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编辑：黄飞
宽带隙和超宽带隙半导体技术介绍
- 光电子(17161)
- 宽带隙器件(2428)
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电子内窥镜中超宽带的应用
超宽带(UWB)是一项高带宽(480-1320Mb/秒)和短距离(10-50米)的无线传输技术。本文介绍如何将超宽带技术应用于电子内窥镜。
2011-11-18 15:29:52
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使用宽带隙推动提高效率的下一代电源设计扩大了性能差距
功率转换器中使用的半导体开关技术是改进的关键，而使用碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 的新型宽带隙（WBG） 类型有望取得重大进展。让我们详细研究一下这些优势。
2022-07-29 08:07:58281
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氮化镓（GaN）宽带隙技术的电源应用设计
随着世界希望电气化有助于有效利用能源并转向可再生能源，氮化镓（GaN）等宽带隙半导体技术的时机已经成熟。传统硅MOSFET和IGBT的性能现在接近材料的理论极限，进一步发展只是以缓慢和高成本实现微小
2023-10-25 16:24:43949
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使用宽带隙技术最大限度地提高高压转换器的功率密度
提高功率密度和缩小电源并不是什么新鲜事。预计这一趋势将持续下去，从而实现新的市场、应用和产品。这篇博客向设计工程师介绍了意法半导体（ST）的电源解决方案如何采用宽带隙（WBG）技术，帮助
2023-11-16 13:28:338788
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宽带隙材料在电力电子产品中具备的优势
带隙高于硅半导体的新型材料可缩减芯片尺寸，同时保持相同的隔离电压。 较小的芯片产生较低的寄生电容，并降低了晶体管栅极电荷 (Qg) 及输出电容 (Coss)。相比于标准的硅 MOSFET，在给定的频率
2022-11-16 06:48:11
超宽带技术有哪些特点？
超宽带（UWB，Ultra Wide
Band）技术是现下一种新型的无线载波通信技术，超宽带技术不使用正弦载波，而是通过对具有很陡上升和下降时间的冲击脉冲传输数据，然后使其所占的频谱范围很宽
2023-05-08 17:09:04
超宽带RF测量
超宽带RF测量DS-UWB 超宽带方法根据UWB 论坛3，直序超宽带(DS-UWB)结合使用单载波扩频设计和宽相干带宽，实现了高达1.32 Gb/s的数据速率。根据现有的CMOS 技术布局
2008-11-26 11:41:32
超宽带人员定位系统
容易将定位与通信结合。快速发展的短距离超宽带通信无疑将带动UWB在定位技术的发展。随着市场需求的不断增加，相信不久超宽带（UWB）人员定位系统会被应用到更广泛的领域，促进社会的发展，并得到行业的认可。
2018-11-20 15:07:56
超宽带认知无线电的关键技术是什么？
本文从超宽带认知无线电适配信号的产生、功率传输控制和分布式节点间的合作三个方面，对当前该技术领域的关键技术进行了详细的介绍和分析。
2021-05-26 06:51:23
超宽带通信有什么特点？
超宽带是利用纳秒级窄脉冲发射无线信号的技术, 适用于高速、 近距离的无线个人通信。按照FCC 的规定, 从 3 . 1GHz 到 10 . 6GHz 之间的 7 . 5GHz 的带宽频率为UWB 所使用的频率范围。
2019-10-24 09:02:11
UBW超宽带天线的设计
UWB系统的设计和应用是无线通信领域激烈竞争的焦点，特别是2002年漂亮国联邦通信委员会FCC将3.1～10.6GHz频段列为超宽带（UWB）民用频段后 . 超宽带天线用作超宽带。 该系统的重要
2022-11-08 18:05:50
UWB超宽带技术又是什么黑科技？
空间感知能力是什么意思？U1芯片到底能做什么？UWB超宽带技术又是什么黑科技？UWB技术和我们现在常用的定位技术，又有什么不同呢？
2021-06-16 06:25:13
UWB超宽带传输技术特点
的非正弦波窄脉冲传输数据，因此，其所占的频谱范围很宽，适用于高速、近距离的无线个人通信。FCC规定，UWB的工作频段范围从3.1 GHz到10.6 GHz，最小工作频宽为500MHz。超宽带传输技术
2019-06-14 07:19:32
UWB超宽带定位技术概念
`UWB超宽带定位技术概念：超宽带无线通信技术（UWB）是一种无载波通信技术，UWB不使用载波，而是使用短的能量脉冲序列，并通过正交频分调制或直接排序将脉冲扩展到一个频率范围内。UWB的主要特点
2018-10-19 15:18:17
uwb超宽带定位原理全面解析
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2018-10-16 09:55:08
为什么说宽带隙半导体的表现已经超越了硅？
满足市场需求，使用硅的新器件年复一年地实现更大的功率密度和能效，已经越来越成为一个巨大的挑战。从本质上讲，芯片的演进已经接近其基础物理极限。但是，为什么说宽带隙半导体的表现已经超越了硅呢？
2019-07-30 07:27:44
使用宽带隙器件做电路设计时的注意事项
说到功率转换电子器件，每位设计师都希望用到损耗最小的完美半导体开关，而宽带隙碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件通常被认为是接近完美的器件。不过，想要达到“完美”，只靠低损耗是远远不够的。开关必须
2023-02-05 15:14:52
基于全光矢量调制技术的超宽带光载无线系统及其关键技术分析介绍
的最高速率。随之光载无线(RoF)概念被提出来，用来在光纤无线接入网络中提供固定和移动双重宽带业务接入。RoF技术不仅仅局限于现有微波波段，更高频率的毫米波段(30～300 GHz)以及超宽带无线信号
2019-06-17 06:52:14
如何利用TH-UWB02超宽带发射芯片实现超宽带窄脉冲发射机电路？
本文利用单片机和自主设计的TH-UWB02超宽带发射芯片实现了一个超宽带窄脉冲发射机电路，能够发送高速率的窄脉冲超宽带脉冲序列，由接收机解调后可以实现高速数据的无线传输，可用于无线数据传输、射频标签等领域。
2021-03-18 07:22:52
怎么设计基于枝节加载的超宽带滤波器？
自2002年美国联邦通讯委员会(FCC)批准把3.1GHz到10.6GHz之间的频段分配给超宽带通信系统使用以来，小型化，高性能已经成为了超宽带无线通信系统的必然趋势。
2019-08-21 07:39:35
新型宽带隙材料的优势
带隙高于硅半导体的新型材料可缩减芯片尺寸，同时保持相同的隔离电压。 较小的芯片产生较低的寄生电容，并降低了晶体管栅极电荷 (Qg) 及输出电容 (Coss)。相比于标准的硅 MOSFET，在给定的频率
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结构紧凑型超宽带单极子天线结构及设计介绍
1引言超宽带（UWB）无线通信技术以其极大的容量和极小的功率特性等优势，成为这个时代最具潜力的技术之一。近年来，随着超宽带技术的不断发展，超宽带天线已在卫星通信、雷达、电子对抗系统等方面得到了广泛
2019-06-13 07:54:58
针对电机控制应用如何选择宽带隙器件？
在功率转换应用中，使用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料的宽带隙（WBG）半导体器件作为开关，能让开关性能更接近理想状态。相比硅MOSFET或IGBT，宽带隙器件的静态和动态损耗都更低。此外还有
2023-02-05 15:16:14
空时编码技术在超宽带通信系统中的应用
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空时编码技术和超宽带技术是当前无线通信领域的热点技术。为了提高短距离速率无线通信的性能，讨论了空时编码技术在超宽带
2009-12-30 10:11:43
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6UWB超宽带无线通信技术及其发展前景
本文首先介绍了超宽带技术的定义,描述了超宽带技术的特点和信道模型,阐述用于超宽带系统常用的多址方式和调制方式,给出了超宽带通信收发机结构,最后分析了国内外超宽
2010-08-12 17:21:3638
38超宽带无线通信技术和应用领域
超宽带无线通信技术和应用领域
摘要：首先简要介绍了超宽带（UWB）的系统框架，而后介绍了其主要技术特征和标准化情况，最后对UWB技术的应
2010-03-13 10:58:141447
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什么是超宽带无线通信技术
什么是超宽带无线通信技术
摘要：超宽带(UWB)具有传输速率高、通信距离短、平均发射功率低等特点，非常适合于短距离高速无线通信。文
2010-03-13 11:15:421356
1356超宽带系统的脉位调制技术研究
超宽带是一种与传统无线通信技术有所区别的通信，针对影响 超宽带 脉位调制技术的因素进行了研究，简要介绍了超宽带的技术特征、调制解调原理和技术优点，重点分析了无载波的
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28超宽带的发展之路与趋势
超宽带( UWB )一词最先由美国国防部于1989年提出。由于超宽带可以与其他通信系统共存使得超宽带得到快速的发展，市场应用更加广阔。 UWB技术是一种新型的无线通信技术。它通过对具
2011-10-10 17:44:541220
1220新型宽带隙材料在电力电子产品的设计优势——第一部分
随着在晶体管制造中引入诸如氮化镓 (GaN) 等新型宽带隙材料，品质因数的显著改善转化为电源的潜在改良。在这篇包括两个部分的博客系列中，我将讨论这些新型宽带隙材料是怎样能让新设计从中受益的。 采用带隙高于硅半导体的新型材料可缩减芯片尺寸，同时保持相同的隔离电压。
2017-04-18 08:41:11766
766关于宽带隙半导体与硅的对比分析
正是由于带隙，使得半导体具备开关电流的能力，以实现给定的电子功能;毕竟，晶体管仅仅是嵌入在硅基衬底上的微型开关。更高的能量带隙赋予了WBG材料优于硅的半导体特性。 相较于硅器件，WBG器件可以在较小
2019-08-28 12:31:068783
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超宽带技术详解
超宽带（UWB）是一种无线技术，可以在短时间内以极低功率实现数据的高速传播。超宽带有很多独特的技术特性，是具有极强竞争优势的短距无线传输技术。但该技术在2002年之后才正式被大家关注，主要是该技术
2020-03-13 15:45:004535
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IEEE发布半导体技术路线图，助力碳化硅和氮化镓材料发展
近日，为了促进宽带隙（WBG）半导体技术的发展，IEEE电力电子学会（PELS）发布了宽带隙功率半导体（ITRW）的国际技术路线图。
2020-04-13 16:01:314783
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宽带隙半导体是一项关注度很高的替代技术
摘要：传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。 商用硅基功率MOSFET已有近40年
2020-09-18 17:08:332192
2192GaN和SiC基功率半导体的宽带隙技术
寻找硅替代物的研究始于上个世纪的最后二十年，当时研究人员和大学已经对几种宽带隙材料进行了试验，这些材料显示出替代射频，发光，传感器和功率半导体的现有硅材料技术的巨大潜力。应用程序。在新世纪即将来临
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超宽带UWB为什么那么重要
（UWB） 以及它为什么重要产生了很多困惑。我们当中有幸从事超宽带技术和产品相关工作的人永远不会把它和 5G 数据计划混为一谈。现在就让我们来揭开一些有关超宽带的迷思。 超宽带不是指： 得克萨斯农工大学 （Texas AM） 的 Fightin’ Texas Aggie 乐队拥有 400 多名成员，他们站在一起时
2021-10-28 16:01:592239
2239宽带隙器件的应用有哪些
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宽带隙技术对电源转换器的好处
众所周知，与硅相比，碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 等宽带隙 （WBG） 半导体可提供卓越的性能。这些包括更高的效率、更高的开关频率、更高的工作温度和更高的工作电压。
2022-04-22 17:07:541815
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宽带隙半导体GaN、ZnO和SiC的湿法化学腐蚀
以及在非酸性乙酰丙酮中容易被蚀刻，但是III族氮化物和SiC非常难以湿法蚀刻，并且通常使用干法蚀刻。已经研究了用于GaN和SiC的各种蚀刻剂，包括含水无机酸和碱溶液，以及熔融盐。湿法蚀刻对宽带隙半导体技术具有多种应用，包括缺陷装饰、通过产生特征凹坑或小丘来识
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宽带隙半导体终结了硅的主导地位
宽带隙 (WBG) 半导体，例如氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已经终结了硅在电力电子领域的主导地位。自硅问世以来，WBG 半导体被证明是电力电子行业最有前途的材料。与传统的硅基技术相比
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1427分析宽带隙半导体的计算模型
了解半导体价带和导带的形成机制对于新材料生产的潜在技术影响至关重要。这项工作提出了一种宽带隙计算模型，突出了理解能带结构的理论困难，然后将其与实验数据进行了比较。
2022-07-29 11:18:02917
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碳化硅和氮化镓等宽带隙半导体推动汽车电气化
用电动汽车市场的爆炸式增长。 在先进汽车技术论坛的电动汽车宽带隙半导体小组会议上，三位行业专家讨论了解决 GaN 和 SiC 当前挑战和未来机遇的努力。 把握电气化势头 在清洁能源领域，电动汽车市场是迄今为止最具活力的。 2012 年，全球售出约 130,000 辆电动汽车
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515分析用于电力电子的宽带隙半导体
使用宽带隙半导体的技术可以满足当今行业所需的所有需求。顾名思义，它们具有更大的带隙，因此各种电子设备可以在高电压、高温和高频率下工作。碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 是最近推出的宽带隙
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碳化硅宽带隙半导体有什么好处
宽带隙 (WBG) 半导体极大地影响了使用它们的设备的可能性。材料的带隙是指电子从半导体价带的最高占据态移动到导带的最低未占据态所需的能量。
2022-07-29 15:10:451803
1803变速驱动器和基于宽带隙的逆变器技术的影响
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宽带隙半导体：GaN 和 SiC 的下一波浪潮
AspenCore 的 2021 年 PowerUP 博览会 用一整天的时间介绍宽带隙 (WBG) 半导体，特别是氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。WBG 小组讨论的重点是“下一波 GaN
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宽带隙半导体：到电动汽车及以后
改进，从而增强热管理并减少寄生效应。凭借这种对改进的不懈追求，我们正在达到一个平台，在这个平台上，进一步的技术迭代只能是渐进式的。 碳化硅 (SiC)和氮化镓 (GaN ) 等宽带隙材料 (WBG) 是硅的绝佳替代品，它们的商业化和采用被证
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GaN和SiC等宽带隙技术的挑战
对硅替代品的探索始于上个世纪的最后二十年，当时研究人员和大学对几种宽带隙材料进行了试验，这些材料显示出在射频、发光、传感器和功率半导体等领域替代现有硅材料技术的巨大潜力应用程序。在新世纪之初，氮化镓
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汽车应用中的宽带隙材料
宽带隙半导体 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，与硅相比具有更出色的性能：更高的效率和开关频率、更高的工作温度和工作电压。EV 和 HEV 包括几个功率转换阶段，累积功率损耗
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宽带隙半导体为通向太空铺平道路
自硅问世以来，宽带隙半导体，如氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已被证明是电力电子领域最有前途的材料。与传统的硅基技术相比，这些材料具有多个优势，例如能够管理高功率水平、对辐射不敏感、能够在
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宽带隙设备优化电动汽车和机器人的移动性和自主性
汽车和工业电子产品需要高性能的解决方案，在降低设备尺寸的同时提供能源效率和可靠性。近年来，随着成本的下降，氮化镓 （GaN） 和碳化硅 （SiC） 器件等宽带隙半导体已成为这些应用中越来越受欢迎的硅开关替代品。
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578宽带隙器件对于下一代空间系统的发展具有重要意义
长期以来，硅基器件一直是半导体领域的基准标准。从 2007 年开始，由于摩尔定律的失败，复合材料被开发出来，特别关注宽带隙半导体，因为它们利用了重要的特性，与传统的硅对应物（如电力电子）相比，它们可以实现具有卓越性能的器件。
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宽带隙半导体封装用于高压来突出陶瓷基板
宽带隙半导体可实现高压（10kv及以上）开关。因此，需要新的封装解决方案来为此类设备奠定的基础。金属化陶瓷基板是一种众所周知且成熟的技术，适用于高达3.3kv的电压，但它在较高电压
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开工大吉！可支持宽带隙开关器件的电流传感器提供更高精度、更高效率
兔 年 大 吉 玉兔迎春，家和业兴，Allegro祝您开工大吉！ ACS37002 今天Allegro为大家介绍一款可支持宽带隙半导体开关器件的电流传感器。从事电动汽车和其它新能源行业设计的朋友都会
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1081宽带隙(WBG)半导体器件主要应用于哪？
集成宽带隙(WBG)半导体器件作为硅技术在多种技术应用中的替代品，是一个不断增长的市场，可以提供效率和功率密度的改善，在能源和成本节约方面有很大的反响。WBG具有更高的开关频率、更低的功率损耗和更高的功率密度。继续阅读，了解更多关于基于WBG的半导体器件的广泛应用。
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1587宽带隙半导体技术应用和发展
宽带隙半导体是一种具有宽带隙的半导体材料，其特性是具有较宽的能带隙，可以吸收和发射更多的光子，从而提高半导体器件的效率。它广泛应用于太阳能电池、激光器件、光电子器件等领域。
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1136碳化硅宽带隙的重要性
宽带隙半导体材料（如SiC）与更传统的半导体材料（如Si）相比具有许多优势。考虑带隙随着温度升高而缩小的事实：如果我们从宽带隙开始，那么温度升高对功能的影响要小得多。由于SiC具有宽带隙，因此它可以在更高的温度下继续工作，通常高达400°C。
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1640【干货分享】针对电机控制应用如何选择宽带隙器件？
在功率转换应用中，使用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料的宽带隙（WBG）半导体器件作为开关，能让开关性能更接近理想状态。相比硅MOSFET或IGBT，宽带隙器件的静态和动态损耗都更低。此外还有
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309为什么叫带隙电压？电压型的带隙与电流型的带隙的区别？
之间的关系，对于半导体材料的电学和光学性质都有着非常大的影响。同时，带隙也是半导体材料被广泛应用于电子器件和光电子器件中的原因之一。 在介绍电压型的带隙和电流型的带隙的区别之前，我们需要先了解一下半导体材料的基本概
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2200直接带隙和间接带隙的区别与特点
直接带隙和间接带隙的区别与特点 半导体材料是广泛应用于电子器件制造和光电子技术中的重要材料之一。在研究半导体材料性质时，经常要关注材料的电子能带结构，其中直接带隙和间接带隙是两种常见的带隙类型
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13635宽带隙半导体器件用作电子开关的优势
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2023-09-21 17:09:32471
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功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项
本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗，开关损耗会被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成电路
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宽带隙半导体重塑交通运输行业
解决方案（火车、飞机和轮船）。为了控制温室气体 (GHG) 排放并减缓全球变暖，我们需要既能最大限度提高效率，又能减少环境影响的解决方案。 宽带隙 (WBG) 半导体具备多种特性，使得其对交通运输应用具有很大吸引力。使用这些半导体可以打造更高效、更快速、更轻巧的汽车，
2024-02-13 16:38:00805
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宽带隙(WBG)半导体助力可持续电动汽车电源转换，顶部冷却(TSC)技术提升热性能
制造商努力降低电动汽车成本，高效和可持续的电源转换系统对于满足日益增长的需求和电力要求至关重要。为此，采用宽带隙(WBG)半导体，如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN
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Nexperia斥资2亿美元加速汉堡工厂宽带隙（WBG）半导体研发与生产
全球领先的半导体制造商Nexperia今日宣布将投入高达2亿美元(折合约1.84亿欧元)的资金，以显著扩大其位于德国汉堡工厂的宽带隙(WBG)半导体研究、开发及生产能力。此次投资的核心聚焦于下一代
2024-07-15 17:02:3791
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