美国科锐公司（Cree）开发出了直径为150mm（6英寸）、晶型结构为4H的n型SiC外延晶圆，适用于制造功率半导体、通信部件及照明部件等。
2012-09-05 10:39:28
1677 
探索SiC外延层的掺杂浓度控制与缺陷控制，揭示其在高性能半导体器件中的关键作用。
2024-01-08 09:35:41630 
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
晶体生长和器件加工技术的额外动力。在20世纪80年代后期，世界各地正在进行大量努力，以提高SiC衬底和六方SiC外延的质量 - 垂直SiC功率器件所需 - 从日本的京都大学和AIST等机构到俄罗斯
2023-02-27 13:48:12
可以通过在SiC功率器件上运行HTGB（高温栅极偏压）和HTRB（高温反向偏压）应力测试来评估性能。Littelfuse在温度为175°C的1200V，80mΩSiCMOSFET上进行了压力测试，具有
2019-07-30 15:15:17
SiC SBD 晶圆级测试 求助：需要测试的参数和测试方法谢谢
2020-08-24 13:03:34
Si-MOSFET高。与Si-MOSFET进行替换时，还需要探讨栅极驱动器电路。与Si-MOSFET的区别：内部栅极电阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的内部栅极电阻Rg依赖于栅电极材料的薄层电阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
比Si器件低，不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。 而且MOSFET原理上不产生尾电流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少开关损耗，并且实现散热部件
2023-02-07 16:40:49
，不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。而且MOSFET原理上不产生尾电流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少开关损耗，并且实现散热部件的小型化。另外
2019-04-09 04:58:00
栅极偏压）试验（+22V、150℃）中，在装置中未发生故障和特性波动，顺利通过1000小时测试。阈值稳定性（栅极正偏压）SiC上形成的栅极氧化膜界面并非完全没有陷阱，因此当栅极被长时间施加直流的正偏压
2018-11-30 11:30:41
。SiC-MOSFET应用实例2：脉冲电源脉冲电源是在短时间内瞬时供电的系统，应用例有气体激光器、加速器、X射线、等离子电源等。作为现有的解决方案有晶闸管等真空管和Si开关，但市场需要更高耐压更高
2018-11-27 16:38:39
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些优异的设计？SiC46x的主要应用领域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
，不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。而且MOSFET原理上不产生尾电流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少开关损耗，并且实现散热部件的小型化。另外
2019-05-07 06:21:55
电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗，通过改用SiC功率模块可以明显减少，因此具有以下效果：开关损耗的降低，可以带来电源效率的改善和散热部件的简化（例：散热片的小型化，水冷/强制风冷的自然风冷化
2019-05-06 09:15:52
和Ag-In瞬态液相键合技术进行了研究。 实验 本研究选择Sn96.5-Ag3.5焊膏，采用直接覆铜 (DBC)衬底作为SiC功率器件的封装衬底。DBC衬底使用了一个夹在两片0.2032mm铜板之间
2018-09-11 16:12:04
从本文开始将探讨如何充分发挥全SiC功率模块的优异性能。此次作为栅极驱动的“其1”介绍栅极驱动的评估事项，在下次“其2”中介绍处理方法。栅极驱动的评估事项：栅极误导通首先需要了解的是：接下来要介绍
2018-11-30 11:31:17
电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗，通过改用SiC功率模块可以明显减少，因此具有以下效果：开关损耗的降低，可以带来电源效率的改善和散热部件的简化（例：散热片的小型化，水冷/强制风冷的自然风冷化
2019-03-25 06:20:09
与硅相比，SiC有哪些优势？SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能？碳化硅器件的缺点有哪些？
2021-07-12 08:07:35
车型都会配置高压快充功能。各车厂将在高压快充全新赛道上一比高下，与之相匹配的SiC(碳化硅)产业链有望驶入产业化快车道。然而，碳化硅还有价格和产品结构二个拦路虎，我们看看与会专家的意见分析。今年9月
2022-12-27 15:05:47
和GaN的特性比较 氧化镓（GaO）是另一种带隙较宽的半导体材料，GaO的导热性较差，但其带隙（约4.8 eV）超过SiC，GaN和Si，但是，GaO在成为主要动力之前将需要更多的研发工作。系统参与者
2022-08-12 09:42:07
二极管中观察到的电容恢复特性为独立于温度，正向电流水平以及关断dI/dt。在Si技术中，不切实际外延规范将肖特基二极管降级为< 600 V的应用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二极管是专门设计的，以尽量减少电容电荷，从而实现更快的开关瞬变。
2023-06-16 11:42:39
之间通常还有衬底减薄和芯片分离的工艺过程，而在这个过程中，外延片有可能碎裂、局部残缺碎裂或局部残缺，使得实际的芯片分布与储存在分选机里的数据不符，造成分选困难。从根本上解决芯片测试分选瓶颈问题的关键是
2018-08-24 09:47:12
LED芯片外延分析，进行耐压测试、抗静电能力测试、芯片外观形貌观察（是否存在外延层孔洞）等，综合判断芯片外延层质量。 LED失效分析 :LED灯具失效分析,LED光源失效分析,LED芯片失效分析
2020-10-22 09:40:09
LED芯片外延分析，进行耐压测试、抗静电能力测试、芯片外观形貌观察（是否存在外延层孔洞）等，综合判断芯片外延层质量。 LED失效分析 :LED灯具失效分析,LED光源失效分析,LED芯片失效分析
2020-10-22 15:06:06
网络测试 NetWork 分析仪
2024-03-14 22:30:52
网络测试 NetWork 分析仪
2024-03-14 22:30:52
Verilog设计内外延时
2012-08-15 16:31:14
` 首先万分感谢罗姆及德赢Vwin官网
论坛给予此次罗姆SiC Mosfet试用机会。 第一次试用体验，先利用晚上时间做单管SiC Mos的测试，由于没有大功率电源，暂且只考察了Mos管的延时时间、上升时间
2020-05-21 15:24:22
项目名称：SiC MOSFET元器件性能研究试用计划：申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验，熟悉MOSET各种性能和应用，掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
罗姆这回提供的电路非常丰富，按由主及次的评测思路，我们需要对电路结构有所了解才能合理设计电路实验，特整理了电路分析的内容。整个评估板提供的主要电路如下，图中电路主要意思是这样，评估板提供了由两个
2020-06-07 15:46:23
本帖最后由 熊宇豪 于 2022-2-16 16:45 编辑
`在学习评估板的user guide之后，了解其基本功能和组成电路组成，首先对SiC管做双脉冲测试考察其开关特性。对于双脉冲测试
2020-06-18 17:57:15
管的要高很多。现在的测试中输入电压只是48V，最大尖峰也才120多V，对于1200V耐压的SIC来说是绝对的安全，但是当输入电压是400V或者800V时，可能就比较危险了。所以在设计时需要注意尖峰的抑制
2020-06-10 11:04:53
控制器进行编程，使用数字方案控制PWM以驱动SIC MOS实现双向DC-DC变换器功能。4、使用设备仪器测试样机的关键信号点，并分析数据。预计成果1、双向DC-DC变换器样机一台。2、关键信号的波形图、图片或视频。3、相关使用报告3篇以上。我将会分享本项目的开展，实施，结果过程，展示项目结果。
2020-04-24 18:08:05
`收到了罗姆的sic-mosfet评估板，感谢罗姆，感谢德赢Vwin官网
。先上几张开箱图，sic-mos有两种封装形式的，SCT3040KR，主要参数如下：SCT3040KL，主要参数如下：后续准备搭建一个DC-DC BUCK电路，然后给散热器增加散热片。`
2020-05-20 09:04:05
对比仿真结果，测试SiC功率管的实际工作状态。本次报告主要是开箱拍的一些图和介绍对于板子的学习情况。 包装坚固严实的纸箱在海绵中保护的测试板和随板附带的安全注意事项 测试板的正面图背面图，高压区域划分
2020-05-19 16:03:51
封装的SIC MOSFET各两片，分别是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，这两款都是罗姆推出的SIC MOSFET。两款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
项目名称：微电网结构与控制研究试用计划：本人从事电力电子开发与研究已有10年，目前在进行微电网结构与其控制相关项目，我们拥有两电平和多电平并网逆变器，需要将逆变器功率器件全部更换为SiC MOS，以
2020-04-29 18:26:12
项目名称：SiC mosfet 测试试用计划：申请理由：公司开发双脉冲测试仪对接触到Sic相关的资料。想通过此次试用进一步了解相关性能。试用计划：1、测试电源输入输出性能。2、使用公司设备测试Sic器件相关参数。3、编写测试报告。
2020-04-21 15:54:54
光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。在生长成外延片后，下一步就开始对LED外延片做电极（P极，N极），接着就开始用激光机或钻石刀切割LED外延片
2015-03-11 17:08:06
的电感和电容之外的杂散电感和电容。需要认识到，SiC MOSFET 的输出开关电流变化率 (di/dt) 远高于 Si MOSFET。这可能增加直流总线的瞬时振荡、电磁干扰以及输出级损耗。高开关速度还可能导致电压过冲。满足高电压应用的可靠性和故障处理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
引言：前段时间，Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火，现在我们结合最新的市场进展，针对其中使用的碳化硅SiC器件，来了解一下SiC器件的未来需求。我们从前一段时间的报道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
各类应用的PFC和升压转换器时，往往面对在更小尺寸实现更高能效的挑战。这些全新的二极管能为工程师解决这些挑战。自从16多年前第一款SiC二极管问市以来，这一技术已经日益成熟，质量/可靠性测试和现场测试
2018-10-29 08:51:19
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PND的特征SiC-SBD为形成
2018-11-29 14:33:47
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
我想了解关于LED关于外延片生长的结构，谢谢
2013-12-11 12:50:27
。但现实中，大型ASIC和SoC设计常常需要使用很多片SRAM，简单采用这种MBIST方法会生成很多块MBIST控制逻辑，从而增大芯片面积，增加芯片功耗，甚至加长芯片测试时间。
2019-10-25 06:28:55
` 有谁用过SEMILAB的SRP-2000外延片厚度测试仪，关于测试仪的机构和控制部分，尤其是精度部分希望交流，资料可发g-optics@163.com，多谢！`
2018-11-20 20:25:37
电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗，通过改用SiC功率模块可以明显减少，因此具有以下效果：开关损耗的降低，可以带来电源效率的改善和散热部件的简化（例：散热片的小型化，水冷/强制风冷的自然风冷化
2019-03-12 03:43:18
的局部功耗分布，最终会导致局部温度增高。金鉴显微红外热点定位测试系统利用热点锁定技术，可准确而高效地确定这些关注区域的位置。在SiC Mos等功率器件分析中，可用来确定线路短路、ESD击穿、氧化伤害等。该测试技术是在自然周围环境下执行的，无需液氮制冷和遮光箱。金鉴显微红外热点定位测试系统
2018-11-02 16:25:31
两种原子存在，需要非常特殊的栅介质生长方法。其沟槽星结构的优势如下（图片来源网络）：平面vs沟槽SiC-MOSFET采用沟槽结构可最大限度地发挥SiC的特性。相比GAN, 它的应用温度可以更高。
2019-09-17 09:05:05
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
深爱全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范围SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
了。 固有优势加上最新进展 碳化硅的固有优势有很多，如高临界击穿电压、高温操作、具有优良的导通电阻/片芯面积和开关损耗、快速开关等。最近，UnitedSiC采用常关型共源共栅的第三代SiC-FET器件已经
2023-02-27 14:28:47
专案执行分为三个主要阶段：规范和用例定义，技术开发，原型展示研发。WINSIC4AP项目中的SIC技术制造SiC元件需要使用专用生产线，系因半导体的物理特性（掺杂剂的极低扩散性和晶格的复杂性），以及
2019-06-27 04:20:26
各位大神，目前国内卖铟镓砷红外探测器的有不少，知道铟镓砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生产的吗，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
NPN 硅外延三极管型号
2009-11-12 14:28:41
21 LED 外延片--衬底材料衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技
2010-12-21 16:39:290 硅单晶外延层的质量检测与分析
表征外延层片质量的主要参数是外延层电阻率、厚度、层错及位错密度、少数载流子寿命
2009-03-09 13:55:402682 
外延型二极管 用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度
2009-11-07 08:43:34686 LED外延片代工厂走势分析
延续2009年第2季半导体产业景气自谷底弹升，包括台积电、联电、特许半导体(Chartered)及中芯等前4大外延片代工厂，2009年第3季合计营收达43。3
2009-11-27 11:02:14720 SiC,SiC是什么意思
SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C
2010-03-04 13:25:266539 外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张 外延片 随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。 半导体制造
2011-09-22 16:38:321188 本内容介绍了LED外延片基础知识，LED外延片--衬底材料，评价衬底材料必须综合考虑的因素
2012-01-06 15:29:542743 为精确估算高频工作状态下SiC MOSFET的开关损耗及分析寄生参数对其开关特性的影响，提出了一种基于SiC MOSFET的精准分析模型。该模型考虑了寄生电感、SiC MOSFET非线性结电容
2018-03-13 15:58:3813 虽然在商用化学气相沉积设备中可以在一次运行中实现多片4H－SiC衬底的同质外延生长，但是必须将晶片装载到可旋转的大型基座上，这导致基座的直径随着数量或者外延晶片总面积的增加而增加。
2020-12-26 03:52:29492 控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数。
2022-04-11 13:44:444805 在提高 SiC 功率器件性能方面发挥重要作用的最重要步骤之一是器件制造工艺流程。SiC功率器件在用作n沟道而不是p沟道时往往表现出更好的性能;为了获得更高的性能，该器件需要在低电阻率的 p 型衬底上外延生长。
2022-10-27 09:35:004070 固相外延，是指固体源在衬底上生长一层单晶层，如离子注入后的热退火实际上就是一种固相外延过程。离于注入加工时，硅片的硅原子受到高能注入离子的轰击
2022-11-09 09:33:5210250 国产之光希科半导体： 引领SiC外延片量产新时代 希科半导体科技(苏州)有限公司 碳化硅外延片新闻发布 暨投产启动仪式圆满成功 中国苏州，2022年11月23日——希科半导体科技（苏州）有限公司
2022-11-29 18:06:051769 氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化镓外延片因晶格失配或应力而产生翘曲，为目前全球氮化镓外延片主流制备方法。
2023-02-05 14:50:004345 氮化镓外延片指采用外延方法，使单晶衬底上生长一层或多层氮化镓薄膜而制成的产品。近年来，在国家政策支持下，我国氮化镓外延片行业规模不断扩大。
2023-02-06 17:14:353012 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站
2023-02-16 10:50:096936 上周收到了罗姆的评估板，初步分析看了下需要做的技术准备工作较多，同时也需要自己设计方案，需要的时间较多。所以先写一个测试计划。
2023-02-27 10:27:01505 
驱动芯片，需要考虑如下几个方面： 驱动电平与驱动电流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高频开关场合，其面对的由于寄生参数所带来的影响更加显著。由于SiC MOSFET本身栅极开启电压较
2023-02-27 14:42:0479 希科半导体的外延片产品主要用于制造MOSFET、JBS、SBD等碳化硅（SiC）电力电子器件。公司创始核心团队拥有15年以上的规模量产经验，凭借业内最先进的高品质量产工艺和最先进的测试设备，为客户提供低缺陷率和高均匀性要求的6寸导电型碳化硅外延晶片。
2023-05-17 09:47:00638 
外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中应用最多的是4H-SiC 型衬底。
2023-05-31 09:27:092827 
SiC薄膜生长方法有多种，其中化学气相沉积（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精确控制外延膜厚度和掺杂浓度、缺陷较少、生长速度适中、过程可自动控制等优点，是生长用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。
2023-06-19 09:35:52644 
电路基础知识。芯片测试涉及到电子电路的测量和分析，因此需要具备扎实的电路基础知识，包括电子元器件、电路分析方法等。
2023-07-23 10:02:34506 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。
2023-08-03 11:21:03286 
碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。
2023-08-15 14:43:341002 
SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造 而成的晶圆片。衬底可以直接进入 晶圆制造环节生产半导体器件，也 可以经过外延加工，即在衬底上生 长一层新的单晶，形成外延片。
2023-10-18 15:35:394 SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
2023-12-05 17:10:21439 
碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的碳化硅同质外延材料是碳化硅器件研制的基础，外延材料的性能直接决定了碳化硅器件性能的实现。
2023-12-15 09:45:53607 
4H-SiC概述（生长、特性、应用）、Bulk及外延层缺陷、光致发光/拉曼光谱法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光学显微镜，TEM，SEM/散射光等表征方法。
2023-12-28 10:38:03486 
近日，华大半导体旗下中电化合物有限公司荣获“中国第三代半导体外延十强企业”称号，其生产的8英寸SiC外延片更是一举斩获“2023年度SiC衬底/外延最具影响力产品奖”。这一荣誉充分体现了中电化合物在第三代半导体外延领域的卓越实力和领先地位。
2024-01-04 15:02:23523 。以下是设计SiC逆变器的一般流程： 需求分析：首先需要明确SiC逆变器的应用需求，包括输入电压范围、输出电压频率、功率等级、工作温度范围等。这些需求将决定SiC逆变器的基本参数和性能指标。 拓扑结构设计：根据需求分析，选择合适的
2024-01-10 14:42:56190
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