美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650V和耐压为1700V的SiC制JFET产品，均为常开型功率元件。耐压为650V的产品名称为“SJDA065R055”，导通电阻为55mΩ，漏电流在室温时（25℃）为30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管（GaN）市场。
2019-11-22 15:16:321787 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421943 
快恢复二极管HFD2020ED（可完全替换D94-02/FML4204S），电压400V，电流20A，快恢复时间短（25ns），开关速度快，高浪涌特性，低开关损耗和电磁干扰，可靠性高。可应用
2020-09-24 16:21:10
二极管或阻尼二极管使用。起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用。 二极管MUR3040WTG特性 超快恢复时间35~60ns 工作结温175℃ 标准TO-247封装 600V高电压
2020-09-24 16:19:53
STTH30R04快恢复二极管，电压400V，电流30A，TO-220封装，反向恢复时间快，降低开关和导通损耗，快速开关，低反向漏电流，结温高。主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等
2020-09-24 16:18:20
恢复二极管两种：采用先进的扩铂工艺生产的具有极低反向漏电、极短反向恢复时间和--的抗反向浪涌冲击能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料设计和生产的具有
2019-10-24 14:25:15
40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度
2018-10-23 16:21:49
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。 关断波形图（650V/10A产品） 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆变焊机因其体较小，操作方便，市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点，一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
~150摄氏度。6N65的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为6A，漏源电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。 6N65参数描述型号：6N65封装：TO-220特性
2021-10-23 15:17:05
。SiC-MOSFET体二极管的正向特性下图表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源极为基准向漏极施加负电压，体二极管为正向偏置状态。该图中Vgs＝0V的绿色曲线基本上表示出体
2018-11-27 16:40:24
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在拓展第二代SiC-SBD，并推动在包括车载
2018-12-04 10:09:17
10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已经实现量产，1700V产品正在开发中。SiC-SBD和Si-PN结二极管通过Si二极管来应对
2018-11-29 14:35:50
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高温时功率损耗低.高温工作性能（200C）.无恢复损耗的体二极管.驱动方便.低栅极充电（SCT*N65G2V）了解更多信息，请关注英特洲电子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
我的两个二极管的管子上丝印是V6 71，L4 69（插件），这是什么样的二极管呢？我该怎么确定的，告急。
2013-09-03 14:00:20
大电流二极管贴片的封装SMC或DO-214AB的,反向压降1000V以上,电流6A以上,正向压降小于0.5V.哪位大神知道请相告.
2015-06-18 17:41:40
快恢复二极管HFD3060H（可完全替换DSEC30-06A），电压600V，电流30A，快恢复时间短（20ns），开关速度快，降低器件的开关损耗和提高电力电子电路的工作频率，在高频电力调节系统
2020-09-24 16:10:01
快恢复二极管FMD4206S，电压600V，电流20A，快恢复时间50ns，TO-3PF封装。开关速度快，低损耗。低漏电流。适用于高频整流的低损耗电源用二极管。常应用于CCM方式PFC；白色家电
2020-09-24 16:11:08
快恢复二极管HFD8060P（可完全替换MUR8060PT/STTH100W06C），电压600V，电流80A，超快恢复时间，低漏电流，高浪涌特性，开关特性好，低功耗及射频干扰。可应用于低电压
2020-09-24 16:04:45
承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。整流二极管整流二极管是一种将交流电能转变为直流电
2023-02-17 14:08:01
升压等开关电源应用1）如下图是BOOST升压电路，FR154为400V/1.5A快恢复二极管，起到防止电流倒灌作用2）在RCD等钳位吸收回路应用，如下图D1/UF4007与R1、C2组成吸收回路二
2023-02-16 14:56:38
升压等开关电源应用1）如下图是BOOST升压电路，FR154为400V/1.5A快恢复二极管，起到防止电流倒灌作用2）在RCD等钳位吸收回路应用，如下图D1/UF4007与R1、C2组成吸收回路二
2023-02-20 15:22:29
、6.2V稳压二极管代换。3.开关二极管的代换开关二极管损坏后，应用同型号的开关二极管更换或用与其主要参数相同的其它型号的开关二极管来代换。高速开关二极管可以代换普通开关二极管，反向击穿电压高的开关二极管可以代换反向击穿电压低的开关二极管。快恢复二极管规格书下载：
2021-07-07 14:58:27
0.4V左右，而整流电流却可达到几千安。所以适合在低电压、大电流的条件下工作，电脑主机电源的输出整流二极管就采用了肖特基二极管。快恢复二极管规格书下载：
2022-03-31 10:04:12
正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小
2015-11-27 17:55:42
二极管的好坏。其实快恢复二极管的检测方法与塑封硅整流二极管是相同的，即先用Rx1k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为几千欧左右，反向电阻为无穷大；再用Rx1挡复测一次，一般正向电阻为几欧，反向电阻仍
2021-06-25 17:46:42
`编辑-Z不同类型的二极管有不同的特性参数。选用DH40-18A二极管必须了解以下几个主要参数： DH40-18A参数描述型号：DH40-18A封装：TO-247特性：大功率快恢复二极管电性参数
2021-07-24 13:48:34
：ITO-220AC特性：超快恢复二极管电性参数：8A，600V芯片材质：抗冲击硅芯片正向电流(Io)：8A芯片个数：1正向电压(VF)：1.5V芯片尺寸：86 MIL浪涌电流Ifsm：125A漏电流(Ir
2021-09-01 15:56:11
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二极管，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能，零开关损耗，提高效率，降低解决方案成本，功率密度增加，实现更高的开关频率，减少对散热器
2021-11-09 16:36:57
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二极管，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能，零开关损耗，极低反向电流 ，无反向恢复电流 ，低电容电荷， 提高效率，降低解决方案
2021-10-27 15:00:42
MOS数字电路设计,并采用E极驱动方式驱动双极型晶体芯片,以提高高压开关管的安全耐压值。内建自供电电路，不需要外部给芯片提供电源，有效的降低外部元件的数量及成本。 DK112 5V2A快充移动电源芯片
2016-03-11 16:17:53
二极管中观察到的电容恢复特性为独立于温度，正向电流水平以及关断dI/dt。在Si技术中，不切实际外延规范将肖特基二极管降级为< 600 V的应用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二极管是专门设计的，以尽量减少电容电荷，从而实现更快的开关瞬变。
2023-06-16 11:42:39
故障。在这方面， TVS二极管就非常适用。例如，在击穿电压为6.2 V时， ESD5Z5.0T1.G能在几纳秒时间内就对符合IEC61000-4-2标准的高达30 kV的输入电压进行钳位，且钳位电压可
2021-11-02 14:51:31
编辑-ZSFF2004在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款超快恢复二极管。SFF2004的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围
2021-09-02 16:15:09
编辑-ZSFF806A在ITO-220AC封装里采用的1个芯片，是一款超快恢复二极管。SFF806A的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度
2021-09-15 16:42:02
小轻薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二极管。特性：⚫极低反向电流⚫ 无反向恢复电流⚫ 温度无关开关⚫ VF上的正温度系数⚫ 卓越的浪涌电流能力⚫ 低电容电荷优势：⚫基本上
2021-11-06 09:26:20
`深圳市三佛科技有限公司 供应 ITA07N65650V 7A N沟道 MOS管 7N65，原装，库存现货热销ITA07N657A 650V TO-220FN沟道 MOS管 /场效应管
2021-03-24 10:35:56
；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型值为16nC）快速切换经过100％雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数：应用：高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
扩展了其650伏(V) SiC二极管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车（EV / HEV）充电器、电信电源和数据中心电源等
2018-10-29 08:51:19
高速信号应用，实现低电容性能。这些低电容ESD保护二极管的储存温度范围为-55°C至+150°C。ESD二极管的工作结温为150°C，峰值脉冲功率为100W，峰值脉冲电流为4A。典型应用包括智能手机
2020-05-21 11:01:21
嗨我正在努力设计电路，我试图使用Viper12电路运行3x 24V指标。我把电路设置如下：这个想法是前置电路在650V时引入齐纳二极管，将Viper电路的输入偏移400V，然而，当发生这种情况时，齐
2018-10-10 17:54:04
比如我想用光敏二极管接收650nm的光线，该采用什么类型的光敏二极管呢？最好有型号，封装信息的，这个光敏二极管越小越好！！！
2015-04-29 14:59:32
电子设备和工业设备。目前推出的650V耐压产品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜内置SiC二极管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
能动力碳化硅二极管ACD06PS065G已经在倍思120W氮化镓快充中商用，与纳微GaNFast高频优势组合，高频开关减小磁性元件体积，提高适配器功率密度。创能动力是香港华智科技有限公司孵化出来的公司
2023-02-22 15:27:51
。 BM1Pxxx支持隔离和非隔离器件，可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM1Pxxx内置高压启动电路，可承受650V电压，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
电场而具有高击穿电压。例如，商用硅肖特基二极管的电压小于300V，而第一个商用SiC肖特基二极管的击穿电压已达到600V。3）碳化硅具有较高的导热性。4）SiC器件可以在更高的温度下工作，而Si器件
2023-02-07 15:59:32
（16A400V）只能做一下几种封装：TO-220的铁封和塑封、TO-252。Type封装所属分类MUR1640FCTITO-220AB快恢复二极管MUR1640CTTO-220AB快恢复二极管
2016-12-14 11:45:54
参数描述型号：D92-02封装：TO-247/3P特性：超快恢复二极管电性参数：20A，200V芯片材质：抗冲击硅芯片正向电流(Io)：20A芯片个数：2正向电压(VF)：0.85V芯片尺寸：110
2021-09-09 16:34:24
BM2P033 PWM AC / DC变换器的典型应用电路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）为包含电源插座的所有产品提供了最佳系统。 BM2PXX3支持隔离和非隔离器件，可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM2PXX3内置高压启动电路，可承受650V电压，有助于实现低功耗
2020-06-05 09:15:07
本帖最后由 3T华钻电子 于 2020-9-22 17:05 编辑
新洁能原厂 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超结场效应管 ，原装正品，优势价格。深圳市华钻电子
2019-12-31 15:08:03
），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为
2019-06-12 02:34:10
用万用表二极管档量测，一个二极管，正向0.6V,反向1.9V,想问一下这是什么二极管？不用怀疑二极管二极管已经坏掉，因为装有该二极管的产品可以正常使用，拆掉或换其它的二极管，产品无法工作。
2016-04-28 10:47:54
650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
`海飞乐技术快恢复二极管现货替换DSEP8-12A海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频
2019-04-26 10:02:54
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
的工作点，缓冲功率是二极管电容和Trr的函数。对于本文详述的PSFB，对于500V/20A输出的工作点，分析模型可用于预测二极管电容和Trr的缓冲损耗。这样就可以比较三种二极管类型的行为，如图6所示。图6
2023-02-22 17:13:39
250V左右。对于能够耐受500～600V以上反向电压要求，人们开始使用碳化硅(SiC)制造器件，因为它能够耐受较高的电压。 除此以外的器件参数均相当于或优于硅肖特基二极管。详见表2。 由于SiC器件的成本较高(是同类硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，还没有用它来替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
。 正向导通压降VF：衡量二极管正向导通性能最重要的参数，对工程师而言，需要更关注VF与Tj的依赖性关系。这里以基本半导体650V 10A TO-220封装碳化硅肖特基二极管为例进行说明。 图（5
2023-02-28 16:55:45
基于基本半导体碳化硅肖特基二极管1D20065K（650V/20A），电流特性（5A、10A、15A）： 硅快速恢复二极管（环境温度25℃） 碳化硅肖特基二极管（环境温度25℃） 硅快恢复二极管在
2023-02-28 16:34:16
`肖特基二极管DFLS260-7, 最大连续正向电流2A, 峰值反向重复电压60V, 表面贴装安装, PowerDI 123封装, 2引脚产品技术参数安装类型表面贴装封装类型PowerDI 123
2020-11-02 10:14:46
仅0.4v（0.4--1.0V）左右，而整流电流却可达到几千安。而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。快恢复二极管是什么？快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下
2016-04-19 14:29:35
NPN:VCE 大于等于7.5VPMOS：VDS大于等于7.5V，ID大于等于4A二极管2：VDZ2 = 10V,500mW二极管1：VDZ1 = 3.6V,500mW
2017-06-09 18:02:35
我发现现在大家在选型这个二极管的时候，一般都是采用那种快恢复的二极管，有些场合明明不需要高速的快恢复二极管，但是大家也一样的采用了，看来是不是快恢复二极管已经可以通吃整个二极管应用了？
2019-05-16 00:12:23
650V IGBT4的损耗增大引起的RMS模块电流降低的幅度很小。在2kHz至10kHz的开关频率范围内（通用应用的典型范围），其降幅为4%至 9%。图4图4 在600A EconoDUALTM 3 模块中
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2技术为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55
SVF4N65F 场效应管特点■ 4A,650V,RDs(on)(典型值)=2.3Ω @Vcs=10V■ 低栅极电荷量■ 低反向传输电容■ 开关速度快■ 提升了dv/dt能力骊微电子供应
2022-03-30 15:29:34
SVF10N65F 650v 10a大功率mos管特征■ 10A,650V,RDs(on)(典型值)=0.8Ω @Vcs=10V■ 开关速度快■ 低栅极电荷量■ 低反向传输电容■ 提升
2022-03-30 15:52:04
*6 电压：650V 电流：6A 碳化硅二极管MSL06065G1，碳化硅二极管，耐压650V，150℃连续正向电流6A，工作
2023-07-05 15:50:06
电压：650V 电流：6A 碳化硅二极管MSL06065G1，碳化硅二极管，耐压650V，150℃连续正向电流6A，工作温度范围-
2023-07-05 15:54:11
深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1碳化硅二极管，耐压650V 6A DFN5*6封装，原装，库存现货热销 美浦森推出的碳化硅二极管具有更高的过电压安全裕量，可提升全负载条件下
2023-07-05 16:00:20
650V,8A,-263-2包件,第6代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能(PV
2023-07-26 11:18:14
650V,8A,到220-2包,第六代离散的斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能(PV
2023-07-26 14:51:51
650V,10A,QFN包件,第6代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能(PV
2023-07-26 14:59:31
650V,10A,到220-2包件,第6代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能
2023-07-26 15:41:25
650V,20A,到220-2包件,第6代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能
2023-07-26 16:16:20
Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列，以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371290 英飞凌目前正推出另一项重要的创新型高压CoolMOS MOSFET。这种全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具备650V漏源电压并集成快速体二极管的高压晶体管。
2011-02-16 09:11:171845 东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。
2014-06-09 10:33:26731 
•正温度系数，易于并联使用•不受温度影响的开关特性•最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
650V 4A 碳化硅肖特基功率二极管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:14
7 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 TO-220
2016-06-17 15:42:454 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二极管
产品特性
•
正温度系数，易于并联使用
•不受温度影响的开关特性
•
最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二极管
正温度系数，易于并联使用•
不受温度影响的开关特性•
最高工作温度175℃
•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-23 17:56:190 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司 宣布，已经为UJ3C（通用型）和UF3C（硬开关型）系列650V SiC FET新增加了7种新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合产品。
2019-05-08 09:04:021767 CoolSiC肖特基二极管650V G6系列是英飞凌不断提高技术和流程的结果，让碳化硅肖特基二极管的设计和开发更具价格优势，性能一代更比一代强。因此，G6是英飞凌最具有性价比的CooSiC肖特基二极管的一代，在同等价格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523697 
英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET，标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504268 前言背景： 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管
2021-03-26 16:40:202349 
650V 60mΩ SiC MOSFET主要应用市场包括光伏和储能、驱动、电动汽车及充电桩、UPS、电源等。据HIS报告，电动汽车充电市场的增长将非常强劲，高达59%。
2022-08-02 15:06:55615 
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29539 
Wolfspeed 新款车规级 E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列帮助设计人员满足 EV 车载充电机应用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技术
2022-11-07 09:59:21917 SiC碳化硅二极管起步电压为650V，电流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控。碳化硅二极管料号为：KN3D06065F（650V碳化硅二极管，电流6A，贴片
2023-02-21 10:12:241680 
Nexperia | 用于汽车和工业的650V超快恢复整流管
2023-05-24 12:16:57300 Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管 器件采用 MPS 结构设计 额定电流 4 A~ 40 A 正向压降、电容电荷和反向漏电流低 Vishay 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
功率晶体管与标准门极驱动器兼容，方便集成到现有系统中。 优秀的性能：具备出色的功率损耗特性，显著降低能量损失，提高系统效率。 无需自由轮二极管：由于650V GaN功率晶体管的特性，无需额外添加自由轮二极管，简化了系统设计。 低开关损耗：采用先进的GaN技术，650V GaN功率晶体管具有较低
2023-06-12 16:38:34695 3月8日，瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38287 
瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品，这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified），还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出，标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279
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