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车规级功率模块封装的现状，SiC MOSFET对器件封装的技术需求
- MOSFET(209665)
- 封装技术(67735)
- SiC(61351)
- 功率模块(44656)
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SiC MOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求，对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化和技术创新，包括键合式功率模块的金属键合线长度、宽度和并联
2023-01-07 10:24:37
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1062碳化硅功率器件封装技术解析
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装
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1220SiC-MOSFET功率晶体管的结构与特征比较
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SiC-MOSFET器件结构和特征
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2023-02-07 16:40:49
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SiC-MOSFET有什么优点
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
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1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
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SiC MOSFET器件技术现状分析
对于SiC功率MOSFET技术，报告指出，650-1700V SiC MOSFET技术快速迭代，单芯片电流可达200A。提升电流密度同时，解决好特有可靠性问题是提高技术成熟度关键。
2023-08-08 11:05:57428
428碳化硅功率器件：革命性的封装技术揭秘
碳化硅(SiC)作为一个新兴的宽带隙半导体材料，已经吸引了大量的研究关注。其优越的电气性能、高温稳定性和高频响应使其在功率电子器件领域中具有巨大的应用潜力。但要完全发挥SiC功率器件的潜力，封装技术同样至关重要。本文主要探讨碳化硅功率器件封装的三个关键技术。
2023-08-15 09:52:11701
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赛晶科技发布一种车规级HEEV封装SiC模块
赛晶科技表示，为电动汽车应用量身定做的HEEV封装SiC模块，导通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高达250kW电驱系统，并满足电动汽车驱动系统对高功率、小型化和高可靠性功率的需求。
2023-09-02 09:42:41316
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长电科技高可靠性车载SiC功率器件封装设计
长电科技在功率器件封装领域积累了数十年的技术经验，具备全面的功率产品封装外形，覆盖IGBT、SiC、GaN等热门产品的封装和测试。
2023-10-07 17:41:32398
398SiC功率器件的封装技术
传统的功率半导体封装技术是采用铅或无铅焊接合金把器件的一个端面贴合在热沉衬底上，另外的端面与10-20mil铝线楔或金线键合在一起。这种方法在大功率、高温工作条件下缺乏可靠性，而且不具备足够的坚固性。
2023-10-09 15:20:58299
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SiC MOSFET的封装、系统性能和应用
，能够像IGBT一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅MOSFET的开关频率。之前的文章中，我们介绍了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何优化SiC栅极驱动电路 。今天将带来本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封装、系统性能和应用 。 封装 WBG半导体使高压转换器能够在更接近
2023-11-09 10:10:02334
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碳化硅功率器件封装的关键技术
碳化硅（Silicon Carbide，SiC）功率器件因其宽禁带、耐高压、高温、低导通电阻和快速开关等优点备受瞩目。然而，如何充分发挥碳化硅器件的性能却给封装技术带来了新的挑战。传统封装技术在应对
2024-01-26 16:21:39218
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一文解析SiC功率器件互连技术
和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。
2024-03-07 14:28:43107
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工商网监
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