相信很多工程师在使用电子测量仪器的时候大家都了解MOS管，下面一起看看MOS管究竟是什么？ 1. MOS的三个极怎么判定？ MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方 ： G极，不用说比较好
2018-08-28 09:31:02
30658 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的正电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。
2023-02-23 17:00:0424277 
SOT-89 N沟道MOS管/场效应管HN03N10D参数：100V MOS管100V 3A SOT-89 N沟道 MOS管/场效应管HN0801产品应用于：小家电，雾化器，加湿器，电源，LED。品牌
2021-05-08 15:10:13
`惠海半导体【中低压MOS管厂家】，供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 厂家直销，质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购，超低内阻，结电容超小，采用沟槽工艺，性能优越,惠海半导体专业20-150V
2020-11-14 13:54:14
`深圳市三佛科技有限公司 供应 16P03 30V P沟道MOS管 -30V -16A DFN3*3-8场效应管 ，原装，库存现货热销16P03参数： -30V -16A DFN3*3-8 P沟道
2021-03-18 14:21:33
`深圳市三佛科技有限公司 供应 30A 30A P沟道 MOS管 30P03，原装，库存现货热销30P03 参数： -30V -30A DFN3*3-8 P沟道 MOS管/场效应管品牌：HN
2021-03-30 14:33:48
惠海半导体 供应30V 30ATO-252MOS管HC020N03L，原装，库存现货热销HC020N03L参数：30V 30A TO-252 N沟道 MOS管/场效应管品牌：惠海
2020-11-11 17:32:09
P沟道MOS管和N沟道MOS管的互补性体现在哪里？？？？？？？？求大神帮助！！！！！！！
2013-09-24 16:50:43
N沟道 P沟道 MOS管什么电平导通啊跟增强型的 一样吗 初学者！感谢大家！
2013-03-25 10:16:45
和增强型，结型场效应管都是耗尽型，绝缘栅型场效应管有耗尽型和增强型。一般来说，场效应晶体管可分为结型场效应晶体管和MOS场效应晶体管，MOS场效应晶体管又分为四类：N沟道耗尽型和增强型；P沟道耗尽型
2021-12-28 17:08:46
N沟道，是单独引线的那边2. N沟道与P沟道判别箭头指向G极的是N沟道 箭头背向G极的是P沟道3. 寄生二极管方向判定不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致
2023-02-10 16:17:02
击穿 （2）漏源极间的穿通击穿 ·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场
2012-08-15 21:08:49
MOS管也就是常说的场效应管（FET），有结型场效应管、绝缘栅型场效应管（又分为增强型和耗尽型场效应管）。也可以只分成两类P沟道和N沟道。场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断，这里我们讲解
2021-10-28 07:46:04
本帖最后由 wuyuanyao 于 2019-9-11 11:18 编辑
1、MOS的三个极怎么判定：MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方。G极：不用说比较好认。S极：不论是P沟道还是N
2019-09-11 10:27:48
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:56 编辑
MOS管，三极管属于两种不同类型管子， 它们的区别在于，MOS管是单极性管子而三极管属于双极性管子，这个单极性和双极性
2012-07-09 17:03:56
1.物理特性 MOS管分为N沟道和P沟道的形式，N沟道和P沟道都有增强型和耗尽型两种。耗尽型与增强型的主要区别在于耗尽型MOS管在G端（Gate）不加电压时有导电沟道存在，而增强型MOS管只有
2021-01-15 15:39:46
，漏极和源极间的阻抗只有83毫欧，可以认为压降已经很小了。P沟道MOS管开关电路PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G
2019-01-28 15:44:35
1.开启电压VT 开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2
2018-11-20 14:10:23
间的穿通击穿 有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生
2018-11-20 14:06:31
MOSFET，又称为MOS场效应晶体管。 MOSFET是一种能将很小的电荷控制的装置，它的功效是控制电子以及电荷在半导体器件中的流动，它是当今电子信息技术中最重要的构成之一，过去几十年中经常被用来构成模拟
2023-03-08 14:17:15
强，吸引的电子就越多，导电沟道中的电子浓度也就越大，在相同的漏极电压下，产生的电流也越大。因此MOS管是压控器件，通过栅极电压来控制电流的大小。3. 由于漏极电压是比源极电压高的（VD>
2012-07-04 17:27:52
强，吸引的电子就越多，导电沟道中的电子浓度也就越大，在相同的漏极电压下，产生的电流也越大。因此MOS管是压控器件，通过栅极电压来控制电流的大小。3. 由于漏极电压是比源极电压高的（VD>
2012-07-06 16:06:52
本帖最后由 菜鸟到大神 于 2020-5-17 21:24 编辑
MOS管类型MOS管有N沟道型和P沟道型两种，根据场效应原理的不同又可分为耗尽型和增强型。因此，MOS管可构成P沟道增强型、P
2020-05-17 21:00:02
以图中电路为例，当我给栅极与源极之间一个恒压源，使得Ugs>Uth，然后Uac是一个交流源，波形为右边那个图。①那么当Uac过零时，mos管D->S间沟道会关断吗？②当Uac为负半轴时，mos管的导通情况是怎么样的呢？是先导通反并联二极管，再导通S->D间沟道吗？
2019-12-26 17:04:09
以nmos为例，我想知道沟道为什么会被夹断，为什么靠近源极的沟道电压会比漏极高？我老是搞不懂这个，求前辈们分析一下，最好也说明一下载流子的运动。先谢谢了！
2014-03-06 20:38:57
以前使用AT指令可以返回OK，现在发送过去没反应，但能收到esp8266发送过来得连接连接信息，使用的SSCOM3，串口线没有问题
2020-08-13 22:18:11
AO9926B双N沟道MOS管（20V 7.6A）
2020-10-31 16:51:02
请问：CMOS管的功耗与MOS管的导电沟道的关系？
2023-11-20 07:01:20
深圳市三佛科技有限公司 供应 G16P03 原装 -30V-16A P沟道 MOS场效应管，原装，库存现货热销G16P03 参数:-30V-16ADFN3*3-8LP沟道 MOS场效应管
2020-11-05 16:48:43
数组转换成字符串发送过去在转换会DBL波形数组，然后通过声音配置输出，但是发现DBL波形数组转换成字符串，再转换回来就不在能配置输出了。。。。。。。。求助，求指导
2012-12-25 14:05:43
`MOS集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。MOS集成电路包括:NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成
2011-12-27 09:50:37
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 20:32 编辑
如何用对一个N沟道MOS管通过改变电压来发大漏极输出的电流? 还有栅极源级漏极的电势如何搭配才能
2010-10-27 16:52:46
小编在接到客户咨询关于MOS管的时候，总会被问到一个问题：怎么选择合适的MOS管？关于这一个问题，昨天针对这个问题，在电压、电流方面已经做出了部分解释，今天我们来看其他方面的影响。确定N、P沟道
2023-02-17 14:12:55
N沟道耗尽型mos管，电路工作过程，还望大神指导。
2016-11-12 16:36:00
场效应管100V15A P沟道 TO-252 功率MOS管SL15P10 -100-15A 205毫欧TO-252 251【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N
2020-06-09 10:21:08
AO系列MOS管。SL2060场效应管 20V85A N沟道功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L
2020-06-13 11:47:55
：厂家直销，价格优势，货源充足，品质保证。供应中低压MOS管，供应替代AO系列MOS管。SL2060场效应管 20V85A N沟道功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A
2020-06-19 10:57:37
场效应管100V25A N沟道 TO-252 功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道
2020-06-09 10:23:37
`深圳市聚能芯半导体有限公司是一家集芯片代理、芯片生产、技术服务为一体的综合性电子元器件公司。供应中低压MOS管，替代AO系列。 可提供技术支持，DEMO测试及设计方案【100V MOS管 N沟道
2020-06-05 10:20:57
，货源充足，品质保证。供应中低压MOS管，供应替代AO系列MOS管。SL2060场效应管 20V85A N沟道功率MOS管【30V MOS管 N/P沟道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8
2020-06-19 11:00:56
SL3020双管30V16A 19毫欧DFN3.3x3.3-8-EPSL3020 N沟道场效应管 30V16A 功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得
2020-06-20 10:04:16
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2020-06-20 10:05:27
SL3400 30V5.7A 18毫欧SOT23-3LSL3400 N沟道场效应管 30V5.7A 功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作
2020-06-20 10:11:31
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2020-06-22 10:53:25
SL3403 -30-3.5A 55毫欧SOT23SL3403 P沟道场效应管的功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作的实力中低压MOS
2020-06-22 10:57:12
SL3404 30V5.7A 19毫欧SOT23-3LSL3404 N沟道场效应管 30V5.7A的功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道
2020-06-22 11:03:37
SL3404 30V5.7A 19毫欧SOT23-3LSL3404 N沟道场效应管 30V5.7A的功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作
2020-06-24 10:37:08
SL3406 30V4A 50毫欧 SOT23-3LSL3406 N沟道场效应管30V4A的功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作的实力中低
2020-06-24 10:39:23
SL3414 20V6A 20毫欧SOT23-3LSL3414 N沟道场效应管20V6A的功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作的实力中低
2020-06-24 10:40:54
SL3414E 20V4A 20毫欧SOT23-3L带静电保护SL3414EN沟道场效应管20V6A带静电保护的功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得
2020-06-29 16:31:55
SL3415 -20-4A 30毫欧SOT23-3LSL3415 P沟道场效应管功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作的实力中低压MOS
2020-06-29 16:39:10
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2020-06-29 16:40:19
SL3422 55V2.1A 90毫欧SOT23-3LSL3422 N沟道场效应管55V2.1A功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作的实力
2020-07-01 16:55:47
SL3423 -20-3A 44毫欧SOT23-3LSL3423 P沟道场效应管20-3A功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作的实力中低
2020-07-01 16:57:06
场效应管100V35A N沟道 TO-252 功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道
2020-06-09 10:36:41
场效应管30V39A N沟道 DFN3x3-8 功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道
2020-06-10 14:31:13
SL4184 40V60A 9毫欧TO-252SL4184 N沟道场效应管40V60A功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作的实力中低压MOS
2020-07-01 16:58:17
`SL4430 30V18A 4.5毫欧SOP-8SL4430 N沟道耐压30V18A系列中低压MOS管 【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道
2020-08-03 14:48:45
AO系列MOS管。L484场效应管 30V41A N沟道功率MOS管完美替代AOD484【 中低压MOS管替代AO系列】SL403-30V-70A5毫欧TO-252封装 P沟道优势替代
2020-06-12 10:43:52
深圳市三佛科技有限公司 供应 SLN30N03T30V 30A N沟道 MOS，原装现货热销 SLN30N03T参数： 30V30ADFN3*3-8 N沟道MOS管品牌：美浦森
2021-04-07 14:57:10
`深圳市三佛科技有限公司 供应 ITA07N65650V 7A N沟道 MOS管 7N65，原装，库存现货热销ITA07N657A 650V TO-220FN沟道 MOS管 /场效应管
2021-03-24 10:35:56
`TDM3544 N沟道MOS管[/td]描述一般特征该TDM3544采用先进的沟槽技术◆RDS（ON）<8.0mΩ@ VGS = 4.5V提供优异的RDS（ON）和低门电荷。◆RDS
2019-03-13 16:06:37
。二、特点不同1、耗尽型：场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。2、增强型：增强型的原始沟道较窄、掺杂浓度较低，使得在
2021-05-13 09:39:58
【转】MOS管的基本知识（转载）现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外，在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS管取代过去的大功率晶体三极管，使整机的效率、可靠性、故障率
2012-08-09 14:45:18
不断缩小，MOS器件面临一系列的挑战。例如短沟道效应（Short Channel Effect - SCE），热载流子注入效应（Hot Carrier Inject - HCI）和栅氧化层漏电等
2018-09-06 20:50:07
了导电沟道，于是在DS之间就有电流可以通过了，其情况如图 20 所示。 在这个阶段，如果UDS保持不变，UGS增加会导致导电沟道变厚，从而ID变大。 MOS管预夹断的形成 （预夹断的形成是在理解初期
2023-02-27 14:57:01
D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，左图图示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，右图图示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。2)．它俩最大的不同是：MOS
2023-02-20 15:30:11
，及上述相同的栅极制作过程，就制成为一个P沟道（PNP型）增强型MOS管。下图所示分别是N沟道和P沟道MOS管道结构图和代表符号。2、MOS管的工作原理增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背
2018-07-05 13:52:46
用STM32 HAL库，串口使用中断模式，发现程序有时候会进去死锁状态，原因应该是串口在发送过程中，这时候数据又被发送过去了，然后就很容易会死锁了。上网找了相关的资料，见链接：作者分析了原因，是__HAL_LOCK的原因，这里点个赞。作者又写了另外一种情况下串口死锁的解决方法，具体可见：h...
2021-08-13 07:36:11
请问有没有知道stm32h750VBT6为什么串口通信接受不到自己发送过去的数据？数据溢出会有影响吗？
2023-08-04 11:11:58
请问有没有知道stm32h750VBT6为什么串口通信接收不到自己发送过去的数据？数据溢出会有影响吗？
2024-03-15 07:09:48
沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。即：耗尽型MOS管的VGS (栅极电压)可以用正、零负电压控制导通。增强型： 当VGS=0时管子是呈截止状态
2023-02-21 15:48:47
`【MOS管原厂】HC36012参数：30V 10A TO-252 N沟道 MOS管 /场效应管品牌：惠海型号：HC36012VDS：30V IDS：10A 封装：TO-252沟道：N沟道 【20V
2020-11-02 16:02:10
1、MSO的三个极怎么判定：MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方。G极，不用说比较好认。S极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是；D极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。2、他们
2019-09-11 07:30:00
之前在1701中是用I2C将要配置的参数和寄存器从MCU发送到DSP，而在21489中，是否能将生成的文件作为算法整合到程序中是怎么样做的呢？或者是跟sigmaDSP一样需要从MCU发送过去？如果是
2023-11-30 06:07:23
N沟道场效应管（电子为载流子），P沟道场效应管（空穴为载流子）。绝缘栅场效应管有四种类型：N沟道增强型MOSFET、N沟道耗尽型MOSFET、P沟道增强型MOSFET、P沟道耗尽型MOSFET。N沟道
2019-06-25 04:20:03
如何利用一颗N沟道MOS管来实现上电瞬间输出高电压？
2022-02-15 06:03:40
16进制显示，就可以将16进制发送给串口。但如何将未转换好的数据例如1212,1200这些十进制的数据发送过去呢？我直接想在串口中读出十六进制的数据，就像下图显示的一样。谢谢了
2013-01-30 14:05:00
如何测量n沟道mos管的开启电压和电导常数呢？求大神解答
2023-03-15 17:22:46
维修过程中的拦路虎，如何区分和判断成为必要手段。MOS管和IGBT管的辨别带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOMS管的识别带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOMS管它们的栅极位置一样
2019-05-02 22:43:32
=24V，即使源极和漏极之间形成了反型层，但是由于Vds之间存在电压，且比较大，会直接将沟道夹断。目前能找的很多资料基本都是讲Vds从0开始增加，增加到一定值时才会形成“预夹断区”。实际在正常使用MOS管
2023-03-22 14:52:34
想找一款开启电压大于5V的N沟道MOS管
2017-05-27 09:36:04
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-8 20:28 编辑
求N沟道MOS管型号
2012-12-21 15:41:08
需求：耐压50V左右，输入12V，可承受电流5A，N沟道型MOS管，做开关管用，推荐时告知导通阻抗Rds
2019-10-12 15:39:52
RT，最近看模电看迷糊了，在此请教各位大虾，N沟道增强型MOS管，衬底是P型硅片，那么是多子参与导电还是少子呢？ 是自有电子还是空穴呢？
2015-03-27 11:06:58
击穿现象、安全工作范围宽等优点。本节我们讲解一下N沟道增强型MOS场效应管，其基本结构如下图所示：如上图所示，在一块P型硅片（半导体）衬底（Substrate，也有称为Bulk或Body）上，形成两个高
2023-02-10 15:58:00
*附件：power1.pdf
遇到一个电源板无法供电故障，此电源电路采用P沟道MOS限流保护设计。正常启动时Q14栅极上电慢，低于源极，MOS管导通，经过后级U9基准和U27运放组成恒压源电路，限制
2023-06-05 22:50:12
物美。而逆变器后级电路可应用的场效应管除了TK8A50D，还有飞虹电子生产的这个FHP840 高压MOS管。飞虹电子的这个FHP840 高压MOS管为N沟道增强型高压功率场效应管，FHP840场效应管
2019-08-15 15:08:53
本文首先阐述了N沟MOS晶体管的概念，其次介绍了N沟道增强型MOS管的结构及特性曲线，最后介绍了N沟道增强型MOS管的工作原理。
2018-08-16 15:31:1180321 mos管p沟道n沟道的区别 MOS管是一种主流的场效应晶体管，分为p沟道MOS管和n沟道MOS管两种类型。这两种MOS管的区别主要在于导电性质、静态特性、输入电容、噪声功率和门极结色散等方面
2023-08-25 15:11:258271 MOS的三个极怎么判定？是N沟道还是P沟道？ MOS是金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的缩写。它是
2023-11-30 14:24:54621 场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为n沟道和p沟道两种类型。本文将对n沟道MOS
2023-12-28 15:28:282912 
P沟道MOS管（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称PMOSFET）是一种常见的场效应晶体管，广泛应用于各种
2023-12-28 15:39:311090
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