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东芝推出搭载高效静电放电保护的双MOSFET“SSM6N813R
- 放电保护(10140)
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业内最小的手机静电放电保护装置问世
业内最小的手机
静电
放电
保护装置问世 California Micro Devices近日宣布
推出其超小型
静电
放电(ESD)
保护装置系列中的首款产品 CM1242-33CP。CM1242 为行业树立了新的
静电
放电性
2009-12-23 08:48:41
1483
1483
东芝扩充12V耐压p通道MOSFET产品线，用于便携终端充电开关
东芝于日前扩充了耐压（漏源间电压）为-12V的p通道
MOSFET的产品线。此次
推出的新产品是采用封装面积为2.0mm×2.0mm的SOT-1220（UDFN6B）封装的“
SSM6J505NU”，以及采用封装面积为1.6mm×1.6mm的SOT-563（ES6）封装的“
SSM6J216FE”。
2013-02-21 10:14:19
1019
1019
静电放电问题典型案例分析
从这期开始我将带大家进入
静电
放电问题的典型案例分析，通过具体的实际案例以帮助大家消化前面的知识，并通过典型案例的分析为后面
静电
放电设计做铺垫。
2023-11-29 09:17:53
347
347
静电放电问题典型案例分析
这期我带大家继续进行
静电
放电问题典型案例分析，前篇文章分别介绍了复位信号、DC-DC芯片设计问题引发的
静电
放电问题；这篇文章将介绍软件设计、PCB环路设计引发的
静电
放电问题；话不多说，还是通过两个案例展现给大家。
2023-12-11 10:03:46
489
489
关于静电放电保护：如何防止静电放电损伤
如何防止
静电放电损伤呢？首先当然改变坏境从源头减少
静电(比如减少摩擦、少穿羊毛类毛衣、控制空气温湿度等)，当然这不是我们今天讨论的重点。
2024-01-24 14:24:27
340
340
东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET，适用于快充设备
东芝电子元件及存储装置株式会社（“
东芝”）今日宣布，
推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道
MOSFET“
SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池
保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-05-22 14:33:12
512
512
东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护
中国上海， 2023 年 11 月 7 日 ——
东芝电子元件及存储装置株式会社（“
东芝”）今日宣布，
推出“
SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极
MOSFET，适用于带有USB的设备
2023-11-09 15:19:57
664
664
SSM4321ACBZD级音频放大器
SSM4321ACBZ我在2013年4~
6月ADI征文大赛获得样片
SSM4321ACBZ ,
SSM4321是一款全集成、
高效、D级音频放大器，提供输出电压、输出电流和PVDD电源电压的数字输出。针对
2018-12-10 09:33:25
mosfet有内部静电保护吗？
我一直以为
mosfet内部有
静电保护功能，因为从来都没有因手工焊接而击穿过，突然发现这可能不对，
MOSFET有内部
静电保护吗？
2011-10-21 11:52:40
静电放电保护器件种类与特点
静电
放电(ESD)是一种意外的快速高压瞬态波形，出现在电路内的导体上。ESD引起的高电压和电流峰值可能导致
静电敏感IC等器件发生故障。人际接触是ESD的常见来源。即使人与电路没有直接接触，电容式检测
2022-07-12 16:32:21
静电放电保护器的特性及常识
1uA) 5. 低电压(最小2.5V)有助于
保护敏感的电子电路免受ESD事件的影响 ESD
放电二极管选型:ESD
放电二极管的选择要根据每个客户的具体需求。在为客户选择和提供产品解决方案时，浪拓公司提醒
2021-01-11 17:01:07
静电放电的保护资料详细说明
，所以几乎所有的芯片设计都要克服
静电击穿问题。
静电
放电
保护可以从FAB端的Process解决，也可以从IC设计端的Layout来设计，所以你会看到Prcess有一个ESD的option layer，或者
2022-03-24 18:06:25
ESD静电放电
电路板上的ESD性能如何呢？我们用多次电击若干个芯片的每个引脚的方法来确保其ESD性能。它模拟了在触摸和装配过程中芯片遭遇的恶劣情景。如果没有ESD
保护电路，只需要低至10V的
静电即可造成芯片损坏
2018-09-21 09:54:40
ESD静电放电产生的原理和危害
。 ESD
静电
放电的危害 ESD损坏IC是由于产生的高压和高峰值电流造成的。精密模拟电路往往具有极低的偏置电流，比普通数字电路更容易遭到损坏，因为用于ESD
保护的传统输入
保护结构会增加输入泄漏，因此
2021-01-06 17:26:05
ESD静电保护器的运用
本帖最后由 unsemi 于 2014-3-14 18:06 编辑 ESD的意思是“
静电释放”,英文:Electro-Static discharge 的缩写,即"
静电
放电
2014-03-14 13:14:49
ESD（静电放电）介绍及ESD保护电路的设计
常常可以看到操作员因为碗带太松而或者通过测试或者失效。许多操作员企图通过用另一只手简单抓着测试仪靠近其手腕来通过测试。 ESD
保护电路的设计
静电
放电（ESD）会给电子产品带来致命的危害，它不仅降低
2018-10-11 16:10:23
FAI推出最新MOSFET产品
(POL)、
高效负载开关和低端切换、稳压器模块(VRM)以及ORing功能。设计人员使用FDMC8010器件，能够将封装尺寸从5mmx
6mm减小为3.3mmx3.3mm，节省66%的
MOSFET占位面积
2012-04-28 10:21:32
HD-BNC接口静电浪涌保护
（SMB封装）、DWS806SUC（SMB封装）、DWS1006SUC（SMB封装），响应速度快、低结电容、低漏电流、封装体积小、节约PCB空间，便于工程师设计。有关器件的具体参数，详见对应的规格书。此HD-BNC接口ESD
静电浪涌
保护方案能满足IEC61000-4-2标准，接触
放电8KV，空气
放电15KV。`
2020-11-27 15:41:46
HDMI接口静电保护解决方案
静电保护性能。这一领域的ESD
放电可能远比HBM标准规定的
放电情况严重。考虑上述原因，生产商强烈建议为外部端口增加额外的ESD
静电保护电路。关于HDMI高清多媒体接口ESD
静电保护方案，
保护器件供应商
2020-12-31 15:57:17
IEEE1394接口静电保护方案图
（SOT-23-
6L封装），工作电压5V，击穿电压
6V，漏电流
6uA，钳位电压12V，峰值脉冲电流4A，结电容1pF。该方案符合IEC61000-4-2 等级4，接触
放电8KV，空气
放电15KV。针对IEEE1394接口
静电浪涌防护，有很多设计
保护方案。具体选用哪种，可以根据自己的需求来选择！
2020-11-30 14:10:50
PCB板的静电保护方法
是在铜皮构成的微带线层使用尖端相互对准的三角铜皮构成，三角铜皮一端连接在信号线，另一个三角铜皮连接地。当有
静电时会产生尖端
放电进而消耗电能。 5、 采用LC滤波器的方法进行
保护电路。 LC组成
2018-09-17 17:43:16
PCM15N12E 3A以上快充锂电池保护MOSFET的参数介绍
PCM15
N12E 3A以上快充锂电池
保护
MOSFET的参数介绍 威明半导体/周
R:***产品类型:12V ESD 锂电池
保护
MOSFET参数: 12V,5.9mohm (TYP: 4mohm
2019-07-31 10:45:31
STH4618SP完美替代EFC4618R双N沟道功率MOS，20V6A，内阻15mΩ
℃STH4612SP完美替代安森美EFC4612
R
双
N沟道功率MOS，24V
6A，内阻45mΩSTH4618SP完美替代安森美EFC4618
R
双
N沟道功率MOS，20V
6A，内阻15mΩSTH1227SP完美替代松下FCAB21490L
双
N沟道功率MOS，12V27A，内阻2.5mΩ
2021-07-21 17:09:05
S端子接口静电保护方案设计及ESD二极管选择
S端子接口
静电浪涌防护方案，如下图：从S端子接口
静电浪涌防护方案图中可以看出，电路
保护元器件采用了ESD
静电保护二极管DW05
R（SOT-143封装）、DW05-2RT3（SOT-363封装），
静电
2020-11-28 16:32:33
USB 端口的两种优化设计：静电放电保护与单通道保护
的共模和差模干扰来实现。在电源端使用 WE-CBF 系列贴片磁珠可以实现卓越的抑制性能（图 1）。图 1：具有
静电
放电
保护功能的
双端口 USB 端口单通道
保护元件（如 WE-VE 系列
静电
放电抑制器
2020-04-14 08:00:00
一文讲透静电放电（ESD）保护
一直想给大家讲讲ESD的理论，很经典。但是由于理论性太强，任何理论都是一环套一环的，如果你不会画鸡蛋，注定了你就不会画大卫。先来谈
静电
放电(ESD: Electrostatic Discharge
2018-07-21 17:33:15
两个N沟道增强型MOSFET源极相接串联使用，总是烧MOSFET，求教
本帖最后由 暗星归来 于 2016-9-
612:53 编辑 如题，因为要对电池进行管理，对充电过程和
放电过程控制其何时开始充电、停止充电、何时
放电、何时停止
放电，所以用两个
N沟道增强型
2016-09-06 12:51:58
什么时静电放电（ESD）
Advance制程里面，Silicide引入也会让
静电击穿变得更加尖锐，所以几乎所有的芯片设计都要克服
静电击穿问题。
静电
放电
保护可以从FAB端的Process解决，也可以从IC设计端的Layout来
2021-03-26 07:30:00
什么是ESD（静电放电）及ESD保护电路的设计
操作员企图通过用另一只手简单抓着测试仪靠近其手腕来通过测试。ESD
保护电路的设计
静电
放电（ESD）会给电子产品带来致命的危害，它不仅降低了产品的可靠性，增加了维修成本，而且不符合欧洲共同体规定的工业
2016-07-22 11:26:49
低压差分信号(LVDS) 接口静电防护，DW05-4R2P专用保护元件
防护呢？其实，只要掌握规律，对于任何ESD
静电防护难题，都不是问题。接下来，为大家分享的是：低压差分信号LVDS接口
静电防护方案图：从电路
保护方案设计图中可以看出，选用的是低电容ESD
静电保护二极管
2020-12-29 13:46:50
使用SSM211放大ADN2830输出电流大小时的运放电阻阻值如何设置？
我这需要做一个激光器的功率控制电路，需要将200mA的ADN2830输出电流放大到550ma，根据数据手册，选用
SSM211运放将电流放大，但是在运
放电路中的电阻值的设置上存在问题。典型电路中
R1、
R2的值应该如何选取，是kΩ级别还是Ω级别？
2024-01-08 07:16:45
关于静电放电及防护的全面介绍
电场的能量达到一定程度后，击穿其间介质而进行
放电的现象就是
静电
放电． 4、
静电敏感度：元器件所能承受的
静电
放电电压． 5、
静电敏感器件：对
静电
放电敏感的器件．
6、接地：电气连接到能供给或接受大量电荷
2019-07-02 06:42:48
关于静电放电发生器
请问各位大神，在
静电
放电抗扰度试验中，
静电
放电发生器的直流高压电源、充电电阻、
放电电阻、储能电容器、
放电开关、等等的各项具体要求是什么？比如功率，电流，耐压值什么的。希望大家可以帮助我这个小菜鸟，我是刚刚开始学习EMC。谢谢！！！
2013-12-22 15:47:30
千兆网口保护之放电管BS4200N-C
千兆以太网口主推的防雷电路（变压器中心抽头与机壳地之间并联固态
保护
放电管），是性价比最优的防护解决方案之一。 （1）使用固态浪涌
保护
放电管BS4200
N-C（动作速度快，通流量大、残压低），能够过
2013-12-16 16:37:41
基于DW01A电池保护IC和FS8205A双mosfet的Lipo/锂离子保护板
描述Lipo/锂离子
保护板该
保护板可
保护您的 Lipo 或锂离子电池。它基于DW01A电池
保护IC和FS8205A
双
mosfet。这个微型 PCB 将
保护您的 Lipo 或锂离子电池免受过充电、过
放电、过电流、短路的影响。
2022-08-08 06:12:39
安森美半导体探讨如何防止静电放电
高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)日前在台北举行的第七届
静电
放电
保护技术研讨会上，针对如何防止
静电
放电(ESD) 所带来的损失，从元件、制造和系统三个层级
2019-05-30 06:50:43
快速触发的静电保护电路及方法
快速触发的
静电保护电路及方法本发明涉及一种快速触发的
静电保护电路，在一正
静电电压产生时，可在分流晶体管的栅极上产生一瞬时的负电压。本发明的
静电保护电路较传统使用栅极耦合
N型晶体管的
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2009-11-24 09:23:53
显示端口防静电防过流保护方案
`显示端口防
静电防过流
保护方案描述：此方案可提供显示接口的
静电
放电和过电流
保护，避免因频繁的插拔电缆所造成的短路和 ESD 损害，显示接口使用的是 3.3V 差分数据传输，每条通道最高可运
2017-04-19 10:31:13
电缆对静电放电的影响分析
来源：看点快报本篇文章主要针对
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放电的一些难点进行一个汇总，进而进行详细的分析，跟着小编一起来看看吧！
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放电ESD（Electro-Static Discharge）是EMC测试常见的项目之一
2020-10-23 09:28:57
电路静电防护小科普：了解放电器件与ESD防护方法
I EC
61000-4-2。大多是实验室用的
静电发生器就是按 IEC
61000-4-2的标准，分为接触
放电和空气
放电。
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放电头按接触
放电和空气
放电分尖头和圆头两种
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系统层级静电放电与芯片层级静电放电有什么差异
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放电已经成为影响电子产品良率的主要因素。美国最近公布因为
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放电而造成的国家损失，一年就高达两百多亿美金，而光是电子产品部份
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超大带宽HDMI接口静电放电保护芯片
和空气
静电
放电(ESD)
保护功能。新产品HDMIULC
6-4SC6是当前市场上带宽最大的（超过5GHZ）单片专用
保护芯片，可为4条数据线路提供轨到轨的
保护，而且不会破坏数据信号的完整性。
保护高速
2018-12-07 10:31:29
锂离子电池的充放电【精美图解】
控制开关，则能对
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保护。. d* \; d; s: ^' i4 s8 ]'
n7 Z 结语& w.
n7 G' e
6|, o-
r(
n 市场上还有单芯片的多节锂电池充电
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人体静电放电（ESD）及保护电路的设计
随着集成电路及电子设备的广泛应用，人体
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放电的危害性日益引起人们的重视。首先介绍人体
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放电模型及测试方法，然后阐述几种新型集成化
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CAMD推出极低电容静电放电保护设备PicoGuard CM
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保护设备PicoGuard CM1227 California Micro Devices (CAMD) 近日宣布针对最先进的数字消费品和计算机应用
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PCB设计时怎样抗静电放电
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静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层；损毁
MOSFET和CMOS元器件的栅极
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Infineon推出静电防护二极管,保护高速USB 3.0连接减少静电损耗
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推出全新
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保护高速USB 3.0连接埠免于
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放电的破坏。
2011-01-26 21:57:26
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静电放电(ESD)原理
内容提要 一、何谓ESD 二、
静电的产生机理 三、
静电的危害 四、
静电
放电模型 五、电子工作区的
静电防护 六、
静电消除方法 七、
静电接地的目的 八、
静电防护设备要求 九、人员训练
2011-03-23 13:39:52
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静电放电(ESD)协会标准
建立一个
静电
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保护电气和电子零件，装置和设备(不包括电动引爆装置) 1. 目的 本标准的目的是提供行政和技术上的要求，以及建立，实 施和维护静
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静电放电抗扰度对手机的影响
本文介绍了手机
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TI的系统级静电放电保护
在电路中，
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放电(ESD)很常见，所以在电路设计中必须要包含能够免于ESD影响的器件。随着系统总线和I/O总线更多地在高速模式下工作，设计先进的ESD
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静电发生器,静电放电模拟仪,静电枪手册
ESD 是代表英文ElectroStatic Discharge 即
静电
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放电效应如电流热（火花）效应（如
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2012-02-16 09:07:19
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东芝光耦 IGBT/MOSFET
东芝光耦 IGBT/
MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT /
MOSFET)
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东芝为移动设备的高电流充电电路提供超紧凑型MOSFET
日前，
东芝公司宣布，公司已为智能手机与平板电脑灯移动设备的高电流充电电路开关
推出超紧凑型
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SSM6J781G”和“
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2013-07-30 16:27:39
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详解静电放电保护
先来谈
静电
放电(ESD: Electrostatic Discharge)是什么？这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统过度电应力破坏的主要元凶。
2017-02-10 02:10:11
3974
3974
ESD保护装置·对策元件基础知识——ESD（静电放电・浪涌）保护装置・对策元件是什么？
本文介绍ESD（
静电
放电·浪涌）
保护装置·对策元件。 ESD（
静电
放电・浪涌）
保护装置・对策元件是什么？ ESD
保护装置的主要功能是将侵入到设备内部的ESD传输到地下。没有ESD
保护装置时，从外部人机界面侵入的数千V的ESD将直接被施加在内部的IC上。
2017-03-02 14:13:37
4533
4533
ESD保护装置·对策元件基础知识——ESD（静电放电・浪涌）保护装置・对策元件的种类
本文介绍ESD（
静电
放电·浪涌）
保护装置·对策元件的种类。 ESD（
静电
放电・浪涌）
保护装置・对策元件的种类 ESD
保护装置为实现必要机能，有工作原理和素材不同的产品。
2017-03-04 01:05:12
2522
2522
系统层级静电放电与芯片层级静电放电的差异
随着半导体制程技术的不断演进，以及集成电路大量的运用在电子产品中，
静电
放电已经成为影响电子产品良率的主要因素。美国最近公布因为
静电
放电而造 成的国家损失，一年就高达两百多亿美金，而光是电子产品部份
2017-11-08 15:45:02
16
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静电放电及防护基础知识
一、术语及定义 1、
静电：物体表面过剩或不足的静止的电荷． 2、
静电场：
静电在其周围形成的电场． 3、
静电
放电：两个具有不同
静电电位的物体，由于直接接触或
静电场感应引起两物体间的
静电电荷的转移．
静电
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东芝推出新一代超结功率MOSFET，进一步提高电源效率
东芝宣布
推出新一代超结功率
MOSFET，新器件进一步提高电源效率。在这个连小学生做作业都讲求
高效率的年代，还有什么是
高效率不能解决的呢？
2018-09-13 15:54:15
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e络盟推出全面的防静电产品保护电子元器件免受静电放电损坏
全球电子元器件与开发服务分销商e络盟
推出全面的防
静电产品系列以
保护电子元器件免受
静电
放电（ESD）损坏，为客户的制造和供应流程提供有力支持。
2020-03-12 14:06:27
3048
3048
静电放电测试实验分析
依据标准IEC 61000-4-2/GBT17626.2的定义，
静电
放电就是具有不同
静电电位的物体相互靠近或直接接触引起的电荷转移。 当人体穿着绝缘材料的织物并且对地绝缘时，在地面上运动时可能积累
2020-11-19 10:29:47
7975
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静电放电(ESD)断路过压保护说明
在安装于印刷电路板之前，必须对线性IC（如运算放大器、仪表放大器和数据转换器）进行
保护。这即所谓断路（out-of-circuit）状态。在这种条件下，IC可能遇到多大的浪涌电压完全取决于其环境。多数情况下，有害的浪涌电压来自
静电
放电，即常说的ESD。这是一种单次、快速、高电流的
静电荷传输现象。
2021-03-22 17:33:59
7
7
东芝推出功率MOSFET-“TPH9R00CQH”
东芝电子元件及存储装置株式会社（“
东芝”）今日宣布，
推出150V N沟道功率
MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:36
10906
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东芝半导体N沟道30VMOSFET器件SSM6K809R介绍
随着科技的不断革新发展，
MOSFET产品也经过技术的迭代升级有了更加优越的表现。但如何提升器件性能的同时进一步降低器件的自身损耗依旧是亟待解决的问题。为此
东芝半导体拓展了
MOSFET产品线，
推出
2022-08-26 11:01:07
794
794
静电放电抗扰性测试
静电
放电抗扰度试验。模拟操作员或物体接触设备时产生的
放电，以及人员或物体相对于相邻物体的
放电，以测试被测设备对
静电
放电的干扰能力
2022-09-05 09:48:49
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保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏
功率
MOSFET用户都非常熟悉“
静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意。从统计的角度来看，单个
MOSFET不太可 能被
静电
放电（ESD)损坏。然而，在处理成千上万个
MOSFET时，极小的故障都可能带来极大的影响。
2023-02-24 14:53:58
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ESD静电保护二极管介绍
ESD
静电保护二极管是一种用于
保护电子电路、器件和设备免受
静电损伤的器件，它能够在
静电
放电（ESD）事件发生时提供快速的电压
保护。
2023-05-26 10:25:16
2685
2685
静电放电保护器件种类与特点
静电
放电(ESD)是一种意外的快速高压瞬态波形，出现在电路内的导体上。ESD引起的高电压和电流峰值可能导致
静电敏感IC等器件发生故障。人际接触是ESD的常见来源。即使人与电路没有直接接触，电容式检测开关等器件也可以允许电荷耦合到电导体上。在ESD
放电可能导致电路故障的情况下，需要ESD
保护。
2023-06-02 09:21:03
607
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静电放电保护器件种类与特点
静电
放电(ESD)是一种意外的快速高压瞬态波形，出现在电路内的导体上。ESD引起的高电压和电流峰值可能导致
静电敏感IC等器件发生故障。
2023-06-02 09:21:45
390
390
如何保护麦克风Microphone接口免受ESD静电放电威胁？
管问题，专业电路
保护器件厂家及电路
保护解决方案服务商东沃电子(DOWOSEMI)推荐选用ESD
静电保护二极管DW05DRF-B-E为Microphone保驾护航。东沃Microphone麦克风接口ESD
静电
放电
保护方案电路图如下所示。
2023-06-10 09:34:34
732
732
SycoTec带有ESD保护的高速电主轴是如何释放静电的
SycoTec特别研发的集成ESD
保护的高速主轴，可在PCB分板中
保护电路板上的电子元件免受
静电的危害，这里讲浅谈ESD
静电释放的原理以及它的重要性。印刷电路板加工中ESD
保护重要性ESD表示
静电
2021-07-27 13:59:22
441
441
静电放电保护器件种类与特点
点击关注，电磁兼容不迷路。
静电
放电
保护器件种类与特点概述
静电
放电(ESD)是一种意外的快速高压瞬态波形，出现在电路内的导体上。ESD引起的高电压和电流峰值可能导致
静电敏感IC等器件发生故障。人际接触
2022-07-02 14:37:39
904
904
血氧仪丨按键静电保护方案
性能甚至使用寿命，因此按键部位的防
静电是非常有必要的。按键
静电保护方案本方案采用双向ESD
静电保护管，对控制线路提供
静电
放电
保护，旨在
保护抗过压寄生敏感系统以及瞬态事件
2023-01-14 11:04:29
708
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一文讲透静电放电（ESD）保护！
我们今天要讨论的时候如何在电路里面涉及
保护电路，当外界有
静电的时候我们的电子元器件或系统能够自我
保护避免被
静电损坏(其实就是安装一个避雷针)。这也是很多IC设计和制造业者的头号难题，很多公司有专门设计ESD的团队，今天我就和大家从最基本的理论讲起逐步讲解ESD
保护的原理及注意点
2023-08-02 16:48:42
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1592
静电放电的测试方法静电放电问题整改案例
静电
放电的产生有两个基本条件，一. 是电荷的积累，电荷的积累是前提，然后是“跨接”，电荷的剧烈流动就是
放电。所以从这两个方面就行控制就能有效地防护
静电
放电的产生。
2023-09-05 11:08:19
479
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东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“
东芝”）近日宣布，
推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）
MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用
东芝最新的[1]第3代碳化硅
MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。
2023-09-07 09:59:32
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如何保护USB Type-C连接器免受静电放电和过热影响？
如何
保护USB Type-C连接器免受
静电
放电和过热影响？ USB Type-C连接器是现代手机、笔记本和其他移动设备中主流的充电和数据传输接口。虽然这种连接器越来越普遍，但是它们仍然容易受到
静电
2023-10-25 11:11:55
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Toshiba推出适用于USB设备和电池组保护的30V N沟道共漏MOSFET
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前
推出了“
SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏
MOSFET，适用于带USB的设备和电池组
保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:22
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东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET适用于电池组保护
东芝电子元件及存储装置株式会社（“
东芝”）近日宣布，
推出“
SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极
MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组
保护。
2023-11-09 17:39:10
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静电放电发生器原理静电放电发生器的主要用途静电发生器怎么使用
静电
放电发生器原理
静电
放电发生器的主要用途
静电发生器怎么使用
静电
放电发生器（Electrostatic Discharge Generator）是一种用于模拟和测试电子器件和系统在
静电
放电
2023-11-23 10:07:22
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ESD静电保护区和非静电防护区之间的通道的最小距离
ESD
静电保护区和非
静电防护区之间的通道的最小距离 ESD
静电保护区是指为了防止
静电
放电而设置的专门区域或设施，以
保护
静电敏感设备和产品的一种措施。而非
静电防护区则是指没有专门设置
静电保护措施的区域
2023-12-20 13:54:16
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什么是ESD保护区？什么是静电防护区？
将详细介绍ESD
保护区和
静电防护区的重要性、组成、设立与管理措施。 一、
静电带来的危害
静电是指由于电子的分析或聚积而形成的电荷差异。当两个带电体相互接触或靠近时，电荷会通过
放电达到平衡。 当
静电
放电发生在灵敏电子设备上时，它
2023-12-20 14:13:04
414
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ESD静电二极管的特性 ESD静电保护二极管如何选型？
ESD
静电二极管的特性 ESD
静电保护二极管如何选型？ ESD
静电二极管是一种用于
保护电子设备免受
静电
放电损害的组件。当人体或其他
静电源接触到电子设备时，产生的
静电
放电可能会引起设备故障或损坏
2023-12-29 15:17:24
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东芝推出高速二极管型功率MOSFET助力提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“
东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中
推出高速二极管型功率
MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41
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东芝推出新一代高速二极管型功率MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“
东芝”）近日宣布，其最新研发的DTMOSVI系列高速二极管型功率
MOSFET已正式
推出。该系列产品特别适用于数据中心和光伏功率调节器等关键应用的开关电源，展现了
东芝在功率半导体领域的深厚实力与持续创新。
2024-03-12 10:27:36
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工商网监
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