摘要 本文提供了在衬底表面上沉积碳化硅薄膜的方法。这些方法包括使用气相碳硅烷前体，并且可以釆用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可以在低于600“C的温度下进行，例如在大约23丁和 大约200V之间
2022-02-07 14:01:26
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罗杰斯公司于近日推出了新款 curamik®系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板。由于氮化硅的机械强度比其它陶瓷高，所以新款curamik® 基板能够帮助设计者在严苛的工作环境以及 HEV/EV 和其它可再生
2012-08-07 11:34:163492 本文介绍了在缓冲氧化物腐蚀(BOE)溶液中温度对氮化物和氧化物层腐蚀速率的影响。明确的框架结构和减少的蚀刻时间将提高制造过程的生产率，该方法从图案化氮化硅开始，以研究在BOE工艺之后形成的框架结构
2022-05-05 14:00:50907 
铜金属化过程中，氮化硅薄层通常作为金属层间电介质层（IMD）的密封层和刻蚀停止层。而厚的氮化硅则用于作为IC芯片的钝化保护电介质层（Passivation Dielectric, PD）。下图显示
2022-10-17 09:29:597618 仅从物理特性来看，氮化镓比碳化硅更适合做功率半导体的材料。研究人员还将碳化硅与氮化镓的“Baliga特性指标（与硅相比，硅是1）相比，4H-SiC是500，而氮化镓是900，效率非常高。
2023-02-10 11:29:221049 、 合金化6、 单面光刻（涂胶、对准、曝光、显影）7、 双面光刻8、 LPCVD Si3N4 （氮化硅）9、 LPCVD POLY（多晶硅）10、 a-Si （非晶硅）11、 PECVD SiO2 （氧化硅
2015-01-07 16:15:47
阻，从而能量损耗更低，功率转换效率更高。相关统计数据显示，氧化镓的损耗理论上是硅的1/3000、碳化硅的1/6、氮化镓的1/3。另外，氧化镓具有良好的化学和热稳定性，成本低，制备方法简便、便于批量生产
2023-03-15 11:09:59
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。
又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
能源并占用更小空间，所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80%的能源，而2005年这一比例仅为30
2018-11-20 10:56:25
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
`从研发到商业化应用，氮化镓的发展是当下的颠覆性技术创新，其影响波及了现今整个微波和射频行业。氮化镓对众多射频应用的系统性能、尺寸及重量产生了明确而深刻的影响，并实现了利用传统半导体技术无法实现
2017-08-15 17:47:34
激光器是20世纪四大发明之一，半导体激光器是采用半导体芯片加工工艺制备的激光器，具有体积小、成本低、寿命长等优势，是应用最多的激光器类别。氮化镓激光器（LD）是重要的光电子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
的振动和冲击力，机械强度要求高。这就不得不提到我们今天的主角，氮化硅基板了。氮化硅的优点1、在高温下具有高强度和断裂韧性。2、散热系数高，热膨胀系数与芯片匹配，同时具有极高的耐热冲击性。3、使用氮化硅陶瓷
2021-01-27 11:30:38
设备载荷，但同时对散热要求就更高。这也意味着需要更加先进，更匹配，更环保的PCB板———氮化硅陶瓷基板。为什么说氮化硅陶瓷基板是最适合新能源汽车的PCB板呢？氮化硅在高温下具有高强度和断裂韧性。可以
2021-01-21 11:45:54
有限公司承办。 本届论坛为期3天，同期二十余场次会议，25日上午 “氮化镓材料与器件技术”分会如期召开，分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子
2018-11-05 09:51:35
坚固耐用的设计设计用于自动拾取和插入聚酰亚胺划痕保护快速切换速度：20nSLow Capacitance：50FF氮化硅钝化MA4FCP305产品详情MA4FCP305列由硅芯片倒装PIN二极管
2018-11-16 11:53:06
可以做得更大，成长周期更短。MACOM现在已经在用8英寸晶圆生产氮化镓器件，与很多仍然用4英寸设备生产碳化硅基氮化镓的厂商不同。MACOM的氮化镓技术用途广泛，在雷达、军事通信、无线和有线宽带方面都有
2017-09-04 15:02:41
/ 3.5Ag焊料安装时，可以承受500个温度循环（-65°C至+150°C），而不会发生机械性能下降。 可在袖珍卷带包装中使用。 无铅（符合RoHS） 表面贴装配置 聚酰亚胺划痕保护 氮化硅钝化 高Q 低
2021-05-14 15:45:34
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
蒸发，所以刻蚀要在一个装有冷却盖的密封回流容器中进行。主要问题是光刻胶层经不起刻蚀剂的温度和高刻蚀速率。因此，需要一层二氧化硅或其他材料来阻挡刻蚀剂。这两个因素已导致对于氮化硅使用干法刻蚀技术。蒸汽刻蚀
2018-12-21 13:49:20
公司介绍：上海施迈尔精密陶瓷有限公司自1992 年成立至今已近20 年。公司本着可持续发展的原则致力于研发、设计、制造、销售以氧化锆、氧化铝、碳化硅、氮化硅、石英 为主要原料的产品。产品广泛应用
2012-03-26 11:02:31
目前，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，宽禁带，以下简称为：WBG）”以及基于新型材料的电力半导体，其研究开发技术备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
是基本半导体针对新能源商用车等大型车辆客户对主牵引驱动器功率器件的高功率密度、长器件寿命等需求而专门开发的产品。 该产品采用标准ED3封装，采用双面有压型银烧结连接工艺、高密度铜线键合技术、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战
2023-02-22 16:06:08
`氮化铝陶瓷基板因其热导率高、绝缘性好、热膨胀系数低及高频性低损耗等优点广为人知，在LED照明、大功率半导体、智能手机、汽车及自动化等生活与工业领域得到大量应用。但氮化铝陶瓷散热基板制备厂商主要
2020-11-16 14:16:37
的产品应用，氮化硅后续的应用要求铜厚也有低的（一些要求电流不高的IGBT模块）碳化硅陶瓷优势：在高达1400℃的温度下，碳化硅甚至仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高
2021-04-25 14:11:12
氮化硅层，掺杂磷 (P+5) 离子，形成 N 型阱 9、 退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层 10、干法氧化法生成一层 SiO2 层，然后 LPCVD 沉积一层氮化硅 11、利用光刻技术和离子
2011-12-01 15:43:10
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
。 碳化硅近几年的快速发展 近几年来，低碳生活也是随之而来，随着太阳能产业的发展，作为光伏产业用的材料，碳化硅的销售市场也是十分火爆，许多磨料磨具业内人开始关注起碳化硅这个行业了。目前碳化硅制备技术非常
2019-07-04 04:20:22
膜，以及高分子膜和金属膜等。由于在表面硅MEMS加工技术中最常用到的是多晶硅、氧化硅、氮化硅薄膜，而它们通常采用LPCVD或PECVD来制作。2、PECVD制膜技术PECVD法是利用辉光放电的物理作用
2018-11-05 15:42:42
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化硅，刻蚀浆料主要利用释放的氟化氢来刻蚀。也可以控制氧化硅的膜厚，形成半阻挡膜，一次性扩散。困难在，浆料的印刷性能，扩散均匀性，印刷对齐。 三、 直接印刷掩膜层 特点：要求掩膜的印刷特性要好，抗
2018-09-26 09:44:54
控制剂或作为晶种。无机粉末以亚微米级粒径均匀分布在聚合物相中，由于拉伸时应力集中，出现相分离而形成微孔膜。添加成核剂后，由于结晶结构变得松散，拉伸时容易成孔，无污染。 聚合物电解质膜的制备方法有以下
2013-05-13 10:23:19
低热量化学气相工艺制备氮化硅美国Aviza工艺公司开发出一种低温化学气相沉积工艺(LPCVD)，可在500℃左右进行氮化硅沉积。这个工艺使用一
2009-06-12 21:08:29729 PECVD原理
PECVD作用：在硅片表面镀上一层深蓝色的氮化硅膜，可以充分吸收太阳光，降低反射，并且氮化硅膜有钝化的作用，保护电池
2010-07-18 11:29:188329 针对目前氮化硅陶瓷球材料性能评价体系不完善，以及各个厂家生产的陶瓷球质量参差不齐的问题，对3个较著名厂家（记为A、B、C）的陶瓷球的密度、显气孔率、硬度、断裂韧性及压碎载荷等主要性能参数进行了研究
2018-03-20 15:53:13
1 1.1 碳化硅和氮化镓器件的介绍, 应用及优势
2018-08-17 02:33:006437 CMOS 工艺流程介绍
1.衬底选择：选择合适的衬底，或者外延片，本流程是带外延的衬底；
2. 开始：Pad oxide 氧化，如果直接淀积氮化硅，氮化硅对衬底应力过大，容易出问题；
2020-06-02 08:00:000 摘要：在半导体制造工艺的湿法刻蚀中，用热磷酸刻蚀氮化硅和氮氧化硅是其中一个相对复杂又难以控制的工艺。在这个工艺中，热磷酸刻蚀后的去离子水（ＤＩＷ）清洗更是一个非常重要的步骤。主要分析了由于去离子水
2020-12-29 14:36:072510 
氮化镓+碳化硅PD 方案的批量与国产氮化镓和碳化硅SIC技术成熟密不可分，据悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案产品体积更小，散热更好，效率比超快恢复管提高2个百分点以上。
2021-04-01 09:23:261413 瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）基础科学学院的Tobias Kippenberg教授带领的科学家团队已经开发出一种采用氮化硅衬底制造光子集成电路的新技术，得到了创记录的低光学损耗，且芯片尺寸小。
2021-05-06 14:27:392334 据报道，光子集成电路（PIC）通常采用硅衬底，大自然中有丰富的硅原料，硅的光学性能也很好。但是，基于硅材料的光子集成电路无法实现所需的各项功能，因此出现了新的材料平台。氮化硅（Si3N4）就是其中
2021-05-07 16:00:102754 
近日，瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）教授Tobias Kippenberg团队开发出一种采用氮化硅衬底制造集成光子电路（光子芯片）技术，得到了创纪录的低光学损耗，且芯片尺寸小。相关研究在《自然—通讯》上发表。
2021-05-24 10:43:384490 在中红外波长下，演示了一种具有大纤芯-包层指数对比度的锗基平台——氮化硅锗波导。仿真验证了该结构的可行性。这种结构是通过首先将氮化硅沉积的硅上锗施主晶片键合到硅衬底晶片上，然后通过层转移方法获得氮化硅上锗结构来实现的，该结构可扩展到所有晶片尺寸。
2021-12-16 17:37:571073 
关键词:氮化硅，二氧化硅，磷酸，选择性蚀刻，密度泛函理论，焦磷酸 介绍 信息技术给我们的现代社会带来了巨大的转变。为了提高信息技术器件的存储密度，我们华林科纳使用浅沟槽隔离技术将半导体制造成无漏
2021-12-28 16:38:085460 
摘要 本文研究了氮化硅（氮化硅）基底的不同表面预处理（四种标准化学蚀刻和四种金刚石粉末磨刻(CVD)的效率。空白氮化硅样品用胶体二氧化硅(0.25m)抛光。金刚石成核和生长运行在微波等离子体化学
2022-01-21 15:02:04652 
本文提供了在衬底表面上沉积碳化硅薄膜的方法。这些方法包括使用气相碳硅烷前体，并且可以釆用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可以在低于600“C的温度下进行，例如在大约23丁和 大约200V之间
2022-02-15 11:11:143427 
磷酸(H3PO4) -水(H2O)混合物在高温下已被使用多年来蚀刻对二氧化硅(二氧化硅)层有选择性的氮化硅(Si3N4)。生产需要完全去除Si3N4，同时保持二氧化硅损失最小。批量晶片清洗的挑战是如何保持Si3N4对二氧化硅的高蚀刻选择性，以获得更长的槽寿命。
2022-02-15 11:25:592557 
摘要 等离子体蚀刻工艺，特别适用于在具有非氧化物成分的特征上选择性蚀刻氧化物，例如氮化硅，尤其是当该特征具有在氧化物蚀刻期间易于刻面的角部时。主要的含氟气体，优选六氟丁二烯 (C4F6)，与显着更大
2022-02-24 13:42:292426 
近十年来，湿化学法制备超薄二氧化硅/硅和超薄二氧化硅/硅结构的技术和研究取得了迅速发展。这种结构最重要是与大尺寸硅晶片上氧化物层的均匀生长有关。
2022-03-11 13:57:22828 
本文介绍了我们华林科纳采用氮化硅膜作为掩膜，采用湿蚀刻技术制备黑硅，样品在250~1000nm波长下的吸收率接近90%。实验结果表明，氮化硅膜作为掩模湿蚀刻技术制备黑硅是可行的，比飞秒激光、RIE
2022-03-29 16:02:59819 
本文提供了用于蚀刻膜的方法和设备。一个方面涉及一种在衬底上蚀刻氮化硅的方法，该方法包括:(a)将氟化气体引入等离子体发生器并点燃等离子体以a形成含氟蚀刻溶液；(b)从硅源向等离子体提供硅；以及
2022-04-24 14:58:51979 
评估各种清洗技术的典型方法是在晶片表面沉积氮化硅(Si，N4)颗粒，然后通过所需的清洗工艺处理晶片。国家半导体技术路线图规定了从硅片上去除颗粒百分比的标准挑战，该挑战基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:381242 
硅局部氧化(LOCOS)的隔离效果比整面全区覆盖式氧化效果好。LOCOS工艺使用一层很 薄的二氧化硅层200-500A作为衬垫层以缓冲LPCVD氮化硅的强张力。经过氮化硅刻蚀、光 刻胶剥除和晶圆清洗后，没有被氮化硅覆盖的区域再生长出一层厚度为3000〜5000 A的氧化 层。
2022-08-12 11:18:057917 在半导体湿法蚀刻中， 热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺， 实践中发现温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制。 从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发， 我们华林科纳分析了影响蚀刻率的各个因素， 并通过
2022-08-30 16:41:592998 
材料。而氮化硅陶瓷板在各方面比较均衡，也是综合性能最好的结构陶瓷材料。因此，Si3N4氮化硅在电力电子器件陶瓷基板制造领域具有很强的竞争力。 过去，电路基板是由分立元件或集成电路与分立元件组合而成的平面材料，以满足整
2022-10-07 10:22:001544 
。但是，作为绝缘体安装在陶瓷基板上的半导体元件是散热还是冷却，提高作为热传导介质的氮化硅陶瓷基板的热传导性是主要问题。
2022-10-13 16:29:58670 如今高导热氮化硅陶瓷基板因其优异的机械性能和高导热性而成为下一代大功率电子器件不可缺少的元件，适用于复杂和极端环境中的应用。在这里，我们概述了制备高导热氮化硅陶瓷的最新进展。
2022-11-10 10:01:332010 2022年9月，威海圆环先进陶瓷股份有限公司生产的行业标准规格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高导热氮化硅陶瓷基板已经达到量产规模，高导热氮化硅陶瓷基板各项理化指标到了国际上行业领军的质量水平，突破了西方先进国家在高导热氮化硅陶瓷基板的技术保护和应用产品对我国“卡脖子”难题。
2022-11-11 16:36:574150 
针对越来越明显的大功率电子元器件的散热问题，主要综述了目前氮化硅陶瓷作为散热基板材料的研究进展。对影响氮化硅陶瓷热导率的因素、制备高热导率氮化硅陶瓷的方法、烧结助剂的选择、以及氮化硅陶瓷机械性能和介电性能等方面的最新研究进展作了详细论述
2022-12-06 09:42:40820 综合上述研究可发现，虽然烧结方式不一样，但都可以制备出性能优异的氮化硅陶瓷。在实现氮化硅陶瓷大规模生产时，需要考虑成本、操作难易程度和生产周期等因素，因此找到一种快速、简便、低成本的烧结工艺是关键。
2022-12-06 10:30:392408 等优点，广泛应用于电子器件封装。 由于具有优异的硬度、机械强度和散热性，氮化硅陶瓷和氮化铝陶瓷基板都可以制成用于电子封装的陶瓷基板，同时它们也具有不同的性能和优势。以下就是区别。 1、散热差异 氮化硅陶瓷基板的导热
2022-12-09 17:18:241219 
一旦硅开始达不到电路需求，碳化硅和氮化镓就作为潜在的替代半导体材料浮出水面。与单独的硅相比，这两种化合物都能够承受更高的电压、更高的频率和更复杂的电子产品。这些因素可能导致碳化硅和氮化镓在整个电子市场上得到更广泛的采用。
2022-12-13 10:01:358946 石英坩埚和石墨坩埚升级换代 可重复利用的高热导氮化硅陶瓷坩埚5项优势助力我国单晶硅行业提质增效 石英坩埚在单晶硅行业的应用 目前，国内拉制半导体单晶硅和拉制光伏单晶硅常用的是石英坩埚配合石墨坩埚
2022-12-14 16:27:301260 
采用如图2所示工艺制备获得石墨烯纳米孔。首先，通过低压化学气相沉积法在硅片两侧沉积200 nm的低应力氮化硅（Si3N4）薄膜。随后，通过光刻与反应离子刻蚀（RIE）工艺在背面Si3N4薄膜上刻蚀出硅基体释放窗口。接着使用氢氧化钾（KOH）刻蚀基体硅
2022-12-15 16:45:00561 随着集成电路工业的发展，电力电子器件技术正朝着高电压、大电流、大功率密度、小尺寸的方向发展。因此，高效的散热系统是高集成电路必不可少的一部分。
2022-12-20 10:06:062024 首先，沉积四乙基原硅酸盐氧化物（即使用正硅酸乙酯TEOS前驱的CVD氧化物，简称TEOS-ox）和氮化硅的复合层，并对TEOS-ox和氮化硅进行等离子体蚀刻，形成复合主侧墙。
2023-01-12 14:11:22704 氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化镓外延片因晶格失配或应力而产生翘曲，为目前全球氮化镓外延片主流制备方法。
2023-02-05 14:50:004345 进入90年代以后，第二代半导体砷化镓、磷化铟等具有高迁移率的半导体材料逐渐出现，使得有线通讯技术迅速发展。随后在本世纪初，碳化硅，氮化镓等具有宽禁带的第三代半导体材料也相继问世，将当代的信息技术推向了更高的台阶。
2023-02-06 17:02:521700 来源：《半导体芯科技》杂志 12/1月刊 现今，氮化硅（SiN）为光子集成提供了更多的途径，包括新的200mm、高产量、汽车级CMOS生产线。在过去的几年里，SiN紧随确立已久的硅光子学之后，该材料
2023-02-10 17:10:04532 现今，氮化硅（SiN）为光子集成提供了更多的途径，包括新的200mm、高产量、汽车级CMOS生产线。在过去的几年里，SiN紧随确立已久的硅光子学之后，该材料平台已经成熟，并在光子集成电路（PIC）市场上，为那些需要非常低传播损耗、可见波长或高激光功率的应用提供了新的机会。
2023-02-15 16:37:09878 
。
以往关于碳化硅晶须的研究较多。碳化硅晶须的强度和模量确实优于氮化硅晶须，但Si3N4晶须比SiC具有更优良的耐高温、高
强度、高模量、低膨胀和良好的化学稳定性，被认为是增强金属和陶瓷材料的理想增强组元。
2023-02-21 09:13:470 国产氮化硅陶瓷基板升级SiC功率模块，提升新能源汽车加速度、续航里程、轻量化、充电速度、电池成本5项性能优势
2023-03-15 17:22:551018 
氮化硅材料的引入，为人们提供了一个解决方案。氮化硅不仅具有多项优异的光学特性，而且氮化硅片上集成光波导的加工也能完美兼容当下标准的CMOS硅芯片制造工艺。目前，世界上仅少数几个实验室实现了0.01 dB每厘米甚至更低的光传输损耗。
2023-03-22 09:49:29506 氮化硅研磨环由于研磨环存在内外气压差，可以在密闭的真空或者很浓密的场景中快速的上下运动，氮化硅磨介圈在大的球磨机里不仅起到研磨粉碎的作用，更重要的是众多的氮化硅磨介圈环会发生共振现象，氮化硅
2023-03-31 11:40:35597 
氮化硅基板是一种新型的材料，具有高功率密度、高转换效率、高温性能和高速度等特点。这使得氮化硅线路板有着广泛的应用前景和市场需求，正因为如此斯利通现正全力研发氮化硅作为基材的线路板。
2023-04-11 12:02:401364 
近日，上海玻璃钢研究院有限公司的高级工程师赵中坚沿着该思路，以纯纤维状α-Si3N4粉为主要原料，通过添加一定比例氧化物烧结助剂，经冷等静压成型和气氛保护无压烧结工艺烧结制备出了能充分满足高性能导弹天线罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461279 新能源电动汽车爆发式增长的势头不可阻挡，氮化硅陶瓷基板升级SiC功率模块，对提升新能源汽车加速度、续航里程、充电速度、轻量化、电池成本等各项性能尤为重要。
2023-05-02 09:28:451170 
6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.5.2氧化
2022-01-17 09:18:16613 
的要求，传统的陶瓷基板如AlN、Al2O3、BeO等的缺点也日益突出，如较低的理论热导率和较差的力学性能等，严重阻碍了其发展。相比于传统陶瓷基板材料，氮化硅陶瓷由于
2022-12-05 10:57:121390 
目前常用的高导热陶瓷粉体原料有氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化铍（BeO）等。随着国家大力发展绿色环保方向，由于氧化铍有毒性逐渐开始退出历史的舞台。
2023-06-27 15:03:56544 
氮化硅陶瓷轴承球与钢质球相比具有突出的优点:密度低、耐高温、自润滑、耐腐蚀。疲劳寿命破坏方式与钢质球相同。陶瓷球作为高速旋转体产生离心应力，氮化硅的低密度降低了高速旋转体外圈上的离心应力。
2023-07-05 10:37:061561 
氮化铝具有较高的热导性，比氮化硅高得多。这使得氮化铝在高温环境中可以更有效地传导热量。
2023-07-06 15:41:231061 氮化硅是一种半导体材料。氮化硅具有优异的热稳定性、机械性能和化学稳定性，被广泛应用于高温、高功率和高频率电子器件中。它具有较宽的能隙（大约3.2电子伏特），并可通过掺杂来调节其导电性能，因此被视为一种重要的半导体材料。
2023-07-06 15:44:433823 以氮化镓（GaN）为代表的一系列具有纤锌矿结构的氮化物半导体是直接带隙半导体材料，其组成的二元混晶或三元混晶在室温下禁带宽度从0.7 eV到6.28 eV连续可调，是制备蓝绿光波段光电器件的优选材料。
2023-08-04 11:47:57742 
PECVD作为太阳能电池生产中的一种工艺，对其性能的提升起着关键的作用。PECVD可以将氮化硅薄膜沉积在太阳能电池片的表面，从而有效提高太阳能电池的光电转换率。但为了清晰客观的检测沉积后太阳能电池
2023-09-27 08:35:491776 
）级别氮化硅硅光芯片的量产，工艺良率超95%。 相对于传统硅光技术，氮化硅材料具有损耗低、光谱范围大、可承载光功率大等突出优点。此外，氮化硅硅光芯片也是优异的多材料异质异构平台，可集成磷化铟（InP）、铌酸锂（LiNbO₃）等材料，实现应用更
2023-11-17 09:04:54656 、结构、制备方法、特性以及应用方面存在着一些差异。以下将详细介绍碳化硅和氮化镓的区别。 1. 物理性质 碳化硅是由碳和硅元素组成的化合物，具有多种晶体结构，包括六方晶系、三方晶系和立方晶系。它具有较高的熔点、硬度、热导率和
2023-12-08 11:28:51742 京瓷株式会社（以下简称京瓷）成功研发用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下简称SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:06234 
在芯片制造中，有一种材料扮演着至关重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
2023-12-20 18:16:09511 
TOPCon 电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、BSG 去除和背面刻蚀、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝沉积、正背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试分选，约 12 步左右。从技术路径角度：LPCVD 方式为目前量产的主流工艺，预计 PECVD 路线有望成为未来新方向。
2023-12-26 14:59:112733 
氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料，在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面的差异。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18331 晶体管）结构。GaN HEMT由以下主要部分组成： 衬底：氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层：氮化镓衬底上生长一层氮化镓，形成二维电子气层。GaN材料的禁带宽度大，由于
2024-01-09 18:06:41667
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