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氮化镓技术发展现状分析
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- GaN器件(7800)
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氮化镓: 历史与未来
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又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高
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氮化镓发展评估
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氮化镓技术推动电源管理不断革新
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为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会
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氮化镓GaN技术促进电源管理的发展
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度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，被誉为第三代半导体材料。氮化镓在光电器件、功率器件、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力，甚至为该行业带来跨越式
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IFWS 2018：氮化镓功率电子器件技术分会在深圳召开
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MACOM和意法半导体将硅上氮化镓推入主流射频市场和应用
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术，瞄准主流消费
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什么是氮化镓（GaN）？
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