体，特别是氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。WBG 小组讨论的重点是“下一波 GaN
2022-07-29 18:06:26391 
在基本半导体特性（带隙、临界电场和电子迁移率）的材料比较中，GaN 被证明是一种优异的材料。“Si 的带隙略高于一个电子伏特，临界电子场为 0.23 MV/cm，而 GaN 的电子迁移率和带隙更宽
2022-08-03 08:04:292748 
由氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。基于 GaN 和 SiC 的器件可以提供最新一代电源应用所需的高性能。然而，它们极高的功率密度应该得到适当的管理，这使得创新的热管理技术成为一个需要考虑的关键方面。
2022-08-03 08:04:57996 
该 氮化镓产业 的目的是证明氮化镓的解决方案至少有相同的预期寿命为硅MOSFET，理想，美好的生活。该行业和 JEDEC JC-70 委员会正在努力为 GaN 和 SiC 器件定义一系列测试、条件
2022-08-05 08:05:03898 
GaN和 SiC令人印象深刻的品质使它们深受业内人士的喜爱。然而，它带来了满足生产和供应需求的挑战，因此专业人士、投资者和工业家正在合作以确保足够的可用性。这是因为随着氮化镓 (GaN) 和碳化硅
2022-08-08 15:19:37658 
C型USB 1.2版——USB具有更广阔的市场
2022-11-02 08:16:180 DL-ISO 高压光隔离探头具有 1 GHz 带宽、2500 V 差分输入范围和 60 kV 共模电压范围，提供非常高的测量精度和丰富的连接方式，是GaN 和 SiC 器件测试的理想探头。
2022-11-03 17:47:061121 云计算、虚拟宇宙的大型数据中心以及新型智能手机等各种小型电子设备将继续投资。SiC 和 GaN 都可以提供更小的尺寸和更低的热/功耗，但它们成为标准技术还需要一些时间。
2023-01-11 14:23:18348 随着硅接近其物理极限，电子制造商正在转向非常规半导体材料，特别是宽带隙（WBG）半导体，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。由于宽带隙材料具有相对较宽的带隙（与常用的硅相比），宽带隙器件可以在高压、高温和高频下工作。宽带隙器件可以提高能效并延长电池寿命，这有助于推动宽带隙半导体的市场。
2023-02-05 14:25:15677 GaN与SiC 冰火两重天。GaN受消费类市场疲软的影响，市场增长微乎其微。SiC在光伏新能源、电动汽车以及储能、充电桩等行业取得了快速发展。
2023-02-24 14:25:42941 人类的生命是难过百年的一段横向延续，宇宙却无垠而浩瀚。智者曾言：“不要温顺地走进良夜。”人们站在科学巨人之肩，妄图超脱物种的限制，以航天之力将有限的生命轨迹与无限宇宙接轨，终点是驶向星辰大海。
2023-03-29 10:01:121289 GaN和SiC器件比它们正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有数以亿计的此类设备，其中许多每天运行数小时，因此节省的能源将是巨大的。
2023-03-29 14:21:05297 氧化镓有望成为超越SiC和GaN性能的材料，有望成为下一代功率半导体，日本和海外正在进行研究和开发。
2023-04-14 15:42:06363 由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，GaN 充电器的运行速度，比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率，GaN 材料的这一特性令其在充电器行业大放异彩。
2023-04-25 15:08:212338 
星辰大海地球的表面存在着海洋和陆地，其总面积约为3.6亿平方公里，地球表面约百分之七十一的面积被海洋所覆盖，海洋从古至今对于人类来说都是神秘之地。目前，沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学的研究人员开发
2022-02-09 11:23:49356 
SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG)，因为将这些材料的电子从价带炸毁到导带所需的能量：而在硅的情况下，该能量为1.1eV，SiC（碳化硅）为3.3eV，GaN（氮化镓）为3.4eV。这导致了更高的适用击穿电压，在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
SiC 和 GaN 被称为“宽带隙半导体”(WBG)。由于使用的生产工艺，WBG 设备显示出以下优点：
2023-10-09 14:24:361332 
SiC与GaN的兴起与未来
2023-01-13 09:06:226 设计人员正在寻求先进技术，从基于硅的解决方案转向使用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽带隙 (WBG) 材料的功率半导体技术，从而在创新方面迈出下一步。他们寻求用于电动汽车 (EV) 的功率密度更高、效率更高的电路。
2023-11-12 11:30:001163 
近日，国星光电作为A级单位参编发布的《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》和《2023氮化镓（GaN）产业调研白皮书》在行家说2023碳化硅&氮化镓产业高峰论坛上正式发布，并在行家极光奖颁奖典礼上成功斩获“年度优秀产品奖”。
2023-12-19 10:27:38378
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