本推文主要介Ga2O3器件，氧化镓和氮化镓器件类似，都难以通过离子注入扩散形成像硅和碳化硅的一些阱结构，并且由于氧化镓能带结构的价带无法有效进行空穴传导，因此难以制作P型半导体。学习氧化镓仿真初期
2023-11-27 17:15:09
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水平。2022年12月，铭镓半导体完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。2022年5月，浙大杭州科创中心首次采用新技术
2023-03-15 11:09:59
生物功能材料并应用于人体是1969年，高纯氧化铝精细陶瓷用于医学工程的有单晶体和烧结的多晶体两种。现在，美国、西德、瑞士和荷兰都在广泛地使用多晶高纯纳米氧化铝制作人造牙和人造骨，医学用材料主要是高纯纳米
2016-10-21 13:51:08
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
充电器变得高效起来，发热更低，体积也缩小便于携带，推进了百瓦大功率充电器的普及，也改变了人们对大功率充电器的印象。但是氮化镓器件对栅极驱动电压要求非常敏感，并且对布线要求也很高，这也导致了应用门槛较高
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了GaN 适用于微波器件制造的原因，介绍了几种GaN 基微波器件最新研究动态，对GaN 调制掺杂场效应晶体管（MODFETs）的工作原理以及特性进行了具体分析，并同其他微波器件进行了比较，展示了其在微波高功率应用方面的巨大潜力。
2019-06-25 07:41:00
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术，瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动，这将对无线
2017-08-30 10:51:37
`作为一家具有60多年历史的公司，MACOM在射频微波领域经验丰富，该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管，后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件（例如砷化镓GaAs）。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
的各个电端子之间的距离缩短十倍。这样可以实现更低的电阻损耗，以及电子具备更短的转换时间。总的来说，氮化镓器件具备更快速的开关、更低的功率损耗及更低的成本优势。由于氮化镓技术在低功耗、小尺寸等方面具有独特
2017-07-18 16:38:20
苏试宜特实验室通过扫描电镜看试样氧化层的厚度，直接掰开看断面，这样准确吗？通过扫描电镜看试样氧化层的厚度，如果是玻璃或陶瓷这样直接掰开看断面是可以的；如果是金属材料可能在切割时，样品结构发生变化就不行了，所以要看是什么材料的氧化层。
2021-09-30 18:45:38
20 GHz。使用的tgf2040 Qorvo的证明标准的0.25微米功率PHEMT器件生产工艺设计。这个过程具有先进的技术，以优化微波功率和效率在高漏极偏压条件下。通常提供26 dBm的输出功率在
2018-07-18 12:00:19
的蚀刻速率作为温度的函数图。1.用三角形指定的数据来自于在砷化镓上生长的多晶AlN。这种材料的蚀速率比在氧化铝上生长的两个单晶样品快得多。2. 用正方形表示的数据来自一个1µm厚的层，双晶X射线衍射峰宽为
2021-10-14 11:48:31
的开路条件下被光蚀刻。 介绍近年来，氮化镓和相关氮化物半导体在蓝绿色发光二极管、激光二极管和高温大功率电子器件中的应用备受关注。蚀刻组成材料的有效工艺的可用性因此非常重要。由于第三族氮化物不寻常的化学
2021-10-13 14:43:35
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
功率模块（APM）、加热和冷却单元等。表1：突破性半导体材料的最佳应用氮化镓的魅力在于其固有的超越硅的几个属性。氮化镓提供更低的开关损耗；更快的速度，类似RF的开关速度；增加的功率密度；更好的热预算
2018-07-19 16:30:38
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花？看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样
2019-07-31 07:54:41
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓晶体管，可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，宽禁带，以下简称为：WBG）”以及基于新型材料的电力半导体，其研究开发技术备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
金属氧化物H+选择性电极作为玻璃电极的替代材料已引起了广泛的关注，文献报导的金属氧化物pH电化学传感器大部分是基于贵金属氧化物电极，制备成本较贵，但W及其氧化物价格相对比校低。
2019-09-16 10:05:21
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。氮化镓比传统硅材料更大的禁带宽度，使它具有非常细窄的耗尽区，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射频氮化镓技术是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的半导体材料。[color
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
明佳达电子优势供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268，只做原装，价格优势，实单欢迎洽谈。产品信息型号1：NV6127丝印：NV6127属性：氮化镓功率芯片封装：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
先进陶瓷材料又称精密陶瓷材料，是指采用精制的高纯、超细的无机化合物为原料及先进的制备工艺技术制造出的性能优异的产品。根据工程技术对产品使用性能的要求，制造的产品可以分别具有压电、铁电、导电、半导体
2021-03-29 11:42:24
材料特性对比展开，通过泰克仪器测试英飞凌GaN器件来进行氮化镓特性的测量与分析。方案配置：示波器MSO5+光隔离探头TIVH08+电压及电流探头+电源和IGBT town 软件第二步：电路设计和PCB
2020-11-18 06:30:50
合理开关损耗的同时，提升功率密度和瞬态性能。传统上，GaN器件被封装为分立式器件，并由单独的驱动器驱动，这是因为GaN器件和驱动器基于不同的处理技术…
2022-11-16 06:23:29
使用更小、成本更低且更可靠的陶瓷电容器，可增加功率密度。
氮化镓器件使得电机驱动器在减小尺寸和重量的同时，可以实现更平稳的运行。这些优势对于仓储和物流机器人、伺服驱动器、电动自行车和电动滑板车、协作
2023-06-25 13:58:54
的射频技术，碳化硅（SiC）可用于功率或射频领域。可以肯定的是，氮化镓不会统治整个射频应用，设备厂商会像以前一样，根据应用选择不同的器件和工艺制程技术，包括三五价化合物与硅材料。“（射频领域）还是有砷
2016-08-30 16:39:28
大幅降低电流在保护板上的损耗，随着手机充电功率达到200W，电池端的电流达到20A。传统硅MOS温升明显，甚至需要辅助导热措施来为其散热。使用氮化镓代替硅MOS之后，可以无需导热材料，降低快充过程中
2023-02-21 16:13:41
和功率因数校正 （PFC） 配置。 简单的电路提供了将硅控制器用于GaN器件的过渡能力。对于单个氮化镓器件，隔离式负 V一般事务（关闭）EZDrive®电路是一种低成本、简单的方法，可以使用12V驱动器
2023-02-21 16:30:09
和安全性试验，各项性能均满足电动汽车的技术要求，加上氧化镍锰钴锂三元材料的价格仅为氧化钴锂的50％左右，所以掺杂氧化镍锰钴锂三元材料是解决电动汽车对动力型锂离子电池严格需求的理想途径之一。
2011-03-04 14:30:54
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术，可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么，为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解？事实又是怎样的呢？
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。
又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
时间。
更加环保：由于裸片尺寸小、制造工艺步骤少和功能集成，氮化镓功率芯片制造时的二氧化碳排放量，比硅器件的充电器解决方案低10倍。在较高的装配水平上，基于氮化镓的充电器，从制造和运输环节产生的碳足迹，只有硅器件充电器的一半。
2023-06-15 15:32:41
从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
的数十亿次的查询，便可以获得数十亿千瓦时的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空间，所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓（GaN）等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年
2019-03-14 06:45:11
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域，随着技术的进步以及人们的需求，氮化镓产品已经走进了我们生活中，尤其在充电器中的应用逐步布局开来，以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
的挑战丝毫没有减弱。氮化镓（GaN）等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80％的能源，而2005年这一比例仅为30％1。这相当于30亿千瓦时以上
2020-11-03 08:59:19
的选择。 生活更环保 为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会，使其在高电压应用中的贡献远远超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-08-06 07:20:51
度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，被誉为第三代半导体材料。氮化镓在光电器件、功率器件、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力，甚至为该行业带来跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
却在这两个指标上彰显出了卓越的性能，同时，它还具备某些附加的技术优势。氮化镓的原始功率密度比当前砷化镓和 LDMOS 技术的高很多，且支持将器件技术扩展到高频应用。氮化镓技术允许器件设计师在保持高频率
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
推出了连续波1000 W以上光功率的蓝色激光系统。日本岛津也报道了应用于水下通信的光WiFi系统。 三、前景与挑战 随着衬底、外延和器件的制备和封装技术的进步，特别是采用导电透明氧化物为激光器光腔
2020-11-27 16:32:53
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
的尺寸和更轻的重量。 传统硅晶体管有两种类型的损耗：传导损耗和开关损耗。 功率晶体管是开关电源中功率损耗的主要原因。 为了遏制这些损失，GaN 晶体管（取代旧的硅技术）的开发已引起电力电子行业的关注
2023-08-21 17:06:18
不易损伤，不燃性结构涂装3、选用高品质瓷棒制作小型品以替代大尺寸高功率的一般型电阻氧化膜电阻的缺点 氧化膜电阻在直流下容易发生电解使氧化物还原，性能不太稳定。耐压较低。用真空镀膜或者阴极溅射工艺，将
2013-07-15 16:49:07
烙铁头氧化了怎么解决呢？首先深圳市龙鼎盛科技给大家介绍下烙铁头的材质。电烙铁头的材质一般采用紫铜材料制造的。为保护在高温条件下焊接的而不被氧化生锈，常会将烙铁头经电镀处理，有的烙铁头还采用不易氧化
2016-01-09 16:42:43
不易损伤，不燃性结构涂装3、选用高品质瓷棒制作小型品以替代大尺寸高功率的一般型电阻氧化膜电阻的缺点 氧化膜电阻在直流下容易发生电解使氧化物还原，性能不太稳定。耐压较低。用真空镀膜或者阴极溅射工艺，将
2013-07-15 16:47:00
及技术砷化镓锗蓝宝石单晶合成设备及技术微控高位扩散/退火/氧化系统设备。进口全新 翻新设备光刻机AP/PECVD扩散炉溅射台蒸发机注入机刻蚀机 ICP深槽刻蚀机清洗辅助设备等.电话：***
2016-05-05 09:51:18
SiC器件的50%至70%。可用性 –砷化镓作为一种材料已经在射频应用中广泛使用，是世界上第二大最常用的半导体材料。由于其广泛使用，它可以从多个来源获得，其制造工艺类似于硅。这些因素都支持该技术的低成本
2023-02-22 17:13:39
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市场需求。。。以下内容均摘自网络媒体，如果不妥，请联系站内信进行删除
2019-04-13 22:28:48
的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类
2016-11-27 22:34:51
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗？然后提取参数想基于candence model editor进行氮化镓器件的建模，有可能实现吗？求教ICCAP软件呢？
2019-11-29 16:04:02
我对工艺不是很懂，在氧化层上直接淀积的话是不是非晶硅？如果要单晶硅的话应该怎么做？（有个思路也可以）
2011-06-23 11:06:36
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
，因此我们能够借用各种各样的既有商业光刻和加工技术。借助这些方法，精确定义几十纳米的晶体管尺寸和产生各种各样的器件拓扑结构变得相对简单。其他宽带隙的半导体材料不具备这种难以置信的有用特性，甚至氮化镓也不
2023-02-27 15:46:36
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
由于在太阳能电池、透明电极、倦化荆，特别是气敏传感器领域的重要应用，金属氧化物材料日益受到重视．现已有不步文献资料介绍金属氧化物的单晶、陶瓷烧结体和膜材的
2009-03-31 23:32:59
18 电池材料之——氧化钴
2009-10-21 15:08:08793 西安电子科技大学微电子学院周弘副教授总结了目前氧化镓半导体功率器件的发展状况。着重介绍了目前大尺寸衬底制备、高质量外延层生长、高性能二极管以及场效应晶体管的研制进展。同时对氧化镓低热导率特性的规避提供了可选择的方案，对氧化镓未来发展前景进行了展望。
2019-01-10 15:27:1015118 
二氧化钒（VO₂）材料是一种具有绝缘态到金属态可逆相变特性的材料，在光器件及信息技术中有非常广泛的应用。
2023-02-23 10:01:311147 6.3.3热氧化氧化硅的结构和物理特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.2氧化硅的介电性能∈《碳化硅技术基本原理
2022-01-04 14:10:56564 
第三代半导体功率器件的理想材料，可以在溶剂中生长。
2022-01-13 17:39:231522 
超宽禁带氧化镓(Ga2O3)半导体具有临界击穿场强高和可实现大尺寸单晶衬底等优势， 在功率电子和微波射 频器件方面具有重要的研究价值和广阔的应用前景。
2023-07-27 10:24:02879 
三菱电机公司近日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司，氧化镓晶圆是一个很有前途的候选者。三菱电机打算加快开发优质节能功率半导体，以支持全球脱碳。
2023-08-08 15:54:30301 
微弧氧化技术工艺流程
主要包含三部分：铝基材料的前处理，微弧氧化，后处理三部分
其工艺流程如下：铝基工件→化学除油→清洗→微弧氧化→清洗→后处理→成品检验。
2023-09-01 10:50:341242 
红外探测器是红外热成像技术的核心元器件，它能够感知红外辐射并且将红外辐射转化成电信号输出，目前世界上主流的红外探测器的敏感材料主要是氧化钒和非晶硅两种，本文详细介绍红外热成像氧化钒敏感材料。氧化
2023-11-03 16:54:37280 
2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法成功制备出直径6英寸的β型氧化镓（β-Ga2O3）单晶。通过增加单晶衬底的直径和质量，可以降低β-Ga2O3功率器件的成本。
2023-12-29 09:51:35343 
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