目前韩国日本之间的纠纷还没摆平，但是考虑到韩国三星、SK海力士两家公司占了全球70%以上的内存、50%以上的闪存生产，日本制裁对韩国的存储芯片产业影响会很大，如果双方不解决供应限制的话。威刚方面看好NAND闪存涨价，预计NAND闪存芯片将涨价10%到15%，而SSD硬盘也会有差不多的涨幅。
2019-07-09 09:28:02
1465 投资80亿美元。 根据一份新报告，三星将增加对中国芯片工厂的投资，以促进NAND闪存芯片的生产。据推测，在大笔投资之前，该公司预测由于供应有限以及对第五代网络和设备的需求增加，明年内存需求的激增将反弹。 目前，三星是全
2019-12-13 15:44:314230 三星目前已完成32层堆叠第二代V-NAND的研发作业，计划第3季推出48层堆叠第三代V-NAND产品后，于2016年生产64层堆叠的V-NAND产品。
2015-08-11 08:32:00720 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:436007 德赢Vwin官网
早八点讯：三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002000 MAX3232EUE+T的比例从62%上升到了80%。 日本东芝第二季度NAND闪存产品销售额环比下降9.5个百分点。相比之下，美光科技公司NAND闪存芯片的销售在整个供货商中获得了强劲增长。同样，美光与三星都因东芝
2012-09-24 17:03:43
三星LED大功率灯杯铝合金灯体：防撞、散热性好; 电镀,外表光滑，反光率高。
2019-11-05 09:02:01
三星LED灯珠高亮度、色彩丰富、可智 能化控制等优点，使其成为下一代照明光源的有力竞争者，绿色节能是其对社会最重要的贡献。
2019-09-30 09:00:46
三星S3C6410芯片手册
2016-01-29 13:47:21
的摄像头，整体成像质量出色，可满足用户的日常需求。三星I9000搭载了Android OS v2.1的智能操作系统，主频高达1GHz的处理器保证了整机的流畅运行，机身自带16GB的扩展存储，同时还支持高达
2011-05-04 18:51:39
三星大中华区首席技术官裵容徹先生表示，三星不断进行技术创新，新一代的QLC产品成本可以降低60%，同时还推出了容量高达1Tb的V-NAND技术，速度将会达到1200Mbps。在市场应用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
消费者的细分需求。”值得注意的是，此次三星也特别针对中国市场推出了“定制版”，即中端智能手机系列Galaxy A。而与苹果的高价策略不同的是，三星拉低了新款手机的售价。从以上动作来看，三星在中国市场的定位
2018-10-29 17:01:33
韩国三星电子日前宣布，位于中国陕西省西安市的半导体新工厂已正式投产。该工厂采用最尖端的3D技术，生产用于服务器等的NAND闪存（V-NAND）。三星电子希望在IT（信息技术）设备生产基地聚集的中国
2014-05-14 15:27:09
，三星未能跻身世界最大电脑生产商前五名，其产品则主要面向消费市场，而非企业用户。三星早前在Chromebook的推进上给予了极大支持，包括与教育机构合作等等，但并不清楚该公司在此项目上的具体收益如何。此外
2014-09-25 10:32:11
1,000颗，而400x500mm的面板上，则可以同时处理3,100颗的芯片，两者生产效率有相当程度的不同。此外，三星这颗AP可以兼顾电源管理IC，如果良率可以稳定，这比台积电单晶片封装当然技术更胜一筹
2018-12-25 14:31:36
三星宣布将开发手持式装置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）读取芯片，能让使用者透过手机得知产品和服务信息，但三星并未透露产品何时上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
拥有0.5英寸的透镜光圈和2.25.um的像素尺寸，配合三星专有的像素填充结构，能将填充因子提高55%以上。而铜技术的应用，则能有效提高聚焦效率和敏感性。 作为一项极具发展前途的新型成像技术，业内
2018-11-19 17:12:09
据美国研究公司ICInsights发布报告预计，销售额显示，三星电子有很大可能性，超过英特尔成为全球最大的芯片商。 油柑网利用WMS物流系统在高准确率、优化仓储空间、提高人工效率等方面的特点，为用户
2019-04-24 17:17:53
请问哪位有三星的2440u***驱动的，需要win7 64位的？
2014-08-07 12:19:51
请教一下各位大神，2A的整流桥用快恢复管来做，是否ＥＭＩ会很好呢？三星的手机充电器 在用。
2016-12-15 11:14:05
管理不稳定的消息。在这次会议中，三星首席财务官李相勋入选为三星董事会主席，他将于明年三月正式接替权五铉。与此同时，金奇南、金炫奭和高东真也成为了三星电子新的联席CEO，以此来看，三星将维持目前三个联席
2017-11-01 15:56:56
三星贴片电阻的卷带上的标签上有个P M2，在条码的旁边有时候是PM3或S之类的，哪位大虾告诉我下，那是什么意思啊？
2012-07-28 16:37:17
和iPhone就要向三星支付8位数的现金。同时，这还会帮助三星提高在全球智能手机市场的优势。根据以上分析，苹果和英特尔合作将给两家公司带来巨大的好处。这个交易将使三星的处境更加不利。因此，我们非常欢迎今年推出
2013-03-12 11:40:10
本帖最后由 elecfans跑堂 于 2015-9-14 10:19 编辑
新五代的密码哦
2015-09-12 12:17:58
衍生了一些新的技术，来助力其闪存产品向3D方向发展。其中，就包括了三星的V-NAND、东芝的BiCS技术3D NAND、英特尔的3D XPoint等。三星在3D NAND闪存上首先选择了CTF电荷撷取
2020-03-19 14:04:57
的BCH8 ECC。 uboot 和kernel dts里面都是BCH8。工作正常。现在要换成三星的K9K8G08U0E我看了下芯片手册，发现page/block/sub-page size之类的都是
2018-06-21 07:09:15
海力士也将在2021年中推出基于176层4D NAND新技术的UFS和SSD产品。而三星虽然还未宣布下一代产品具体层数，但是近期也在公开会议中表示，将在2021年量产第七代V-NAND，使用“双堆栈
2022-01-26 08:35:58
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2021-04-28 18:52:33
交流跳周模式提高了PFC轻负载效率
2021-04-06 09:04:35
Windows 10 IoT2. 三星/KLMAG2GEUF-B04P/16GB eMMC5.1 成功运行Windows 10 IoT。3、以上两台三星eMMC烧录ubuntu系统运行正常，但在运行Wingdows 10 IoT时有区别。4.图为操作失败与成功对比。
2023-03-17 09:03:23
的eMRAM模块，只要增加3个掩模，就可以集成到芯片制造过程的后端。因此，该模块被允许插入使用批量、FinFET或FD-SOI制造工艺生产的芯片中，而不一定取决于所使用的前端制造技术。 由此也可以看出，三星
2023-03-21 15:03:00
对DRAM芯片的强劲需求将继续超过供应，因三星和第二大记忆体芯片厂商SK海力士的新厂料在2019年前不会投产；此外，截至9月NAND闪存的需求则连续第六季超过供应。供苹果新手机使用的有机发光二极体（OLED）面板的销售增长，也支撑了第四季获利创纪录新高的预期。
2017-10-13 16:56:04
华为三星苹果高通的差异买IP做集成不宜包装为掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
是深圳市友坚恒兴科技有限公司基于三星平板方案设计的经验，结合广泛调开设计的一款S5P4418处理器开发板。该方案基于三星新一代28nm从CortexA9四核CPU的开发平台。整合了目前工业、消费、车载等行业
2016-07-01 14:04:09
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2021-08-20 19:11:25
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2021-09-09 19:05:33
的3D闪存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND闪存（3DNAND闪存中的一种），率先支持ToggleDDR4．0接口，传输速度达到了1．4Gbps，相比64层堆栈的V－NAND闪存提升了40
2021-07-13 06:38:27
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2021-04-14 19:04:16
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2021-03-10 17:45:41
你好，我创建了我的“BLE应用程序”，比如“FunMe”示例。我有很大的问题，因为我的应用程序返回GATT错误0x85与三星S5，而三星S4工作良好。我该怎么解决呢？有特定的设置吗？最好的问候阿尔贝托
2019-11-01 10:16:37
手机进水了怎么办？三星手机
2013-05-13 17:34:01
(OSS) 的战略是三星取得成功的基石，使公司能够最大限度地利用开源软件并提高效率，同时还能管理许可、合规以及其它相关风险。为防止开源软件风险蔓延和开源软件技术资产受损，三星SDS的众多开源软件专家
2023-03-02 14:20:49
有什么方法能证明混合电子传输层提高了器件效率？该如何去操作这类实验？
2021-04-07 06:16:45
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手册说有Unique ID可以用，但是没有说明具体怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手册中有看到OTP区域，可以来保存Unique
2017-03-21 09:22:02
1概述嵌入式系统要在5G时代中蓬勃发展，就需要针对5G特点，进行有针对性的应用于创新。1.15G的特点第五代移动通信技术的特点主要在：（1）高速率，5G网络的下载速度高达10 Gbit/s,，比4G
2021-12-22 08:05:19
DNW软件只能用于三星的ARM芯片吗？
2019-08-05 22:52:59
请问一下RK3399芯片启动需要像三星一样的bl1吗？求大神解答
2022-07-11 09:32:16
夏普(原富士康科技集团CCPBG事业群兼人资总处总经理戴正吴任夏普会长)之后,决定不再向三星电子供应面板;三星和LG在2008年的时候曾经联手打压奇美电子(富士康子公司,生产面板)与友达,当时前2者一直
2016-12-18 01:18:05
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2021-07-06 19:32:41
回收三星字库，全国回收三星字库。帝欧长期回收ssd固态硬盘，回收服务器内存条，回收硬盘，回收cpu,回收芯片，回收传感器，收购连接器，收购钽电容，回收sd卡，收购tf卡。回收工厂库存ic，大量收购工厂
2021-02-23 17:54:12
供应XPD318BP25 三星25w充电器协议芯片单c口支持三星25w方案 ，广泛应用于AC-DC 适配器、USB 充电设备等领域，更多产品手册、应用料资请向深圳富满微代理骊微电子申请。>>
2023-05-29 10:09:46
韩国三星电子公司周一说，它和苹果电脑公司就合资生产NAND闪存芯片的谈判已告失败。NAND闪存芯片是苹果最新便携音乐播放
2006-03-13 13:05:36391 W-CDMA电源极大地提高了发送效率
Abstract: The MAX1820 switch-mode power supply is optimized to improve
2009-07-22 13:11:06588 
三星宣布开始量产两种新型30nm制程NAND闪存芯片
三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司
2009-12-02 08:59:23535 NOR闪存/NAND闪存是什么意思
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在：
1) 闪存芯片读写的基本单位不同
2010-03-24 16:34:358226 东芝(微博)公司计划将NAND闪存芯片的产量削减30%，为2009年以来首次减产。
2012-07-24 09:08:06793 3月7日消息，虽然东芝是NAND闪存芯片的发明者，但三星目前已经是NAND芯片行业的领跑者，并且其优势在不断扩大。
2017-03-07 15:53:451320 做为世界最大的记忆芯片生产商，三星将在2021年前对位于平泽市的NAND闪存工厂投入14.4万亿韩元。此外，位于华城市的半导体生产线也将拿到6万亿韩元的投资。剩下的1万亿韩元，将分配给三星位于韩国的OLED屏幕工厂。同时，三星还计划为西安的NAND闪存生产基地添置一条新的生产线。
2017-07-04 15:57:30928 三星NAND闪存规格书 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:26
35 据悉，东芝的第 6 座工厂（Fab 6）还没有完工，东芝就宣布将在日本兴建第7座NAND Flash工厂，韦德就是能在2018年与三星，Intel、及 SK 海力士进行实力竞争。94 层 V-NAND 闪存生产将会是东芝的下一个计划。
2017-12-27 14:06:091774 西安3D V-NAND芯片厂是三星最大的海外投资项目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片厂。今日报道，工业气体供应商空气产品公司将助力三星生产的3D V-NAND闪存芯片，宣布将为3D V-NAND芯片厂供气。
2018-02-03 11:07:271031 位于西安高新技术开发区的芯片厂是三星电子最大的海外投资项目之一，也是中国最先进的半导体工厂之一。其生产的3D V-NAND闪存芯片广泛应用于嵌入式NAND存储、固态硬盘、移动设备和其它消费电子产品。
2018-02-09 10:18:467373 在旧金山的闪存峰会上，三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒，容量高达1Tb，用于消费级产品。
2018-05-16 23:41:00759 三星电子今天宣布，已经开始批量生产业内首款512GB嵌入式通用闪存（eUFS），以用于下一代移动设备。据介绍，三星512GB eUFS采用了三个三星最新的64层512千兆（Gb）V-NAND芯片和一个控制器芯片。
2018-07-10 09:39:00758 三星终于宣布开始大规模生产其第五代V-NAND存储芯片，声称其堆叠层数超过90层，可能指的是其96层，制造生产率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可拥有更高的传输速度。
2018-07-12 14:46:001645 据外媒7月10日报道，顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
2018-07-13 14:22:053683 三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存业界首次采用Toggle DDR 4.0接口，传输速率提升至1.4Gbps，与前代64层堆栈的V-NAND闪存相比提升了40%。数据写入延迟仅为500微秒，比上代提升30％，而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。
2018-07-17 11:52:172678 面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况，三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒，堆栈数将超过90层。
2018-07-24 14:36:327173 6月15日，三星电子宣布已经开始量产第四代64层256Gb V-NAND，与48层256Gb V-NAND相比，生产效率将提高30%以上。东芝/西部数据、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571115 的单位面积上，TLC闪存比MLC存储的数据更多，而MLC又比SLC存储的数据多。另一种新型的NAND闪存称为3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通过在同一晶圆上垂直堆叠多层存储单元，这种类型的闪存可以获得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462 
在2016年的旧金山闪存峰会上，三星公布了Z-NAND与Z-SSD的相关信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM内存和NAND闪存之间）、包含独特的电路设计与优化后的主控，三星于是用Z-NAND来命名这款闪存芯片。
2019-08-31 09:43:425566 三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-03 10:38:04624 三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-09 16:05:251151 据了解，136层第六代V-NAND闪存是三星今年的量产主力。韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺，从现在的单堆栈（single-stack）升级到双堆栈（double-stack），以便制造更高层数的3D闪存。
2020-04-20 09:06:01473 继三星去年实现量产128层第六代NAND闪存芯片后，又在两个月前宣布将完成160层第七代NAND闪存芯片的开发，目前看来三星已经将对手远远甩在身后。
2020-06-18 16:06:511889 我们都知道，构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营，今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。
2020-09-18 14:34:527052 据国外媒体报道，专注于3D NAND闪存设计制造的长江存储，将提高NAND闪存芯片的出货量。
2020-09-22 17:11:492026 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212081 / s，高于其96层和128层闪存的 1200MT/s。与 96L NAND相比，读（写）延迟提高了35% 以上，与128LNAND 相比，提高了25%以上。美光表示其176层3D NAND已开始批量生产
2020-11-13 14:25:131552 众所周知，三星电子在NAND闪存芯片市场上一直保持领先地位，占有30％以上的份额。但是，由于竞争对手开始表现出更好的工艺，它们似乎在挑战三星的技术能力。
2021-02-26 15:49:372217 市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3D scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，更好地提供差异化产品和解决方案，有望成为未来存储创新的基础。
2022-11-07 10:33:55449 * 三星第8代V-NAND具有目前三星同类产品中最高的存储密度，可更高效地为企业扩展存储空间 深圳2020年11月8日 /美通社/ -- 作为全球化的半导体企业，正如在2022年度闪存峰会
2022-11-08 13:37:36578 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
2022-12-06 10:39:31328 三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划，预计在2024年推出第九代3D NAND，其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:291744 据《电子时报》报道，三星提出的512gb nand闪存晶片单价为1.60美元，比2023年初的1.40美元约上涨15%。但消息人士表示，由于上下nand闪存的库存缓慢，很难说服上调价格。
2023-08-02 11:56:24762 三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为，三星的nand闪存产量可能会减少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1业绩中，由于市场持续低迷，三星电子正式公布了存储器减产计划。
2023-08-16 10:23:58423 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282 新的宽带隙半导体技术提高了功率转换效率
2023-11-30 18:00:18216 
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