采用最新一代工艺，提高了电源效率 日本川崎, 2022年4月1日 /美通社/-- 东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices Storage
2022-04-06 17:36:55
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中国上海， 2023 年 2 月 3 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL™（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET
2023-02-06 10:01:471034 
中国上海， 2023 年 3 月 30 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代
2023-03-30 13:37:14609 
中国上海， 2023 年 6 月 13 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品
2023-06-13 16:38:50712 
— 采用最新一代工艺，可提供低导通电阻和扩展的安全工作区 — 中国上海， 2023 年 6 月 29 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代U-MOS
2023-07-03 14:48:14477 
`惠海半导体【MOS管原厂】厂家供应N沟道场效应管MOS管，低内阻，低结电容小，采用先进的沟槽工艺，性能优越150V系列：8N15、20N15SOT23-3封装、SOT223封装、SOP8封装
2020-11-12 17:31:13
方案应用：森利威尔SL3160 150V耐压IC替代PN6005、PN6006电源芯片概述SL3160 是一款用于开关电源的内置150V 高压MOSFET 的DC-DC 控制器。SL3160 内置
2023-02-01 10:00:38
`惠海半导体【MOS管原厂】厂家供应n沟道场效应管MOS管原厂，质优价廉大量现货量大价优 欢迎选购，低内阻，洁电容小，采用先进的沟槽工艺，性能优越。电弧打火机专用MOS管 100V
2020-11-11 17:10:06
总体描述：SL3150是一款降压调节器，它提供精确的恒定电压（CV）无光藕合器调节。它有一个集成150V MOSFET以简化结构和降低成本。这些特征使其成为离线低压的理想调节器电源应用，如家
2022-05-24 14:52:39
全波输出，PWM控制，闭环采样，软启动，过压，过流，过热保护，使电源得以稳定、可靠、安全地工作。三． 技术参数型号:15A/150V 1. 输入电压（V）:380V±10%2. 输入频率（Hz
2013-08-16 09:51:57
10 17N10 30V 60V 100V 150V SGT工艺高性能MOS管 低内阻 低开启 低结电容东莞市惠海半导体有限公司专业从事DC-DC中低压MOS管市场，专注中低压MOS管的设计、研发、生产与销售
2020-09-24 16:34:09
欢迎随时咨询、留言以及交流学习概述 H6201是支持宽电压输入的开关降压型DC-DC 的控制器，高输入电压可高达150V。H6201同 时支持输出恒压和输出恒流功能。通过设置CS电阻可设置输出恒流值
2020-04-24 15:42:17
150v/5.0sωMOSFET和电源＜30mW空载功耗固定5V输出电压高达400mA的输出电流低VCC工作电流频率折返有限最大频率内部偏置的VCCOTP、uvo、OLP、SCP、开放环应用领域储用功率电动自行车应用工业控制消费类电子产品典型电路图
2022-06-17 10:22:35
一统天下的纵向结构功率MOSFET，也有可能吸纳横向结构而为低压器件注入新的发展方向。 (2）降低JFET电阻 为降低JFET电阻，很早就采用了一种工艺，即增加所夹沟道中的掺杂浓度，以求减小JFET
2019-06-14 00:37:57
`<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
自 1980 年代中期以来，MOSFET 一直是大多数开关模式电源 （SMPS）中的首选晶体管技术。MOSFET用作初级开关晶体管，并在用作门控整流器时提高效率。MOSFET 的结构类似于FET。在
2023-02-02 16:26:45
`N沟道增强型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征该TDM31066采用先进的沟槽技术RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N沟道增强型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征该TDM3550采用先进的沟槽技术◆40V/ 100A[tr]提供优异的RDS（ON）和低门电荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
东芝新一代功率MOSFET产品帮助设计者降低各种电源管理电路的损耗及缩小板子的空间，包含直流-直流转换器的high side 及low side开关，以及交流-直流设计中的二次侧同步整流。此技术也适合马达控制及锂电池电子设备中的保护模组。
2019-08-02 08:07:22
中国上海，2023年3月9日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正（PFC）电路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
和注释会让你一目了然！负载（Load）的连接方式决定了所选 MOSFET 的类型，这是出于对驱动电压的考虑。当负载接地时，采用 P 沟道 MOSFET；当负载连接电源电压时，选择 N 沟道 MOSFET
2019-11-17 08:00:00
MOSFET，应用于高频非隔离的DCDC变换器，以提高系统的效率，降低系统的体积。AOS的AON6240就是采用这种技术，电压40V，Rdson=1.6m，广泛的应用于通讯模块电源的副边同步整流。沟漕和平
2016-10-10 10:58:30
MOSFET，也可以直接驱动。对于一个桥式电路的上下桥臂，上管使用P沟道的功率MOSFET，可以直接驱动，驱动电路设计简单。如果上管选用N沟道的功率MOSFET，那么必须采用浮驱或自举电路，驱动电路
2016-12-07 11:36:11
浪涌电流性能如表格中的额定值所示，从第二代SiC-SBD的38A提高到了1倍以上，高达82A。通过采用JBS结构，并开发最大限度地发挥抗浪涌性能的工艺与产品结构，实现了抗浪涌电流性能的大幅改善。漏电
2018-12-03 15:11:25
导读：日前，TDK公司宣布推出新一代PCB基板式开关电源--CUT75系列产品。CUT75系列新品是伴随着市场对更轻薄、更高效率，更高性价比的三路输出开关电源的需求而问世，为客户系统的小型化
2018-09-27 15:24:27
NXP JN5148-001-M04 Zigbee Pro 模块 YL-5148N产品概述：YL-5148N 是一款基于NXP/Jennic新一代JN5148 32-bit Zigbee微处理器所
2013-09-06 11:01:39
MOSFET的方式内嵌固有体二极管的最新一代阳极短路IGBT.与最佳竞争产品和前代产品相比，该器件具有Eoff较小的特性。总之，新器件使得FS IGBT更适用于不需要高性能反向并联二极管的软开关应用。
2018-09-30 16:10:52
国际整流器公司推出一系列新一代500V及600V高压集成电路（HVIC）。这19款新型HVIC采用半桥设计，配有高端和低端驱动器，可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等
2018-08-31 11:23:15
LTC2924，采用外部N沟道MOSFET的电源排序的简单紧凑型解决方案
2019-04-16 06:07:32
损耗。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低组成全SiC功率模块的SiC-MOSFET在不断更新换代，现已推出新一代产品的定位–采用沟槽结构的第3代产品
2018-12-04 10:11:50
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
ARK推出新一代250V MOS器件 近日，成都方舟微电子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，简称ARK)推出新一代250V MOSFET系列产品，包括N型
2011-04-19 15:01:29
近日，成都方舟微电子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，简称ARK)推出新一代250V MOSFET系列产品，包括N型MOS管、P型MOS管以及N-P对管
2011-04-15 11:51:00
行电力特性量测分析，致茂Chroma6560强编程交流电源电压150V /300V，电流30A /15A，功率6000V /W。Chroma仪器品类：LED电源测试专用直流电子负载、直流电子负载、交
2020-07-25 11:28:36
解决方案更高的功率密度和更高的效率。无铅RoHS封装新增PowerTrench器件，丰富了FAI中等电压范围MOSFET产品阵容，作为齐全的PowerTrenchMOSFET产品系列的一部分，它能够满足
2012-04-28 10:21:32
150V高耐压降压芯片是一种电源管理芯片，其主要功能是将输入电压降低到较低的输出电压。以下是一般的高耐压降压芯片的工作原理：
输入电压稳压：首先，芯片会接收输入电压，这个电压可能来自电池、电源适配器
2024-01-26 14:13:26
：TO-252沟道：N沟道惠海HC020N03L 特点：高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、SGT工艺，开关损耗小应用领域：各类照明应用、太阳能电源
2020-10-09 13:53:07
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
概述OC5806L 是一款支持宽电压输入的 开关降压型 DC-DC，芯片内置 150V/3A 功率 MOS，最高输入电压可超过 120V。OC5806L 具有低待机功耗、高效率、低纹 波、优异的母线
2021-12-16 09:39:47
的MOSFET设计，就无法做到这一点。2006年，英飞凌为了满足客户的要求，推出了OptiMOS™ 2 100 V MOSFET[1]。它是该电压等级里采用电荷补偿技术的第一个功率MOSFE器件。相对于传统
2018-12-07 10:21:41
是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
。此外，为了进一步提高电机的效率并减小尺寸，对于MOSFET还提出了更低导通电阻和高速开关工作的要求。在这种背景下，ROHM继2020年年底发布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又开发出在Nch
2021-07-14 15:17:34
。SL3150 功能各种保护，包括热保护关断（OTP）、VCC欠压、闭锁（UVLO）、过载保护（OLP）、短路保护（SCP）和开路环路保护。SL3150采用SOP7封装。特征:初级侧CV控制宽输入范围：15V~150V集成150/5.0ωMOSFET和电源空载功耗
2022-06-02 15:49:13
SL3160
150V/0.8A 开关降压型转换器
概述
SL3160 是一款用于开关电源的内置150V 高压MOSFET 的DC-DC 控制器。
SL3160 内置高压启动和自供电功能，可满足
2023-09-18 14:44:25
。
SL3160150V/0.8A 开关降压型转换器
概述SL3160 是一款用于开关电源的内置150V 高压MOSFET 的DC-DC 控制器。SL3160 内置高压启动和自供电功能，可满足快速启动和低待机功耗要求。具有
2023-11-08 16:09:11
`SUN2310SGP沟道增强型功率场效应管（MOSFET） ，采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。 采用带散热片的 SOP8 封装`
2011-05-17 10:57:36
`TI新一代5V无线充电发射、接收芯片 bq500211、bq51013简介 德州仪器推出首款符合 Qi 标准的 5V 无线电源发送器;新一代电源电路促进 USB 连接无线充电板普及日前，德州仪器
2013-02-21 10:55:57
作用导致反向工作时的压降降低呢？AO4459的一些特性如下：图2：AO4459的二极管特性图3：AO4459的传输特性VTH是功率MOSFET的固有特性，表示功率MOSFET在开通过程中沟道形成的临界
2017-04-06 14:57:20
度提高产品可靠性，是工程测试机自动测试系统整合得意信赖的产品 chroma系列为150v与600w，二种电压规格，功率范围为250w与350w，单一台的最大电流可达60a，桌上型的电子负载小，重量轻，方便
2019-11-01 09:28:06
MOSFET作为开关使用串联在电池负极和开关电源负极之间，但总是烧坏MOSFET，MOSFET选用的是IXFN420N10T，Ids可达420A，Vds最大100V，而开关电源是适配48V，电池是铅酸电池
2016-09-06 12:51:58
`惠海原厂直销LED汽车大灯电源、电动车灯电源、摩托车灯电源MOS管，30V 60V 100V 150V系列100V10A 100V17A100V40A 150V8A 60V30A60V
2020-09-23 11:38:52
`惠海原厂直销LED汽车大灯电源、电动车灯电源、摩托车灯电源MOS管，30V 60V 100V 150V系列100V10A 100V17A100V40A 150V8A 60V30A60V
2020-10-14 15:18:58
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
和注释会让你一目了然！负载（Load）的连接方式决定了所选 MOSFET 的类型，这是出于对驱动电压的考虑。当负载接地时，采用 P 沟道 MOSFET；当负载连接电源电压时，选择 N 沟道 MOSFET
2019-11-17 08:00:00
自1980年代中期以来，MOSFET一直是大多数开关电源（SMPS）首选的晶体管技术。当用作门控整流器时，MOSFET是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P
2021-04-09 09:20:10
德州仪器（TI）推出新一代KeyStone II架构
2021-05-19 06:23:29
、加湿器、美容仪等电源开关应用30V 60V 100V 150V系列 SGT工艺高性能MOS管 低内阻 低开启 低结电容常规型号：3400 5N10 10N10 17N10 25N10 17N06 30N06 50N06 30N03`
2020-08-29 14:51:46
。方案特点和适用范围：·8-140V工作电压范围·4.2V输出时最大1A输出电流，最大可承受开关瞬间2A的电流· 静态电流低至1mA以下·轻载重载切换，输出电压稳定·固定140KHZ开关频率· 内置150V功率MOSFET·效率高达85％·出色的线性与负载调整率· 外围电路简单，PCB可微型化设计
2019-11-07 15:34:16
开关瞬间2A的电流· 静态电流低至1mA以下·轻载重载切换，输出电压稳定·固定140KHZ开关频率· 内置150V功率MOSFET·效率高达85％·出色的线性与负载调整率· 外围电路简单，PCB可微型化设计
2019-11-11 15:31:39
TrenchFET® IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代产品。与TrenchFET III相比，TrenchFET IV的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45:20
1）。图1.与最新一代IGBT相比，TW070J120B SiC MOSFET的开关速度明显更快，可在功率转换器中提供更高的效率在 3 相 400 V PFC 中仿真，SiC MOSFET
2023-02-22 16:34:53
直流5V升压交流150V怎么来做,我知道要用变压器,但是我不知道怎么搭建电路,变压器要怎么来做?
2014-12-17 11:58:48
，从而在不改变封装体积的情况下提高输出功率。另一个普遍的希望是，能够最终避免采用插件封装的器件（比如TO220、TO247）。阻断电压为40V和60V的最新一代英飞凌MOSFET，如今可满足设计工
2018-12-06 09:46:29
MOSFET的内置体二极管的性能出众，可不采用D2至D5二极管，从而大幅提高系统效率。具体如图10所示。新一代IPD65R660CFD器件的内置体二极管的优化结构与极低的反向恢复电荷特性的有机结合，还有
2018-12-03 13:43:55
客户的新一代功率转换器设计具备高性能、高可靠性和市场竞争力，ADI公司已决定开发各种硬件和软件设计平台，其既可用于评估IC，又可作为完整系统的构建模块。这些设计平台目前针对战略客户而推出，代表了驱动
2018-10-22 17:01:41
IR推出150V和200V MOSFET 具有极低的闸电荷
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，为开
2009-08-18 12:00:511176 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具
2009-11-25 17:56:52711 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:05873 东京—东芝公司（TOKYO：6502）旗下半导体&存储产品公司今天宣布，推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）栅极驱动器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787 式同步降压型开关稳压器控制器 LTC3895，该器件可驱动一个全 N 沟道 MOSFET 电源级。其 4V 至 140V （150V 绝对最大值） 输入电压范围允许使用高压输入电源或具高压浪涌的输入工作，从而无需外部浪涌抑制器件。
2016-05-24 13:55:383609 ，简称 ADI） 旗下凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7001，该器件以高达 150V 电源电压运行。
2017-07-07 15:00:372012 东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET，新器件进一步提高电源效率。在这个连小学生做作业都讲求高效率的年代，还有什么是高效率不能解决的呢？
2018-09-13 15:54:155102 SuperSO8封装：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封装，堪称封装界的best-in-class级别，相比于TO-220封装，SuperSO8将在减少封装电感的基础上进一步增大功率密度、减少漏源电压V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:174535 
电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率
2021-05-27 12:18:587444 
东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）宣布，在其TOLL（TO-无引线）封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
150V 快速高压侧受保护的 N 沟道 MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:12
9 快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482 东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920 东芝拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线 东芝电子元件及存储装置株式会社 （“东芝
2022-03-18 17:35:264581 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中
2022-04-01 09:12:422802 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3610906 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-03-31 10:05:32727 MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常又称为N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。
2023-06-16 09:03:30228 
远小，但在某些应用领域，P沟道MOSFET因其本身的电性特点，有其不可替代性，目前骊微电子可提供-30~-150V，-3~-46A的P沟道MOSFET解决方案，封装
2022-11-11 16:00:461194 
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司推出了新一代异步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道功率MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45367 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-22 11:03:21557 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:10600 
中压MOSFET，是美格纳40~200V沟槽MOSFET的尖端产品组合。 在大功率设备中，能源效率对于降低功耗和确保稳定性至关重要。利用美格纳尖端的沟槽式MOSFET技术，这些新发布的第8代150V MXT MV
2023-10-12 17:15:09736 供应贴片p沟道mos管-150v、-9ASVGP15161PL3A，提供SVGP15161PL3A供应贴片p沟道mos管参数，更多产品手册、应用料资请向士兰微MOS管一级代理骊微电子申请。>>
2022-10-10 16:08:093 EVAL-6ED2742S01QM1评估套件包括一块三相逆变功率板，内含额定电压为160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相栅极驱动器，驱动六个额定电压为150V
2023-11-17 17:08:41534 
安建半导体 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET产品平台，平台采用先进的技术和设计，提供了卓越的开关特性和低导通电阻，从而实现了高效的能源转换和低能耗操作，不仅可以显着提高
2024-01-23 13:36:49293 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41977 
东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝”）近日宣布，其最新研发的DTMOSVI系列高速二极管型功率MOSFET已正式推出。该系列产品特别适用于数据中心和光伏功率调节器等关键应用的开关电源，展现了东芝在功率半导体领域的深厚实力与持续创新。
2024-03-12 10:27:36255
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