通过变换得到电流，电压，电容之间的数学关系。
2023-02-17 18:03:05
5450 
二极管结电容分为两种：势垒电容和扩散电容。二极管的结电容等于两者之和，在PN结反偏的情况下，势垒电容主导作用。在PN结正偏的情况下，扩散电容主导作用。节电容并不是两个管脚引起杂散电容，是由于PN节的特性产生的。
2023-06-27 16:34:294932 
下面简要推导PN结导通状态下的电荷浓度分布以及电流、电压的关系。
2023-11-28 16:32:04479 
EE工程师都会面临MOSFET的选型问题，无论是功率级别应用的Power MOS还是信号级别的Signal MOSFET，他们的Datasheet中，一定会给出MOSFET的三个结电容随Vds电压变化的曲线。
2023-12-05 17:32:552319 
` 0402作为小体积贴片式陶瓷电容，主要针对的应用领域是通讯设备类，0402的常用容值范围：1PF-10UF，那么，0402贴片电容不同容值相对应的电压关系是什么呢？ 04021PF—10NF电压
2017-07-07 08:55:53
【100V17A低结电容低开启低内阻MOS管加湿器雾化器方案】【惠海MOS管】高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、SGT工艺，开关损耗
2020-10-13 11:14:00
型号:HC021N10L参数：100V 35A 类型：N沟道场效应管内阻20mR低结电容1880pF 封装：贴片（TO-252）低开启电压1.8V低结电容，低内阻，低开启电压，温升低，转换效率高
2021-01-12 16:08:55
） HC030N10L是一款采用SGT工艺MOS管，低开启电压1.5V，低内阻，低结电容,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强 HC030N10L可以应用于LED驱动电源，电弧打火机
2020-12-12 11:41:22
：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低内阻，低结电容,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强HC018N10L是一款专门为应用于电弧打火机市场设计开发的一款结MOS管，低开启电压
2020-10-15 11:51:46
HG012N06LMOS管参数：60V50A（50N06）内阻：13mR（VGS=10V）结电容：550pF 类型：SGT工艺NMOS开启电压：1.8V封装：TO-252惠海半导体HG012N06L特点：高频率
2020-09-24 16:34:09
的电场和掺杂浓度呈函数关系。PN 结电容分为势垒电容和扩散电容两部分。在反向偏置条件下，不会发生自由载流子注入；因此，扩散电容等于零。对于反向和小于二极管开启电压（硅芯片为 0.6V）的正偏置电压，势垒
2020-01-02 08:00:00
PN结电容与电压之间的关系是什么？
2021-06-17 06:30:56
PN 结电容与电压有何关系？通过实验告诉你
2021-03-16 11:11:50
PN结电容分为两部分，势垒电容和扩散电容。 PN结交界处存在势垒区。结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变，从而显现电容效应。 当所加的正向电压升高时，多子(N区的电子、P区的空穴
2021-06-01 07:55:49
;推导过程参见《晶体管原理》。当外加反向电压时 I = Is ， CD趋于零。3、 PN结电容： PN结的总电容Cj为CT和CD两者之和Cj = CT+CD ，外加正向电 压CD很大
2008-09-10 09:26:16
＞vt时，； 当vd＜0，且时，id≈–is≈0。 由此可看出pn结的单向导电性 5、 PN结的电容特性是什么？ 两个相互靠近的导体，中间夹一层不导电的绝缘介质，这就构成了电容器。当加反电压
2021-01-15 16:24:54
制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂pn结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与pn结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入
2016-11-29 14:52:38
电容单位如何进行换算？电容与电池容量的关系是什么
2021-03-11 06:11:00
有一个12V/20A的直流电机，电源端需要一个大电容储能滤波，这个大电容选型和负载的电流关系很大吗，如果关系大，应该怎么选型
2020-03-07 20:35:02
与二极管的击穿电压、器件结构以及钝化材料没有太大的关系，击穿电压高二极管的寿命因子不一定大或小，而结电容相近的二极管，即便钝化方式不同，但却有着相近的m值。也就是说，结电容的大小对m值的影响最大
2011-07-17 19:25:41
HC160N10LS内阻为130mR，结电容为400PF，开启电压1.6V，内阻低的同时结电容也低，使得温升低，电流能够做得大 HC160N10LS效率高，损耗低，低内阻，小结电容，低开启电压
2020-04-24 17:52:14
`型号:HC037N06L【30N06】参数：60V 30A 类型：N沟道场效应管内阻28mR低结电容650pF 封装：贴片（TO-252）低开启电压1.8V低结电容，低内阻，低开启电压，温升低
2021-03-10 15:21:05
Ⅰ类电容：NP0,;此类电容的容量与加载的电压几乎没有关系，可以忽略不计。Ⅱ类电容：X5R,X7R，z5u,y5v等;此类与其加载的电压关系较大，尤其Y5V，比如在100uF，在其额定电压下，容量才
2017-09-26 11:22:08
、迁移率与温度的关系以及电阻与温度的关系，研究表明：pin二极管电阻的温度性能主要依赖于二极管结电容的大小。
2019-06-25 06:06:38
型层的厚度），这时势垒区与空间电荷区并不完全一致（势垒厚度远大于空间电荷区）。（3）势垒电容：pn结的势垒电容也就是空间电荷区的电容，而空间电荷区的厚度与外加电压有关，则势垒电容是一种非线性电容；并且
2013-05-20 10:00:38
是来自于非平衡少数载流子（简称非平衡少子）在pn结两边的中性区内的电荷存储所造成的电容效应；简单来说就是因为PN结加正向电压的时候由于P\N区的电荷浓度差的变化就会有电荷的积累和释放，这个积累和释放
2021-01-11 15:44:12
将二极管应用在高速信号上时，尽量选择结电容小的型号。 如果二极管型号已经确定无法修改，而又要降低结电容时该怎么办呢？ 从上表看到，二极管结电容和其承受的反向电压呈反比，反向电压越大，结电容越小
2020-12-11 16:44:59
1、本文梗概低压交流电源到直流电压的变换主要是通过整流桥和滤波电容处理的，本文主要分析输出直流电压的纹波和滤波电容、负载大小的关系。2、电路图及其输出波形待分析的电路如图 1所示，R1相当于负载。图
2019-12-25 17:47:57
交流纯电容电路中电容的容抗、容量和频率以及电压与电流的关系如何
2021-10-13 07:07:53
是扩散电容，PN结反偏的时候，结电容主要是势垒电容。我们再回到最初的疑问：反向恢复时间和结电容（扩散电容）什么关系？反向恢复时间由PN结构成的二极管都会有一个Trr的参数，这个参数就是二极管的反向恢复
2021-10-18 10:28:06
去搭，看看测量结果。3. 我有一台安捷伦的阻抗分析仪，不知道这个仪器能不能发挥作用呢？它能测光电管在特定偏置电压下的结电容吗？具体操作中该怎么接？非常感谢您的解答，谢谢！
2019-02-21 09:42:49
关于电容和频率的关系，在放大电路中常用到耦合电容和滤波电容 旁路电容等等，想知道电容容量、电容类型和频率的关系。比如容量在什么范围通过怎样的信号频率？就是容量对应频率的关系。比如1P-100P通过
2018-12-10 13:50:11
流的关系 在肖特基二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某-数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后，肖特基
2018-10-18 18:19:30
加湿器MOS管SOT23-3小结电容100V5A性价比高内阻130mR，节电容400PF，开启电压1.6V,内阻低的同时节电容也低，使得温升更低，电流做得大效率高，损耗低，低内阻，小节电容，低开启
2020-05-14 17:24:10
HC160N10LS 低结电容 MOS:100V，N沟道，大电流，小封装MOS，实际电压可以达到100V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求。 HC160N10LS
2020-10-10 14:10:51
这个我不设计一个放电电阻，这个gs端的结电容是不是一直会存在这个开通电压值？那么这个MOS管是不是会保持一段长时间的开通？
2019-08-22 00:32:40
管（MOSFET）MOS管型号：惠海半导体HG012N06LMOS管参数：60V50A（50N06）内阻：11mR（VGS=10V）结电容：550pF 类型：SGT工艺NMOS开启电压：1.8V封装
2020-08-29 14:51:46
通过multisum 仿真发现断开开关，开关上的电压峰值和二极管的结电容有关系，具体是如何计算电压峰值？
2018-12-25 07:29:02
constant」[4] 文献中描述，测量A，B两点的电压，便可以建立起的发射结对应的电压与电流之间的关系。▲ 基于2N3904的PN结测量Boltzmann常数后级的 「LF351」[5] 组成
2020-07-13 07:50:36
有关铝电解电容器的老化电压与电解液的关系，1、高压规格电容器老化电压可以高出电解液火花电压吗？可以高出多少？2、电解液的火花电压在电容器内密闭状态下，电解液火花电压会发生变化吗？
2013-12-30 16:23:37
触摸屏按键防静电保护低结电容TVS二极管G2553做触摸按键，加TVS管防静电的问题如下图所示，在用G2553做触摸按键的时候，在引脚（pinosc）与地（GND）之间接一个双向TVS管（5V
2020-01-07 14:13:03
如题，本人在学习华成英老师的模电时候，看到ppt上的一句话不太理解，为什么点接触型PN结可以从结电容小，允许的电流小，就会导致最高工作频率高？ 电容电流跟最高工作频率有什么关系呢？请各位同行和前辈们指点一下呗。
2020-04-12 17:33:56
比如有时设计电路时，需要用个电容，但是我们知道这个PN结有一个结电容效应，那么我们能不能拿PN结来当电容在电路中使用？
2019-07-26 04:36:03
PN结的形成及特性一、 PN结的形成 二、 PN结的单向导电性 三、 PN结的电流方程 四、 PN结的伏安特性 五、 PN结的电容效应
2008-07-14 14:09:29
0 图一 PN结物理特性的测量实验装置全图
伏安特性是PN结的基本特性，测量PN结的扩散电流与PN结电压之间的关系，可以验证它们遵守波尔兹曼分布，并进而求出波尔兹曼常数
2010-07-17 08:49:4731 1．正偏p-n结的能带(P+,N-)2．正偏时载流子的运动和电流成分 3．正偏下的电流密度 4．反偏时的p-n结(P－,N＋) 6. 理想pn结模型四、pn结电容低频，pn结有整流作用；高
2010-07-17 08:58:1013 伏安特性是PN 结的基本特性，测量PN 结的扩散电流与PN 结电压之间的关系，可以验证它们遵守波尔兹曼分布，并进而求出波尔兹曼常数的值．PN 结的扩散电流很小，为10-6～10-8
2010-07-17 10:00:5129 变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而
2006-04-16 23:43:04917 PN结的击穿特性：
当反向电压增大到一定值时，PN结的反向电流将随反向电压的增加而急剧增 加，这种现象称为PN
2008-09-10 09:26:0412986 
电阻、电容、电压和电流的测量
一、实验目的 1、了解电源、测量仪表以及数字万用表的使用方法； 2、掌握测量电阻、电容、电压和电流的方法；
2008-10-17 23:02:464070 实验 温度传感器—PN结温敏二极管实验原理：半导体PN 结具有良好的温度线性，根据PN 结特性表达公式I Is( RT 1)qv= l - 可知，当一个PN 结制成后，其反
2009-03-06 15:37:424142 
变容二极管,变容二极管是什么意思
又称"可变电抗二极管"。是一种利用PN结电容（势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制
2010-02-27 11:29:431583 变容二极管,变容二极管电路,变容二极管原理
变容二极管是根据普通二极管内部 "PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变
2010-03-05 10:01:382508 本内容讲解了测量电容上电流和电压的相位差，具体包括实验目的，实验原理，实验步骤分析等
2011-11-10 16:56:24100 全球电路保护领域的领先企业Littelfuse公司推出超低结电容保护晶闸管，SDP系列SIDACtor®保护晶闸管。采用SOT23-6封装，可为宽带/xDSL电信设备提供强大的过压保护，对连接速度和接通率的影响微乎其微。
2013-08-27 14:13:341089 本文介绍了PN结的形成及特性，相关内容包括载流子的漂移与扩散、PN结的形成、PN结的单向导电性、PN结的反向击穿和PN结的电容效应。 漂移运动：在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。 扩散运动：由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。 PN结的形成:
2017-11-23 11:37:0814 本文介绍了PN的结电容效应。
2017-11-23 14:10:0218 PN结的电容效应限制了二极管三极管的最高工作效率，PN结的电容效应将导致反向时交流信号可以部分通过PN结，频率越高则通过越多。
2018-01-22 09:05:4644115 
变容二极管又称“可变电抗二极管”，是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容量一般较小，其最大值为几十皮法到几百皮法，最大区容与最小电容之比约为5:1。
2018-01-25 16:15:1113098 
变容二极管的作用是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。变容二极管属于反偏压二极管，改变其PN结上的反向偏压，即可改变PN结电容量。反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的关系是非线性的
2018-01-25 17:02:192911 变容二极管是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容量一般较小，其最大值为几十皮法到几百皮法，最大区容与最小电容之比约为5:1。
2018-01-25 18:59:0430643 
变容二极管结电容的大小与反向电压的大小有关，反向电压越 高，结容量越小；反向电压越低，结容量越大。结电容和反向电压的 关系曲线如图8-2所示，它直观表示出变容二极管两端反向电压与结 容量的变化规律
2018-02-23 09:17:2116243 
势垒电容。势垒电容与普通电容不同之处，在于它的电容量并非常数，而是与外加电压有关。当外加反向电压增大时，势垒电容减小；反向电压减小时，势垒电容增大。目前广泛应用的变容二极管，就是利用PN结电容随外加电压变化的特性制成的。
2018-06-22 07:59:0026536 
有客户咨询小编安规电容的容量大小和电压有没有关系，小编在这里做个详细的解答，有这方面疑问的客户，可以看看本文的内容哦，直接进入我们的主题吧！ 一般电容内使用的极板间绝缘材料的介电常数是一个固定值
2018-08-03 11:39:3710646 有客户咨询小编安规电容的容量大小和电压有没有关系，小编在这里做个详细的解答，有这方面疑问的客户，可以看看本文的内容哦，直接进入我们的主题吧！一般电容内使用的极板间绝缘材料的介电常数是一个固定值，所以
2018-08-25 13:59:17607 本文主要详细阐述了pn结的基本特性是什么，其次介绍了PN结的击穿特性、PN结的单向导电性以及PN结的电容特性。
2018-09-06 18:09:11103777 ESD静电二极管结电容与极性的选型技巧主要有以下两点
2022-07-04 14:40:462417 RS-485总线被广泛应用在工业环境，可能有高等静电或浪涌干扰，工程师通常会使用气体放电管和TVS管搭建防护电路，但该电路的结电容较高，应用不当将会影响通讯。本文将为大家介绍一种低结电容的外围电路。
2022-07-04 15:48:143671 变容二极管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二极管"，是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大。
2023-06-16 16:41:111003 
经常碰到客户询问这样的问题：“使用ESD静电保护二极管的时候，为什么要考虑它的结电容值大小？”ESD二极管生产时，其结电容根据工艺的不同，分为两种，一种是高结电容型TVS，电容值一般在几百皮法（pF
2022-04-07 16:44:49553 
很多客户前来东沃电子DOWOSEMI询料,比较关注ESD静电保护器件的封装、工作电压、击穿电压、脉冲电流、结电容等参数。ESD二极管封装形式很多,SOT-23-6L封装是其中的一种。品牌
2021-11-17 16:45:36607 
是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的单路或多路保护器件。ESD防护器件是用在通信接口上做静电保护,其结电容一般都比较低;TVS二极管是用在电源线上做防浪涌过电压保护,其结电容都很高。
2021-11-12 12:04:031173 
什么是PN结的导通电压？ PN结是半导体器件中最常见的元器件之一，它将p型半导体和n型半导体的材料在一起，通过电场使它们连接在一起，并形成一个电子流的管道。在其中，导通电压是PN结的一个重要参数
2023-09-13 15:09:292825 在三极管的通频带内，忽略耦合电容、旁路电容以及三极管的结电容、PCB走线的分布电容之后，我们可以有H参数小信号模型，如下图所示。此时的β更多是温度有关，不过多考虑与频率的关系（实际是有关系的）。
2023-10-10 10:33:172399 
PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄是因为：**PN结外加正向电压，此时外电场将多数载流子推向空间电荷区，使其变窄，削弱了内电场
2023-10-18 17:38:582419 
pn结的电容效应 为什么在pn结间加入i层可以减小结电容？ PN结是一种半导体器件，其中P型半导体和N型半导体间由弱耗尽区隔离。这种器件有许多应用，例如光电探测器、太阳能电池、场效应晶体管和整流器
2023-10-19 16:42:49507 N型区，从而使PN结导通。反之，如果将PN结的两端施加反向电压，则电子从P型区向N型区运动，空穴从N型区移动到P型区，从而使PN结截止。 PN结厚度与电场密度和外界垂直偏置电场强度之间的直接关系成正比例。在PN结正向偏置时，电子从N型半导体向P型
2023-10-19 16:42:521804 PN结加反向电压引起反向电流增大的主要原因是什么？ PN结是一种极其重要的电子器件，其作用在于可以控制电流的流动方向及大小。在PN结中，当外加正向电压时，电子从N区向P区扩散，空穴从P区向N区扩散
2023-10-19 16:42:552177 PN结反向偏置时，随着反向电压的增加，势垒电容是增加还是减少？ PN结是由N型半导体和P型半导体组成的。当PN结处于正向偏置时，电子从N型半导体流入P型半导体，而空穴从P型半导体流入N型半导体
2023-10-19 16:53:171635 点接触型二极管结电容小，为什么适用高频电路？面接触型二极管结电容大为什么适用低频？ 二极管是一种半导体器件，具有单向导电性。它通常由p型和n型半导体材料组成。二极管的工作原理基于空间电荷区域的形成
2023-10-19 17:01:12538 低结电容瞬态TVS二极管LCE系列特性：Glasspassivatedchip1500Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform
2022-01-18 11:27:240 低结电容瞬变抑制TVS二极管SAC系列特性：Glasspassivatedchip500Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform
2022-01-18 13:40:000 低结电容瞬变抑制TVS二极管SACA系列特性：Glasspassivatedchip500Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform
2022-01-18 13:43:310 骊微电子供应PN8200国产X电容放电芯片提供PN8200SEC-R1规格参数是芯朋微代理商，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2022-03-11 14:36:155 晶振的负载电容与外接电容的区别与关系
2023-12-05 16:18:302529 
我们需要先将结电容与关断波形联系起来。三个结电容的容值是Vds电压的函数，同时，电压Vds的变化（dv/dt）又与结电容相关。
2023-12-05 18:04:43877 
纯电容电路中，电压和电流之间存在一定的相位关系。在电路中，电压和电流通常不会同步改变，会存在一定的偏移量，这就是相位差。相位差是指两个正弦波的相位差值，用于描述电流的滞后或超前于电压的情况。在纯电容
2024-02-25 16:15:25464
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