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IGBT的保护 摘要：通过对IGBT损坏机理的分析，根据其损坏的原因，采取相应措施对其进行保护，以保证其安全可靠工作。 关键词：IGBT；MOSFET；驱动；过压；浪涌；缓冲；过流；过热；保护
0 引言 绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，因此，可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点，又具有双极型器件容量大的优点，因而，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。 在中大功率的开关电源装置中，IGBT由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点，已逐步取代晶闸管或GTO。但是在开关电源装置中，由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下，使得它容易损坏，另外，电源作为系统的前级，由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大，故IGBT的可靠性直接关系到电源的可靠性。因而，在选择IGBT时除了要作降额考虑外，对IGBT的保护设计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节。 1 IGBT的工作原理 IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
图1 IGBT的等效电路 由此可知，IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定： ——IGBT栅极与发射极之间的电压； ——IGBT集电极与发射极之间的电压； ——流过IGBT集电极－发射极的电流； ——IGBT的结温。 如果IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则IGBT不能稳定正常地工作，如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏；同样，如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极－发射极之间的耐压，流过IGBT集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的最大电流，IGBT的结温超过其结温的允许值，IGBT都可能会永久性损坏。
在进行电路设计时，应针对影响IGBT可靠性的因素，有的放矢地采取相应的保护措施。 2．1 IGBT栅极的保护 IGBT的栅极－发射极驱动电压VGE的保证值为±20V，如果在它的栅极与发射极之间加上超出保证值的电压，则可能会损坏IGBT，因此，在IGBT的驱动电路中应当设置栅压限幅电路。另外，若IGBT的栅极与发射极间开路，而在其集电极与发射极之间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在，使得栅极电位升高，集电极－发射极有电流流过。这时若集电极和发射极间处于高压状态时，可能会使IGBT发热甚至损坏。如果设备在运输或振动过程中使得栅极回路断开，在不被察觉的情况下给主电路加上电压，则IGBT就可能会损坏。为防止此类情况发生，应在IGBT的栅极与发射极间并接一只几十kΩ的电阻，此电阻应尽量靠近栅极与发射极。如图2所示。
图2 栅极保护电路 由于IGBT是功率MOSFET和PNP双极晶体管的复合体，特别是其栅极为MOS结构，因此除了上述应有的保护之外，就像其他MOS结构器件一样，IGBT对于静电压也是十分敏感的，故而对IGBT进行装配焊接作业时也必须注意以下事项： ——在需要用手接触IGBT前，应先将人体上的静电放电后再进行操作，并尽量不要接触模块的驱动端子部分，必须接触时要保证此时人体上所带的静电已全部放掉； ——在焊接作业时，为了防止静电可能损坏IGBT，焊机一定要可靠地接地。 2．2 集电极与发射极间的过压保护 过电压的产生主要有两种情况，一种是施加到IGBT集电极－发射极间的直流电压过高，另一种为集电极－发射极上的浪涌电压过高。 2.2.1 直流过电压 直流过压产生的原因是由于输入交流电源或IGBT的前一级输入发生异常所致。解决的办法是在选取IGBT时，进行降额设计；另外，可在检测出这一过压时分断IGBT的输入，保证IGBT的安全。 2.2.2 浪涌电压的保护 因为电路中分布电感的存在，加之IGBT的开关速度较高，当IGBT关断时及与之并接的反向恢复二极管逆向恢复时，就会产生很大的浪涌电压Ldi/dt，威胁IGBT的安全。 通常IGBT的浪涌电压波形如图3所示。
图3 IGBT的浪涌电压波形 图中：vCE为IGBT集电极－发射极间的电压波形； ic为IGBT的集电极电流； Ud为输入IGBT的直流电压； VCESP=Ud＋Ldic/dt,为浪涌电压峰值。 如果VCESP超出IGBT的集电极－发射极间耐压值VCES，就可能损坏IGBT。解决的办法主要有： ——在选取IGBT时考虑设计裕量； ——在电路设计时调整IGBT驱动电路的Rg，使di/dt尽可能小； ——尽量将电解电容靠近IGBT安装，以减小分布电感； ——根据情况加装缓冲保护电路，旁路高频浪涌电压。 由于缓冲保护电路对IGBT的安全工作起着很重要的作用，在此将缓冲保护电路的类型和特点作一介绍。 ——C缓冲电路 如图4(a)所示，采用薄膜电容，靠近IGBT安装，其特点是电路简单，其缺点是由分布电感及缓冲电容构成LC谐振电路，易产生电压振荡，而且IGBT开通时集电极电流较大。 ——RC缓冲电路 如图4(b)所示，其特点是适合于斩波电路，但在使用大容量IGBT时，必须使缓冲电阻值增大，否则，开通时集电极电流过大，使IGBT功能受到一定限制。 ——RCD缓冲电路 如图4(c)所示，与RC缓冲电路相比其特点是，增加了缓冲二极管从而使缓冲电阻增大，避开了开通时IGBT功能受阻的问题。
（a）C缓冲电路 （b）RC缓冲电路
（c）RCD缓冲电路 （d）放电阻止型缓冲电路 图4 缓冲保护电路 该缓冲电路中缓冲电阻产生的损耗为 P= 式中：L为主电路中的分布电感； I为IGBT关断时的集电极电流； f为IGBT的开关频率； C为缓冲电容； Ud为直流电压值。 ——放电阻止型缓冲电路如图4(d)所示，与RCD缓冲电路相比其特点是，产生的损耗小，适合于高频开关。 在该缓冲电路中缓冲电阻上产生的损耗为 P= 根据实际情况选取适当的缓冲保护电路，抑制关断浪涌电压。在进行装配时，要尽量降低主电路和缓冲电路的分布电感，接线越短越粗越好。 2．3 集电极电流过流保护 对IGBT的过流保护，主要有3种方法。 2.3.1 用电阻或电流互感器检测过流进行保护 如图5（a）及图5（b）所示，可以用电阻或电流互感器与IGBT串联，检测流过IGBT集电极的电流。当有过流情况发生时，控制执行机构断开IGBT的输入，达到保护IGBT的目的。 2.3.2 由IGBT的VCE(sat)检测过流进行保护 如图5（c）所示，因VCE(sat)=IcRCE(sat)，当Ic增大时，VCE(sat)也随之增大，若栅极电压为高电平，而VCE为高，则此时就有过流情况发生，此时与门输出高电平，将过流信号输出，控制执行机构断开IGBT的输入，保护IGBT。 2.3.3 检测负载电流进行保护 此方法与图5（a）中的检测方法基本相同，但图5（a）属直接法，此属间接法，如图5（d）所示。若负载短路或负载电流加大时，也可能使前级的IGBT的集电极电流增大，导致IGBT损坏。由负载处（或IGBT的后一级电路）检测到异常后，控制执行机构切断IGBT的输入，达到保护的目的。
（a）用电阻检测过流 （b）用电流互感器检测过流
（c）由VCE(sat)检测过流 （d）通过负载电流检测过流 图5 集电极过流保护电路 2．4 过热保护 一般情况下流过IGBT的电流较大，开关频率较高，故而器件的损耗也比较大，如果热量不能及时散掉，使得器件的结温Tj超过Tjmax，则IGBT可能损坏。 IGBT的功耗包括稳态功耗和动态动耗，其动态功耗又包括开通功耗和关断功耗。在进行热设计时，不仅要保证其在正常工作时能够充分散热，而且还要保证其在发生短时过载时，IGBT的结温也不超过Tjmax。 当然，受设备的体积和重量等的限制以及性价比的考虑，散热系统也不可能无限制地扩大。可在靠近IGBT处加装一温度继电器等，检测IGBT的工作温度。控制执行机构在发生异常时切断IGBT的输入，保护其安全。 除此之外，将IGBT往散热器上安装固定时应注意以下事项： ——由于热阻随IGBT安装位置的不同而不同，因此，若在散热器上仅安装一个IGBT时，应将其安装在正中间，以便使得热阻最小；当要安装几个IGBT时，应根据每个IGBT的发热情况留出相应的空间； ——使用带纹路的散热器时，应将IGBT较宽的方向顺着散热器的纹路，以减少散热器的变形； ——散热器的安装表面光洁度应≤10μm，如果散热器的表面不平，将大大增加散热器与器件的接触热阻，甚至在IGBT的管芯和管壳之间的衬底上产生很大的张力，损坏IGBT的绝缘层； ——为了减少接触热阻，最好在散热器与 IGBT模块间涂抹导热硅脂。 3 结语 在应用IGBT时应根据实际情况，采取相应的保护措施。只要在过压、过流、过热等几个方面都采取有效的保护措施后，在实际应用中均能够取得良好的效果，保证IGBT安全可靠地工作。 |
IGBT的保护
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2015-06-11 16:41:4658
58如何降低三相IGBT逆变器设计系统成本
（PWM）控制输出电压。 三相逆变器还使用6个隔离式栅极驱动器驱动IGBT。除了IGBT和隔离式栅极驱动器，三相逆变器还含有直流母线电压感应、逆变器电流感应与过热、过载和接地故障等IGBT保护。 在暖通空调、太阳能泵等许多终端应用中，平衡成本与
2017-04-26 11:43:00541
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脉冲变压器怎样组成IGBT驱动？快速检查IGBT元器件损坏的方法
IGBT元件往往采用多并联形式，因此如果某个IGBT元件发生故障，将会导致并联回路中的大量IGBT损坏。而常用的快速检测方法中或多或少存在着一些无法避免的缺点，因此需要一种新的快速检测法来满足满足IGBT保护的实际要求。
2017-05-24 10:49:2510502
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绝缘栅双极晶体管（IGBT）的保护
绝缘栅双极晶体管（IGBT， Insulated-Gate Bipolar Transistor）需要充分的保护以避免短路、过载和过电压等错误情况所造成的损坏和故障，这些保护是确保如电机驱动以及
2017-09-12 11:00:4018
18触摸式电磁炉整体方案解析
有频率为20-50KHz的电流流过，励磁线圈产生高频磁场，若有铁锅置于炉面上，则锅底产生涡流，涡流克服锅内阻而转换成热能。 由于电磁炉是采用这种磁场感应电流的加热原理，它的关键元器件是大功率IGBT高速交替开关，IGBT的保护是电磁炉的重点
2017-10-16 16:55:254
4IGBT保护电路设计必备知识及相关问题分析
本文论述了IGBT的过流保护、过压保护与过热保护相关问题，并从实际应用中总结出各种保护方法，这些方法实用性强，保护效果好，是IGBT保护电路设计必备知识。 IGBT（绝缘栅双极性晶体管）是一种
2017-12-04 09:15:042946
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电力电子系统中驱动器对IGBT保护的分析
如果短路发生在负载通道或者桥接旁路，IGBT的集电极电流完全增大，造成晶体管饱和。如今市场上的IGBT模块只能防短路很短的时间。为了防止IGBT被热负荷摧毁，在安全时间内检测到短路并且可靠地关断IGBT是至关重要的。
2018-06-29 15:33:00639
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IGBT保护电路的过流保护设计方案解析
，一旦出现意外就会使它损坏。为此，必须但对IGBT进行相关保护。 过流保护 生产厂家对IGBT提供的安全工作区有严格的限制条件，且IGBT承受过电流的时间仅为几微秒（SCR、GTR等器件承受过流时间为几十微秒），耐过流量小，因此使用IGBT首要注意的是
2017-12-10 11:46:3916
16各种IGBT驱动电路和IGBT保护方法解析
【导读】保证 IGBT 的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用，本文讨论IGBT驱动电路和IGBT的保护，包括驱动电路 EXB841 /840、 M57959L /M57962L厚膜驱动电路
2017-12-11 10:05:09137
137IGBT保护电路设计方法的详细中文资料说明
一旦发生短路，IGBT的集电极电流增加到超过既定值，则C-E间的电压急剧增加。根据这种特性，可以将短路时的集电极电流控制在一定的数值以下，但是在IGBT上仍然有外加的高电压、大电流的大负荷，必须
2018-06-20 08:00:0040
40IGBT设计使用指南（芯片资料+电路实例+multisim仿真）
本资料的主要内容详细介绍了IGBT相关使用指南，包括用于IGBT驱动的集成 芯片 TLP250、EXB8..Series等芯片的结构简图，典型特征和使用方法；IGBT保护 电路 的应用实例和设计方法
2019-04-11 16:49:44101
101IGBT保护电路缺陷的解决方案
IGBT失效场合：来自系统内部，如电力系统分布的杂散电感、电机感应电动势、负载突变都会引起过电压和过电流；来自系统外部，如电网波动、电力线感应、浪涌等。归根结底，IGBT失效主要是由集电极和发射极的过压/过流和栅极的过压/过流引起。
2019-09-02 09:40:324439
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使用隔离放大器实现高成本效益的充分IGBT保护方案
绝缘栅双极晶体管（IGBT， Insulated-Gate Bipolar Transistor）需要充分的保护以避免短路、过载和过电压等错误情况所造成的损坏和故障，这些保护是确保如电机驱动以及
2021-03-15 15:11:162460
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ACPL-336J光耦隔离驱动应用笔记
说ACPL-336J是光耦隔离驱动的祖先，其实是彻底错误的，因为在它之前AVAGO还有很多歌版本。但是如果说它的生父AVAGO公司是光耦隔离驱动的祖先应该是没错的。 中功率小功率的IGBT保护与驱动，用ACPL-336J再好不过了，如果不是特别特别抠成本的话。...
2021-11-09 15:51:0075
75功率器件测试仪系统 & 能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......
、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。测试种类覆盖 7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。高压
2021-12-22 18:56:3220
20半导体分立器件静态参数测试系统 & DCT1401 天光测控
/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。测试种类覆盖 7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类
2021-12-22 18:56:4315
15IGBT保护技术在光伏逆变器的应用
光伏逆变器是光伏系统非常重要的一个设备，主要作用是把光伏组件发出来的直流电变成交流电，除此之外，逆变器还承担检测组件、电网、电缆运行状态，和外界通信交流，系统安全管家等重要功能。一款全新逆变器的产出需要两年多的时间，前期需要投入大量的人力和物力去研发和测试。
2022-03-31 15:06:593006
3006IGBT保护的问题：短路保护和过流保护
电流传感器检测主要采用闭环霍尔电流传感器进行采样，受限于霍尔传感器的频带宽度及控制采样电路的延迟，实时性可能还有待提高；di/dt检测主要是依据IGBT的功率E级和驱动E级之间的寄生电感来判断电流的大小，而此电感参数并不容易测量。
2022-09-05 10:00:492209
2209半导体功率器件静态参数测试仪系统介绍
(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。
测试种类覆盖 7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测
类”等品类的繁多的电子元器件。
高压源标配
2023-02-15 15:47:180
0IGBT的使用与保护
目前IGBT 的电流/电压等级已达1800A/1200V，关断时间已经缩短到40ns，工作频率可达40kHz，擎住现象得到改善，安全工作区（SOA）扩大。这些优越的性能使得IGBT 称为大功率开关电源、逆变器等电力电子装置的理想功率器件。
2023-02-16 15:02:081798
1798IGBT的短路保护和过流保护
IGBT保护的问题 现在只总结IGBT驱动电路和驱动芯片能保护到的IGBT的项。1.Vce过压2.Vge过压3.短路保护4.过高的di/dt 主要是看一下短路保护和过流保护短路的定义1.桥臂内短路
2023-02-23 09:57:0015
15DCT1401晶体管测试仪系统
/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。
测试种类覆盖 7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测
类”等品类的繁多的电子元器件。
2023-02-24 10:02:543
3DCT1401晶体管静态参数测试仪系统
)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。
测试种类覆盖 7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测
类”等品类的繁多的电子元器件。
2023-02-24 09:58:000
0DCT1401晶体管图示仪
/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。
测试种类覆盖 7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测
类”等品类的繁多的电子元器件。
2023-02-24 10:01:210
0DCT1401分立器件测试仪系统
/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。
测试种类覆盖 7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测
类”等品类的繁多的电子元器件。
2023-02-24 09:46:510
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