第三代功率半导体碳化硅SiC具有高耐压等级、开关速度快以及耐高温的特点，能显著提高电动汽车驱动系统的效率、功率密度和可靠性。
2023-12-28 16:08:18
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碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。
2024-01-24 16:42:04843 
深圳基本半导体与广州广电计量检测股份有限公司（简称广电计量）在广州举行战略合作签约仪式，双方宣布将围绕第三代半导体功率器件开展上下游全产业链的深度合作，加快推出车规级碳化硅器件，共同推动第三代半导体支撑新能源汽车行业创新发展。
2019-05-14 08:45:562126 围绕第三代半导体领域研发成果，扬杰科技近日在互动平台上回应称：在碳化硅业务板块，公司已组建高素质的研发团队，成功开发出多款碳化硅器件产品，其中部分产品处于主流客户端的认证阶段，可运用于电动汽车、光伏微型逆变器、UPS电源等领域。
2020-10-14 10:09:207581 ，也点燃半导体业新战火。 第三代半导体主要和氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）两种材料有关，不少大厂都已先期投资数十年，近年随着苹果、小米及现代汽车等大厂陆续宣布产品采用新材料的计划，让第三代半导体成为各界焦点。 目前各大厂都运用不同
2021-05-10 16:00:572569 德赢Vwin官网
网报道（文/梁浩斌）几乎与电动汽车产业同步，碳化硅器件的发展也在近十多年间高速发展。作为第三代半导体，采用碳化硅材料所制造的半导体器件在电气特性上的优异表现，让它在电动汽车应用上受到了业界
2023-05-29 18:09:521943 
。 第三代半导体是以碳化硅、氮化镓等为代表的宽禁带半导体材料。某机构数据显示，2022年，国内有超26家碳化硅企业拿到融资。而根据德赢Vwin官网
的不完全统计，今年光上半年就有32家碳化硅企业拿到融资。2023全年第三代半导体行业融资超
2024-01-09 09:14:331408 
。砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表，相比第一代半导体高频性能、高温性能优异很多，制造成本更为高昂，可谓是半导体中的新贵。三大化合物半导体材料
2019-05-06 10:04:10
化合物半导体在通讯射频领域主要用于功率放大器、射频开关、滤波器等器件中。砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表，相比第一代半导体高频性能、高温性能优异很多，制造成本更为高昂，可谓是半导体中的新贵。
2019-09-11 11:51:19
第三代半导体功率器件及模块整体解决方案提供商，专注于提供第三代半导体功率器件和模块整体解决方案的芯片公司。主要产品包括SiC SBD，SiC MOSFET，GaN HEMT等第三代半导体功率器件和模块
2024-01-19 14:55:55
第三代半导体功率器件及模块整体解决方案提供商，专注于提供第三代半导体功率器件和模块整体解决方案的芯片公司。主要产品包括SiC SBD，SiC MOSFET，GaN HEMT等第三代半导体功率器件和模块
2024-01-19 14:53:16
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
充电器、电机和太阳能逆变器，不仅可以从这些新器件中受益匪浅，不仅在效率上，而且在尺寸上，可实现高功率、高温操作。但是，不仅器件的特性让人对新设计充满好奇，也是意法半导体的战略。碳化硅（SiC）技术是意
2023-02-24 15:03:59
功率开关技术也是如此，特别是用SiC和GaN制作的宽带隙器件。SiC已经从5年前的商业起步跃升到今天的第三代，价格已与硅开关相当，特别是在考虑到连锁效益的情况下。 随着电动汽车、可再生能源和5G等
2023-02-27 14:28:47
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、载流子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，可以用来制造
2019-10-24 14:21:23
超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
上，对介电常数要求严格，虽然有低温共烧陶瓷，仍然无法满足他们的要求，需要一种性能更好的升级产品，建议可以使用富力天晟的碳化硅基板；因应汽车需求而特别开发的产品（如IC 载板、软板、银胶贯孔等），也在向
2020-12-16 11:31:13
。 碳化硅近几年的快速发展 近几年来，低碳生活也是随之而来，随着太阳能产业的发展，作为光伏产业用的材料，碳化硅的销售市场也是十分火爆，许多磨料磨具业内人开始关注起碳化硅这个行业了。目前碳化硅制备技术非常
2019-07-04 04:20:22
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用，如汽车制动器和离合器，以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备，如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
已经成为全球最大的半导体消费国，半导体消费量占全球消费量的比重超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国
2021-03-25 14:09:37
器件产业链重点公司及产品进展：欧美出于对我国技术发展速度的担忧及遏制我国新材料技术的发展想法，在第三代半导体材料方面，对我国进行几乎全面技术封锁和材料封锁。在此情况下，我国科研机构和企业单位立足自主
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率器件在C波段以上受频率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
未来电动汽车的动力全要靠三代半导体的功率器件了，碳化硅、氮化镓都会在电动汽车里有很大的市场。仅功率器件一项，每辆车就会增加大约300美元的需求。（5）机器人我的天，你是要把未来世界都划进来吗？可是事实
2017-05-15 17:09:48
据业内权威人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，...
2021-07-27 07:58:41
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
大功率适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开碳化硅二极管，第三代半导体材料几乎都是同时出现，强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极管
2023-02-22 15:27:51
：Gen1》 Gen2 》 Gen3 VF：Gen1》 Gen2 》 Gen3 产品优点 综上所述，基本半导体推出的第三代碳化硅肖特基二极管有以下优点： 更低VF：第三代二极管具有更低VF，同时
2023-02-28 17:13:35
安森美半导体被德国汽车制造商奥迪挑选加入推进半导体计划（PSCP），这一合作将推动即将到来的自动和电动汽车的电子创新和质量。这一跨领域的半导体战略旨在推动创新及品质，并在早期为奥迪车型提供最新的技术
2018-10-11 14:33:43
/混合动力汽车半导体领袖，紧跟市场趋势，提供全面的高性能方案，包括超级结SuperFET® III MOSFET、碳化硅(SiC)二极管、IGBT、隔离型门极驱动器、电流检测放大器、快恢复二极管，满足电动汽车充电桩市场需求并推动创新。
2019-08-06 06:39:15
）功率器件产业化的倡导者之一，国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造与应用解决方案提供商，在国内碳化硅功率器件制造商中率先完成了质量管理体系---汽车行业生产件与相关服务件的组织实施ISO9007的要求
2023-02-27 14:35:13
MOSFET更好的在系统中应用，需要给碳化硅MOSFET匹配合适的驱动。 接下来介绍基本半导体碳化硅MOSFET及驱动产品 基本半导体自主研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低
2023-02-27 16:03:36
深圳市萨科微半导体有限公司，技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，掌握第三代半导体碳化硅功率器件国际领先的工艺，和第五代超快恢复功率二极管技术。萨科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
之一和全球第二大功率分立器件和模块半导体供应商，提供广泛的高能效和高可靠性的系统方案，并采用新型的宽禁带材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等进行新产品开发，用于汽车功能电子化和HEV/EV应用。
2019-07-23 07:30:07
深圳市萨科微半导体有限公司，技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，掌握第三代半导体碳化硅功率器件国际领先的工艺，和第五代超快恢复功率二极管技术。萨科微slkor（www.slkormicro.com
2022-05-31 14:00:20
°C。系统可靠性大大增强，稳定的超快速本体二极管，因此无需外部续流二极管。三、碳化硅半导体厂商SiC电力电子器件的产业化主要以德国英飞凌、美国Cree公司、GE、ST意法半导体体和日本罗姆公司、丰田
2023-02-20 15:15:50
可提供从650V到1700V不等的诸多产品，目前这类产品都是基于第三代碳化硅技术，并且都与未来能效相关的，能够节省高达50%的损耗，提高开关频率，降低使用成本。 图4：ST氮化镓产品战略 另一方面，ST
2022-07-01 10:28:37
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。
2018-03-29 14:56:1235825 
第三代半导体，又称宽禁带半导体，是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的半导体材料，具备高压、高温、高频大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317739 华为为5G铺路，布局碳化硅半导体，打破国外第三代半导体市场垄断
2019-08-27 11:19:034989 5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值
2020-03-15 09:56:574129 碳化硅，作为发展的最成熟的第三代半导体材料，其宽禁带，高临界击穿电场等优势，是制造高压高温功率半导体器件的优质半导体材料。
2020-09-02 11:56:351469 7月20日，长沙三安第三代半导体项目开工活动在长沙高新区举行。 当前，第三代半导体材料及器件已成为全球半导体材料产业的前沿和制高点之一。以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体成熟商用材料，在新能源汽车
2020-09-12 09:28:092819 碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。
2020-10-02 18:20:0012090 
来源：罗姆半导体社区 作为第三代半导体中的明星，碳化硅因为其独有的特性和优势受到各方青睐。尤其是时下电动汽车市场的火爆，助推了碳化硅器件的发展与应用。不过，作为新兴事物，碳化硅器件的产品良率及价格
2022-12-27 18:08:19853 呢？为什么说第三代半导体有望成为国产替代希望？ 第三代半导体也被称为宽带隙半导体，主要是以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽带隙半导体材料，其带隙宽度大于2.2eV，是5G、人工智能、工业互联网等多个新基建产业的重要材料，同时也是
2020-10-29 18:26:404897 
。 什么是第三代半导体？ 第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。 一、二、三代半导体什么区别？ 一、材料 第一代半导体材料，发
2020-11-04 15:12:374305 近年来，随着半导体市场的飞速发展，第三代半导体材料也成为人们关注的重点。第三代半导体材料指的是碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）等新兴材料。而这
2020-11-09 17:22:052755 中国第三代半导体正迎来发展的窗口期。第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲11月24日在2020国际第三代半导体论坛上透露，双循环模式推动国产化替代，2020年中国SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）电力电子和微波射频产值预计将约为70亿元。
2020-11-26 10:15:082148 在5G和新能源汽车等新市场需求的驱动下，第三代半导体材料有望迎来加速发展。硅基半导体的性能已无法完全满足5G和新能源汽车的需求，碳化硅和氮化镓等第三代半导体的优势被放大。
2020-11-29 10:48:1287781 今年年初，小米公司推出的氮化镓（GaN）快速充电器引爆了第三代半导体概念。实际上，除了在消费电子领域备受期待的氮化镓之外，第三代半导体的另一个重要产品碳化硅（SiC）有着更为广阔的应用空间。受益于新能源汽车行业的快速发展，氮化镓产品应用即将迎来大爆发。
2020-12-14 11:46:514055 碳化硅（SiC）又名碳硅石、金刚砂，是第三代半导体材料的代表之一，SiC主要用于电力电子器件的制造。受新能源汽车、工业电源等应用的推动，全球电力电子碳化硅的市场规模不断增长，预计2020年的市场规模
2020-12-30 15:52:097765 日前，阿里巴巴达摩院预测了2021年科技趋势，其中位列第一的是以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体将迎来应用大爆发。第三代半导体与前两代有什么不同？为何这两年会成为爆发的节点？第三代半导体之后
2021-01-07 14:19:483427 第三代半导体主要指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，它具有宽禁带、耐高压、耐高温、大电流、导热好、高频率等独特性能和优势。第三代半导体目前主要应用于电力电子器件、光电子器件、射频电子器件
2021-02-01 09:23:113265 半导体的触角已延伸至数据中心、新能源汽车等多个关键领域，整个行业渐入佳境，未来可期。 第三代半导体可提升能源转换效率 以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体具备耐高温、耐高压、高频率、大功率等优势，相比硅器件
2021-03-25 15:19:163618 
新产品，在新的赛道上迈出了坚实的步伐。 01 新赛道 开新局 第三代半导体是国家2030计划和“十四五”国家研发计划的重要发展方向。与传统的硅基半导体相比，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体除了具备较大的禁带宽度之外，还具有高导热
2021-04-22 11:47:102719 碳化硅器件在电动汽车中的应用介绍说明。
2021-06-10 10:51:08
72 中，基本半导体总经理和巍巍博士发布了汽车级全碳化硅模块、第三代碳化硅肖特基二极管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半导体产品布局进一步完善，产品竞争力再度提升，将助力国内第三代半导体产业进一步发展。基本半导体的碳化硅
2021-11-29 14:54:087839 
意法半导体最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了产品性能和可靠性，保持惯有领先地位，更加适合电动汽车和高能效工业应用
2021-12-17 17:23:252461 意法半导体最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了产品性能和可靠性，保持惯有领先地位，更加适合电动汽车和高能效工业应用
2022-01-17 14:13:293382 意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出第三代STPOWER碳化硅 （SiC） MOSFET晶体管 ，推进在电动汽车动力系统功率设备的前沿应用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景应用。
2022-03-14 10:25:521278 意法半导体最近推出了第三代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET，针对先进的功率应用（例如 EV 动力系统）和其他功率密度、能效和可靠性是相关关键因素的应用。 向电动汽车的过渡和内燃机
2022-07-29 18:09:27647 
。 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅较宽的禁带宽度保证了其可击穿更高的电场强度，适合制备耐高压、高频的功率器件，是电动汽车、5G 基站、卫星等新兴领域的
2022-11-28 16:51:24498 SiC（碳化硅）器件作为第三代半导体，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高等特性，碳化硅器件在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和新能源汽车、光伏、航天、军工等环境应用领域有着不可替代的优势...以下针对SiC器件进行深度分析：
2022-12-09 11:31:261087 ST碳化硅解决方案让主要的汽车OEM厂商能够领跑电动汽车开发竞赛，我们的第三代 SiC 技术确保功率晶体管达到理想的功率密度和能效，让汽车实现出色的性能、续航里程和充电时间。
2022-12-15 11:51:171494 对新材料探索的脚步便从未停止。碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，属于第三代半导体材料，其禁带宽度高达3.0eV，相比第一代半导体材料硅，碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8倍；电子饱和漂移速率为硅
2023-02-02 17:39:092602 第三代半导体材料有哪些 第三代半导体材料: 氨化家、碳化硅、氧化锌、氧化铝和金刚石。 从半导体材料的三项重要参数看，第三代半导体材料在电子迁移率、饱和漂移速率、禁带宽度三项指标上均有着优异的表现
2023-02-07 14:06:164200 碳化硅二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管，号称反向恢复时间为零，是高效PFC boost电路的专用升压二极管。以碳化硅二极管为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视，并在智能
2023-02-10 17:45:171729 碳化硅是目前应用最为广泛的第三代半导体材料，由于第三代半导体材料的禁带宽度大于2eV，因此一般也会被称为宽禁带半导体材料，除了宽禁带的特点外，碳化硅半导体材料还具有高击穿电场、高热导率、高饱和电子
2023-02-12 15:12:32933 采用其他材料来代替。 而以碳化硅为代表的第三代半导体，与单晶硅和砷化镓等传统半导体材料相比，具有明显的优势： （1）碳化硅具有高热导率（达到4.9W/cm？ K），是硅的3.3倍。 因此，碳化硅材料散热效果好，理论上，碳化硅功率
2023-02-12 16:10:25770 第一代半导体材料大部分为目前广泛使用的高纯度硅；第二代化合物半导体材料包括砷化镓、磷化铟；第三代化合物半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表。
2023-02-20 14:10:34509 ，将会通过系列报告形式对其进行完整梳理。
第三代半导体性能优越，应用场景更广。半导体材料作为电子信息 技术发展的基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要 求，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料逐
2023-02-21 09:29:162 什么是第三代半导体？我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体，这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:472090 随着高压、高频及高温领域应用的逐渐提高，第三代半导体技术高频化和可靠性等性能的要求已是必须。 第三代半导体材料通常是指氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石等，其中氮化镓、碳化硅为主要代表。在禁带宽
2023-03-09 14:56:53497 
按照电学性能的不同，碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件，两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。导电型碳化硅功率器件是通过在低电阻率的导电型衬底上生长碳化硅外延层后进一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 又以碳化硅和氮化镓材料技术的发展最为成熟。与第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料通常具备更宽的禁带宽度、更高的击穿场强、更高的热导率，电子饱和速率和抗辐射能力也更胜一筹，在高温、高压、高频、高功率等严苛环境下，依然能够保证性能稳定。
2023-05-18 10:57:361018 第三代半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）是近几年新兴的功率半导体，相比于传统的硅（Si）基功率半导体，氮化镓和碳化硅具有更大的禁带宽度，更高的临界场强，使得基于这两种材料制作的功率半导体具有
2023-03-13 17:42:58495 
半导体是当今世界的基石，几乎每一项科技创新都离不开半导体的贡献。过去几十年，硅一直是半导体行业的主流材料。然而，随着科技的发展和应用需求的增加，硅材料在一些方面已经无法满足需求，这促使第三代半导体
2023-07-05 10:26:131322 
如今砷化镓、磷化铟等作为第二代化半导体因其高频性能效好主要是用于射频领域，碳化硅、和氮化镓等作为第三代半导体因禁带宽度和击穿电压高的特性。
2023-07-25 10:52:23405 第三代半导体以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，用于高压、高温、高频场景。广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。因此第三代半导体研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的产业结构。
2023-08-11 10:17:54915 
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，碳化硅需求增速可观。
2023-08-19 11:45:221041 能与成本?未来有何发展目标?...... 前言： 凭借功率密度高、开关速度快、抗辐照性强等优点，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料被广泛应用于电力电子、光电子学和无线通信等领域，以提高设备性能和效率，并成为当前半导
2023-09-18 16:48:02365 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，它突破硅基半导体材料物理限制，成为第三代半导体核心材料。碳化硅材料性能优势引领功率器件新变革。
2023-09-19 15:55:20893 
SiC器件是一种新型的硅基MOSFET，特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中，碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342 
近年来，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体材料成为全球半导体市场热点之一。
2023-10-16 14:45:06694 第三代半导体技术以及碳化硅(SiC)材料，正迅速崛起并且在科技产业中引起广泛关注，这两个领域的结合，为我们带来了前所未有的机会和挑战，将深刻改变我们的生活方式、产业发展，甚至全球经济格局。
2023-11-08 14:59:01512 
半导体材料目前已经发展至第三代。传统硅基半导体由于自身物理性能不足以及受限于摩尔定律，逐渐不适应于半导体行业的发展需求，砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半导体也因而诞生。
2023-12-21 15:12:20820 
第三代半导体性能优越，应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的 基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓为代 表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。相较
2024-01-16 10:48:49314 
碳化硅在功率半导体市场（尤其是电动汽车）中越来越受欢迎，但对于许多应用来说仍然过于昂贵。
2024-01-29 14:46:112888 
2月27日，第三代半导体碳化硅材料生产基地在宝安区启用，由深圳市重投天科半导体有限公司（以下简称“重投天科”）建设运营，预计今年衬底和外延产能达25万片
2024-02-29 14:09:14235
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