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化学放大型光刻胶的作用原理
- 光刻胶(29686)
- 半导体工艺(26033)
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一文看懂：光刻胶的创新应用与国产替代机会
引言 光刻胶又称“光致抗蚀剂”或“光阻剂”，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，是微纳制造技术的关键性材料。 光刻胶是光刻工艺最重要的耗材，其性能决定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
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微气泡对光刻胶层的影响
关键词：氧气、微气泡、光刻胶、高剂量离子注入、气水界面 介绍 微气泡是一种很有前途的环保光刻胶去除方法的候选方法。已经证明，臭氧微气泡可以去除硅片上的光刻剂，即使被高剂量的离子注入破坏
2022-01-10 11:37:131396
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A股半导体光刻胶企业营收靓丽！打造光刻胶全产业链 博康欲成国产光刻胶的中流砥柱
光刻胶为何要谋求国产替代？中国国产光刻胶企业的市场发展机会和挑战如何？光刻胶企业发展要具备哪些核心竞争力？在南京半导体大会期间，徐州博康公司董事长傅志伟和研发总监潘新刚给我们带来前沿观点和独家分析。
2022-08-29 15:02:235918
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华为投资光刻胶企业 光刻胶单体材料全部自供
，增幅11.11%。 截图自企查查 光刻胶是芯片制造中光刻环节的重要材料，目前主要被日美把控，国内在光刻胶方面投入研制的厂商主要晶瑞股份、南大光电、上海新阳、徐州博康、北京科华等，那么华为投资的徐州博康在光刻胶方面有何优势，国内厂商在光
2021-08-12 07:49:005380
5380半导体光刻胶企业营收靓丽！打造光刻胶全产业链 博康欲成国产光刻胶的中流砥柱
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原创 章鹰 近日，全球半导体市场规模增长带动了上游半导体材料旺盛需求，“光刻胶”的突破也成为国内关注焦点。正当日本光刻胶企业JSR、东京应化和美国Lam Research在EUV光刻胶
2022-08-31 07:45:002718
2718光刻机工艺的原理及设备
关于光刻工艺的原理，大家可以想象一下胶片照片的冲洗，掩膜版就相当于胶片，而光刻机就是冲洗台，它把掩膜版上的芯片电路一个个的复制到光刻胶薄膜上，然后通过刻蚀技术把电路“画”在晶圆上。 当然
2020-07-07 14:22:55
光刻胶
的厚膜图形；它还具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性和热稳定性；在受到紫外辐射后发生交联，是一种化学扩大负性胶，可以形成台阶等结构复杂的图形；在电镀时可以直接作为绝缘体使用。 SU-8光刻胶的优点：1
2018-07-12 11:57:08
光刻胶在集成电路制造中的应用
过程才能完成,光刻胶及蚀刻技术是实现集成电路微细加工技术的关键[2]。蚀刻的方式主要分为湿法和干法两种，等离子与反应离子刻蚀（RIE）属于干法蚀刻，主要是通过物理轰击溅射和化学反应的综合作用来腐蚀薄膜层
2018-08-23 11:56:31
光刻胶有什么分类？生产流程是什么？
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后，受到光照的部分变得容易溶解，经过显影后被
2019-11-07 09:00:18
光刻胶残留要怎么解决？
这是我的版图一部分，然后生成了图案是这样的： 感觉间距小的地方全都有残留，间距大的地方没有残留；工艺参数：s9920光刻胶， evg 620‘未进行蒸汽底漆层涂覆，前烘：100摄氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
Futurrex高端光刻胶
于正负型光刻胶且显影速度快。 RR41 & 5系列 化学品，具有独特性能的光刻胶去胶液，并能安全的去除多种临时涂层，且与Si、III/V基衬底、II/VI衬底、氧化铟锡(ITO)及铜
2010-04-21 10:57:46
LCD段码屏光刻不良-浮胶
环境湿度太大，使胶与玻璃表面粘附不良。因此，得注意做好玻璃表面清洁处理和操作的环境的温，湿度及清洁工作。2）光刻胶配制有误或胶陈旧不纯，胶的光化学反应性能不好，使胶与ITO层成健能力差，或者胶膜不均匀
2018-11-22 16:04:49
LCD段码液晶屏生产工艺流程
版在紫外灯下对光刻胶进行选择性曝光。F. 显影：用显影液处理玻璃表面，将经过光照分解的光刻胶层除去，保留未曝光部分的光刻胶层，用化学方法使受（UV）光照射部分的光刻胶溶于显影液中，显影后的玻璃要经过
2019-07-16 17:46:15
Microchem SU-8光刻胶 2000系列
SU 8光刻胶系列产品简介：新型的化学增幅型负像 SU- 8 胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶，克服了普通光刻胶采用 UV光刻导致的深宽比不足的问题，十分适合于制备高深宽比微结构。SU- 8
2018-07-04 14:42:34
lithography平板印刷技术
lithography是一种平板印刷技术，在平面光波回路的制作中一直发挥着重要的作用。具体过程如下：首先在二氧化硅为主要成分的芯层材料上面，淀积一层光刻胶；使用掩模版对光刻胶曝光固化，并在
2018-08-24 16:39:21
《炬丰科技-半导体工艺》光刻前 GaAs 表面处理以改善湿化学蚀刻过程中的光刻胶附着力和改善湿蚀刻轮廓
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：光刻前 GaAs 表面处理以改善湿化学蚀刻过程中的光刻胶附着力和改善湿蚀刻轮廓[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技网址：http
2021-07-06 09:39:22
《炬丰科技-半导体工艺》IC制造工艺
。光刻胶的图案通过蚀刻剂转移到晶片上。沉积：各种材料的薄膜被施加在晶片上。为此，主要使用两种工艺，物理气相沉积 (PVD) 和化学气相沉积 (CVD)。制作步骤：1.从空白晶圆开始2.自下而上构建
2021-07-08 13:13:06
一文带你了解芯片制造的6个关键步骤
区别在于材料的化学结构和光刻胶对光的反应方式。对于正性光刻胶，暴露在紫外线下的区域会改变结构，变得更容易溶解从而为刻蚀和沉积做好准备。负性光刻胶则正好相反，受光照射的区域会聚合，这会使其变得更难溶解
2022-04-08 15:12:41
三种常见的光刻技术方法
光刻技术中,涂有光刻胶的硅片与掩膜版直接接触.由于光刻胶和掩膜版之间紧密接触,因此可以得到比较高的分辨率.接触式暴光的主要问题是容易损伤掩膜版和光刻胶.当掩膜版与硅片接触和对准时,硅片上很小的灰尘
2012-01-12 10:56:23
半导体材料市场构成分析
半导体材料市场构成：在半导体材料市场构成方面，大硅片占比最大，占比为32.9%。其次为气体，占比为14.1%，光掩膜排名第三，占比 为12.6%，其后：分别为抛光液和抛光垫、光刻胶配套试剂、光刻胶、湿化学品、建设靶材，比分别为7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
喷胶机有什么典型应用 ？
喷胶机是现代光电子产业中光刻胶涂布的重要设备。可对不同尺寸和形状的基片进行涂胶，最大涂胶尺寸达8寸，得到厚度均匀的光刻胶层，同时可对大深宽比结构的侧壁进行均匀涂胶；通过计算机系统控制器进行工艺参数的编辑和操作。
2020-03-23 09:00:57
图形反转工艺用于金属层剥离的研究
图形反转工艺用于金属层剥离的研究研究了ＡＺ?５２１４ 胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术。用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面，倾角约为６０°，胶厚１?４μｍ。得到
2009-10-06 10:05:30
求助 哪位达人有在玻璃上光刻的经验
本人是菜鸟 需要在玻璃上光刻普通的差值电极 以前一直在硅片上面光刻 用的光刻胶是AZ5214E 正胶 同样的工艺和参数在玻璃上附着力差了很多 恳请哪位高人指点一下PS 插值电极的距离为25微米 小女子这厢谢过了
2010-12-02 20:40:41
液晶显示器是什么原理制造的
的清洗与干燥： 将用清洗剂以及去离子水（DI 水）等洗净ITO 玻璃，并用物理或者化学的方法将ITO 表面的杂质和油污洗净，然后把水除去并干燥，保证下道工艺的加工质量。 C． 涂光刻胶： 在ITO 玻璃
2016-06-30 09:03:48
芯片制作工艺流程 二
，然后以设定的转速和时间甩胶。由于离心力的作用，光刻胶在基片表面均匀地展开，多余的光刻胶被甩掉，获得一定厚度的光刻胶膜，光刻胶的膜厚是由光刻胶的粘度和甩胶的转速来控制。所谓光刻胶，是对光、电子束或X线
2019-08-16 11:11:34
芯片里面100多亿晶体管是如何实现的
是使用化学或者物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程。通常的晶圆加工流程中，刻蚀工艺位于光刻工艺之后，有图形的光刻胶层在刻蚀中不会受到腐蚀源的显著侵蚀，从而完成图形转移的工艺步骤。刻蚀环节是复制
2020-07-07 11:36:10
离线光刻胶微粒子计数器
PMT-2离线光刻胶微粒子计数器是一款新型液体颗粒监测仪器。采用激光光散或光阻原理的颗粒检测传感器，可以对超纯水、自来水、饮用水、去离子水、矿泉水、蒸馏水、无机化学品、有机化学品、有机溶剂、清洗剂
2022-12-14 10:44:24
化学品、光刻胶微粒子计数器
MPS-100A化学品、光刻胶微粒子计数器是普纳赫科技向韩国公司订制的一款新型在线液体颗粒监测仪器。采用激光光散或光阻原理的颗粒检测传感器，可以对超纯水、自来水、饮用水、去离子水、矿泉水、蒸馏水
2023-01-03 15:30:32
在线光刻胶液体粒子计数器
PMT-2在线光刻胶液体粒子计数器，采用英国普洛帝核心技术创新型的第八代双激光窄光颗粒检测传感器，双精准流量控制-精密计量柱塞泵和超精密流量电磁控制系统，可以对清洗剂、半导体、超纯水
2023-01-03 15:54:49
光刻掩膜版测温仪，光刻机曝光光学系统测温仪
光刻胶（光敏胶）进行光刻，将图形信息转移到基片上，从而实现微细结构的制造。光刻机的工作原理是利用光学系统将光线聚焦到光刻胶上，通过掩膜版（也称为光刻掩膜）上的图形
2023-07-07 11:46:07
光刻胶与光刻工艺技术
光刻胶与光刻工艺技术 微电路的制造需要把在数量上精确控制的杂质引入到硅衬底上的微小 区域内,然后把这些区域连起来以形成器件和VLSI电路.确定这些区域图形 的工艺是由光刻来完成的,也就是说,首先在硅片上旋转涂覆光刻胶,再将 其曝露于某种光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0
0光刻胶是芯片制造的关键材料，圣泉集团实现了
这是一种老式的旋转涂胶机，将芯片上涂上光刻胶然后将芯片放到上边，可以通过机器的旋转的力度将光刻胶均匀分布到芯片表面，光刻胶只有均匀涂抹在芯片表面，才能保证光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3718498
18498探讨PCB光刻胶专用化学品行业基本概况
干膜光刻胶是由预先配制好的液态光刻胶（Photoresist）在精密的涂布机上和高清洁度的条件下均匀涂布在载体聚酯薄膜（PET膜）上，经烘干、冷却后，再覆上聚乙烯薄膜（PE膜），收卷而成卷状的薄膜型光刻胶。
2019-01-30 16:49:1410707
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南大光电预计2019年底建成一条光刻胶生产线
7月17日，南大光电在互动平台透露，公司设立光刻胶事业部，并成立了全资子公司“宁波南大光电材料有限公司”，全力推进“ArF光刻胶开发和产业化项目”落地实施。目前该项目完成的研发技术正在等待验收中，预计2019年底建成一条光刻胶生产线，项目产业化基地建设顺利。
2019-07-18 16:14:594862
4862上海新阳表示ARF193nm光刻胶配套的光刻机预计12月底到货
近日，上海新阳在投资者互动平台上表示，公司用于KRF248nm光刻胶配套的光刻机已完成厂内安装开始调试，ARF193nm光刻胶配套的光刻机预计12月底到货。
2019-12-04 15:24:457942
7942光刻胶国产化刻不容缓
随着电子信息产业发展的突飞猛进，光刻胶市场总需求不断提升。2019年全球光刻胶市场规模预计接近90亿美元，自2010年至今CAGR约5.4%，预计未来3年仍以年均5%的速度增长，预计至2022年全球光刻胶市场规模将超过100亿美元。
2020-03-01 19:02:484098
4098南大光电高黏附性的ArF光刻胶树脂专利揭秘
在国际半导体领域，我国虽已成为半导体生产大国，但整个半导体产业链仍比较落后。特别是由于国内光刻胶厂布局较晚，半导体光刻胶技术相较于海外先进技术差距较大，国产化不足5%。在这种条件下，国内半导体厂商积极开展研究，如晶瑞股份的KrF光刻胶，南大光电的ArF光刻胶均取得较好的研究效果。
2020-03-06 15:40:564165
4165LCD光刻胶需求快速增长，政策及国产化风向带动国产厂商发展
光刻胶按应用领域分类，大致分为LCD光刻胶、PCB光刻胶（感光油墨）与半导体光刻胶等。按照下游应用来看，目前LCD光刻胶占比26．6%，刻胶占比24．5%，半导体光刻胶占比24．1%，PCB光其他类光刻胶占比24．8%。
2020-06-12 17:13:395380
5380一文带你看懂光刻胶
来源：浙商证券研究院 光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影
2020-09-15 14:00:1416535
165352020年光刻胶行业情况解析
全球光刻胶市场规模从2016 年的15 亿美元增长至2019年的18亿美元，年复合增长率达6.3%；应用方面，光刻胶主要应用在PCB、半导体及LCD显示等领域，各占约25%市场份额。
2020-09-21 11:28:043290
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博闻广见之半导体行业中的光刻胶
光刻胶是由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成份组成的、对光敏感的混合液体。利用光化学反应，经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质，其中曝光是通过紫外光
2022-12-06 14:53:541238
1238日本信越化学将斥资300亿日提高光刻胶产能
据日经报道，日本信越化学将斥资300亿日元（约2.85亿美元），把光刻胶的产能提高20%，以扩充对半导体关键材料的供应。 根据报道，信越化学将会在日本和中国台湾地区兴建工厂，位于中国台湾地区云林工厂
2020-10-22 17:25:323413
3413日本信越化学将斥资300亿日元，把光刻胶的产能提高20%
根据报道，信越化学将会在日本和台湾地区兴建工厂，位于台湾地区云林工厂将先完成，预计2020年2月开始量产，届时信越化学将得以在台湾地区生产可与极紫外光（EUV）光刻技术兼容的光刻胶，以满足台积电等台厂客户的需求。
2020-11-05 09:31:382014
2014为打破光刻胶垄断，我国冰刻2.0技术获突破
光刻胶是微纳加工过程中非常关键的材料。有专家表示，中国要制造芯片，光有光刻机还不够，还得打破国外对“光刻胶”的垄断。
2020-12-08 10:53:564168
4168南大光电首款国产ArF光刻胶通过认证 可用于45nm工艺光刻需求
导 读 日前，南大光电公告称，由旗下控股子公司宁波南大光电材料自主研发的 ArF 光刻胶产品成功通过客户使用认证，线制程工艺可以满足 45nm-90nm光刻需求。 图：南大光电公告 公告
2020-12-25 18:24:096227
62272021年，半导体制造所需的光刻胶市场规模将同比增长11％
按照应用领域分类，光刻胶主要包括印制电路板（PCB）光刻胶专用化学品（光引发剂和树脂）、液晶显示器（LCD）光刻胶光引发剂、半导体光刻胶光引发剂和其他用途光刻胶四大类。本文主要讨论半导体光刻胶。
2021-05-17 14:15:524011
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光刻胶又遇“卡脖子”，国产替代刻不容缓
由于KrF光刻胶产能受限以及全球晶圆厂积极扩产等，占据全球光刻胶市场份额超两成的日本供应商信越化学已经向中国大陆多家一线晶圆厂限制供货KrF光刻胶，且已通知更小规模晶圆厂停止供货KrF光刻胶
2021-06-25 16:12:28784
784光刻胶板块的大涨吸引了产业注意 ，国产光刻胶再遇发展良机？
5月27日，半导体光刻胶概念股开盘即走强，截至收盘，A股光刻胶板块涨幅达6.48%。其中晶瑞股份、广信材料直线拉升大涨20%封涨停，容大感光大涨13.28%，扬帆新材大涨11.37%，南大光电
2021-05-28 10:34:152623
2623默克推出用于芯片制造的新一代环保光刻胶去除剂
。 光刻胶去除是半导体芯片制造图形化环节中的关键技术，而光刻胶去除剂则是决定图形化最终良率及可靠性的关键材料之一。默克此次推出的“AZ® 910 去除剂”基于不含有NMP(N-甲基吡咯烷酮)的新型特制化学配方，不仅可以快速溶解残留光刻胶，同时具备超高的经济性、
2021-07-28 14:23:102646
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光刻胶和光刻机的关系
光刻胶是光刻机研发的重要材料，换句话说光刻机就是利用特殊光线将集成电路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕迹，就需要网硅片上涂一层光刻胶。
2022-02-05 16:11:0011281
11281世人皆言光刻胶难，它到底难在哪里
来源： 果壳硬科技 1、光刻胶究竟是怎样一个行业？ 光刻胶，又称“光致抗蚀剂”，是光刻成像的承载介质，可利用光化学反应将光刻系统中经过衍射、滤波后的光信息转化为化学能量，从而把微细图形从掩模版转移到
2022-01-20 21:02:461208
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改善去除负光刻胶效果的方法报告
摘要 我们华林科纳提出了一种新型的双层光阻剂方法来减少负光阻剂浮渣。选择正光刻胶作为底层抗蚀剂，选择负光刻胶作为顶层抗蚀胶。研究了底层抗蚀剂的粘度和厚度对浮渣平均数量的影响。实验表明，低粘度正光刻胶
2022-01-26 11:43:22687
687
微泡对臭氧水去除光刻胶的影响实验
臭氧水中微气泡的存在显著提高了光刻胶的去除率，这是由于溶解臭氧浓度的升高和微气泡对自由基产生的直接影响。此外，臭氧微气泡溶液能够有效地去除高剂量离子植入的光刻胶，由于其非定形碳状层或“地壳”，它非常
2022-01-27 15:55:14448
448微泡对臭氧水去除光刻胶的影响报告
臭氧水中微气泡的存在显著提高了光刻胶的去除率，这是由于溶解臭氧浓度的升高和微气泡对自由基产生的直接影响。此外，臭氧微气泡溶液能够有效地去除高剂量离子植入的光刻胶，由于其非定形碳状层或“地壳”，它非常
2022-02-11 15:24:33419
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晶片清洗、阻挡层形成和光刻胶应用
什么是光刻？光刻是将掩模上的几何形状转移到硅片表面的过程。光刻工艺中涉及的步骤是晶圆清洗；阻挡层的形成；光刻胶应用；软烤；掩模对准；曝光和显影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:02850
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采用双层抗蚀剂法去除负光刻胶
本文提出了一种新型的双层光阻剂方法来减少负光阻剂浮渣。选择正光刻胶作为底层抗蚀剂，选择负光刻胶作为顶层抗蚀胶。研究了底层抗蚀剂的粘度和厚度对浮渣平均数量的影响。实验表明，低粘度正光刻胶AZ703
2022-03-24 16:04:23756
756
一种半导体制造用光刻胶去除方法
本发明涉及一种去除光刻胶的方法，更详细地说，是一种半导体制造用光刻胶去除方法，该方法适合于在半导体装置的制造过程中进行吹扫以去除光刻胶。在半导体装置的制造工艺中，将残留在晶片上的光刻胶，在H2O
2022-04-13 13:56:42872
872
用于光刻胶去除的单晶片清洗技术
本文的目标是讨论一种新技术，它可以在保持竞争力的首席运营官的同时改善权衡。 将开发湿化学抗蚀剂去除溶液的能力与对工艺和工具要求的理解相结合，导致了用于光刻胶去除的单晶片清洗技术的发展。 该技术针对
2022-05-07 15:11:11621
621
使用全湿法去除Cu BEOL中的光刻胶和BARC
上蚀刻后光刻胶和BARC层的去除，扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)用于评估清洗效率，使用平面电容器结构确定暴露于等离子体和湿化学对低k膜的介电常数的影响。 对图案化结构的横截面SEM检查表明，在几种实验条件和化学条件下可以实现蚀刻后PR的完
2022-05-30 17:25:241115
1115
干法刻蚀去除光刻胶的技术
灰化，简单的理解就是用氧气把光刻胶燃烧掉，光刻胶的基本成分是碳氢有机物，在射频或微波作用下，氧气电离成氧原子并与光刻胶发生化学反应，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通过泵被真空抽走，完成光刻胶的去除。
2022-07-21 11:20:174871
4871EUV光刻技术相关的材料
与此同时，在ASML看来，下一代高NA EUV光刻机为光刻胶再度带来了挑战，更少的随机效应、更高的分辨率和更薄的厚度。首先传统的正胶和负胶肯定是没法用了，DUV光刻机上常用的化学放大光刻胶（CAR）也开始在5nm之后的分辨率和敏感度上出现瓶颈
2022-07-22 10:40:082010
2010光刻胶为何要谋求国产替代
南大光电最新消息显示，国产193nm（ArF）光刻胶研发成功，这家公司成为通过国家“02专项”验收的ArF光刻胶项目实施主体；徐州博康宣布，该公司已开发出数十种高端光刻胶产品系列，包括
2022-08-31 09:47:141285
1285光刻胶的原理和正负光刻胶的主要组分是什么
光刻胶的组成：树脂（resin/polymer），光刻胶中不同材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质（如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等）；感光剂，感光剂对光能发生光化学反应；溶剂（Solvent
2022-10-21 16:40:0415831
15831国产光刻胶市场前景 国内厂商迎来发展良机
半导体光刻胶用光敏材料仍属于“卡脖子”产品，海外进口依赖较重，不同品质之间价 格差异大。以国内 PAG 对应的化学放大型光刻胶（主要是 KrF、ArF 光刻胶）来看，树脂在 光刻胶中的固含量
2022-11-18 10:07:432574
2574晶圆上绘制电路光刻工艺的基本步骤
光刻胶经曝光后，其化学性质会发生改变。更准确地说，经曝光后，光刻胶在显影液中的溶解度发生了变化：曝光后溶解度上升的物质称作正性（Positive）光刻胶，反之则为负性（Negative）光刻胶。
2023-01-31 15:59:491222
1222全面解读光刻胶工艺制造流程
光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。依据使用场景，这里的待加工基片可以是集成电路材料，显示面板材料或者印刷电路板。
2023-05-11 16:10:492775
2775
EUV光刻胶开发面临哪些挑战？
EUV光刻胶材料是光敏物质，当受到EUV光子照射时会发生化学变化。这些材料在解决半导体制造中的各种挑战方面发挥着关键作用，包括提高灵敏度、控制分辨率、减少线边缘粗糙度（LER）、降低释气和提高热稳定性。
2023-09-11 11:58:42349
349
半导体制造领域光刻胶的作用和意义
光刻是半导体加工中最重要的工艺之一，决定着芯片的性能。光刻占芯片制造时间的40%-50%，占其总成本的30%。光刻胶是光刻环节关键耗材，其质量和性能与电子器件良品率、器件性能可靠性直接相关。
2023-10-26 15:10:24360
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半导体关键材料光刻胶市场格局发展现状
生产光刻胶的原料包括光引发剂（光增感剂、光致产酸剂帮助其更好发挥作用）、树脂、溶剂和其他添加剂等，我国由于资金和技术的差距，如感光剂、树脂等被外企垄断，所以光刻胶自给能力不足。
2023-11-01 15:51:48138
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光刻胶黏度如何测量？光刻胶需要稀释吗？
光刻胶在未曝光之前是一种黏性流体，不同种类的光刻胶具有不同的黏度。黏度是光刻胶的一项重要指标。那么光刻胶的黏度为什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻胶算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:11571
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西陇科学9天8板，回应称“未生产、销售光刻胶”
20日，西陇科学（株）发布公告称，该公司没有生产销售矿产品。公司生产及销售用于清洗剂、显影液、剥离液等的光刻胶，占公司营业收入的比例，是目前用于上述用途的光刻胶配套。
2023-11-21 14:54:57315
315不仅需要***，更需要光刻胶
为了生产高纯度、高质量的光刻胶，需要高纯度的配方原料，例如光刻树脂，溶剂PGMEA…此外，生产过程中的反应釜镀膜和金属析出污染监测也是至关重要的控制环节。例如，2019年，某家半导体制造公司由于光刻胶受到光阻原料的污染，导致上万片12吋晶圆报废
2023-11-27 17:15:48550
550光刻胶国内市场及国产化率详解
KrF光刻胶是指利用248nm KrF光源进行光刻的光刻胶。248nmKrF光刻技术已广 泛应用于0.13μm工艺的生产中,主要应用于150 , 200和300mm的硅晶圆生产中。
2023-11-29 10:28:50284
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光刻胶价格上涨，韩国半导体公司压力增大
光刻胶类别的多样化，此次涨价案所涉KrF光刻胶属于高阶防护用品，也是未来各地厂家的竞争焦点。当前市场中，光刻胶主要由东京大贺工业、杜邦、JSR、信越化学、住友化学及东进半导体等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:36409
409匀胶速度影响光刻胶的哪些性质？
匀胶是光刻中比较重要的一步，而旋涂速度是匀胶中至关重要的参数，那么我们在匀胶时，是如何确定匀胶速度呢？它影响光刻胶的哪些性质？
2023-12-15 09:35:56442
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光刻胶分类与市场结构
光刻胶主要下游应用包括：显示屏制造、印刷电路板生产、半导体制造等，其中显示屏是光刻胶最大的下游应用，占比30%。光刻胶在半导体制造应用占比24%，是第三达应用场景。
2024-01-03 18:12:21346
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2023年中国光刻胶行业市场前景及投资研究报告
光刻胶产业链转移。01光刻胶定义光刻胶，也被称为“光致抗蚀剂”，是一种用于光刻的载体介质，它可以利用光化学反应将光信息在光刻系统中经过衍射和过滤后转化为化学能，从而
2024-01-19 08:31:24340
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关于光刻胶的关键参数介绍
与正光刻胶相比，电子束负光刻胶会形成相反的图案。基于聚合物的负型光刻胶会在聚合物链之间产生键或交联。未曝光的光刻胶在显影过程中溶解，而曝光的光刻胶则保留下来，从而形成负像。
2024-03-20 11:36:50200
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工商网监
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