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浅谈GaN芯片的制备工艺（GaN HEMT工艺为例）
- 放大器(209540)
- 振荡器(137532)
- GaN(67129)
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Teledyne e2v HiRel为其基于GaN Systems技术的650伏行业领先高功率产品系列新增两款耐用型GaN功率HEMT（高电子迁移率晶体管）。 这两款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:21
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2799同是功率器件，为什么SiC主要是MOSFET，GaN却是HEMT
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网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361220
1220功率GaN的多种技术路线简析
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网报道（文/梁浩斌）功率GaN的大规模应用，其实也只有六七年的历史，从2018手机快速充电器上才正式吹响了普及的号角。目前，从晶体管来看，功率GaN主要的产品是HEMT（高电子迁移率晶体管
2024-02-28 00:13:001844
1844GaN HEMT可靠性测试：为什么业界无法就一种测试标准达成共识
集成电路故障机制的指南。尽管AEC为汽车，国防和航空航天应用提供了指南，但它未能解决正在逐渐转向GaN功率器件（例如通信基站）的开发技术。什么是GaN HEMT？GaN HEMT是场效应晶体管（FET），其
2020-09-23 10:46:20
GaN HEMT在电机设计中有以下优点
效率耐高温，允许使用较小的散热器高度集成，允许在芯片上集成GaN HEMT（与硅材料不同）较少BOM材料，简化设计方案，在电机驱动方案中GaN HEMT可以处理各种电流，而不需要IGBT所需的反向二极管
2019-07-16 00:27:49
GaN FET如何实现下一代工业电源设计
使用GaN则可以更快地处理电源电子器件并更有效地为越来越多的高压应用提供功率。GaN更优的开关能力意味着它可以用更少的器件更有效地转换更高水平的功率，如图1所示。GaN半导体能够在交流/直流供电
2022-11-07 06:26:02
GaN FET重新定义电源电路设计
FET器件的设计可能是主要由于棘手的栅极驱动电路而具有挑战性的。除了向GaN功率FET提供正确的栅极驱动电压之外，电路还必须为过压驱动或欠压条件提供保护。3.具有两个GaN FET的LMG5200
2017-05-03 10:41:53
GaN为硅MOSFET提供的主要优点和优势
，几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。然而，近年来，这些已取得的进步开始逐渐弱化，为下一个突破性技术创造了空间和需求。这就是氮化镓（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
GaN可靠性的测试
都应通过这样的测试。依我看，JEDEC制定的标准应该涵盖这类测试。您说呢？” 客户的质疑是对的。为使GaN被广泛使用，其可靠性需要在预期应用中得到证明，而不是仅仅通过硅材料配方合格认证（silicon
2018-09-10 14:48:19
GaN和SiC区别
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
GaN器件在Class D上的应用优势
以及Class D半桥逆变测试，配套测试设备可实现对系统的效率监测以及GaN器件的温度监测。测试平台的电路原理图如图2所示，对应系统的实物图如图3所示，该测试平台的驱动IC为Si8274，利用驱动IC
2023-06-25 15:59:21
GaN已经为数字电源控制做好准备
”就是把手机收起来的意思；最后，我们终于可以起飞了。我们的行业发言人已经宣布，“GaN已经为黄金时间做好了准备。”这个声明似乎预示着GaN已经为广泛使用做好准备，或者说在大量的应用中，已经可以使用GaN
2018-09-06 15:31:50
CG2H80015D-GP4 氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）
` 本帖最后由 射频技术 于 2021-4-8 09:16 编辑
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化镓更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
CGHV96100F2氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管
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SGNE010MK GaN-HEMT
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T2G6001528-Q3 GaN on SiC HEMT
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2021-08-04 11:50:58
TGA2573-2-TS功率放大器
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2018-07-27 11:38:10
TGA2573功率放大器
制备GaN高功率GaN HEMT放大器。工作从2到18 GHz，它达到40 dBm饱和输出功率，20% PAE，和10分贝小信号增益在漏偏压为30 V。完全匹配到50欧姆，结合直流阻断射频端口
2018-06-19 09:07:36
UMS新型CHA6710-FAB是采用密封金属陶瓷封装的GaN 5W X波段功率放大器
效率）可达35%，线性增益可达22.5dB。 CHA6710-FAB的电路是基于可靠的0.25µm GaN HEMT工艺的UMS专用基板上设计的。可以用于X波段雷达和空间Ku波段通信系统等
2020-07-07 08:50:16
《炬丰科技-半导体工艺》GaN 半导体材料与器件手册
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 半导体材料与器件手册编号：JFSJ-21-059III族氮化物半导体的光学特性介绍III 族氮化物材料的光学特性显然与光电应用直接相关，但测量光学特性
2021-07-08 13:08:32
《炬丰科技-半导体工艺》GaN 基板的表面处理
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 基板的表面处理编号：JFSJ-21-077作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html关键词： GaN 衬底
2021-07-07 10:26:01
《炬丰科技-半导体工艺》GaN 纳米线制造和单光子发射器器件应用的蚀刻工艺
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 纳米线制造和单光子发射器器件应用的蚀刻工艺编号：JFSJ-21-045作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
《炬丰科技-半导体工艺》GaN晶体蚀刻的几何方面和光子应用
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN晶体蚀刻的几何方面和光子应用编号：JFSJ-21-044作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：湿法
2021-07-08 13:09:52
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。这个蚀刻步骤可以产生光滑的晶体表面，并且可以通过改变第一步骤的方向、化学试剂和温度来选择特定的蚀刻平面。GaN晶体的湿化学蚀刻是一个非常重要的工艺。清洗效果的好坏极大地影响了芯片的特性。性能可靠、功能
2021-07-07 10:24:07
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：n-GaN的电化学和光刻编号：JFKJ-21-820作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要 本文利用
2021-10-13 14:43:35
《炬丰科技-半导体工艺》在硅上生长的 InGaN 基激光二极管的腔镜的晶圆制造
，干法蚀刻制备的氮化镓（GaN）侧壁通常具有较大的粗糙度和蚀刻损伤，这会导致由于表面非辐射复合导致的光学散射和载流子注入损失引起的镜面损失。详细研究了干法蚀刻形成的GaN侧壁面的湿化学抛光工艺，以去除蚀刻
2021-07-09 10:21:36
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
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为什么GaN会在射频应用中脱颖而出？
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什么是氮化镓（GaN）？
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
利用GaN技术实现5G移动通信：为成功奠定坚实基础
GaN 应用到移动电话首款GaN 应用是针对大功率军事使用开发的，例如雷达或反IED 干扰机，然后逐渐扩展至商用基站和有线电视转播机。这些应用的典型工作电压范围为28 至48 V。但是，手持式设备的平均
2017-07-28 19:38:38
图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制
)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm
2010-04-22 11:32:16
在GaN解决方案门户上查看TI完整的GaN直流/直流转换产品组合
就可以将更多的主板装入给定的机架中，最大限度地提高数据中心吞吐量和性能。在图1所示的典型电信电源系统中，48VDC输入电压必须进一步降低到中间母线电压（在此例中为3.3V），然后用一个或多个降压
2019-07-29 04:45:02
基于GaN HEMT的半桥LLC优化设计和损耗分析
目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限， 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
基于GaN的1.5kW LLC谐振变换器模块
为了满足数据中心快速增长的需求，对电源的需求越来越大更高的功率密度和效率。在本文中，我们构造了一个1.5 kW的LLC谐振变换器模块，它采用了Navitas的集成GaN HEMT ic，完全符合尺寸
2023-06-16 11:01:43
基于GaN的开关器件
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
基于HEMT的ADS功率放大器软件仿真
大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，这在我的版本（ADS 2013）中没有。请提前帮助，谢谢。 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Hello everyone! i am
2018-11-13 10:21:37
如何利用非线性模型帮助GaN PA进行设计？
氮化镓(GaN) 功率放大器(PA) 设计是当前的热门话题。出于多种原因，GaN HEMT 器件已成为满足大多数新型微波功率放大器需求的领先解决方案。过去，PA 设计以大致的起点开始并运用大量
2019-07-31 08:13:22
如何正确理解GaN？
您已了解GaN晶体管出色的性能，您很兴奋。样品总算来到，您将它们放入板中。您打开电源，施加负载，结果……性能并没有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的开关问题。这些晶体管不好。真遗憾。为何出现这种情况？有没有可能遗漏了什么？如何正确理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
未找到GaN器件
您好，有人能告诉我如何在原理图窗口中添加GaN器件，因为当我在ADS的原理图窗口中搜索它时，它只显示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一个功率放大器模拟，我需要一个GaN器件。请提出你的建议
2019-01-17 15:55:31
求“Motorola MPC755”处理器的制备工艺参数
有哪位同仁知道Motorola MPC755的详细制备工艺吗？是220nm的工艺，5层金属如果知道的话，可以发到我的邮箱里mht_84@126.com多谢了啊
2011-02-24 16:11:17
直接驱动GaN晶体管的优点
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
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贮氢合金制备工艺对其电化学性能的影响
AB5型贮氢合金是目前国内外MH/Ni电池生产中使用最为广泛的负极材料，而贮氢合金的电化学性能是由合金的成分、微观结构和表面状态决定的。本文综述了ABs型贮氢合金制备工艺-熔炼、热处理以及制粉工艺
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适用于5G毫米波频段等应用的新兴SiC基GaN半导体技术
本文介绍了适用于5G毫米波频段等应用的新兴SiC基GaN半导体技术。通过两个例子展示了采用这种GaN工艺设计的MMIC的性能：Ka频段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G应用的24至
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非线性模型如何帮助进行GaN PA设计？
氮化镓(GaN) 功率放大器(PA) 设计是当前的热门话题。出于多种原因，GaN HEMT 器件已成为满足大多数新型微波功率放大器需求的领先解决方案。过去，PA 设计以大致的起点开始并运用大量
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高速直流/直流转换器数兆赫兹GaN功率级参考设计
描述此参考设计基于 LMG1210 半桥 GaN 驱动器和 GaN 功率的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，实现了一款数兆赫兹功率级设计。凭借高效的开关和灵活的死区时间调节，此参考设计不仅可以显著
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科锐公司推出两项新型GaN工艺技术
科锐公司（CREE）宣布推出两项新型GaN工艺：0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极电压最高为50VG50V3。新的工艺技术增加了工作电压和无线射频功率密度，与传统的技术相比
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1306确定GaN产品可靠性的综合方法
TI正在设计基于GaN原理的综合质量保证计划和相关的应用测试来提供可靠的GaN解决方案。氮化镓（GaN）的材料属性可使电源开关具有令人兴奋且具有突破性的全新特性—功率GaN。高电子迁移晶体管（HEMT）。
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2683高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶体管的热性能指南
这篇文章的目的是提供一个指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶体管的热性能的克里宽禁带半导体设备的用户。
2017-06-27 08:54:11
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23移动无线基础设施和WiMAX氮化镓(GaN)工艺技术
ABI研究公司一位研究人员表示，对于那些通过氮化镓(GaN)工艺技术来开发并生产设备的厂商来说，无线基础设施领域所需的RF功率半导体可能并不是他们最好的机会。 除了一些军事应用和微波通信，GaN主要
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523GaN有哪些特点为什么5G通信要使用GaN技术来实现
产品包括SBD、常关型FET、常开型FET、级联FET等产品，面向无线充电、电源开关、包络跟踪、逆变器、变流器等市场。而按工艺分，GaN器件则分为HEMT、HBT射频工艺和SBD、Power FET电力电子器件工艺两大类。
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11330GaN器件技术能实现5G通信，靠的是这些特性
充电、电源开关、包络跟踪、逆变器、变流器等市场。而按工艺分，GaN器件则分为HEMT、HBT射频工艺和SBD、 Power FET电力电子器件工艺两大类。
2020-07-27 10:26:001
1GaN HEMT增强型器件技术路线及关键科学问题
在实际应用中，为实现失效安全的增强模式（E-mode）操作，科研人员广泛研究了基于凹槽栅结构的MIS栅、p-GaN regrowth栅增强型GaN HEMT器件。在实际的器件制备过程中，精确控制栅极凹槽刻蚀深度、减小凹槽界面态密度直接影响器件阈值电压均匀性
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8849芯片制造工艺概述
本章将介绍基本芯片生产工艺的概况，主要阐述4中最基本的平面制造工艺，分别是：薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。
2021-04-08 15:51:30140
140探究Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术，分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术，提供了
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浅谈GaN基准垂直肖特基功率二极管(SBD)的设计与制备
），并在蓝宝石衬底上制备了该器件结构。 技术团队对所制备的器件进行了电流-电压测试，通过在器件侧壁及台面边缘处制备场板结构，有效降低了台面边缘处的电势及电流密度［图1（b）和（c）］，从而抑制了因刻蚀工艺导致的侧壁缺陷对载流子的复合效应
2021-07-14 16:46:55959
959GaN HEMT概述/分类/结构/工作原理
氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表，器件在高频功率应用方面有巨大的潜力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场，如图1所示。
2022-02-10 15:27:4318442
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新开发了一种GaN衬底减薄技术——激光减薄技术
而此次他们通过实验证明，该技术同样适用于GaN-on-GaN HEMT器件制造，即在器件制造之后采用激光工艺进行减薄，该技术可显著降低 GaN 衬底的消耗。
2022-05-12 10:45:553527
3527GaN组件的单片集成提升了功率集成电路
本文分析了高性能肖特基势垒二极管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平台上的成功协同集成。这些组件的添加使芯片设计具有扩展的功能
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肖特基二极管和耗尽型 HEMT 与200-V GaN IC的单片集成
Imec 展示了高性能肖特基势垒二极管和耗尽型 （d-mode） 高电子迁移率晶体管 （HEMT） 在基于 p 型氮化镓 （GaN） HEMT 的 200-V GaN- 上的成功共集成。在 200 毫米基板上开发的 on-SOI 智能功率集成电路 （IC） 平台。
2022-07-29 15:34:03837
837新的GaN技术简化了驱动基于GaN的HEMT
虽然乍一看似乎比较简单，但这些器件的栅极驱动器电路需要仔细设计。首先，通常关闭的基于 GaN 的 HEMT 需要负电压来将其关闭并将其保持在关闭状态，从而避免意外开启。
2022-07-29 09:27:171367
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高功率GaN HEMT的可靠性设计
，达 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率，这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比，GaN RF 高电子迁移率晶体管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的应用超出了蜂窝基站和国防雷达范畴，在所有 RF 细分市场中获得应用。
2022-09-19 09:33:211670
1670GaN HEMT基本概述、分类及工作原理
氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表，器件在高频功率应用方面有巨大的潜力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场，如图1所示。
2022-09-27 10:30:173330
3330CG2H80060D C波段GaN HEMT管芯CREE
Wolfspeed的CG2H80060D是种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与硅或砷化镓相比较，GaN具备优异的性能指标；CG2H80060D包含更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移
2022-11-01 09:29:51593
593GaN HEMT 模型初阶入门：非线性模型如何帮助进行 GaN PA 设计？（第一部分，共两部分）
GaN HEMT 模型初阶入门：非线性模型如何帮助进行 GaN PA 设计？（第一部分，共两部分）
2022-12-26 10:16:25805
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AlN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件制作
绝缘栅和肖特基栅HEMT器件结构如图1所示， AlGaN/GaN异质结采用MOCVD技术在2英寸c面蓝宝石衬底上外延得到，由下往上依次为180nm高温AlN成核层、13μm非掺杂GaN缓冲层、1nm AlN界面插入层、22nm AlGaN势垒层、及2nm GaN帽层，势垒层铝组分设定为30%。
2023-02-14 09:31:161496
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GaN HEMT外延材料表征技术研究进展
晶体管 ( HEMT) 的性能，不同材料特征的表征需要不同的测量工具和 技术，进而呈现器件性能的优劣。综述了 GaN HEMT 外延材料的表征技术，详细介绍了几种表 征技术的应用场景和近年来国内外的相关
2023-02-20 11:47:22876
876GaN基准垂直肖特基功率二极管(SBD)的设计与制备
二极管），并在蓝宝石衬底上制备了该器件结构。技术团队对所制备的器件进行了电流-电压测试[图1(a)]，通过在器件侧壁及台面边缘处制备场板结构，有效降
低了台面边缘处的电势及电流密度[图1(b)和(c)]，从而抑制了因刻蚀工艺导致的侧壁缺陷对载流子的复合效应。
2023-02-27 15:50:380
0绝缘栅Si基GaN平面器件关键工艺
传统GaN-on-Si功率器件欧姆接触主要采用Ti/Al/X/Au多层金属体系，其中X金属可为Ni，Mo，PT，Ti等。这种传统有Au欧姆接触通常采用高温退火工艺（＞800℃），第1层Ti在常温下
2023-04-29 16:46:00735
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CHK8201-SYA GAN HEMT微波晶体管UMS
致力于高至4GHz的普遍射频功率应用领域需求设计。CHK8201-SYA特别适合多功能应用领域，例如空间和电信网络 CHK8101-SYC在SIC技术上使用的GAN是种表面评估的HEMT工艺技术，根据
2023-05-09 11:32:02103
103GaN HEMT大信号模型
GaN HEMT 为功率放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 技术的许多改进。更有利的特性包括高电压操作、高击穿电压、功率密度高达 8W/mm、fT 高达 25 GHz 和低静态
2023-05-24 09:40:011375
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GaN HEMT工艺全流程
GaN HEMT（高电子迁移率晶体管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半导体，具有低工作电阻和高抗损性，有望应用于大功率和高频电子设备。
2023-05-25 15:14:061222
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GaN单晶衬底显著改善HEMT器件电流崩塌效应
由于GaN和AlGaN材料中拥有较强的极化效应，AlGaN/GaN异质结无需进行调制掺杂就能在界面处形成高浓度的二维电子气(2DEG)，在此基础上发展而来的高电子迁移率晶体管(HEMT)是GaN材料
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量产GaN晶圆的KABRA工艺流程
半导体制造设备厂商DISCO Corporation（总部：东京都大田区；总裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一种使用激光加工的晶锭切片方法），并开发了一种针对GaN（氮化镓）晶圆生产而优化的工艺。通过该工艺，可以同时提高GaN晶圆片产量，并缩短生产时间。
2023-08-25 09:43:52435
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AlGaN/GaN结构的氧基数字蚀刻
宽带隙GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)和场效应晶体管(fet)能够提供比传统Si基高功率器件更高的击穿电压和电子迁移率。常关GaN非常需要HEMT来降低功率并简化电路和系统架构，这是GaN HEMT技术的主要挑战之一。凹进的AlGaN/GaN结构是实现常关操作的有用选择之一。
2023-10-10 16:21:11292
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浅谈磷酸铁锂的制备工艺的一般步骤
磷酸铁锂制备工艺多样，主要分为固相法，液相法这两大主流工艺。固相法是目前最成熟也是应用最广的磷酸铁锂合成方法，液相法工艺难度较大。今天小编给大家介绍几种磷酸铁锂制备工艺方法：
2023-10-20 09:58:141339
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GaN HEMT为什么不能做成低压器件
GaN HEMT为什么不能做成低压器件 GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）是一种迅速崭露头角的高频功率器件，具有很高的电子迁移率、大的电子饱和漂移速度、高的饱和电子流动速度以及较低的电阻
2023-12-07 17:27:20337
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