在驱动MOS管时，我们希望给到MOS管栅极是标准的电压方波波形，但是在实际情况下，我们在测得的Ugs波形往往是带有振荡的。
2023-06-25 14:26:26
2112 
为什么有时候需要MOSFET栅极电阻？它应该是什么价值？它应该在下拉电阻之前还是之后？事实上，有许多电路是在没有栅极电阻的情况下工作的，但添加一个可以防止一些潜在的问题。1000Ω很可能会起作用。
2023-07-06 11:10:48950 
由于MOS管栅极寄生电容以及寄生电感的存在使得MOS管驱动时栅极很容易发生谐振，常采用的办法是在栅极串接一个小电阻，我想问为什么电阻可以抑制振荡？请众位大神解释原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
大功率电源的PFC电路中，根据MOS管的Qg和导通时间计算栅极驱动电流约5A。按照一般的说法，如果驱动电流设计的太大，会引起电压过冲和振荡，除此之外，还会有什么不利后果？会损坏MOS管吗？根据经验一般最大在多少A比较好？谢谢指教！
2022-05-05 23:01:18
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏)，又因
2017-06-01 15:59:30
。 而当栅极开路的时候，这个电流只能给下方的Cgs电容充电，然后就会导致栅极电压突然升高。当超过MOS管的门线电压VTH的时候，MOS管就会很容易误导通。 所以我们需要保护MOS管的栅极电压来防止误导
2023-03-15 16:55:58
的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010
2012-08-15 21:08:49
工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关
2018-10-31 13:59:26
在开启后，才会出现导电沟道；两者的控制方式也不一样，耗尽型MOS管的VGS（栅极电压）可以用正、零、负电压控制导通，而增强型MOS管必须使得VGS》VGS（th）（栅极阈值电压）才行。这些特性使得耗尽
2021-01-15 15:39:46
，很多MOS管都内置稳压管强行限制栅极电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压时，会造成较大的静态功耗。同时，如果单纯利用电阻分压原理来降低栅极电压，当输入电压比较高时，MOS管工作良好
2021-12-03 16:37:02
数字电路中MOS管常被用来作开关管，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，根据构成和导通特性可分为四类MOS管：g被称为栅极，d为漏极，s为源极，B为衬底，在实际生产中，衬底与源极相连，所以MOS管
2019-01-28 15:44:35
高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里，要得...
2021-10-29 06:54:59
通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多...
2021-10-29 07:22:17
1、首先看一个普通SOT-23封装mos管的开关参数Qg表示MOS管开关导通时栅极需要的总的电荷量，这个参数直接反应mos管的开关速度，越小的话MOS管的开关速度就越快。
2021-10-29 08:10:05
三极管放大好理解，输入电流被放大，波形相位都保持不变，峰峰值变大。但是MOS管放大我就不理解了，栅极绝缘没有电流流入，那么他放大的是什么呢？看起来MOS管只是由栅极电压控制的一个开关，或者说是由栅极电压控制一个可变电阻。请前辈们来解答疑惑
2020-03-04 14:22:43
，可以使MOS管的VT值降到2～3V。 2.直流输入电阻RGS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比，这一特性有时以流过栅极的栅流表示，MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3.漏源击穿
2018-11-20 14:06:31
～3V。 2.直流输入电阻RGS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比，这一特性有时以流过栅极的栅流表示，MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3.漏源击穿电压BVDS 在VGS=0
2018-11-20 14:10:23
吗，为什么？2、导通之后，三极管基极和MOS管栅极的电流几乎一样，而且是pf级别的，非常小。所以具体过程是不是刚开始MOS栅极电流很大，等到MOS管完全导通后栅极电流就变小，但为什么这个电流会变小呢？
2021-04-27 12:03:09
MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度比三极管快。
2023-03-12 05:16:04
MOS管的开关电路中栅极电阻R5和栅源极级间电阻R6是怎么计算的？在这个电路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可变电阻状态中，作为开关电路是怎么计算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于
2019-02-14 11:35:54
时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比
2021-01-11 20:12:24
在设计开关电源或者逆变器时，我们经常需要用到MOS管，可是有些朋友对于如何选取MOS管的驱动电阻不太熟悉，今天本人就分享一份来自网络资源的资料，希望对大家有所帮助。
2018-07-11 22:37:16
的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比
2011-11-07 15:56:56
MOS管具有正温度系数，网上很多说不需要均流电阻。三极管是负温度系数，才需要在发射极串接均流电阻。网上看到有人说，MOS管只在一定的电流范围内才能起到均流作用，那么大电流下还是要加均流电阻咯。现在
2021-01-05 18:19:30
`一般情况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里，要得
2019-07-05 08:00:00
`一般情况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里，要得
2019-07-05 07:30:00
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里，要得
2019-07-03 07:00:00
过二极管，放电功率不受限制，故此情况下mos管开启速度较关断速度慢，形成硬件死区。限流当使用含内部死区的驱动或不需要硬件死区时，是否可以省去栅极电阻呢？答案是不行。当开启mos管为结电容充电瞬间，驱动电路电压源近似短接到地，当驱动电驴电压源等价电源内阻较小时，存在过流烧毁驱动（可能是三态门三
2021-11-16 08:27:47
关于mos管的驱动知识点不看肯定后悔栅极电阻的作用是什么？
2021-09-18 09:17:37
)：290NS工作温度：-55~+150℃引线数量：3 1、去掉连接6N60栅极和源极的电阻，万用表红黑表笔不变。如果去掉电阻后针逐渐恢复到高阻或无穷大，则MOS管就漏电，不变则完好。2、然后用一根导线
2021-10-23 15:15:38
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33:51
全桥逆变后接的是容性负载，全桥的高压是220v整流的，驱动是用的ir21834做的 自举电容是用的1uf快速二极管用的是rf107mos管耐压是500v 电流8a 全桥逆变接容性负载工作大概3分钟mos管的漏极和栅极通了且mos管的封转裂了 是由于负载引起的过热还是什么其他原因
2015-01-30 00:35:51
管的输入端，为了保护MOS管的安全，在具体的电路中必须采取措施限制瞬时充电的电流值，在栅极充电的电路中串接一个适当的充电限流电阻R，如图2-3-A所示。充电限流电阻R的阻值的选取；要根据MOS管的输入
2012-08-09 14:45:18
向右偏转的情形。其原因是人体几个部位和电阻对MOS管起到偏置作用，使之进入饱和区。（2）也可以用舌尖舔住栅极，现象同上。来源：网络，如侵删
2019-01-08 13:28:49
我们知道，mos管是电压控制器件，与双极性三极管不同的是，mos管的导通只需要控制栅极的电压超过其开启阈值电压即可，不需要栅极电流。所以本质上，MOS管栅极上无需串联任何电阻。 对于普通的双
2023-03-10 15:06:47
二极管的管压降0.5v左右，同样也应该可以测得到电阻一般为几千欧以内。1.2 如何判断MOS管是N型还是P型?2. MOS管驱动电路分析下面是常见的MOS管驱动电路（1）二极管D1的作用是什么？二极管D1在驱动信号是低电平时起到快速关断的作用。一般在H桥驱动电路中需要加此二极管起到“慢开快关
2021-12-31 06:20:08
被控制部分的电源，因为栅极是隔离，所以也可以用5v信号控制3v系统的某处是否接地。 3、MOS管放大区应用 工作于放大区，一般用来设计反馈电路，需要的专业知识比较多，类似运放，难以进行细说。主要需要
2019-03-08 11:04:10
，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。 （8）结型MOS管的栅源电压不能接反，可以在开路状态下保存，而绝缘栅型MOS管在不使用时，由于它的输入电阻非常高，须将各
2020-06-28 16:41:02
本帖最后由 酷雪豹 于 2014-9-5 18:58 编辑
1、我我要用一个功率NMOS，置于直流电源（0~7V）和负载之间作为开关，短路置于MOS管漏源之间的电阻（20欧姆），具体请见附件
2014-09-04 11:23:26
不能用。 保持上述状态；此时用一只100K～200K电阻连接于栅极和漏极，如下图所示；这时表针指示欧姆数应该越小越好，一般能指示到0欧姆，这时是正电荷通过100K电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极
2018-11-01 15:21:31
两个mos管，第一个MOS管栅极接单片机io口，通过io口控制通断继而控制第二个mos管通断，开关频率要求不高，对开关时间和导通电阻有要求，开关时间和导通电阻都要尽可能小，有没有推荐的电路图和MOS管，图片是我画的简单示意图
2018-10-16 22:40:53
在一张图中，源漏相连，衬底接地，栅极接入电路中加电压，那这个时候MOS管是有什么作用呢？那为什么要用MOS而不直接用一个电容呢？这个地方加一个MOS电容的作用是什么呢，滤波？
2021-06-24 06:28:33
（因为我在做电机时候，逆变桥用自举驱动MOS管是要GND网络的，不知道这个是否需要），我有个想法就是不需要此GND网络，但是在栅极和源极之间需要并个大电阻，不知这样是否可行。
2020-11-11 20:39:43
，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。并联的一般电路图如下 上图中，R1-4为栅极驱动电阻，每个MOS管都由独立
2018-10-12 16:47:54
维修过程中的拦路虎，如何区分和判断成为必要手段。MOS管和IGBT管的辨别带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOMS管的识别带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOMS管它们的栅极位置一样
2019-05-02 22:43:32
大家在电路设计时，经常需要通过主电源给各个模块供电，而且这些模块的供电经常是需要可以控制的。如何控制电源的通断，我想最简单的就是选用MOS管去控制，主要两个方面的原因：1.MOS管导通电
2023-02-28 16:32:33
构成了一个N沟道（NPN型）增强型MOS管。显然它的栅极和其它电极间是绝缘的。MOS管的基本特性：MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于Sio2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在
2018-10-25 16:36:05
一个LC振荡电路，如果直接把驱动芯片的输出端接到MOS管栅极的话，在PWM波的上升下降沿会产生很大的震荡，导致MOS管急剧发热甚至爆炸，一般的解决方法是在栅极串联10欧左右的电阻，降低LC振荡电路的Q
2019-04-29 08:00:00
一个开关电源问题，开关电源有个开关管MOS管的栅极上串有一个电容和一个电阻，分别起什么作用呢？降低开关管导通速度吗？增加上升沿和下降沿时间吗？那为何还要串个电容呢？
2018-06-29 11:28:43
怎样去计算MOS管栅极的驱动电流呢？如何对MOS管的驱动波形进行测试呢？
2021-09-28 07:36:15
强型、P沟耗尽型和加强型四大类。 MOS管应该如何检测呢？MOS管的外形、结构及符号如下图所示，三个电极分别为栅极G、源极S、漏极D。国产N沟道管典型产品有3DJ2、3DJ4.3DJ6、3DJ7，P
2018-10-23 15:10:53
1、沟道 上面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在一起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用MOS管必须清楚这个参数是否符合需求
2019-01-03 13:43:48
要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压和漏极电压(Vcc)相同，所以这是栅极电压要比Vcc大4V
2018-12-03 14:43:36
，为了尽可能降低MOS管的开关损耗，工程师在电源设计过程中需要选择同等规格下Qg更低的MOS管作为主功率开关管。如图2所示是栅极电荷Qg与Vgs的曲线图： MOS管选型 针对开关电源的应用，美国
2018-11-06 13:45:30
整流管使用时栅极的电压应当取多少合适？作为整流的mos管Q1,Q2,Q3,Q4是否与S1,S2,S3,S4的导通时间形成互补？感谢！
2017-08-03 14:31:02
开关MOS管与线性MOS管的区别，1.是不是开关MOS管的只有“开”与“关”2种状态？2.是不是线性MOS管可以利用栅极的电压大小来控制导通的比率?3.开关的MOS管是使用数字信号控制。而线性的MOS管使用模拟信号控制？
2023-03-15 11:51:44
，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。并联的一般电路图如下 上图中，R1-4为栅极驱动电阻，每个MOS管都由独立
2018-11-28 12:08:27
。 求问MOS管关断延迟大怎么调？ 搞搞前级，搞搞后级。就可以了。。。断掉前级，测试MOS输入电平。是低就上拉，高就下拉。总之跟他对着干。然后把前级加上去。试试看。调栅极的电阻啊或许
2019-01-08 13:51:07
对MOS管是有害的。如果必须在MOS管栅极前加齐纳二极管,那么可以在MOS管的栅极和齐纳极管之间插入一个5~10欧的小电阻或在栅源之间接一个小电容(电容值要小于MOS管输入电容的1/50)来消除自振荡
2018-10-19 16:21:14
，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS管。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源
2018-10-26 14:32:12
的MOS管运行时，由于在Flyback时功率MOS管的寄生双极晶体管运行，导致此二极管破坏的模式。 四、由寄生振荡导致的破坏此破坏方式在并联时尤其容易发生 在并联功率MOS管时未插入栅极电阻而直接
2018-11-21 13:52:55
，或者有可能造成功率管遭受过高的di／dt而引起误导通。为避免上述现象的发生，通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻，电阻的大小一般选取几十欧姆。 2)防止栅源极间过电压，由于栅极与源
2018-12-10 14:59:16
` MOS管的导通电阻小而且栅极驱动也不需要电流，所以它造成的损耗较小。除此之外还具备热特性好、自动保护二极管等优点，这也使它获得了大多数厂商的青睐。现如今，有许多的电子行业厂家都会采用性能优秀
2018-12-27 13:49:40
为0，此时mos管栅极电压变为-6.3V（正常情况下，AI+输入0时，栅极电压受ref反偏影响在-3v左右），即使再次给定AI+AI-至50a电流的给定值，mos管仍无法开通，栅极电压仍维持在-6.3v。请大家帮忙分析下什么原因？谢谢
2018-08-22 11:27:10
一个电流，因为电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源
2017-12-05 09:32:00
详解MOS管驱动电路在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀
2017-08-15 21:05:01
会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压
2018-11-27 13:44:26
Rg具体会影响到那些参数？我个人的理解是①这个电阻对MOS管的开关频率有关，决定了对mos管的输入输出电容的充放电时间②匹配集成驱动的驱动能力，电阻越到，集成驱动所需的最大驱动电流也就越小。大家有什么看法，请教一下
2017-06-05 11:28:22
这个是一个升压电路的部分电路，6脚PWM输出控制N-MOS，我仿真发现不同的栅极电阻R6，PWM经过R6后，波形失真很严重，请问这个R6是如何影响到后级波形，图中灰色的代表PWM输出，黄色代表经过R6后的栅极门波形
2017-08-11 10:24:02
MOS管栅极接的100K电阻起什么作用，这个电阻取值是的依据是什么。
2018-10-24 15:51:49
传送与运输过程需要特别注意，以减少损失，避免无所谓的纠纷。防护的话加齐纳稳压管保护。 现在的MOS管没有那么容易被击穿，尤其是是大功率的VMOS，主要是不少都有二极管保护。 VMOS栅极电容大，感应
2022-05-14 10:22:39
，工程师在电源设计过程中需要选择同等规格下Qg更低的MOS管作为主功率开关管。如图2所示是栅极电荷Qg与Vgs的曲线图： [url=//www.hzfubeitong.com/uploads
2016-12-23 19:06:35
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS管，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里
2021-10-29 08:34:24
文章介绍了MOS管栅极电阻会影响开通和关断时的损耗，应该选用多大阻值的呢？
2016-05-06 16:57:53
35 过二极管，放电功率不受限制，故此情况下mos管开启速度较关断速度慢，形成硬件死区。限流当使用含内部死区的驱动或不需要硬件死区时，是否可以省去栅极电阻呢？答案是不行。当开启mos管为结电容充电瞬间，驱动电路电压源近似短接到地，当驱动电驴电压源等价电源内阻较小时，存在过流烧毁驱动（可能是三态门三
2021-11-09 15:21:0019 在了解mos管栅极电阻的作用之前，我们先了解一下mos管栅极及其他2个极的基础知识。场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用
2022-09-27 15:29:507347 如果没有栅极电阻，或者电阻阻值太小MOS导通速度过快，高压情况下容易击穿周围的器件。
2022-10-27 09:41:296053 级或者更低)。栅极电阻过大时，MOS管导通速度过慢，即Rds的减小要经过一段时间，高压时Rds会消耗大量功率，导致MOS管发烫。过于频繁地导通会使热量来不及发散，MOS温度迅速升高。 3、在高压下，PCB的设计也需要注意。栅极电阻最好紧靠栅极，并且导线不要与母线电压平行分
2022-11-04 13:37:245045 在高压下，PCB的设计也需要注意。栅极电阻最好紧靠栅极，并且导线不要与母线电压平行分布。否则母线高压容易耦合至下方导线，栅极电压过高击穿MOS管。
2023-01-10 11:33:55690 MOS管，又叫绝缘栅型场效应管，属于电压控制电流型元件，是开关电路中的基本元件。其特点是栅极（G）的内阻极高。场
效应管分为P型和N型，P型场效应管由于跨导小、阈值电压高等原因，已经逐渐被NMOS所取代。
2023-03-20 11:21:432 虽然MOS管名义上是压控器件，只要栅极的电压超过其阈值就会控制MOS管导通。
2023-06-25 14:49:24759 
中，我将详细探讨为什么电阻和MOS管的单位cell需要设计成偶数个，其具体原因如下。 首先，我们需要了解MOS管和电阻的构成方式。MOS管是由氧化物-半导体材料构成的三端口器件，包括源极、漏极和栅极。而电阻则是由电阻材料构成的两端口器件。这些器
2023-09-20 16:23:38336 MOS芯片是一种常见的电子器件，其中MOS管（MOSFET）是一种常用的三端器件，包括源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。了解MOS管的源极、漏极和栅极的位置以及如何判断它们
2024-01-10 15:34:25857
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