日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器，其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:33
1610 (潮光光耦网整理编辑)2012-04-03 变频器的HCPL-316J特性 HCPL-316J是由Agilent公司生产的一种IGBT门极驱动光耦合器，其内部集成集电极发射极电压欠饱和检测电路
2012-07-06 16:28:56
TLP250包含一个GaA1As光发射二极管和一个集成光探测器，是8脚双列封装，适合于IGBT或功率MOSFET栅极驱动电路。TLP250的管脚如图1所示，管脚接线方法如表1所示。---TLP250驱动
2012-06-14 20:30:08
等应与其高速开关特性相匹配，另外，在未采取适当的防静电措施情况下，IGBT的G～E极之间不能为开路。 驱动电路分类 驱动电路分为：分立插脚式元件的驱动电路；光耦驱动电路；厚膜驱动电路；专用集成
2012-09-09 12:22:07
损坏器件之前，将IGBT关断来避免开关管的损坏。 3 IGBT的驱动和过流保护电路分析 根据以上的分析．本设计提出了一个具有过流保护功能的光耦隔离的IGBT驱动电路，如图2。图2 IGBT驱动和过流
2012-07-18 14:54:31
IGBT5 的开关速度，稳压二极管 VS1 、 VS2 的作用是限制加在 IGBT5g-e 端的电压，避免过高的栅射电压击穿栅极。栅射电压一般不应超过 20 V 。 光耦驱动电路 说明：由于 IGBT
2021-01-20 16:16:27
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
Ciss。计算所得的IGBT导通栅极驱动阻抗为100Ω，该值比前面的37Ω高，表明IGBT GFS较高，而CIES较低。这里的关键之处在于，为了从MOSFET转换到IGBT，必须对栅极驱动电路进行调节
2018-08-27 20:50:45
MOSFET栅极电路常见的作用MOSFET常用的直接驱动方式
2021-03-29 07:29:27
阻抗将提高IGBT或MOSFET的导通di/dt及减小Eon损耗。Eon损耗和EMI需要折中，因为较高的di/dt会导致电压尖脉冲、辐射和传导EMI增加。为选择正确的栅极驱动阻抗以满足导通di/dt
2021-06-16 09:21:55
IGBT组合封装在一起。 除了选择正确的二极管外，设计人员还能够通过调节栅极驱动导通源阻抗来控制Eon损耗。降低驱动源阻抗将提高IGBT或MOSFET的导通di/dt及减小Eon损耗。Eon损耗和EMI
2020-06-28 15:16:35
光耦端的控制电流与功率管输出驱动电流之比是用什么指标表示，其最大值是多少？(潮光光耦网整理编辑)2012-07-10 潮光光耦网解答：全部栅极驱动光耦合器都没有CTR的放大特性。虽然所有栅极驱动光
2012-07-11 11:40:09
和发射极。为了操作MOSFET/IGBT，通常须将一个电压施加于栅极（相对于器件的源极/发射极而言）。使用专门驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。本文讨论栅极驱动器是什么，为何需要栅极驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。
2021-01-27 07:59:24
驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。需要栅极驱动器IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导通，并允许电流在其漏极和源极引脚之间流动
2021-07-09 07:00:00
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
新型ACPL-302J是一款智能栅极驱动光电耦合器，可改善隔离电源并简化栅极驱动设计。ACPL-302J具有用于DC-DC转换器的集成反激式控制器和全套故障安全IGBT诊断，保护和故障报告功能
2018-08-18 12:05:14
稳定增长态势。与此同时，为了满足智能化和变频化，家电对 MCU 提出了新的要求。尤其需要 MCU 集成触摸控制、屏幕显示等模块，集成度更高。过去，最传统、最成熟的驱动方案就是控制器、栅极驱动、功率级这三部
2022-06-02 18:50:38
ADI最新推出设计用于LTE(长期演进)和第四代(4G)蜂窝基站的高集成度RF IC(射频集成电路)系列。LTE是UMTS(通用移动电信系统)标准的增强版，它被视为迈向蜂窝网络中第四代射频技术的终极阶段。
2019-09-30 07:18:19
高集成度RF收发器SX1231的主要特性及应用有哪些？
2021-04-19 08:01:40
高集成度国标ETC射频收发器应用系统，不看肯定后悔
2021-05-19 06:01:23
全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最新推出两款高集成度惯性传感器，扩展了iSensor® 智能传感器产品系列。这两款产品极大地简化了在恶劣工业环境中实现嵌入式冲击和震动感应的复杂任务。
2019-09-02 08:19:54
打入工业和医疗市场的高集成度电源 IC
2019-09-20 11:01:07
应用需求，方便客户应用于可穿戴设备等；集成度高，便于客户应用。如有需求，请联系。联系电话：0512-86867301
2016-06-06 16:23:14
功率器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点。MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。 MOSFET和IGBT均为集成在单片硅上
2022-06-28 10:26:31
概述：IRS26302DJBPF美国国家半导体公司生产的一款高速功率MOSFET和IGBT驱动器，它把功率MOSFET/IGBT栅极驱动器与三个高侧及三个低侧参考输出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
二十年稳居全球第一位。 夏普专用于IGBT、MOSFET的驱动光耦采用了先进的工艺技术，具有绝缘电压高、稳定性好、抗干扰能力强、共模抑制比CMR高等卓越的性能。多年来，在日本安川、三菱、富士、东芝等国际
2012-12-08 10:46:04
本文主要是对SX1276/77/78系列低功耗、高集成度收发器的功能进行概要叙述。
2021-05-17 06:17:11
，降低了88%。还有重要的一点是IGBT的尾电流随温度升高而增加。顺便提一下，SiC-MOSFET的高速驱动需要适当调整外置的栅极电阻Rg。这在前文“与Si-MOSFET的区别”中也提到过。与IGBT
2018-12-03 14:29:26
MOSFET驱动器采用专有的硅隔离技术，可为UL1577和VDE0884提供高达2.5 kVRMS的耐压。该技术可以减少温度和老化时的变化，更好的零件匹配和极高的可靠性。高集成度，低传播延迟，小尺寸
2020-06-08 12:07:42
的不是全SiC功率模块特有的评估事项，而是单个SiC-MOSFET的构成中也同样需要探讨的现象。在分立结构的设计中，该信息也非常有用。“栅极误导通”是指在高边SiC-MOSFET＋低边
2018-11-30 11:31:17
光耦驱动IGBT，PWM信号是单片机输入的0和3.3伏。这个IGBT门极驱动电压是10-15伏，我看它的数据手册上的测试参数就用的22Ω的门极电阻。但是光耦烧坏了。数据手册上写着光耦供电电流是最大
2019-12-28 23:04:20
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:43 编辑
TLP250,TLP350,HCPL3120,FOD3120等低成本IGBT驱动光耦，在 一 般 较 低 性 能 的 三 相
2012-12-12 11:20:44
应用中使用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。 该光电耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定功率高达800 V / 50 A的IGBT。对于
2019-10-30 15:23:17
) 和 GFS可以通过IGBT的转换特性曲线来确定，并应用VGE(avg)下的CIES值代替Ciss。计算所得的IGBT导通栅极驱动阻抗为100Ω，该值比前面的37Ω高，表明IGBT GFS较高，而CIES
2017-04-15 15:48:51
。计算所得的IGBT导通栅极驱动阻抗为100Ω，该值比前面的37Ω高，表明IGBT GFS较高，而CIES较低。这里的关键之处在于，为了从MOSFET转换到IGBT，必须对栅极驱动电路进行调节。传导损耗
2019-03-06 06:30:00
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
如图所示，为什么光耦驱动MOSFET经常被烧坏？
2018-12-25 16:04:01
。 FOD8332引脚与现有解决方案兼容，由集成栅极驱动光电耦合器和低RDS CMOS晶体管组成，用于驱动IGBT的轨到轨和高速隔离反馈电路，用于故障检测。它非常适合驱动快速开关功率IGBT和MOSFET
2019-04-30 09:06:13
。 FOD8333引脚与现有解决方案兼容，由集成栅极驱动光电耦合器和低RDS CMOS晶体管组成，用于驱动IGBT的轨到轨和高速隔离反馈电路，用于故障检测。它非常适合驱动快速开关功率IGBT和MOSFET
2019-04-28 10:36:39
想问，本来打算用STM32IO口驱动光耦，然后光耦输出端集电极接电压，控制PMOS管导通。但是发现很多光耦，都有（需要）10-20V的电源电压。光耦不是电流驱动就行了吗。电流如果在其导通发光二极管范围内，是不是就可以导通，不必看电压大小了。
2018-05-08 09:52:29
脚的电流（1脚：电压反馈引脚，通过连接光耦到地来调整占控比）。根据电流的大小，led电源驱动芯片（开关电源芯片）就会自动调整输出信号的占空比，达到稳压的目的。 以上芯片是一款高集成度、高性能
2012-12-07 13:59:26
分享一种高集成度的车载AM/FM接收器方案
2021-05-17 06:39:57
友恩半导体开关电源芯片基于高低压集成技术平台进行技术升级，未来三年将持续开发高功率、低功耗、高集成度等产品，公司在研项目正稳步推进：公司处于验证完成逐步批量生产阶段的在研项目技术水平较高；例如
2020-10-30 09:39:44
电路分为：分立插脚式元件的驱动电路；光耦驱动电路；厚膜驱动电路；专用集成块驱动电路。本文设计的电路采用的是光耦驱动电路。IGBT驱动电路分析 随着微处理技术的发展(包括处理器、系统结构和存储器
2012-06-11 17:24:30
随着无线宽带系统的频率带宽越来越宽，基站性能的要求也越来越高。低噪放，作为基站塔放中的关键器件之一，它不仅影响基站的覆盖范围，而且也决定了其他邻近基站的发射功率和杂散要求。安华高的高集成度低噪放
2019-07-30 06:18:48
基站对高集成度低噪放的要求是什么？
2021-05-21 07:05:31
这是我设计的一个单片机驱动光耦控制电机转停的电路，大家看下电路设计对吗？单片机在光耦驱动位拉高引脚，输出24V，fds9958是P型MOSFET，fds9945是n型MOSFET，fds9958 S
2018-04-24 13:09:52
新突破。核心技术优势：单颗无线充IC，高集成度，相容性强；无线方案电路简单可靠，BOM成本低；支持多种通信协定：QC2.0/PD3.0/UFCS；多通道的电压电流解调，解调能力强；支持驱动能力调节；支持
2023-02-14 15:36:04
IGBT和SiC MOSFET的电压源驱动和电流源驱动的dv/dt比较。VSD中的栅极电阻表示为Rg，控制CSD栅极电流的等效电阻表示为R奥特雷夫。 从图中可以明显看出，在较慢的开关速度（dv/dt
2023-02-21 16:36:47
器，能够在 MOSFET 关断状态下为栅极提供负电压、高充电/放电脉冲电流，并且足够快以在纳秒范围内操作栅极。IC IX6611是一款智能高速栅极驱动器，可轻松用于驱动碳化硅（SiC）MOSFET以及标准
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器，但我们遇到了设备故障和损坏高侧 MOSFET 栅极驱动器的问题。首先，是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
如何采用FPGA提高广播应用的集成度？
2021-04-29 06:04:54
导读：日前，业内高性能硅方案的领先供应商安森美半导体开发出7款高集成度的三相智能功率模块（IPM），此7款IPM所具备的高集成度特性能够在提升白家电控制电路能效的同时并降低噪声。 安森美的7款
2018-09-27 15:30:00
描述 PMP9461 是适合并网太阳能微型逆变器的参考设计，有完整的功率和栅极驱动器要求。此参考设计的主要目标是在栅极驱动器以及微型逆变器的偏置电源段实现集成度和性能的显著增强。此解决方案具有
2018-09-10 09:20:30
ADuM140x(CMTI为100 kV/μs)总而言之，对于隔离式半桥栅极驱动器应用，事实表明，相对于基于光耦合器和脉冲变压器的设计，基于变压器的数字隔离器具有众多优势。通过集成极大降低了解决方案尺寸和设计复杂度，时序性能大大改善。通过电流隔离输出驱动器和更高的CMTI进一步提高了鲁棒性。
2018-10-16 16:00:23
展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合器隔离的基本半桥驱动器（如图1所示）以极性相反的信号来驱动高端和低端N沟道MOSFET（或IGBT）的栅极，由此来控制
2018-09-26 09:57:10
潮光光耦网特别提醒，以下型号高性价比选型或替代小贴片高速光耦TLP719，高隔离度电压（5000V耐压）, 高CMR ，速度达到1M，潮光光耦网新到6000PCS！IGBT驱动光耦 TLP250(F
2012-08-21 16:13:08
方案名称：LED车灯驱动IC方案，高集成度做远近光，高低亮品牌：AP自主研发AP5170LED车灯驱动方案优点AP5170车灯驱动方案高效率95%稳定可靠，内置温度保护，短路保护功能，其工作频率可达
2019-06-24 14:32:26
控制电路和一个并联稳压器，并且加入了有源ZVS控制和开灯检测功能。作为同类解决方案中集成度最高的器件，FAN7710可协助设计人员减少元件数以简化设计。FAN7710的高功能性和内置保护特性可节省
2018-08-28 15:28:41
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
5的开关速度，稳压二极管VS1、VS2的作用是限制加在IGBT5g-e端的电压，避免过高的栅射电压击穿栅极。栅射电压一般不应超过20 V。2.2光耦隔离驱动电路 光耦隔离驱动电路如图3所示。由于
2016-10-15 22:47:06
上并联的二极管为加速二极管，用以提高IGBT5的开关速度，稳压二极管VS1、VS2的作用是限制加在IGBT5g-e端的电压，避免过高的栅射电压击穿栅极。栅射电压一般不应超过20 V。2.2光耦隔离驱动
2016-11-28 23:45:03
FOD8316是仙童推出的一款智能式IGBT栅极驱动光电耦合器。FOD8316基本特性在传统的IGBT驱动器上增加了保护电路。可编程故障传感去饱和检测IGBT软断开欠压锁定输出电压轨到轨摆动:低功耗
2013-06-07 16:34:06
的鲁棒性。虽然图腾柱电路是作为一种成熟解决方案已流行多年，但现代和未来的系统需要更高的集成度和更高的性能。随着半导体技术的进步，栅极驱动器IC的成本已可与分立电路相比，这使得IC解决方案对于大多数
2017-08-21 14:33:56
。 虽然图腾柱电路是作为一种成熟解决方案已流行多年，但现代和未来的系统需要更高的集成度和更高的性能。随着半导体技术的进步，栅极驱动器IC的成本已可与分立电路相比，这使得IC解决方案对于大多数应用而言更具吸引力和可行性。
2017-04-01 15:22:24
，和MOSFET一样，IGBT有一个栅极来控制该通路。作为双极型器件，在标准的MOS IC工艺基础上来制作IGBT是非常困难的;因此，IGBT一般是分立器件。IGBT同时具备了场效应管（FET）简单栅极驱动
2016-01-27 17:22:21
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩（电动汽车充电站）应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
研讨会介绍了为何光耦栅极驱动器能被广泛的接受和使用，这不仅是因其所具有的高输出电流驱动能力，及开关速度快等长处之外，更重要的，它也具有保护功率器件的所需功能。这些功率器件的保护功能包括欠压锁定(UVLO
2018-11-05 15:38:56
驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。为什么需要栅极驱动器IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导通，并允许电流在其漏极和源极引脚之间
2018-10-25 10:22:56
器是什么，为何需要栅极驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。需要栅极驱动器IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极和源极/发射极之间形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导
2018-11-01 11:35:35
摘要：IR2117是美国IR公司专为驱动单个MoSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能特点和参数限制，同时剖析了它的内部结构和工作原理，最后给出了
2010-05-05 09:03:46
56 IGBT 的栅极驱动是IGBT 应用中的关键问题。本文阐明构成IGBT 栅极驱动电路的注意事项，基本电路参数的选择原则，还介绍丁几种驱动电路实例。
2010-08-31 16:33:41213 单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117
IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
东芝新推出一系列采用小型SO8封装的IC光电耦合器TLP2451是一款使用图腾柱输出的IGBT / MOSFET栅极驱动光电耦合器
2012-03-13 11:08:413462 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 的栅极驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比，IGBT在驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用，因此IGBT将与某些高电压MOSFET以及应用。许多设计者因此转向MOSFET驱动器以满足其
2017-07-04 10:51:0522 FD6287 是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT 设计，可在高达+250V 电压下工作。
2019-01-18 08:00:00203 熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计
2019-05-07 06:34:002054 
通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394943 
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替
2019-07-03 16:26:554307 
IGBT的驱动电路必须具备两种功能：一是实现控制电路与被驱动IGBT栅极的电位隔离；二是提供合适的栅极驱动脉冲。实现电位隔离可以采用脉冲变压器、微分变压器及光耦合器。
2019-10-07 14:26:0012785 
不熟悉MOSFET或IGBT输入特性的设计人员首先根据数据表中列出的栅源或输入电容来确定元件值，从而开始驱动电路设计。基于栅极对源电容的RC值通常会导致栅极驱动严重不足。虽然栅极对源电容是一个重要
2020-03-09 08:00:0024 中的功率消耗或损耗、发送到功率半导体开关 (IGBT/MOSFET) 的功率以及驱动器 IC 和功率半导体开关之间的外部组件（例如外部栅极电阻器两端）的功率损耗。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。本
2021-06-14 03:51:003144 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-01-28 08:13:3820 MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 MOSFET及
IGBT栅极驱动电路的引脚排列内部结构、工作原理、主要技术参数和应用
技术。书中不但给出多种以这些驱动器集成电路为核心单元的典型电力电
子变流系统专用驱动控制板的应用实例而且对这些具
2022-08-13 09:21:390 栅极驱动参考 1.PWM直接驱动2.双极Totem-Pole驱动器3.MOSFET Totem-Pole驱动器4.速度增强电路5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中，驱动主开关
2023-02-23 15:59:0017 驱动光耦产品线，近期新增一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦 TLP5222 。它是一款可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC，内置保护操作自动恢复的功能。该器件主要用来实现逆变器、交流伺服器，光伏逆变器等的智
2023-09-28 17:40:02526 
igbt的栅极驱动条件 igbt的栅极驱动条件对其特性有什么影响？ IGBT是晶体管的一种，它是一种高压、高电流的开关器件，常用于高功率电子应用中。IGBT是一种三极管，由一个PN结组成的集成
2023-10-19 17:08:14622 IGBT栅极驱动设计，关键元件该怎么选？
2023-11-30 18:02:38294 
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224
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