旋转圆盘与旋转轮类似，不同之处在于旋转圆盘不是摆动整个圆盘，而是用扫描离子束的方式在整个晶圆表面获得均匀的离子注入。下图说明了旋转圆盘系统。
2023-06-06 10:43:44
1185 
阱区注入的工艺说明如下图所示，是高能量离子注入过程，因为它需要形成阱区建立MOS晶体管。NMOS晶体管形成于P型阱区内，而P型晶体管形成于N型阱区。
2023-06-09 11:31:083889 
统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。一般来说，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向性，且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。离子注入工艺复杂且设备昂贵，但它可独立控制掺杂元素的浓度和结深，虽然也会给衬底引入大量的点缺陷和扩展缺陷。
2023-12-22 09:41:21704 
离子注入是将离子源产生的离子经加速后高速射向材料表面，当离子进入表面，将与固体中的原子碰撞，将其挤进内部，并在其射程前后和侧面激发出一个尾迹。这些撞离原子再与其它原子碰撞，后者再继续下去，大约在10-11s内，材料中将建立一个有数百个间隙原子和空位的区域。
2019-10-30 09:10:53
离子注入工艺资料~还不错哦~
2012-08-01 10:58:59
常见的故障注入架构（这是基于我们的FIU故障注入单元的实例）。图2单故障总线架构 在图2中显示的架构使用的是我们的故障注入单元（40-195和40-196）。在这两个输入连接是成对的，然后组合的一对
2015-03-05 09:39:47
问题。为了克服这些挑战，半导体业界不断开发出一系列的先进工艺技术，例如多晶硅栅、源漏离子注入自对准、LDD离子注入、polycide、Salicide、SRD、应变硅和HKMG技术。另外，晶体管也从
2018-09-06 20:50:07
Mask ROM存储单元构成高度集成化的NAND构成。（1个晶体管单元）数据的写入方法在Wafer过程内写入信息"1"：将离子注入晶体管"0"：不注入离子数据
2019-07-22 04:20:16
业界不断开发出一系列的先进工艺技术，例如多晶硅栅、源漏离子注入自对准、LDD离子注入、polycide、Salicide、SRD、应变硅和HKMG技术。另外，晶体管也从MOSFET演变为FD-SOI
2018-11-06 13:41:30
今日分享晶圆制造过程中的工艺及运用到的半导体设备。晶圆制造过程中有几大重要的步骤：氧化、沉积、光刻、刻蚀、离子注入/扩散等。这几个主要步骤都需要若干种半导体设备，满足不同的需要。设备中应用较为广泛
2018-10-15 15:11:22
【作者】：李璠;曾晨晖;【来源】：《测控技术》2010年03期【摘要】：后驱动技术作为故障注入的有效方法,适用于数字电路在线故障注入,然而后驱动技术对器件产生的加速退化作用不容忽视。在分析后驱动技术
2010-04-22 11:29:19
图形处理在多媒体技术应用方面的经验和成果
2021-02-01 06:07:29
请问各位大侠 有用过离子传奇的吗，针对钠离子检测的，或者有这方面的资料，资源，网站介绍的！！！
2015-05-12 11:54:43
周期性阵列中。将单元放入一系列重复项中将有助于提高增益。
在第一步中，天线单元是自行评估的。现在使用无限天线阵列的周期元素重复该过程。
工程师会注意到增益、回波损耗、旁瓣和波束控制等特性
2023-05-05 09:58:32
介质层进行P型杂质离子注入和N型杂质离子注入，进而形成P-层及JFET层。然后将JEFT层的中间区域作为半导体器件结构的JFET区域，在JEFT区域两侧进行离子注入，形成半导体器件结构的体区域。接着再
2020-07-07 11:42:42
使用等离子清洗技术清洗晶圆去除晶圆表面的有机污染物等杂质，但是同时在等离子产生过程中电极会出现金属离子析出，如果金属离子附着在晶圆表面也会对晶圆造成损伤，如果在使用等离子清洗技术清洗晶圆如何规避电极产生的金属离子？
2021-06-08 16:45:05
如题，寻求一种Si衬底上N+离子注入的有效单项监控手段
2021-04-01 23:50:33
想学音影方面的技术，球推荐入门书籍和器材
2015-11-05 00:45:21
最新总线技术在仪器控制与连接方面的远景简介过去二十多年间﹐科学家与工程师已在自动化仪器系统中广泛使用IEEE 488 和通用接口总线GPIB。当大众化电脑技术进入测试与测量领域﹐并在连接仪器
2009-10-23 18:35:10
采用软件注入技术的优势和可行性，针对采用C8051F023的嵌入式系统，讨论了基于C8051F023的软件注入实现方案和相关的一些问题，并编写了V2程序以完善C8051F023集成开发环境在实现软件注入方面的功能。
2021-04-22 06:11:54
MOS的结构碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式，在1700℃温度中进行退火激活。一个关键的工艺是碳化硅MOS栅氧化物的形成。由于碳化硅材料中同时有Si和C
2019-09-17 09:05:05
了功率密度。图2 新型MOSFET的平直功率损耗曲线使它可以工作在更高的频率 理想的封装技术 半导体器件在改善功率密度方面受到许多限制。需要被控制器件内部的功率消耗以减小它对电路板面积和器件之间
2012-12-06 14:32:55
现代测控技术在电力电子方面的应用，需要一个实例，求指导
2015-10-22 16:34:34
蚀刻。在集成电路修改方面有着重要应用。3.3 离子束沉积薄膜 利用离子束的能量激发化学反应来沉积金属材料和非金属材料。通过气体注入系统将一些金属有机物气体喷涂在样品上需要沉积的区域，当离子束聚焦在该区
2020-02-05 15:13:29
请问各位大侠，离子注入时有遇到做V-CURVE时，出现倒着的抛物线吗？急，在线等，谢谢！
2018-08-05 19:29:33
【作者】：秦希峰;季燕菊;王凤翔;付刚;赵优美;梁毅;【来源】：《济南大学学报(自然科学版)》2010年02期【摘要】：鉴于利用离子注入技术掺杂制作光电集成器件时,离子注入半导体材料的射程分布、射程
2010-04-22 11:36:02
很快。锂离子电池首先应用于电子产品，主要包括手机、笔记本电脑、数码相机、移动DVD、摄像机、MP3等。 从2005年各类小型二次电池的市场情况可以看出，锂离子电池在电子产品方面的销售额和市场份额逐年
2013-06-11 11:33:01
前工序图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等技术薄膜制备技术：主要包括外延、氧化、化学气相淀积、物理气相淀积(如溅射、蒸发) 等掺杂技术：主要包括扩散和离子注入等技术 后工序划片封装测试老化筛选 :
2018-11-26 16:16:13
用氮离子注入的方法制备了4H-SiC欧姆接触层。注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件 TRIM模拟提取，Si面4H-SiC-Ni/Cr合金欧姆接触的特性由传输线方法结构进行了测量，得到氮离
2009-02-28 09:38:29
25 MAVR-000320-11410T低电压、低 Rs Si HyperabruptMA4ST300 系列是采用 SC79、SC70 3LD 和 SOD-323 表面贴装封装的离子注入、超突变结、硅
2023-02-09 15:12:03
M5525100－1/UM型大角度离子注入机:M5525100－1/UM 型大角度离子注入机可满足100 纳米，8 英寸集成电路制造工艺的要求，适合源漏区的大角度晕、袋、栅阈值调整、阱等注入，可获得良好
2009-12-19 12:57:0212 离子注入技术又是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性高新技术。
2011-05-22 12:13:574275 
本文详细介绍离子注入技术的特点及性能，以及离子注入技术的英文全称。
2011-05-22 12:13:294861 
简述了离子注入技术的发展趋势及典型应用，并简要分析了该领域的技术发展方向。
2011-05-22 12:10:3110636 
详细介绍离子注入技术的工作原理和离子注入系统原理图。
2011-05-22 12:24:1618742 
离子注入的特点,与通常的冶金方法不同,离子注入是用高能量的离子注入来获得表面合金层的,因而有其特点。
2011-05-22 12:27:084337 离子注入设备和方法:最简单的离子注入机（图2）应包括一个产生离子的离子源和放置待处理物件的靶室。
2011-05-22 12:29:557367 
在玻璃基体上,采用射频磁控溅射方法在不同的基体温度下制备了TiO2 薄膜,然后在薄膜中注入注量分别为5 1016 , 1 1017和5 1017 / cm2 的N离子以制备N掺杂的TiO2 薄膜。X射线衍射结果表明:制备
2011-05-22 12:32:4116 离子注入是现代集成电路制造中的一种非常重要的技术,其利用离子注入机实现半导体的掺杂,即将特定的杂质原子（Dopant）以离子加速的方式注入硅半导体晶体内改变其导电特性并最终
2011-05-22 12:34:0083 离子注八材料表面陡性技术， 是材料科学发展的一个重要方面。文中概述7等离子体源离子注八技术的特点 基皋原理 应用效果。取覆等离子体源离子注八技术的发展趋势。例如， 除7在
2011-05-22 12:35:2948 半导体工艺中应用的离子注入是将高能量的杂质离子导入到半导体晶体，以改变半导体，尤其是表面层的电学性质． 注入一般在50-500kev能量下进行 离子注入的优点 注入杂质不受材料溶
2011-05-22 12:37:320 给金属表面注入一定的高能离子，这些离子与金属中的元素以及真空气氛中的某些元素在金属表面形成一种表面台金．借以改善金属表面的性能。本文通过大量的实验和分析得知，在碳
2011-05-22 12:39:0661 离子注入是另一种对半导体进行掺杂的方法。将杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，注入到硅中（称为 靶 ）而实现掺杂。 离子束是一种带电原子或带
2011-05-22 12:40:530 系统介绍了金属表面改性用离子注入的机理和特点。剖析了温度、注入剂量、离子种类等影响因子对改性层效果的影响，综述了该技术在提高强度和硬度、改善磨损性能、降低摩擦系数
2011-05-22 12:42:2368 离子注入是另一种对半导体进行掺杂的方法。将杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，注入到硅中（称为 靶 ）而实现掺杂。 离子束的性质 离子束是一种
2011-05-22 12:43:520 高能束加工 常用的高能密度束流加工方法主要是: 激光加工、电子束加工、离子束加工等。 高能密度束流加工的共同特点： 加工速度快，热流输入少，对工件热影响小，工件变形小。
2011-05-22 12:53:210 表面热处理中的金属表面渗碳或渗氮, 主要是依靠元素的扩散。尽管在加大浓度差和提高处理温度方面采取了措施, 但仍需要几十个小时, 这与我们时代的高速度、快节奏太不协调了。离
2011-05-22 12:54:4155 离子注入的特点是加工温度低，易做浅结，大面积注入杂质仍能保证均匀，掺杂种类广泛，并且易于自动化。由于采用了离子注入技术，大大地推动了半导体器件和集成电路工业的发展
2011-05-22 12:56:47118 上帝在调情 发表于: 2010-5-28 10:45 来源: 德赢Vwin官网
网 1． 什么是离子注入? 离子注入（Ion Implant）是一种把高能量的掺杂元素的离子注入半导体晶片中，以得到所需要的掺杂浓度和结深的
2011-05-22 13:00:000 离子束注入技术概述 基本原理：离子束射到固体材料以后，受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并最终停留在固体材料中，这一现象就叫做离子注入。 用能量为100keV量级的离子
2011-05-22 13:00:550 离子注入生物诱变是不同于传统辐射生物学的人工诱变新方法。在离子注入生物诱变实验中, 真空室真空度及其稳定性影响着生物样品的存活状态; 注入剂量决定着生物样品的辐射损伤程
2011-05-22 13:02:410 F根据直升机传动系统干运转能力的要求,用销盘试验机测定了Mo离子注入量及润滑条件对齿轮钢I2Cr2Ni4a摩擦副摩擦因数和磨损量的影响I结果表明FMo离子注入对摩擦因数影响很小,但可大大
2011-05-22 13:06:0042 德赢Vwin官网
为大家整理的离子注入技术专题有离子注入技术基本知识、离子注入技术论文及离子注入技术培训学习资料。离子注入技术就是把掺杂剂的原子引入固体中的一种材料改性方
2011-05-22 16:40:46
设计了一个工作在S波段矢量阵列的天线单元，利用HFSS软件进行优化和仿真。实测结果表明，该天线在E面和H面的交叉极化电平分别小于-26 dB和-23 dB，两个端口之间的隔离度大于32 dB。该
2013-06-25 16:17:2215 本文详细介绍了离子注入高效SE电池。
2017-11-06 17:27:083 近日，中车时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备技术调试完成，标志着SiC芯片生产线全线设备、工艺调试圆满完成，具备SiC产品的生产条件，下个月产线将正式启动试流片。
2018-01-15 09:50:096732 近日有消息显示，万业企业（600641.SH）全资子公司凯世通的低能大束流集成电路离子注入机已搬进杭州湾洁净室，目前正在根据集成电路芯片客户工艺要求，进行离子注入晶圆验证。
2019-12-31 10:04:085297 近日，从电科装备旗下烁科中科信公司传来喜讯，公司研发的12英寸中束流离子注入机顺利发往某集成电路大产线，这台由客户直接采购的设备如期交付，标志着公司国产离子注入机市场化进程再上新台阶。
2020-06-23 10:20:284019 据业内人士透露，中国知名电子企业中国电子科技集团有限公司近日取得重大技术突破，其自主研发的高能离子注入机已成功实现百万电子伏特高能离子加速，其性能达国际主流先进水平。
2020-06-28 11:36:023688 离子注入机是高压小型加速器中的一种，是由离子源得到所需要的离子，经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流，用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入，还能用于太阳能电池等的制造。
2020-10-10 16:55:453314 
去它主页了解。 重点介绍激光领域用到的一款设备： 主要是注入H离子用的，可以达到400KeV的H+离子注入。 主页：http://www.nissin-ion.co.jp/en/sitemap.html 2016年，日本日新离子机株式会社与扬州经济技术开发区签订了合作协议。日新株式会社将在扬州
2020-11-20 10:03:276458 离子注入作为半导体常用的掺杂手段，具有热扩散掺杂技术无法比拟的优势。列表对比 掺杂原子被动打进到基板的晶体内部，但是它是被硬塞进去的，不是一个热平衡下的过程，杂质一般也不出在晶格点阵上，且离子轨迹
2020-11-20 10:10:305208 
目前，离子注入机行业主要由美国厂商垄断，应用材料（Applied Materials）、亚舍立（Axcelis）合计占据全球 85%-90%的市场，存在较高竞争壁垒，也是解决芯片国产化设备卡脖子的关键环节。
2020-12-04 10:21:293635 很多人都知道，离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备，而中国电子科技集团有限公司旗下装备子集团就是在离子注入机方面取得了重大突破，其成功实现了离子注入机全谱系产品国产化，包括中束流、大束流、特种应用及第三代半导体等离子注入机，工艺段覆盖至28nm，累计形成了413项核心发明专利。
2021-04-17 08:14:194126 为锂离子电池组注入安全性(高频开关电源技术及应用答案)-为锂离子电池组注入安全性
2021-09-23 17:55:018 是将3族或5族的离子加速到电场，使其具有足以穿透硅表面的大能量，注入到硅中的工艺，通过在硅中兴奋剂掺杂不纯离子，部分导电。 为了形成源/垂域，要经过高度量的离子注入工艺，从而加速了光刻胶上部的轻化，因而消除该光
2022-07-01 15:16:081442 
与通过传统热扩散工艺进行掺杂的方式相比，离子注入掺杂具有如下优点。
2022-10-31 09:06:015608 高单元密度 MOSFET
2022-11-15 19:19:520 针对p-on-n长波碲镉汞红外焦平面探测器展开研究，器件采用原位掺In的LPE 技术在CdZnTe衬底上生长N型碲镉汞薄膜，通过As离子注入及退火激活实现P掺杂，进而制备得到像元间距25μm，640×512阵列的p-on-n长波焦平面探测器
2022-12-05 15:00:11947 离子注入过程提供了比扩散过程更好的掺杂工艺控制（见下表）。例如，掺杂物浓度和结深在扩散过程中无法独立控制，因为浓度和结深都与扩散的温度和时间有关。离子注入可以独立控制掺杂浓度和结深，掺杂物浓度可以
2023-05-08 11:19:331545 
离子注入是一种向衬底中引入可控制数量的杂质，以改变其电学性能的方法。它是一个物理过程，不发生化学反应。
2023-05-12 16:00:084597 
高电流的硅或错离子注入将严重破坏单晶体的晶格结构，并在晶圆表面附近产生非晶态层。
2023-05-19 09:22:131960 
高温炉广泛用于进行注入后的热退火。高温炉的退火处理是一个批量过程，在850摄氏度至1000摄氏度情况下，通常约30min能处理100片晶圆。
2023-05-22 09:56:592495 
高压直流电源用于加速离子，大约为200kV的DC电源供应系统被装配在注入机内。为了通过离子源产生离子，需要用热灯丝或射频等离子体源。热灯丝需要大电流和几百伏的供电系统，然而一个射频离子源需要大约
2023-05-26 14:44:171358 
当质谱仪选择了所需的离子后，离子将进入后段加速区域，射束电流与最后的离子能量被控制在该区内，离子束电流利用可调整的叶片控制，而离子能量则由后段加速电极的电位控制。
2023-06-04 16:38:261185 
6.1.4半绝缘区域的离子注入6.1离子注入第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.3p型区的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
2022-01-06 09:23:25402 
6.1.3p型区的离子注入6.1离子注入第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.1选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
2022-01-06 09:21:13565 6.1.6离子注入及后续退火过程中的缺陷行成6.1离子注入第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.5高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长
2021-12-31 14:13:05466 6.1.5高温退火和表面粗糙化6.1离子注入第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.4半绝缘区域的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
2021-12-31 14:25:52549 6.2.1反应性离子刻蚀6.2刻蚀第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.6离子注入及后续退火过程中的缺陷行成∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
2021-12-31 10:57:22817 对于许多仍在使用旋转轮的离子注入设备，大颗粒粒子可能掉落在晶圆表面，这如同一个高速导弹与建筑物的墙壁碰撞。
2023-06-30 10:11:24605 离子注入机是芯片制造中的关键装备。在芯片制造过程中，需要掺入不同种类的元素按预定方式改变材料的电性能，这些元素以带电离子的形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中，离子注入机就是执行这一掺杂工艺的芯片制造设备。
2023-06-30 16:41:19412 来源：芯智讯，谢谢 编辑：感知芯视界 6月29日，据中国电子科技集团有限公司（以下简称“中国电科”）官方消息，该集团旗下中电科电子装备集团有限公司（以下简称“电科装备”）已实现国产离子注入机28纳米
2023-07-03 09:16:46651 离子注入机是芯片制造中的关键装备。在芯片制造过程中，需要掺入不同种类的元素按预定方式改变材料的电性能，这些元素以带电离子的形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中，离子注入机就是执行这一掺杂工艺的芯片制造设备。
2023-07-03 15:05:55593 
硅表面的薄片电阻。离子注入过程中，薄片电阻R由Rs=p/t定义。电阻系数主要由掺杂物浓度决定，厚度方主要由掺杂结深决定，结深由掺杂物离子的能量决定。薄片电阻的测量可以提供有关掺杂物浓度的信息，因为结深可以由已知的离子能量、离子种类和衬底材料估计。
2023-07-07 09:51:172240 
在常规离子注入中，三氟化硼常用于形成P型浅结的注入不是B,因为BF2+离子大且重。B10H14,B18H22和硼烷（C2B10&或CBH）是研究中的大分子。
2023-07-21 10:18:571399 
谱仪可通过测量离子注入工艺后晶硅太阳能电池的H含量，来判定其钝化效果是否符合电池生产标准，进而判断太阳能电池的效率与性能。本期「美能光伏」将给您介绍离子注入技术在晶
2023-08-29 08:35:56376 
半导体的这些参数的最佳值。在广泛使用的绝缘体上硅晶片的制造过程中，对硅的起泡和分裂过程进行了详细的研究。因此，还对硅和化合物半导体的起泡过程进行了比较。这项比较研究在技术上是相关的，因为离子注入诱导的层分裂与直接晶片键合相结合，
2023-09-04 17:09:31317 
本文从离子注入工艺的温度控制出发，研究了离子注入工艺中的束流、注入能量、接触面粗糙度等因素对温控的影响，并结合器件的I-V曲线，探究了碲镉汞红外探测器工艺中注入温度的影响。
2023-09-29 10:45:002367 
想要使半导体导电，必须向纯净半导体中引入杂质，而离子注入是一种常用的方法，下面来具体介绍离子注入的概念。
2023-12-11 18:20:46764 
离子注入是一种重要的半导体工艺，用于在材料中引入离子，改变其物理和化学性质。离子注入仿真是对离子的注入过程进行建模和模拟，以帮助优化工艺参数并预测材料性能的变化。以下将详细介绍离子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:19257 半导体改变电阻率的方式有三种，原位掺杂、扩散和离子注入，这三种方式分别过程如何，有何区别呢？
2024-01-05 18:21:111112 
隧道效应，又称沟道效应，对晶圆进行离子注入时，当注入离子的方向与晶圆的某个晶向平行时，其运动轨迹将不再是无规则的碰撞，而是将沿沟道（原子之间的缝隙）运动并且很少受到原子核的碰撞
2024-01-08 10:25:42420 
对器件设计工程师来讲，离子注入的浓度往往是需要关心的参数，什么样的浓度对应什么样的方阻，器件仿真参数输入的是浓度，通过DSIMS测出来的也是浓度和深度的关系。
2024-01-26 13:37:02581 
在MEMS电容式压力传感器、平面硅电容器和RF MEMS开关中，离子注入均有应用。
2024-02-23 10:47:13181 
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