除了阻抗，还有其他问题，即EUV光掩模基础设施。光掩模是给定IC设计的主模板。面膜开发之后，它被运到制造厂。将掩模放置在光刻工具中。该工具通过掩模投射光，这又掩模在晶片上的图像。
2017-09-29 09:09:17
12238 本Inseto知识库文档介绍了光刻中使用的掩模对准器曝光模式。
2022-07-21 16:57:311649 
掩模版（Photomask）又称光罩、光掩模、光刻掩模版、掩膜版、掩膜板等，是光刻工艺中关键部件之一，是下游行业产品制造过程中的图形“底片”转移用的高精密工具
2023-12-25 11:41:135424 
`集成电路（IC）光掩模，又称光罩、掩膜版、光刻掩膜版、掩模版等，是下游行业产品制造过程中的图形“底片”转移用的高精密工具，是承载图形设计和工艺技术等知识产权信息的载体。掩膜版用于下游电子元器件
2019-12-10 17:18:10
被显影液溶解，获得的图形与掩模版图形互补。负性抗蚀剂的附着力强、灵敏度高、显影条件要求不严，适于低集成度的器件的生产。 半导体器件和集成电路对光刻曝光技术提出了越来越高的要求，在单位面积上要求完善传递
2012-01-12 10:51:59
本帖最后由 iweimo 于 2014-10-20 15:07 编辑
先分享光刻的参考资料。============================2014-10-17========光刻分类
2014-09-26 10:35:02
一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻，区别如下
2021-01-12 10:17:47
关于光刻工艺的原理，大家可以想象一下胶片照片的冲洗，掩膜版就相当于胶片，而光刻机就是冲洗台，它把掩膜版上的芯片电路一个个的复制到光刻胶薄膜上，然后通过刻蚀技术把电路“画”在晶圆上。 当然
2020-07-07 14:22:55
MEMS、芯片封装和微加工等领域。目前，直接采用 SU8光刻胶来制备深宽比高的微结构与微零件已经成为微加工领域的一项新技术。在微流控芯片加工中，SU-8主要用于快速模塑法加工PDMS微流控芯片。运用
2018-07-12 11:57:08
提高，才能符合集成工艺制程的要求 [3]。以下几点为光刻胶制造中的关键技术：配方技术、超洁净技术、超微量分析技术及应用检测能力。 制程特性要求有：涂布均匀性、灵敏度、分辨率及制程宽容度。2 光刻胶的反应
2018-08-23 11:56:31
并可作永久隔层。 NR9-P 系列 负性光刻胶，具有高粘附性适用于电镀及湿法蚀刻。 NR71-P 系列 负性光刻胶，用于干法蚀刻中掩模应用并能作为永久隔层。 NR21-P 系列 负性光刻胶，用于厚度超过
2010-04-21 10:57:46
在本示例中，模拟了衰减相移掩模。该掩模将线/空间图案成像到光刻胶中。掩模的单元格如下图所示：掩模的基板被具有两个开口的吸收材料所覆盖。在其中一个开口的下方，位于相移区域。 由于这个例子是所谓的一维
2021-10-22 09:20:17
`LCD段码屏铬版掩模版:此产品主要应用于STN段码屏产品铬版掩模版一直是在IC生产中大量使用的光掩模版。铬板的结构为在精密光学玻璃的表面面使用磁控溅射真空镀膜的方式镀铬和氧化铬。在铬层的表面涂敷
2018-11-22 15:45:58
MEMS、芯片封装和微加工等领域。目前，直接采用 SU8光刻胶来制备深宽比高的微结构与微零件已经成为微加工领域的一项新技术。在微流控芯片加工中，SU-8主要用于快速模塑法加工PDMS微流控芯片。光刻
2018-07-04 14:42:34
之间的粘附性，并且可以有效地去除铜表面上的松散氧化物层。焊料掩模结果分析：图2显示了不同预处理和显影后抛光CCL的焊接掩模的影响。图。图3是焊接固化后CCL焊桥的效果。图。图4是固化后的焊桥的截面图。无
2019-08-20 16:29:49
各位大侠，我是一个labview的初学者，请教labview如何生成相位掩模，fd为分波后球面子波的曲率半径，θ 为相移角
2017-01-09 09:37:01
lithography是一种平板印刷技术，在平面光波回路的制作中一直发挥着重要的作用。具体过程如下：首先在二氧化硅为主要成分的芯层材料上面，淀积一层光刻胶；使用掩模版对光刻胶曝光固化，并在
2018-08-24 16:39:21
就可能在掩膜版上造成损伤,这样在今后所有利用这块掩膜版进行暴光的硅片上都会出现这个缺陷.因此,采用接触式光刻很难得到没有缺陷的超大规模集成电路芯片,所以接触式光刻技术一般只适用于中小规模集成电路。
2012-01-12 10:56:23
按照这个教程使用 分析仪http://www.doc88.com/p-7079923775019.html但是我输入dir vtreg后端口不全，没有GPIO的端口，无法添加到示波器中，请问大家知道是什么原因吗？
2018-09-14 09:28:17
、纳米薄膜等方面相关业务。1、激光直写(最小精度:0.6μm) 适用范围从干版，铬版到无掩模光刻；2、光刻复制及微纳结构刻蚀传递；3、纳米结构薄膜；4、图案微结构设计制作。 业务联系人：张工 电话：１３５５００２１２３５
2016-06-23 16:14:13
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分别采用了什么芯片？ 3协同通信的方式有哪些？ 4大数据及认知无线电（名词解释） 4半导体工艺的4个主要步骤： 4简叙半导体光刻技术基本原理 4给出4个全球著名的半导体设备制造商并指出其生产的设备核心技术： 5卫
2021-07-26 08:31:09
中国科学院大学（以下简称国科大）微电子学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院，国科大微电子学院开设的《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》课程是国内少有的研究讨论光刻技术的研究生课程，而开设课程
2021-10-14 09:58:07
应用于EMI及ESD的新型片式元器件有哪些？
2021-05-31 06:06:13
、纳米薄膜等方面相关业务。1、激光直写(最小精度:0.6μm) 适用范围从干版，铬版到无掩模光刻；2、光刻复制及微纳结构刻蚀传递；3、纳米结构薄膜；4、图案微结构设计制作。 业务联系人：张工 电话：１３５５００２１２ 3 5.
2017-05-09 10:54:39
设计（自动布局布线-APR）。 数字IC后端设计是指将前端设计产生的门级网表通过EDA设计工具进行布局布线和进行物理验证并最终产生供制造用的GDSII数据的过程。其主要工作职责有：芯片物理结构分析、逻辑分析、建立
2020-12-29 11:53:01
汽车应用中的新型传感技术有哪些？
2021-05-13 06:50:05
(etching) 经过上述工序后，以复制到光刻胶上的集成电路的图形作为掩模，对下层的材料进行腐蚀。腐蚀技术是利用化学腐蚀法把材料的某一部分去除的技术。腐蚀技术分为两大类：湿法腐蚀—进行腐蚀的化学物质是溶液；干法
2019-08-16 11:11:34
技术溶解去除曝光区域或未曝光区域，使掩模板上的电路图转移到光刻胶上，最后利用刻蚀技术将图形转移到硅片上。 而光刻根据所采用正胶与负胶之分，划分为正性光刻和负性光刻两种基本工艺。 在正性光刻中，正
2020-07-07 11:36:10
首台商用激光器用于工业市场，其中包括LED激光刻划用的激光器。 总体来讲，激光用于LED的刻划优势是明确的，不过也面临着许多技术挑战，比如不同材料、厚度、不同案例的刻划速度等带来的差异。为此光谱-物理提供多个
2011-12-01 11:48:46
151n光刻胶曝光显影后开口底部都会有一撮残留，找不到原因。各位帮分析下
2023-04-20 13:13:52
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“超精密制造技术皇冠上的明珠”，根据之前中芯国际的公报，目...
2021-07-29 09:36:46
提要：本文讨论了光学光刻中的离轴照明技术。主要从改善光刻分辨率、增大焦深、提高空间像对比度等方面对离轴照明与传统照明作了比较，并用 仿真软件进行了模拟分析。研
2010-11-11 15:45:02
0 据Pixelligent Technologies LLC表示，该公司开发出一种据称可提高现有光刻设备分辨率的纳米晶（nanocrystalline）材料，使光学光刻（Optical lithography）可扩展至32纳米以下。
2009-06-07 18:31:181475 英特尔认为浸入式光刻能延伸到11纳米
英特尔的先进光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特尔希望EUV或者无掩模电子束光刻能作为193纳米浸入式光刻在11纳米的后补者
2010-02-25 10:17:55966 
掩模ROM MCU,什么是掩模ROM MCU
掩膜ROM型产品单价便宜，却有额外增加开发费用的风险。掩膜ROM型产品的风险因素主要有二。首先是掩膜
2010-03-26 11:07:043695 本文提到MEMS技术中所应有的光刻技术，帮助读者了解光刻技术的原理，应用。
2016-04-28 11:35:320 刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。
2018-01-09 13:37:2316784 
光刻机（Mask Aligner） 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。
2018-04-10 09:49:17131483 
在半导体芯片制造设备中，投资最大、也是最为关键的是光刻机，光刻机同时也是精度与难度最高、技术最为密集、进步最快的一种系统性工程设备。光学光刻技术与其它光刻技术相比，具有生产率高、成本低、易实现高的对准和套刻精度、掩模制作相对简单、工艺条件容易掌握等优点，一直是半导体芯片制造产业中的主流光刻技术。
2018-04-10 11:26:34205917 
光学光刻是通过广德照射用投影方法将掩模上的大规模集成电路器件的结构图形画在涂有光刻胶的硅片上，通过光的照射，光刻胶的成分发生化学反应，从而生成电路图。限制成品所能获得的最小尺寸与光刻系统能获得
2018-04-17 16:07:4133630 一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗、烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。最初的工序是用光来制作一个掩模版，然后在硅片表面均匀涂抹光刻胶，将掩模版上的图形或者电路结构转移复制到硅片上，然后通过光学刻蚀的方法在硅片上刻蚀出已经“复制”到硅片上的内容。
2018-05-03 15:06:1319445 
光学光刻是通过广德照射用投影方法将掩模上的大规模集成电路器件的结构图形画在涂有光刻胶的硅片上，通过光的照射，光刻胶的成分发生化学反应，从而生成电路图。限制成品所能获得的最小尺寸与光刻系统能获得
2018-06-27 15:43:5011776 光刻技术是包含光刻机、掩模、光刻材料等一系列技术，涉及光、机、电、物理、化学、材料等多个研究方向。目前科学家正在探索更短波长的F2激光（波长为157纳米）光刻技术。由于大量的光吸收，获得用于光刻系统
2019-01-02 16:32:2323711 浸没式扫描光刻机包含一套透镜系统，用于使光束穿过光掩模或“中间掩模”聚焦到半导体晶圆上。它还含有一组密封元件，可在物镜和半导体衬底之间封入一定体积的液体，由于液体的光线折射率高于空气，因此可以获得更高的光学分辨率和更小的特征尺寸。
2019-05-08 15:27:342703 随着半导体行业持续突破设计尺寸不断缩小的极限，极紫外 （EUV） 光刻技术的运用逐渐扩展到大规模生产环境中。对于 7 纳米及更小的高级节点，EUV 光刻技术是一种能够简化图案形成工艺的支持技术。要在如此精细的尺寸下进行可靠制模，超净的掩模必不可少。
2019-07-03 15:32:371712 
应用厚的光刻胶，并使用阶梯式掩模形成图案（A thick photoresist is applied and patterned with the stair-step mask.）。 蚀刻和收缩
2019-08-28 14:17:503984 
MUNICH - Karl Suss KG GmbH＆amp;公司今天宣布与硅谷的Image Technology公司合作，开发和标准化9英寸掩模，用于大批量晶圆凸点和晶圆级芯片级封装的生产。总体目标是降低晶圆级芯片级封装的掩模成本。
2019-08-13 10:48:592262 据国内媒体报道，来自中国科学院长春光学精密机械与物理研究所等单位的研究人员，开发了一种新型飞秒激光等离子激元光刻技术(FPL)。
2020-05-14 11:24:152918 作为芯片制造的核心设备之一，光刻机对芯片生产的工艺有着决定性影响。 据悉，光刻机按照用途可分为生产芯片的光刻机、封装芯片的光刻机以及用于LED制造领域的投影光刻机。其中，生产芯片的High End
2020-06-15 08:05:54999 作为光刻工艺中最重要设备之一，光刻机一次次革命性的突破，使大模集成电路制造技术飞速向前发展。了解提高光刻机性能的关键技术以及了解下一代光刻技术的发展情况是十分重要的。 光刻机 光刻机（Mask
2020-08-28 14:39:0411746 
光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机是半导体产业中最关键设备，光刻工艺决定了半导体线路的线宽，同时也决定了芯片的性能和功耗。
2020-09-30 16:17:135162 
光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。
2020-10-09 11:29:369260 
光刻机（Mask Aligner） 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。
2020-10-16 10:33:39311070 
几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。 光刻技术的基本原理 光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感
2020-11-11 10:14:2022384 体上，三分之二的调查参与者认为这将产生积极的影响。前往EUV时，口罩的数量减少了。这是因为EUV将整个行业带回单一模式。具有多个图案的193nm浸入需要在高级节点处使用更多的掩模。
2020-11-23 14:42:091096 近两年来，芯片制造成为了半导体行业发展的焦点。芯片制造离不开光刻机，而光刻技术则是光刻机发展的重要推动力。在过去数十载的发展中，光刻技术也衍生了多个分支，除了光刻机外，还包括光源、光学元件、光刻胶等材料设备，也形成了极高的技术壁垒和错综复杂的产业版图。
2020-11-27 16:03:3618800 的通讯作者、中科院研究员、博士生导师刘前公开回应称，这是一个误读，这一技术与极紫外光刻技术是两回事。 按照刘前的说法，如果超高精度激光光刻加工技术能够用于高精度掩模版的制造，则有望提高我国掩模版的制造水平，对现有光刻机的芯片
2020-12-02 11:57:005481 光刻机（Mask Aligner） 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干
2020-12-28 14:17:152440 光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干
2020-12-29 09:14:542095 光刻是集成电路工艺中的关键性技术。在硅片表面涂上光刻胶薄层，经过光照、显影，在光刻胶上留下掩模版的图形。
2021-04-09 14:27:1963 “厚膜光刻”工艺是一种通过厚膜金属化技术（简称“厚膜技术”）与光刻技术相结合，达到高精度、低成本、高效率、高灵活性，并已开始成熟商用化的新型微纳量产制造技术。
2022-01-17 16:51:091400 
待加工基片上。其被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，是微细加工技术的关键性材料。 一言以蔽之，光刻胶是光刻工艺最重要的耗材，其性能决定了加工成品的精密程度和良品率，而光刻工艺又是精密电子元器件制造
2022-01-20 21:02:461208 
4562和希普利电镀光刻胶ED2100。讨论了诸如蚀刻硬掩模、微模、用于金属互连和光塑性模制的严重形貌涂层的应用，并且给出了这些抗蚀剂目前在电信和微流体市场中使用的新颖实例。特别是，展示了用于多种MST原型的光塑性负性抗蚀剂EPON SU-8的多功能性。讨论了微波合成技术的未来发展趋势。
2022-03-04 15:05:20669 
光刻是在掩模中转移几何形状图案的过程，是覆盖在表面的一层薄薄的辐射敏感材料(称为抗辐射剂) ，也是一种半导体晶片。 图5.1简要说明了光刻用于集成电路制造的工艺。 如图5.1(b)所示，辐射为通过
2022-03-09 13:36:164884 
什么是光刻？光刻是将掩模上的几何形状转移到硅片表面的过程。光刻工艺中涉及的步骤是晶圆清洗；阻挡层的形成；光刻胶应用；软烤；掩模对准；曝光和显影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:02850 
本文一般涉及处理光掩模的领域，具体涉及用于从光掩模上剥离光致抗蚀剂和/或清洗集成电路制造中使用的光掩模的设备和方法。
2022-04-01 14:26:37610 
本文的目标是讨论一种新技术，它可以在保持竞争力的首席运营官的同时改善权衡。 将开发湿化学抗蚀剂去除溶液的能力与对工艺和工具要求的理解相结合，导致了用于光刻胶去除的单晶片清洗技术的发展。 该技术针对
2022-05-07 15:11:11621 
介绍 TiN硬掩模(TiN-HM)集成方案已广泛用于BEOL图案化，以避免等离子体灰化过程中的超低k (ULK)损伤。随着技术节点的进步，新的集成方案必须被用于利用193 nm浸没光刻来图案化80
2022-06-15 16:28:161851 
光刻机的原理是接近或接触光刻，通过无限接近，将图案复制到掩模上。直写光刻是将光束聚焦到一个点上，通过移动工作台或透镜扫描实现任意图形处理。投影光刻是集成电路的主流光刻技术，具有效率高、无损伤等优点。 EUV光刻机有光源系统、光学镜头、双工
2022-07-10 15:28:1015099 根据所使用的辐射，有不同类型的光刻方法用于曝光的:光刻(光刻)、电子束光刻、x射线光刻、光刻和离子束光刻。在光学光刻技术中，有部分不透明和部分不透明的图案掩模(光片)半透明区域被使用。紫外线辐射或气体激光的照射以1:1的比例完成或者以4:1或10:1的比例减少。
2022-07-27 16:54:533169 
光刻图形质量的主要判据是图形成像的对比度，移相掩模方法可使对比度得到改善，从而使得其分辨率比传统方法改善 40%~100%。移相掩模按不同的分类方法可分为多种类型，其基本原理均为相邻透光图形透过的光振幅相位相反而产生相消干涉，振幅零点和（或）频谱分布压窄，从而改善对比度、分辦率和成像质量。
2022-10-17 14:54:091490 Technology，RET)的延伸，其关键技术主要包括光学成像物理仿真、光学邻近效应校正 (Optical Proximity Correction,OPC)、光源-掩模协同优化 (Source-Mask Optimization， SMO） 等。三种计算光刻技术的对比见表。
2022-10-26 15:46:222274 在微机电系统（MEMS）工艺中，沉积金属作为掩模是目前较为常用的方法。金属掩模的制备一般采用溅射与电镀结合的方式，在衬底上先溅射用于电镀工艺所沉积金属的种子层，然后采用电镀的方式生长金属掩模。
2022-11-25 10:13:031204 光刻掩模版，别称“掩模版”、“光刻板”、“光罩”、“遮光罩”，一般使用玻璃或者石英表面覆盖带有图案的金属图形，实现对光线的遮挡或透过功能，是微电子光刻工艺中的一个工具或者板材。
2023-02-13 09:27:292086 光掩模可以被认为是芯片的模板。光掩模用电子束图案化并放置在光刻工具内。然后，光掩模可以吸收或散射光子，或允许它们穿过晶圆。这就是在晶圆上创建图案的原因。
2023-03-03 10:10:321129 一样。像上文提及的EUV光刻机则是用于生产芯片的光刻机，此外还有封装芯片的光刻机以及用于LED制造领域的投影光刻机。 近几年，我国本土企业在光刻机的研制方面正一步一个脚印地稳步前进，拿上海微电子装备股份有限公司来说，近几年，其先
2023-04-06 08:56:49679 
新的High NA EUV 光刻胶不能在封闭的研究环境中开发，必须通过精心设计的底层、新型硬掩模和高选择性蚀刻工艺进行优化以获得最佳性能。为了迎接这一挑战，imec 最近开发了一个新的工具箱来匹配光刻胶和底层的属性。
2023-04-13 11:52:121165 光刻技术是将掩模中的几何形状的图案转移到覆盖在半导体晶片表面的薄层辐射敏感材料（称为抗蚀剂）上的过程
2023-04-25 09:55:131058 
根据维基百科的定义，光刻是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。
2023-04-25 11:11:331244 
在整个芯片制造过程中，几乎每一道工序的实施都离不开光刻技术。光刻技术也是制造芯片最关键的技术，占芯片制造成本的35%以上。
2023-04-26 08:57:031033 晶圆厂通常使用光刻胶来图案化抗蚀刻硬掩模，然后依靠硬掩模来保护晶圆。但是，如果光刻胶太薄，它可能会在第一个转移步骤完成之前被侵蚀掉。随着光刻胶厚度的减小，底层厚度也应该减小。
2023-04-27 16:25:00689 
笔者最开始学的后端技术是 python 的 Django 框架，由于很久没有使用过 python 语法，便想着了解一些 nodejs 的后端技术。下面将最近的收获总结一下。
2023-05-05 16:41:25703 扫描仪(scanner)是一种在wafer上创建die images的机器。它首先通过刻线（有时称为掩模）将光照射到涂有保护性光刻胶的wafer上，以刻上刻线图案的图像。
2023-05-06 09:51:385204 
通常，光刻是作为特性良好的模块的一部分执行的，其中包括晶圆表面制备、光刻胶沉积、掩模和晶圆的对准、曝光、显影和适当的抗蚀剂调节。光刻工艺步骤需要按顺序进行表征，以确保模块末端剩余的抗蚀剂是掩模的最佳图像，并具有所需的侧壁轮廓。
2023-06-02 16:30:25421 
光刻机需要采用全反射光学元件，掩模需要采用反射式结构。
这些需求带来的是EUV光刻和掩模制造领域的颠覆性技术。EUV光刻掩模的制造面临着许多挑战，包括掩模基底的低热膨胀材料的开发、零缺陷衬底抛光、多层膜缺陷检查、多层膜缺陷修复等。
2023-06-07 10:45:541012 
紫外光刻和曝光 是半导体行业生产各种高端芯片、微观电路结构的核心技术。在紫外光刻过程中，光源发射的紫外线通过掩模上的微小透镜或光栅，然后投射到光刻胶层上，形成所需的微细图案。 长期以来
2023-07-05 10:11:241026 
半导体制作工艺可分为前端和后端：前端主要是晶圆制作和光刻（在晶圆上绘制电路）；后端主要是芯片的封装。
2023-07-24 15:46:05905 
三十年来，半导体掩模技术基本保持不变，掩模的制作是在可变成形机上进行的，这些机器将可变元件限制在 45 度角。随着功能缩小并变得更加复杂，电子束和多束掩模写入器提供了设计的灵活性。现在，几乎 100% 的掩模都是使用多光束技术制作的，为高数值孔径系统上更复杂、更高效的设计带来了新的机会。
2023-08-01 11:21:26289 
EUV掩膜，也称为EUV掩模或EUV光刻掩膜，对于极紫外光刻（EUVL）这种先进光刻技术至关重要。EUV光刻是一种先进技术，用于制造具有更小特征尺寸和增强性能的下一代半导体器件。
2023-08-07 15:55:02399 光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上，这一过程通过光刻来实现， 光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531589 
短波长透明光学元件的缺乏限制了深紫外光刻中的可用波长，而晶片上所需的最小特征继续向更深的亚波长尺度收缩。这对用入射场代替掩模开口上的场的基尔霍夫边界条件造成了严重的限制，因为这种近似无法考虑光刻图像
2023-08-25 17:21:43279 
光刻胶作为影响光刻效果核心要素之一，是电子产业的关键材料。光刻胶由溶剂、光引发剂和成膜树脂三种主要成分组成，是一种具有光化学敏感性的混合液体。其利用光化学反应，经曝光、显影等光刻工艺，将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，是用于微细加工技术的关键性电子化学品。
2023-10-09 14:34:491674 
光学光刻是通过广德照射用投影方法将掩模上的大规模集成电路器件的结构图形画在涂有光刻胶的硅片上，通过光的照射，光刻胶的成分发生化学反应，从而生成电路图。限制成品所能获得的最小尺寸与光刻系统能获得的分辨率直接相关，而减小照射光源的波长是提高分辨率的最有效途径。
2023-10-24 11:43:15271 
随着工艺节点不断变小，掩模版制造难度日益增加，耗费的资金成本从数十万到上亿，呈指数级增长，同时生产掩模版的时间成本也大幅增加。如果不能在制造掩模版前就保证其设计有足够高的品质，重新优化设计并再次制造一批掩模版将增加巨大的资金成本和时间成本。
2023-11-02 14:25:59284 
光学模型是基于霍普金斯（Hopkins）光学成像理论，预先计算出透射相交系数（TCCs），从而描述光刻机的光学成像。光学模型中，经过优化的光源，通过光刻机的照明系统，照射在掩模上。如果在实际光刻
2023-12-11 11:35:32288 
光照条件的设置、掩模版设计以及光刻胶工艺等因素对分辨率的影响都反映在k₁因子中，k₁因子也常被用于评估光刻工艺的难度，ASML认为其物理极限在0.25，k₁体现了各家晶圆厂运用光刻技术的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
掩模在芯片制造中起到“底片”的作用，是一类不可或缺的晶圆制造材料，在芯片封装（构筑芯片的外壳和与外部的连接)、平板显示(TFT-LCD液晶屏和OLED屏〉、印刷电路板、微机电器件等用到光刻技术的领域也都能见到各种掩模的身影。
2024-01-18 10:25:22146 
光刻胶是一种涂覆在半导体器件表面的特殊液体材料，可以通过光刻机上的模板或掩模来进行曝光。
2024-03-04 17:19:18402 在曝光过程中，掩模版与涂覆有光刻胶的硅片直接接触。接触式光刻机的缩放比为1:1，分辨率可达到4-5微米。由于掩模和光刻胶膜层反复接触和分离，随着曝光次数的增加，会引起掩模版和光刻胶膜层损坏、芯片良率下降等不良后果。
2024-03-08 10:42:3788 
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图 2：用于高级封装应用的各种后端光刻方法。
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