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贸泽备货Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT赋能4G和5G通信应用

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2019-01-13 15:15:02

QPD1006 是一款 GaN-on-SiC HEMT 晶体管

QorvoQPD1006 是一款 GaN-on-SiC HEMT 晶体管,工作频率范围为 1.2 至 1.4 GHz。它提供 313 瓦的 CW 输出功率,增益为 17.5 dB,脉冲功率为
2022-10-13 11:47:06

QPD0011 晶体管

QPD0011产品简介QorvoQPD0011 是采用 DFN 封装的 SiC HEMT 上的非对称双路径分立式 GaN,工作频率范围为 3.3 至 3.6 GHz。在每条路径中都有一个单级
2023-05-09 14:15:07

QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化镓HEMT

Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化镓HEMTQorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅 (SiC) 基氮化镓 (GaN) HEMT(高电子迁移率晶体管
2024-02-26 22:58:56

5G移动基站系统运行与维护_-4G基站部署策略#硬声创作季

4G基站5G
Hello,World!发布于 2022-10-28 17:56:11

两部手机间是如何实现通信的?4G5G有什么区别?

4G5G
hycsystembella发布于 2023-07-28 11:49:25

Qorvo推出业内最强大的GaN-on-SiC晶体管

镓(GaN-on-SiC)RF晶体管---QPD1025。QPD1025在65 V下运行1.8KW,提供出色的信号完整性和更大的范围,这对L频段航空电子应用来说至关重要。 Strategy Analytics公司
2018-04-06 11:18:006850

Qorvo以琳琅满目的新品展示,领先世界的RF技术“C位出道”!

2018 年 IMS 展会上备受关注的另一款 Qorvo 产品是 QPD1025L 1800 W、双通道分立式 GaN-on-SiC HEMT。在《微波杂志》钻石周年纪念 (60) 版中采用
2018-08-10 16:49:205132

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