场效应管基础知识
一、场效应管的分类
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应
2009-11-09 15:18:533751 总的来说,场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能
2012-02-02 11:55:2020788 场效应晶体管的源极、漏极和栅极分别相当于晶体管的发射极、集电极和基极。对应于晶体管放大电路,场效应晶体管放大电路也有三种组态:共源极放大电路、共漏极放大电路和共栅极放大电路,其特点分别和晶体管放大电路中的共射极、共集电极、共基极放大电路类似。
2022-11-30 09:30:002409 MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管(Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的简称,有时候我们也会简写成MOS。下面是一个典型的MOSFET结构。
2023-07-11 10:56:241291 MOS场效应晶体管(简称MOS管)是一种新型的半导体器件,图1是N沟导MOS管芯结构原理图,即在P型硅基片上有两个 N+扩散区,其中一个称源,用S表示,另一个称漏,用D表示,在D和S间的硅片上覆盖了较薄的8iO。绝缘层和金属层,并引出一电极,称栅,用G表示。应用中 D接正,8接地,G用正电源控制。
2023-09-19 11:06:05645 在半导体器件的讲解中,场效应晶体管应该说最值得拿来详细介绍一番的。
2023-09-28 09:31:04947 继电器通过通断线圈产生磁场来控制机械开关,实现对电路的控制。而场效应晶体管(MOS管)是一种基于半导体材料工作的场效应晶体管,通过栅极施加正负偏压来控制漏极与源极之间的通断状态。
2024-02-18 10:16:41558 MOS场效应晶体管
2012-08-20 08:51:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 编辑
MOS场效应晶体管的结构_工作原理
2012-08-20 08:22:32
MOS场效应晶体管的结构_工作原理
2012-08-20 07:46:37
的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分红耗尽型与加强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有加强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和加强型;P沟耗尽型和加强型四大类。见下图。
2018-10-29 22:20:31
`电子元器件行业有今天的成就,那绝离不开MOS管与场效应晶体管的鼎力相助,但是一些刚入电子行业的常常把MOS管与场效应晶体管混为一谈,到底MOS管和场效应晶体管两者背后到底有何联系?这对于初学者来说
2019-04-15 12:04:44
MOS_场效应晶体管
2012-08-20 08:21:29
`功率场效应晶体管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 编辑
场效应晶体管是一种改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件,属于电压控制性半导体器件,具有输入电阻高,噪声小,功耗低,没有
2012-08-03 21:44:34
场效应晶体管的K值得问题:在研究学习杨建国老师的负反馈和运算放大器基础这本书的时候,发现有一道题的一个参数不知道什么意思,请大咖们帮忙解惑...Page65 : K=0.0502A/V*V 这个参数是什么意思呢?多谢!~
2019-04-04 11:47:20
MOS管在绝缘栅型场效应管中,目前常用二氧化硅作金属铝(Al)栅极和半导体之间的绝缘层,称为金属一氧化物-半导体场效应晶体管,简称为MOSFET或者MOS管。电路符号G,D,S极怎么区分G极是比较好
2023-02-10 16:27:24
(1)场效应晶体管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似,图1-6-A所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚,图1-6-B所示是P沟道场效应晶体管
2019-03-28 11:37:20
我们常接触到晶体三级管,对它的使用也比较熟悉,相对来说对晶体场效应管就陌生一点,但是,由于场效应管有其独特的优点,例输入阻抗高,噪声低,热稳定性好等,在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管
2018-03-17 14:19:05
的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。二、场效应三极管的型号命名方法 现行有两种
2011-12-19 16:30:31
`一、场效应晶体管特点场效应晶体管是电压控制元件,因此和普通双极型晶体管相比,场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点,这就决定了场效应晶体管与其它电子元件有异
2019-03-25 16:16:06
的时候gate电压不足,引起导通不够彻底,从而增加功耗。3、场效应晶体管双电压应用:在一些控制电路中,逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压,而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方
2019-04-16 11:22:48
我们常接触到晶体三级管,对它的使用也比较熟悉,相对来说对晶体场效应管就陌生一点,但是,由于场效应管有其独特的优点,例输入阻抗高,噪声低,热稳定性好等,在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管
2019-06-18 04:21:57
运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。场效应晶体管有哪几种分类场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式:耗尽
2019-05-08 09:26:37
`场效应晶体管在运用时除了留意不要使主要参数超越允许值外,对于绝缘栅型场效应晶体管还应特别留意由于感应电压过高而形成的击穿因素。场效应晶体管在运用时应留意以下几点:1、场效应晶体管在运用时要留意
2019-03-22 11:43:43
MOS场效应晶体管。所选场效应晶体管的主要参数应符合应用电路的具体要求。小功率场效应晶体管应注意输入阻抗、低频跨导、夹断电压(或开启电压)、击穿电压待参数。大功率场效应晶体管应注意击穿电压、耗散功率
2021-05-13 07:10:20
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET
2021-05-24 06:27:18
如何搞定恒流电源电路设计.doc第15章_基本放大电路.ppt基于较大功率的直流电机H桥驱动电路方案.doc详细讲解MOSFET管驱动电路.doc场效应晶体管的几点使用知识.doc全系列场效应管
2019-08-11 22:46:35
载流子导电并在侧向电场控制下通断的晶体管称为场效应晶体管,场效应晶体管可以按结构分为结型场效应晶体管和MOS场效应晶体管;按MOS场效应晶体管中空穴、电子参与导电分别将两类MOS场效应晶体管称为PMOS
2012-07-11 11:42:48
场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。
2009-04-25 15:38:10
向各位大神求助,我想仿真“用石墨烯代替硅制作的场效应晶体管的特性测量”。电路和普通的测量场效应晶体管特性的电路基本一样,只是需要能够调整晶体管的迁移率等特性,想问下LABVIEW能实现这种仿真吗?我在库里没找到晶体管,能帮忙指出在哪可以找到吗?谢谢!实在是太菜鸟了,请见谅。能建立下图这种电路就行。
2014-04-11 12:06:22
,使Gate和Drain之间的场被建立,从而触发这种场效应晶体管(MOSFET)。 MOSFET的主要用途: MOSFET在工业中有广泛的应用,主要用在逻辑电路,放大电路,功率电路等方面。普遍
2023-03-08 14:13:33
在本文中,我们将探讨 MOSFET 和鳍式场效应晶体管的不同器件配置及其演变。我们还看到 3D 配置如何允许每个集成电路使用更多晶体管。 平面与三维 (3D) 平面MOSFET(图1)在Lg
2023-02-24 15:20:59
`在电子元件行业,晶体三极管与场效应晶体管都是备受推崇的两种电子元件,尤其在开关电源方面备受电子工程师的青睐,可是对于刚入门的采购,究竟该如何去选晶体三极管与场效应晶体管,晶体三极管简称三极管
2019-04-09 11:37:36
。这是一项极限参数,加在场效应晶体管上的工作电压必需小于BUDS。(6)耗散功率耗散功率PDSM也是—项极限参数,是指场效应晶体管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。运用时场效应晶体管实践功耗应小于
2019-04-04 10:59:27
和功率晶体管的强大竞争者,只允许从信号源取较少电流的情况下应优先选用场效晶体应管。三、三极管与场效应晶体管区别特征:1、三极管之所以又被称为双极型管子,是因为管子在工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与
2019-04-08 13:46:25
因而被减少,电子元件效率也降低。为计算开关过程中电子元件的总耗损,要计算开通过程中的耗损(Eon)和关闭过程中的耗损(Eoff)。场效应晶体管开关的总功率可用如下方程表达:Psw=(Eon+Eoff
2019-09-01 08:00:00
FinFET的问题更多的是制造而不是泄漏。它可能会对几个节点有所帮助,这可能意味着十多年的额外使用。尽管如此,制造过程中连续性的损失可能是重大且昂贵的。 鳍式场效应晶体管综述 CMOS技术的创新
2023-02-24 15:25:29
的使用中也是必不可少的。我们知道场效应晶体管的种类很多,根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管;绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管,或简称MOS场效应管. 1、如何防止绝缘栅型场效应管
2016-01-26 10:19:09
对芯片作底层支撑的场效应晶体管,一款能起良好稳压作用的芯片非常重要。因此在进行开关电源设计时,工程师会更多地考虑使用更优质的场效应晶体管来支持电源芯片,这需要考虑场效应晶体管的什么性能呢?应从
2019-04-01 11:54:28
1. 场效应晶体管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流;而场效应晶体管是电压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流
2019-03-29 12:02:16
如何挑选出好的场效应晶体管?晶体三极管选用技巧有哪些?
2021-06-18 06:50:42
的种类很多,根据结构不同分爲结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管;绝缘栅型场效应晶体管又称爲金属氧化物导体场效应晶体管,或简称MOS场效应晶体管.一、如何防止绝缘栅型场效应晶管击穿由于绝缘栅
2019-03-21 16:48:50
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
`晶体三极管简称三极管,和场效应晶体管一样,具有放大作用和开关特性的,是电子设备中的核心器件之一,应用十分广泛。三极管和场效应晶体管虽然特性,外形相同,但是工作原理却大不一样,普通三极管是电流控制器
2019-03-27 11:36:30
``随着便携式电子产品浪潮的飞速发展,我们的生活便于电子产品如影随形,你可能不知道,在生产电子产品的过程中,有一种电子元件,深受电子工程师的青睐,那就是场效应晶体管,我们常接触到晶体三级管,对它
2019-03-26 11:53:04
开关过程中器件的总损耗,要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。场效应晶体管开关的总功率可用如下方程表达:Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。`
2019-04-02 11:32:36
`在传统MOSFET中,载流子从源极越过pn结势垒热注入到沟道中。而隧穿场效应晶体管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是带间隧穿
2018-10-19 11:08:33
功率场效应晶体管MOSFET摘要:文中阐述了MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性,并对动态特性的改进进行了论述,简介了MOSFET的驱动电路及其发展动态。关键词:MOSFET 结
2008-08-12 08:42:03224 场效应晶体管的分类及使用
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
2010-01-13 16:01:59133 场效应晶体管放大电路的动态分析
共源组态基本放大电路的动态分析
共漏组态基本放大电路的动态分析
2010-09-25 16:21:2574 MOS场效应晶体管使用注意事项: MOS场效应晶体管在使用时应注意分类,不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿,使用时应注意以下
2009-03-11 22:22:50918
结型场效应晶体管采样与保持电路图
2009-04-09 09:28:07733
场效应晶体管电压表电路图
2009-04-15 09:24:03801 功率场效应晶体管(MOSFET)原理
功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件,不但有自关断能力,而且有驱动功率小
2009-04-25 16:05:109126 场效应晶体管
场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即
2009-05-24 23:11:156579
VMOS功率场效应晶体管光敏继电器电子图
2009-06-03 15:44:35549 场效应晶体管气敏差分电路图
2009-06-08 09:43:22743 场效应晶体管TVS保护电路图
2009-06-08 14:53:551064
新型高耐压功率场效应晶体管
摘要:分析了常规高压MOSFET的耐压与导通电阻间的矛盾,介绍了内建横向电场的高压MOSFE
2009-07-16 09:01:321457 MOS场效应晶体管高阻抗偏置方法
该N沟道MOS场效应
2009-09-05 15:17:18839 结型场效应晶体管(JFET)电压表
这个非常简单的
2009-09-24 14:45:47835 结型场效应晶体管是什么?
结型场效应晶体管 利用场效应原理工作的晶体管,简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小,
2010-03-04 15:58:133672 绝缘栅场效应晶体管长延时电路图
2010-03-30 14:45:531496 光电池-VMOS功率场效应晶体管光敏继电器电路图
2010-03-31 17:15:501312 场效应晶体管放大器
场效应晶体管放大器是电压控制器件,具有输入阻抗高、噪声低的优点,被广泛应
2010-04-16 10:08:574970 场效应晶体管开关电路
场效应晶体管(简称场效应管)有结型(J-FET)和绝缘栅型(MOS-FET)两类。
场效应管作为开关器件应用类似
2010-05-24 15:26:0611673 电子专业单片机相关知识学习教材资料——场效应晶体管介绍
2016-08-22 16:18:030 电子专业单片机相关知识学习教材资料——场效应晶体管的分类及使用
2016-08-22 16:18:030 VMOS功率场效应晶体管及其应用
2017-09-21 11:21:2429 本文从基本结构、工作原理、应用研究三个方面介绍了有机场效应晶体管。
2018-01-03 14:20:4424660 隧穿场效应晶体管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是带间隧穿(Band-to-band tunneling或者BTBT)。
2018-01-03 15:32:4527183 随着电子设备升级换代的速度,大家对于电子设备性能的标准也愈来愈高,在某些电子设备的电路设计与研发中,不仅是开关电源电路中,也有在携带式电子设备的电路中都是会运用到性能更好的电子元器件——场效应晶体管
2019-08-18 10:07:525087 功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体),FET(FieldEffectTransistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。
2019-10-11 10:26:319865 MOSFET的类型很多,按导电沟道可分为P沟道和N沟道;根据栅极电压与导电沟道出现的关系可分为耗尽型和增强型。功率场效应晶体管一般为N沟道增强型。
2019-10-11 10:33:297965 功率场效应晶体管(VF)又称VMOS场效应管。在实际应用中,它有着比晶体管和MOS场效应管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0926489 电路中C1和C2分别是输入端耦合电容和输出端耦合电容。电路中的正极性电源通过漏极负载电阻R2,把电压加在了场效应晶体管的漏极,而负极性电源通过栅极偏置电阻R1,把电压加在了场效应晶体管的栅极。
2019-10-13 15:33:005256 一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的缩写,称为场效应晶体管。它是晶体管的一种。通常所说的晶体管是指双极晶体管。 场效应晶体管的工作方式是沟道中的多数载流子在电场
2020-03-23 11:03:188779 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
2020-07-02 17:19:0520 场效应晶体管根据其结构的不同分类,体管(金属氧化物半导体型)两大类。可分为以下5种。可分为结型场效应晶体管与绝缘栅型场效应晶体管。
2020-09-18 14:08:447386 MOS场效应晶体管在使用时应注意分类,不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿,使用时应注意以下规则。
2020-10-02 18:06:007605 结型场效应晶体管原理与应用。
2021-03-19 16:11:1727 GaAsFET(砷化镓场效应晶体管)是高频、超高频、微波无线电频下功放电路的场效应晶体管。GaAsFET凭借其灵敏性而举世闻名,其形成的内部噪声极少。这主要是由于砷化镓拥有与众不同的载流子迁移率
2021-09-13 17:23:423271 场效应晶体管是一种利用控制输入电路的电场效应来控制输出电路电流的半导体器件,并以此命名。因为它只依靠半导体中的多数载流子来导电,所以又称为单极晶体管。场效应晶体管英文是Field Effect Transistor,缩写为FET。
2023-05-16 15:02:23698 场效应晶体管是依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻(简称场效应),使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。
2023-05-16 15:14:081512 场效应晶体管是电压控制元件,因此和普通双极型晶体管相比,场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点,这就决定了场效应晶体管与其它电子元件有异曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041373 场效应晶体管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,它是一种基于电场效应的三极管。与普通的三极管相比,场效应晶体管的控制电流非常小,因此具有高输入阻抗和低噪声等优点。
2023-05-17 15:15:374167 场效应晶体管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。它的主要特点是具有输入电阻高、噪声低、功耗低等优点。场效应晶体管的工作原理是基于电场效应,即在栅极和源极之间施加一个控制电压,使得沟道区域的载流子发生漂移,从而改变电流的导通状态。
2023-09-28 17:10:46800 AGM408M 40V12A mos场效应晶体管
2021-11-24 15:47:260 选择场效应晶体管的六大诀窍
2023-12-05 15:51:38168 【科普小贴士】什么是结型场效应晶体管(JFET)
2023-12-13 14:36:44354 场效应晶体管栅极电流是多大 场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)是一种基于电场控制的电子器件,常用于放大、开关和调制等电子电路中。在FET中,栅极电流是其关键特性
2023-12-08 10:27:08655 场效应晶体管是一种常用的半导体器件,用于控制电流的流动。
2024-02-22 18:16:54833
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