于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考，并期待与您进一步的交流。 前两篇文章我们分别探讨了 SiC MOSFET的驱动电压 ，以及 SiC器件驱动设计中的寄生导通问题 。本文作为系列文章的第三篇，会从SiC MOS寄生电容损耗与传统Si MOS作比较，给
2022-07-07 09:55:00
2357 
本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点，推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。
2015-06-12 09:51:234738 ，也点燃半导体业新战火。 第三代半导体主要和氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）两种材料有关，不少大厂都已先期投资数十年，近年随着苹果、小米及现代汽车等大厂陆续宣布产品采用新材料的计划，让第三代半导体成为各界焦点。 目前各大厂都运用不同
2021-05-10 16:00:572569 3G发展和演进介绍:3G发展概述,3G频谱分配,3G业务应用第三代移动通信的提出IMT-2000是第三代移动通信系统（3G）的统称第三代移动通信系统最早由国际电信联盟（ITU）1985年提 出
2009-06-14 19:31:04
【作者】：曹晨磊;张茹;钮心忻;周琳娜;张振涛;【来源】：《清华大学学报(自然科学版)》2009年S2期【摘要】：为了研究3G(第三代移动通信技术)安全协议的发展现状,该文以3G实体认证协议为重
2010-04-24 09:25:49
SiC MOSFET 驱动器专用电源
2023-03-28 14:47:38
SiC MOSFET 驱动器专用电源
2023-03-29 21:44:04
最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V前后驱动，以充分获得低导通电阻。也就是说，两者的区别之一是驱动电压要比
2018-11-30 11:34:24
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。 与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-04-09 04:58:00
，但由于第三代（3G）SiC-MOSFET导通电阻更低，晶体管数得以从8个减少到4个。关于效率，采用第三代（3G）SiC-MOSFET时的结果最理想，无论哪种SiC-MOSFET的效率均超过Si IGBT
2018-11-27 16:38:39
BJT具有令人印象深刻的每有效电流面积数字，但该器件有三个主要缺点：首先，许多设计师习惯于使用MOSFET或IGBT等电压控制器件，否则需要切换BJT所需的高电流。其次，BJT的驱动电流在具有大内
2023-02-27 13:48:12
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-05-07 06:21:55
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管（以下SiC SBD）的第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压，并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品
2018-12-03 15:12:02
器件产业链重点公司及产品进展：欧美出于对我国技术发展速度的担忧及遏制我国新材料技术的发展想法，在第三代半导体材料方面，对我国进行几乎全面技术封锁和材料封锁。在此情况下，我国科研机构和企业单位立足自主
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率器件在C波段以上受频率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
？到了上个世纪六七十年代，III-V族半导体的发展开辟了光电和微波应用，与第一代半导体一起，将人类推进了信息时代。八十年代开始，以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表的第三代半导体材料的出现，开辟了人类
2017-05-15 17:09:48
KSZ8873RLL-EVAL，KSZ8873RLL评估板是第三代完全集成的3端口开关。 KSZ8873RLL的两个PHY单元支持10BASE-T和100BASE-TX。 KSZ8873RLL支持
2020-05-15 08:48:50
UTC-1212SE
第三代无线通信模块
产品描述
【产品特点:】配我们公司专门的高增益8.5cm棒状天线，开阔地距离可以达到700-1000米！
(1) 配置我们
2010-12-02 20:31:50
３Ｇ定义 ３Ｇ是英文３rd Generation的缩写，至第三代移动通信技术。相对于第一代模拟制式手机（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等数字手机（２Ｇ）来说，第三代手机是指将无线通信与国际互联网等
2019-07-01 07:19:52
第三代移动通信过渡技术——EDGE作者：项子GSM和TDMA/136现在是全球通用的第二代蜂窝移动通信标准。当前有100多个国家的1亿多人采用GSM，有近100个国家的约9500万用户采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
（PATRO）高解析强光抑制摄像机、帕特罗（PATRO）远距离红外一体摄像机、帕特罗（PATRO）红外防雷摄像机 正当IR-III技术以新脸孔出现在红外夜视市场时，市场上也出现了第三代阵列式红外摄像机，造成
2011-02-19 09:35:33
，到目前全球首推的第三代红外技术，红外夜视领域经历了一场场红外技术新革命，引领着夜视监控行业向更深更远的方向发展，给安防市场制造着一个又一个亮点。红外技术早在60年代初期由美国贝尔实验室研发
2011-02-19 09:38:46
``<p>凌度dt298第三代联网记录仪搭载腾讯车联，采用的是最新无限技术，无限流量随便使用。拥有强大的互联网功能，全程语音帮车主解决很多行车问题。行车
2019-01-08 15:44:58
LED:节能环保的第三代照明技术1、半导体照明 LED：变革照明的第三代革命1.1LED 代替白炽灯—任重而道远自 20 世纪 60 年代世界第一个半导体发光二极管诞生以来，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
瑞士微型数字传感器生产商Sensirion公司推出第三代MEMS流量传感器，用于对微流体系统的流量进行数字化测量。 新型OEM传感器通过使用OEM组件，原有微流体产品范围得到扩大。组件价格优惠
2018-10-26 16:29:10
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
`第一代没有留下痕迹。第二代之前在论坛展示过：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html现在第三代诞生：`
2013-08-10 15:35:19
5-wins+5-PWR+TIVM02+TIVH08+TCP0030A+IGBT town软件。方案特点1、可靠、可重复地测试IGBT及MOSFET（包括第三代半导体器件SiC、GaN）功率半导体动态特征。2、测量的特征
2020-02-14 11:16:06
;Reliability (可靠性) " ，始终坚持“品质第一”SiC元器有三个最重要的特性：第一个高压特性，比硅更好一些；而是高频特性；三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET对应
2020-07-16 14:55:31
近日，华硕正式发布EeePCShell贝壳机，标志上网本市场正式进入第三代。华硕EeePC全球产品经理吴南磬表示，今后的每款EeePC在设计之初都将预留3G模块的位置，并透露EeePC与传统笔记本将
2009-07-01 22:40:05
据业内权威人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，...
2021-07-27 07:58:41
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
时分多址(TDMA)和码分多址(CDMA)技术。第三代移动通信系统(3G)可以提供更宽的频带，不仅传输话音，还能传输高速数据，从而提供快捷方便的无线应用。然而，第三代移动通信系统仍是基于地面标准不一的区域性
2019-08-23 07:59:02
什么是第三代移动通信答复：第三代移动通信系统IMT2000，是国际电信联盟（ITU）在1985年提出的，当时称为陆地移动系统（FPLMTS）。1996年正式更名为IMT2000。与现有的第二代移动
2009-06-13 22:49:39
随着第三代移动通信技术的兴起，UMTS网络的建立将带来一场深刻的革命，这对网络规划也提出了更高的要求。在德国轰动一时的UMTS执照拍卖，引起了公众对这一新技术的极大兴趣。第三代移动通信网络的建设正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技术定义(IR-III Technology Definition)IR-III技术即红外夜视第三代技术，根植于上世纪60年代美国贝尔实验室发明的红外夜视技术，属于一种主动式红外
2011-02-19 09:34:33
:・全SiC功率模块由ROHM自主生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD组成。・与Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。・全SiC功率模块正在不断进化，最新产品搭载了最新的第三代SiC-MOSFET。
2018-11-27 16:38:04
DMOS结构SiC-MOSFET的全SiC功率模块BSM180D12P2C101、以及采用第三代沟槽结构MOSFET的BSM180D12P3C007的开关损耗比较结果。相比IGBT，第二代的开关损耗
2018-11-27 16:37:30
第三代移动通信的提出IMT-2000是第三代移动通信系统（3G）的统称第三代移动通信系统最早由国际电信联盟（ITU）1985年提 出，考虑到该系统将于2000年左右进入商用市场，工作的频段在
2009-06-14 19:32:36
已经将产业未来聚焦到了第三代化合物半导体身上。可以说第三代半导体就是未来功率器件的发展方向。全国两会近日刚落下帷幕，第三代半导体（GaN和SiC）再度成为两会的关键词之一。伴随着第三代半导体行业的触角向
2021-03-26 15:26:13
1、引言随着科学技术的发展和社会的进步，移动通信技术正在经历着日新月异的变化。当人们还在研究和部署第三代移动通信系统的同时，为了适应将来通信的要求，国际通信界已经开始着手研究新一代的移动通信系统
2019-07-17 06:47:32
基于第三代移动通信系统标准的ALC控制方案的设计与实现
2021-01-13 06:07:38
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管，这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 17:13:35
极驱动器的优势和期望，开发了一种测试板，其中测试了分立式IGBT和SiC-MOSFET。标准电压源驱动器也在另一块板上实现，见图3。 图3.带电压源驱动器（顶部）和电流源驱动器（底部）的半桥
2023-02-21 16:36:47
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
－进入主题之前请您介绍了很多基础内容，下面请您介绍一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被称为“第三代”，首先请您讲一讲各“代”的历史。前面让我介绍基础内容，这是非常必要的。要想更好地了解第三代产品
2018-12-03 15:11:25
应的SiC-MOSFET一览表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列内置SiC肖特基势垒二极管，包括体二极管的反向恢复特性在内，特性得到大幅提升。一览表中的SCT3xxx型号即第三代沟槽结构SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
一、测试需求：功率器件如场效应晶体管(MOSFET)和绝缘双极晶体管[IGBT) ,这些功率器件提供了快速开关速度,能够耐受没有规律的电压峰值，被广泛应用于电源转换产品的设计。尤其最新第三代半导体
2021-05-20 11:17:57
浅析第三代移动通信功率控制技术
2021-06-07 07:07:17
超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
本文讨论了移动通信向第三代(3G)标准的演化与发展，给出了范围广泛的3G发射机关键技术与规范要求的概述。文章提供了频分复用(FDD)宽带码分多址(WCDMA)系统发射机的设计和测得的性能数据，以Maxim现有的发射机IC进行展示和说明。
2019-06-14 07:23:38
导读：苹果第三代AirPods预计会在今年年底前上市。 4月24日，据产业链最新消息，苹果正在准备第三代AirPods，预计会在今年年底前上市，而今年3月份苹果刚刚发布了AirPods的第二代
2019-04-27 09:28:37
、PiN二极管和超结二极管；功率开关管主要包括金属氧化物半导体场效应开关管（MOSFET）、结型场效应开关管（JFET）、双极型开关管（BJT）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、门极可关断晶闸管（GTO
2023-02-20 15:15:50
绝大多数情况下都取决于IC的规格，因此虽然不是没有方法，但选用专为SiC-MOSFET用而优化的电源IC应该是上策。具体一点来讲，在规格方面，一般的IGBT或Si-MOSFET的驱动电压为VGS
2018-11-27 16:54:24
分享小弟用第三代太阳能的心得。
最近看了很多资料对第三代太阳能的介绍，诸多的评论都说到他的优势，小弟于是购买了这种叫第三代的太阳能－砷化镓太阳能模块。想说，现在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
10 cm，相当于不到5 l的体积。重量仅为4.5千克。为了评估新型第三代SiC MOSFET，已经订购了其他模块，包括S4007 * MOSFET（650 V，80 mOhm，第三代MOSFET
2019-10-25 10:01:08
损耗。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低组成全SiC功率模块的SiC-MOSFET在不断更新换代，现已推出新一代产品的定位–采用沟槽结构的第3代产品
2018-12-04 10:11:50
文章介绍了第三代LonWorks 技术的应用方向和结构，以及美国Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks 产品以及它们的主要技术特点和性能。关键词LonWorks® LonTalk® LonMark®, L
2009-05-29 12:14:45
8 第三代LonWorks技术和产品介绍
文章介绍了第三代LonWorks技术的应用方向和结构，以及美国Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks产品以及它们的主要技术特点
2010-03-18 09:55:0417 Intel Xeon®铂金处理器（第三代）Intel® Xeon®铂金处理器（第三代）是安全、敏捷、数据中心的基础。这些处理器具有内置AI加速、先进的安全技术和出色的多插槽处理性能，设计用于任务关键
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon®金牌处理器（第三代）Intel® Xeon®金牌处理器（第三代）支持高内存速度和增加内存容量。Intel® Xeon®金牌处理器具有更高性能、先进的安全技术以及内置工作负载加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon®可扩展处理器（第三代）Intel®Xeon®可扩展处理器（第三代）针对云、企业、HPC、网络、安全和IoT工作负载进行了优化，具有8到40个强大的内核和频率范围、功能和功率级别
2024-02-27 11:58:54
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技术
日前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。这些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:49898 据一向不靠谱的台湾媒体DigiTimes报道，苹果将于今年夏季发布新款第三代iPad。新款第三代iPad将配备来自夏普的IGZO显示屏，这种技术将使iPad变得更薄，电池更耐用。在第三代iPad发布之
2012-06-30 11:48:16625 前面让我介绍基础内容，这是非常必要的。要想更好地了解第三代产品的优势与特点，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。
2018-04-09 15:42:506274 ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET，并利用光学显微镜和扫描电镜研究复杂的碳化硅沟槽结构。
2018-08-20 17:26:299042 。 什么是第三代半导体？ 第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。 一、二、三代半导体什么区别？ 一、材料 第一代半导体材料，发
2020-11-04 15:12:374305 招商引资名单中。 问题来了：第三代半导体产业是真的进入春天还是虚火上升？又有哪些行业真的需要GaN或SiC功率器件呢？相对于IGBT、MOSFET和超级结MOSFET，GaN和SiC到底能为电子行业带来哪些技术变革？ 为了回答这些问题，小编认真阅读了多
2020-12-08 17:28:0312546 深圳爱仕特科技公司第三代半导体SiC产品宣传册
2021-03-16 16:18:5934 第三代半导体Central issue 2020年10月，国星光电成功举办了首届国星之光论坛，论坛上国星光电宣布将紧抓国产化机遇，迅速拓展第三代半导体新赛道。近期，国星光电正式推出一系列第三代半导体
2021-04-22 11:47:102719 第三代电机驱动电路图下载
2021-10-18 11:23:361 第三代半导体器件毫不夸张的讲为电源行业带来了革新，基于其高速，小体积，低功耗的特点，越来越广泛应用在消费电子及电力电子行业。下图显示了不同技术的功率器件的性能区别。可以看到，传统的Si基IGBT或者
2021-12-29 17:11:061046 
SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、高频、大功率等应用场合。
2022-02-25 15:49:2843 据统计，目前国内以SiC、GaN为代表的第三代半导体主要制造商已达147家。
2022-07-20 15:16:351477 意法半导体最近推出了第三代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET，针对先进的功率应用（例如 EV 动力系统）和其他功率密度、能效和可靠性是相关关键因素的应用。 向电动汽车的过渡和内燃机
2022-07-29 18:09:27647 
随着新能源行业的发展，IGBT /SiC MOSFET作为充电桩设备、光伏SVG系统中的关键半导体器件组成部分，市场对其应用条件和性能提出更高的要求，对于驱动方案的要求也随之提高。
2022-10-21 15:23:491031 在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。
2023-02-08 13:43:211381 
ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称"SiC-SBD"）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。
2023-02-10 09:41:07304 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC-SBD”）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。
2023-02-10 09:41:07611 
－进入主题之前请您介绍了很多基础内容，下面请您介绍一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被称为“第三代”，首先请您讲一讲各“代”的历史。前面让我介绍基础内容，这是非常必要的。
2023-02-16 09:55:07759 
在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
3.1 驱动电源SiC MOSFET开启电压比Si IGBT低，但只有驱动电压达到18V～20V时才能完全开通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs对比 Cree的产品手册
2023-02-27 14:41:099 碳化硅 MOSFET 驱动电路保护 SiC MOSFET 作为第三代宽禁带器件之一，可以在多个应用场合替换 Si MOSFET、IGBT，发挥其高频特性，实现电力设备高功率密度。然而被应用于桥式电路
2023-02-27 14:43:028 Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管 器件采用 MPS 结构设计 额定电流 4 A~ 40 A 正向压降、电容电荷和反向漏电流低 Vishay 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
3月11日，国际独立第三方检测检验和认证机构德国莱茵TV（以下简称“TV莱茵”）向上海陆芯电子科技有限公司（以下简称“上海陆芯”）的第三代IGBT产品颁发了AEC-Q101认证证书。这是上海陆芯汽车
2022-06-21 09:18:39887 
近年来，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体材料成为全球半导体市场热点之一。
2023-10-16 14:45:06694 基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源，市场潜力巨大。
2023-12-01 09:47:42219 
德赢Vwin官网
App
工商网监
评论