前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款通过AEC-Q101认证并具有ESD保护的600V标准整流器---SE20AFJ和SE30AFJ。对于空间有限的应用，新器件可提供2A和3A的正向电流和高
2012-11-22 09:11:46
1051 Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出19款采用DPAK、TO-220、D2PAK、TO-262、TO-247和改进型TO-247封装的汽车级FRED Pt®和HEXFRED®极快和超快整流器和软恢复二极管。
2013-01-10 11:21:351331 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出10款可焊的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢复整流器，其中包括业界首款采用SMA封装的3A器件，采用SMB封装的3A和4A器件，以及采用SMC封装的4A和5A器件。
2013-06-06 12:36:211080 Vishay Intertechnology宣布，推出6颗新的1A和2A电流的FRED Pt® 超快恢复整流器---VS-1EFH01HM3、VS-1EFH01-M3、VS-2EFH01HM3
2015-07-07 11:47:49735 本文我们将根据使用了几种MOSFET的双脉冲测试结果，来探讨MOSFET的反向恢复特性。该评估中的试验电路将使用上一篇文章中给出的基本电路图。另外，相应的确认工作也基于上次内容，因此请结合
2020-12-21 14:25:457583 
反向恢复过程： 通常把二极管从正向导通转为反向截止所经过的转换过程称为反向恢复过程 。由于反向恢复时间的存在，使二极管的开关速度受到限制。 试想一下，如果二极管的反向恢复时间长，那就
2022-12-10 17:06:3814750 
碳化硅二极管是单极器件，因此与传统的硅快速恢复二极管(硅FRD)相比，碳化硅二极管具有理想的反向恢复特性。当器件从正向切换到反向阻断方向时，几乎没有反向恢复功率，反向恢复时间小于20ns，甚至600V10A碳化硅二极管的反向恢复时间也小于10ns。
2023-02-08 17:23:231748 
超快恢复二极管是一种具有开关特性好、反向恢复时间超短的半导体二极管，常用来给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器，使开关器件的功能得到充分发挥。超快恢复二极管是用电设备
2023-07-08 10:08:331014 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用DO-214AC封装的高压、超快表面贴装雪崩整流器---BYG23T。该器件将1.98mm的低外形、1300V的极高反向恢复电压和75ns的快速反向恢复
2012-04-18 11:05:17777 Vishay宣布，推出eSMP®系列SMP （DO-220AA）封装八款新型100 V和200 V器件，扩充其FRED Pt®超快恢复整流器阵容，包括业内额定电流首度达到2 A的器件。
2019-06-13 16:23:581371 FRED产品是一种为优化整流器性能而设计的超快恢复产品，拥有较低的正向压降和极低的恢复时间，现有的产品分布在200V~600V，5A~20A，具有多种封装类型。
2020-08-14 14:50:17944 整流器采用TO-220AC和TO-247AD封装，X型为Hyperfast超高速恢复整流器，H型为Ultrafast超快恢复整流器。
2021-04-01 09:16:081529 
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出15款采用SOT-227小型封装的新型 FRED Pt ® 第五代600 V 和 1200 V Hyperfast和Ultrafast恢复整流器
2022-09-13 14:33:21558 
日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出四款采用TO-220 FullPAK 2L全隔离封装的新型FRED Pt® 第五代600
2022-10-11 13:51:48519 
日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出四款新系列200 V FRED Pt® 超快恢复整流器---1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-26 15:19:16373 
STTH30R04快恢复二极管，电压400V，电流30A，TO-220封装，反向恢复时间快，降低开关和导通损耗，快速开关，低反向漏电流，结温高。主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等
2020-09-24 16:18:20
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
时，二极管或整流器在二极管阻断反向电流之前需要首先释放存储的电荷，这个放电时间被称为反向恢复时间,在此期间电流反向流过二极管。即从正向导通电流为0时到进入完全截止状态的时间。反向恢复过程，实际上是由电荷存储
2019-12-03 10:16:05
整流二极管的反向恢复过程
2021-01-08 06:22:44
Bourns CDSOT23-T24CAN-Q CANbus保护器是符合AEC-Q101标准的浪涌保护器，适用于汽车应用的CAN接口。CDSOT23-T24CAN-Q采用SOT23-3封装，设有双路
2021-01-27 10:11:12
1概述嵌入式系统要在5G时代中蓬勃发展，就需要针对5G特点，进行有针对性的应用于创新。1.15G的特点第五代移动通信技术的特点主要在：（1）高速率，5G网络的下载速度高达10 Gbit/s,，比4G
2021-12-22 08:05:19
从其他制造商和快速回收硅二极管(fred)。肖特基二极管，不像PIN整流器是多数载流子器件，因此没有少数载流子在正向工作模式期间存储在漂移层中，导致零反向恢复电流(归因于储存的电荷)。然而，更薄和更重
2023-06-16 11:42:39
的形式储存电荷。少子注入使基区产生电导调制效应，使得正向通态压降很低。产品具有反向恢复时间快，开关特性好，低开关损耗，性能稳定等优点。适用于低压、高频逆变器、转换开关和极性保护。作为高频整流二极管、续
2020-09-24 16:16:02
`Nexperia 200V超快恢复整流器拥有高功率密度，同时最大限度地减少了反向恢复时间和损耗。这些器件是大功率密度、超快恢复整流器，采用高效平面技术，采用小型扁平引线SOD123W或SOD128
2020-02-13 14:30:30
SiC-SBD与Si-PND（FRD）相比，trr高速且反向恢复电流也显著减少，因此损耗也小。・SiC-SBD的反向恢复特性（trr和反向恢复电流）基本上没有温度依赖性。＜ 相关产品信息 ＞SiC-SBDSi-PNDSi-FRD
2018-11-29 14:34:32
时间trr快（可高速开关）・trr特性没有温度依赖性・低VF（第二代SBD）下面介绍这些特征在使用方面发挥的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比，大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为
2019-03-27 06:20:11
坚固的高压外围 工作温度：-40°C至+175°C 无或低至可忽略的反向恢复特性 开关行为与温度无关 低VF 符合ECOPACK®2标准 二、应用 AC/DC电源功率因数校正 太阳能逆变器升压或降压稳压器 SMPS 电机控制三相逆变器 混合动力汽车 UPS
2020-06-30 16:26:30
滤波电感。有了电容滤波器，LLC转换器还可以使用额定电压较低的整流器，从而降低系统成本。此外，次级侧整流器可实现零电流转换，大大减少了反向恢复损耗。利用LLC拓扑结构的各项优势，可进一步提高效率，降低输出整流器的损耗。
2019-08-07 08:10:47
为什么普通整流二极管都没标反向恢复时间？
2023-04-20 16:43:24
二极管是单向导通，那么反向恢复时间是什么，需要怎么测试
2023-09-27 07:51:57
什么是反向恢复过程？二极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
以AC/DC Boost开关电源为例，如图1所示，主电路中输人整流桥二极管产生的反向恢复电流的di/dt远比输出二极管D反向恢复电流的|di/dt|要小得多。图2是图1开关电源中输人整流桥二极管
2021-06-30 16:37:09
导电性，我们希望通正向电压的时候导通，反向电压的时候迅速截止。对于频率特别高的信号，正负电平反转的比较快，如果反向恢复时间比较长，不管是正向还是反向电压，管子都会导通。这会引起二极管损耗增大，电路效率降低
2023-02-15 14:24:47
AEC-Q101认证的车规级TVS管SM8ZXXA/CA系列，产品系列齐全，以满足不同标准要求的客户需求。特性：[size=14.0000pt]1、高可靠性、符合汽车标准AEC-Q101认证；[size
2019-03-28 10:45:32
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
，开关损耗降低了24%符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101在降低应用产品的功耗方面具有非常高的性价比ROHM官网免费提供应用指南和SPICE模型等丰富的设计数据TO-247N封装（TO-263L表贴型
2022-07-27 10:27:04
静态反向电压阶段。参数性能仿真研究人员利用SPICE模型，通过商业PSpice软件对功率二极管反向恢复特性进行了仿真。功率二极管型号1n4005（Ie=1A，Um<600V）。(a)二极管
2023-02-14 15:46:54
PV Inverter（电机） 等在产品阵容中，拥有符合AEC-Q101标准的支持车载应用的产品，在全球已经被EV及HEV的板上充电控制电路所采用，并已拥有丰硕的市场业绩。＜ 相关产品信息 ＞SiC-SBDSi二极管Si-FRD
2018-12-04 10:26:52
] [/td] 图3示波器设置图第五步：正向电流调节旋钮顺时针调节到最大，反向恢复电流变化率调节旋钮顺时针调节到头；打开电源开关，按下触发开关，进行测试，这个开关只需要按下瞬间即可触发，不必长时间按下等待，按下
2015-03-05 09:30:50
如何选择开关电源次级输出的整流二极管的反向恢复时间？
2023-05-15 17:47:45
快恢复二极管HFD3060H（可完全替换DSEC30-06A），电压600V，电流30A，快恢复时间短（20ns），开关速度快，降低器件的开关损耗和提高电力电子电路的工作频率，在高频电力调节系统
2020-09-24 16:10:01
为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t>t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器
2021-05-14 14:12:50
快恢复二极管FMD4206S，电压600V，电流20A，快恢复时间50ns，TO-3PF封装。开关速度快，低损耗。低漏电流。适用于高频整流的低损耗电源用二极管。常应用于CCM方式PFC；白色家电
2020-09-24 16:11:08
快恢复二极管HFD15U12SC2可完全替换DSEI12-12A/STTH1512二极管，电流15A，电压1200V，TO-220封装。开关特性好，低反向漏电流，低热阻，低开关损耗，高浪涌特性
2020-09-24 16:00:29
快恢复二极管HFD8060P（可完全替换MUR8060PT/STTH100W06C），电压600V，电流80A，超快恢复时间，低漏电流，高浪涌特性，开关特性好，低功耗及射频干扰。可应用于低电压
2020-09-24 16:04:45
通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔，它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。在快恢复二极管里，IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t
2017-02-10 17:51:37
通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔，它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。在快恢复二极管里，IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t
2021-08-13 17:15:07
加上反向偏压，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。由于肖特基二极管仅靠一种载流子(电子)导电，其反向恢复时间缩短到10ns以内，正向导通压降仅为0．4V左右，整流电流却可达几百至几千安培，这些优良特性
2021-05-14 08:11:44
10mA；通过电位器螺丝刀，调节反向恢复电流20mA。二极管具有方向，方向如果接得不对，接入错误指示灯亮，此时更换二极管方向第五步：示波器读数。将抓取到的测试波形进行展开为25nS一格，得到如下图所示的波形
2015-03-11 14:02:20
已经上传了驱动部分的原理图，我刚进一个做MOS的公司，有个客户是这样的，他说我们的管子温度比他的高了20度，MOS的Trr和Qrr都比较大，反向恢复损耗比较高，有什么办法可以降低吗，让MOS的温度的降下来
2019-09-11 04:23:31
TO247标准包装：30类别：分立式导体产品家庭：单二极管/整流器二极管类型：标准电压-DC反向 (Vr)（最大值）：1200V电流-平均整流 (Io)：60A安装类型：通孔，径向封装/外壳
2019-04-26 09:52:00
(RoHS)规范要求封装：管件说明：DIODE ULT FAST 1200V 8A TO220C标准包装：30类别：分立式导体产品家庭：单二极管/整流器二极管类型：标准电压-DC反向 (Vr)（最大值
2019-04-26 10:05:26
在我的上一篇博文中，我介绍了体二极管反向恢复。今天，我们来看一看在一个真实电路中测量反向恢复的方法。测量一个同步降压转换器中的反向恢复不太容易。电流探头太大，并且会大幅增加功率级环路中的电感。而且
2018-09-03 15:17:37
一、二极管从正向导通到截止有一个反向恢复过程在上图所示的硅二极管电路中加入一个如下图所示的输入电压。在0―t1时间内，输入为+VF，二极管导通，电路中有电流流通。 设VD为二极管正向压降（硅管为
2020-02-25 07:00:00
编辑-Z超快恢复二极管如何选？我们在选用超快恢复二极管时要注意什么呢？下面给大家介绍一下ASEMI超快恢复二极管资料。 当我们选择超快恢复二极管整流器时，总是会关注反向恢复时间trr（它代表从指定
2021-10-25 17:34:10
下降边沿触发，时间1格为5nS，幅度1格为5V，触发方式选择正常，上面的箭头居中，示波器的设置如下图所示。此时1mA对应示波器显示为1V。第五步：正向电流调节旋钮顺时针调节到最大，反向恢复电流变化率
2015-03-11 13:56:18
制成的快恢复整流二极管实现高频整流及电镀应用。在保证正向、反向恢复时间都达到基本要求的前提下，使快恢复整流二极管既在反向恢复时间内不产生大的反向电流和大的功率损耗，又在正向恢复时间内不产生过大的电路电压
2011-07-14 08:32:21
:本文简要地介绍了超快速二极的性能管对电力电子电路的影响和现代功率变换对超快速二极管反向恢复特性的要求，超快速二极管的反向恢复参数与使用条件的关系和一些最新超快
2009-10-19 10:24:09
39 超快速二极管的反向恢复特性摘要:本文简要地介绍了超快速二极的性能管对电力电子电路的影响和现代功率变换对超快速二极管反向恢复特性的要求，超快速
2009-11-11 11:22:4819 Vishay推出6款用于消费电子应用的FRED Pt超快恢复整流器。新的600V、8A器件在额定电流下具有1V的超低典型压降，在硬开关条件下的快速恢复时间只有16ns，在125℃下的典型泄漏电流低
2010-05-31 14:57:481425 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出的600V FRED PtTM Hyperfast串级整流器。
2011-04-01 09:36:43782 Vishay Intertechnology宣布，发布34款采用6种功率封装的新型600 V FRED Pt® Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-07-01 09:07:121028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出18款采用TO-252AA (D-PAK)功率塑料SMD封装、正向电流为4A～15A的200V和600V的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-09-09 09:13:333410 FRED Pt®超快恢复整流器。这些整流器具有超快和软恢复特性、低泄漏电流和低正向压降，通过AEC-Q101认证，在汽车和电信应用里可减少开关损耗和功耗。
2014-04-28 14:29:291066 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出4个采用的小尺寸、低外形SMF （DO-219AB） eSMP®系列封装的新型1A FRED Pt®超快恢复整流器。
2014-08-18 16:36:271718 
宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出三款通过AEC-Q101认证
2015-02-11 11:59:291083 FRED Pt® Gen 4 Ultrafast快恢复二极管，这些器件适用于电源模块、电机驱动、UPS、太阳能逆变器、焊机逆变器里的高频转换器。
2015-06-02 15:10:531010 超快恢复二极管（简称fred）是一种具有开关特性好、反向恢复时间超短的半导体二极管，常用来给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器，使开关器件的功能得到充分发挥。超快恢复二极管是用电设备高频化（20khz以上）和高频设备固态化发展不可或缺的重要器件。
2018-01-22 09:36:0414396 快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同
2018-01-24 10:09:0133807 
这些200V器件有汽车级和商用/工业版本，高度小于1mm，可实现最高8A的单阴极结构 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的200V FRED Pt
2018-04-06 11:15:004106 在确保快恢复二极管是真管的前提下，反向恢复时间是能衡量快恢复二极管重要参数，在一定的耐压和电流下，反向恢复时间是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。
2020-10-02 17:50:004764 
新型 30 V n 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。 Vishay Siliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 ，它有普通整流二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管等。那么什么是二极管的反向恢复时间呢？它和结电容之间有什么关系呢？下面列举常用二极管的反向恢复时间： 普通二极管：反向恢复时间一般 500ns以上； 快恢复二极管：反向
2021-09-22 15:07:0331363 
推出 10 款符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车应用的新型 FRED Pt 600 V 第五代 Hyperfast 和 Ultrafast 整流器。Vishay Semiconductors
2021-11-05 15:35:361798 
避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597，我将开始在24V至5V/4A电源转换器中测量反向恢复。
反向恢复—到底是个啥东西？
一个二极管
2021-11-10 09:40:225677 
二极管从正向导通到截止有一个反向恢复过程
2022-02-09 11:34:043 Nexperia（安世半导体）的恢复整流器可以提供高功率密度，同时还能带来最小的反向恢复时间和功率损耗。非常适用于汽车、工业和消费市场中的高效开关和功率转换应用。
2022-07-08 13:16:07772 
Vishay 推出四款新型 TO-244 封装第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色导通和开关损耗特性，能有效提高中频功率转换器以及软硬开关或谐振电路的效率。
2022-08-25 17:33:11944 Vishay 推出 15 款采用 SOT-227 小型封装的新型 FRED Pt 第五代 600V 和 1200V Hyperfast 和 Ultrafast 恢复整流器。
2022-09-16 10:52:20734 Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔离封装的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢复整流器。
2022-10-14 16:11:241100 Vishay 推出两款新型第七代 1200 V FRED Pt Hyperfast 恢复整流器。 两款 1 A 整流器采用 SMA（DO-214AC）封装，反向恢复电荷（Q rr ）和正向压降达到同类器件
2023-01-19 17:20:05734 
反向恢复时间（trr）：正向二极管电流衰减为零后，由于两层中存在存储电荷，二极管继续反向导通。反向流动的时间称为反向恢复时间（trr）。二极管保持其阻断能力，直到反向恢复电流衰减为零。
2023-02-23 15:50:305422 
镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597，我将开始在24V至5V/4A电源转换器中测量反向恢复。
2023-04-15 09:15:122505 
Semiware推出符合AEC-Q101认证的车规级TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列，防护产品系列齐全，以满足高标准的客户需求.
2021-12-08 11:41:13450 
Vishay 推出四款新系列200 V FRED Pt 超快恢复整流器，这些器件采用薄型易于吸附焊锡的侧边焊盘 DFN3820A封装。1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-21 17:25:00523 
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网站提供《MOSFET符合AEC-Q101标准 采用小型有引脚和无引脚DFN的SMD封装.pdf》资料免费下载
2023-09-26 15:36:081 器件损坏。为了保护二极管不受反向击穿的影响，可以使用二极管反向恢复电路。 二极管反向恢复电路是一种用于减小反向恢复电流的电路，通常由二极管和电感器构成。当二极管处于正向导通状态时，电感器存储了能量；当二极管从导
2023-12-18 11:23:57596 生反向恢复过程。 反向恢复过程是指当二极管的正向电压减小到零或反向电压增加到零时，电流不能立即停止流动，而是经过一个反向电流的过程。这个过程通常包括两个阶段：反向恢复时间和存储时间。 反向恢复时间（Recovery Time）：反
2024-01-12 17:06:11655 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08355 
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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