等离子体工艺广泛应用于半导体制造中。比如，IC制造中的所有图形化刻蚀均为等离子体刻蚀或干法刻蚀，等离子体增强式化学气相沉积(PECVD)和高密度等离子体化学气相沉积 (HDP CVD)广泛用于电介质
2022-11-15 09:57:31
2626 阱区注入的工艺说明如下图所示，是高能量离子注入过程，因为它需要形成阱区建立MOS晶体管。NMOS晶体管形成于P型阱区内，而P型晶体管形成于N型阱区。
2023-06-09 11:31:083889 
统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。一般来说，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向性，且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。离子注入工艺复杂且设备昂贵，但它可独立控制掺杂元素的浓度和结深，虽然也会给衬底引入大量的点缺陷和扩展缺陷。
2023-12-22 09:41:21703 
，加工周期短，速度快。 联系方式：姚经理、马经理，010-51293689；sales@firstchip.cn工艺能力：1、 热氧化硅2、 硼、磷扩散，推进3、 离子注入（硼、磷）4、 高低温退火5
2015-01-07 16:15:47
半导体制冷片是利用半导体材料的Peltier效应而制作的电子元件，当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术，其特点是无运动部件，可靠性也比较高。半导体制冷片的工作原理是什么？半导体制冷片有哪些优缺点？
2021-02-24 09:24:02
的积体电路所组成，我们的晶圆要通过氧化层成长、微影技术、蚀刻、清洗、杂质扩散、离子植入及薄膜沉积等技术，所须制程多达二百至三百个步骤。半导体制程的繁杂性是为了确保每一个元器件的电性参数和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
渗透、与UV紫外线杀菌等重重关卡，才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂，其在半导体工业之使用量极为惊人！ 8、洁净室所有用得到的气源，包括吹干晶圆及机台空压所需要的，都得使用氮气 (98
2011-08-28 11:55:49
在制造半导体器件时，为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体，使之导电性极差，然后再用扩散工艺在本征半导体中掺入杂质形成N型半导体或P型半导体改善其导电性？
2012-07-11 20:23:15
们的投入中，80%的开支会用于先进产能扩增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先进封装及特殊制程。而先进工艺中所用到的EUV极紫外光刻机，一台设备的单价就可以达到1.2亿美元，可见半导体
2020-02-27 10:42:16
半导体制造技术经典教程（英文版）
2014-03-06 16:19:35
是各种半导体晶体管技术发展丰收的时期。第一个晶体管用锗半导体材料。第一个制造硅晶体管的是德州仪器公司。20世纪60年代——改进工艺此阶段，半导体制造商重点在工艺技术的改进，致力于提高集成电路性能
2020-09-02 18:02:47
近几年来，由于半导体芯片在电脑，通信等领域的广泛应用，半导体制造业不仅在全球，在中国也得到了飞速发展。9月5日工信部部长指出要通过编制十四五规划，将培育软件产业生态、推动产业聚集，加快建设数字
2020-09-24 15:17:16
离子注入工艺资料~还不错哦~
2012-08-01 10:58:59
离子注入是将离子源产生的离子经加速后高速射向材料表面，当离子进入表面，将与固体中的原子碰撞，将其挤进内部，并在其射程前后和侧面激发出一个尾迹。这些撞离原子再与其它原子碰撞，后者再继续下去，大约在10-11s内，材料中将建立一个有数百个间隙原子和空位的区域。
2019-10-30 09:10:53
梁德丰，钱省三，梁静（上海理工大学工业工程研究所/微电子发展中心，上海 200093）摘要：由于半导体制造工艺过程的复杂性，一般很难建立其制造模型，不能对工艺过程状态有效地监控，所以迫切需要先进
2018-08-29 10:28:14
`《半导体制造工艺》学习笔记`
2012-08-20 19:40:32
同一硅衬底上并排制造 nMOS 和 pMOS 晶体管。 制造方法概述 制作工艺顺序硅制造（详细内容略）晶圆加工（详细内容略）光刻（详细内容略）氧化物生长和去除（详细内容略）扩散和离子注入（详细内容略
2021-07-09 10:26:01
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合
2019-07-29 07:16:49
从7nm到5nm，半导体制程芯片的制造工艺常常用XXnm来表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工艺。所谓的XXnm指的是集成电路的MOSFET晶体管栅极
2021-07-29 07:19:33
我想用单片机开发板做个热疗仪，开发板是某宝上买的那种，有两个猜想：一个用半导体制冷片发热，一个用电热片。但我不会中间要不要接个DA转换器还是继电器什么的，查过一些资料，如果用半导体制冷片用PWM控制
2017-11-22 14:15:40
今日分享晶圆制造过程中的工艺及运用到的半导体设备。晶圆制造过程中有几大重要的步骤：氧化、沉积、光刻、刻蚀、离子注入/扩散等。这几个主要步骤都需要若干种半导体设备，满足不同的需要。设备中应用较为广泛
2018-10-15 15:11:22
想用半导体制冷片制作小冰箱，需要用到大功率电源，半导体制冷片，还有散热系统，单片机控制系统，能调温度，还能显示温度，具体的思路已经有了，想问问你们有没好点的意见，能尽量提高点效率还有温度调节的精度
2020-08-27 08:07:58
如题，寻求一种Si衬底上N+离子注入的有效单项监控手段
2021-04-01 23:50:33
{:1:}想了解半导体制造相关知识
2012-02-12 11:15:05
的设备。可供应翻新半导体工艺设备包括：光刻机 步进光刻机 涂胶显影 化学湿台 沉积设备 划片及磨片设备 电子束蒸发 CVD沉积设备 刻蚀设备 离子注入机 显微镜 探针台 薄膜测厚仪 表面检测设备 键合机
2009-10-14 11:05:53
的同义词？那CMOS工艺是属于什么工艺啊？我怎么记得以前好像说半导体工艺，一般都是说什么CMOS，NMOS，TTL等等譬如掺杂、注入、光刻、腐蚀这些又是属于什么工艺呢？那die bond,wire
2009-09-16 11:51:34
ADC 及DAC 的DRFM 系统得到广泛应用[1～4 ]。本文利用GaAs MESFET 全离子注入非自对准常规工艺设计了用于3bit 相位体制DRFM 系统的单片超高速相位体制ADC。测试结果表明
2019-07-09 06:57:23
芯片制造-半导体工艺制程实用教程学习笔记[/hide]
2009-11-18 11:44:51
请问各位大侠，离子注入时有遇到做V-CURVE时，出现倒着的抛物线吗？急，在线等，谢谢！
2018-08-05 19:29:33
【作者】：秦希峰;季燕菊;王凤翔;付刚;赵优美;梁毅;【来源】：《济南大学学报(自然科学版)》2010年02期【摘要】：鉴于利用离子注入技术掺杂制作光电集成器件时,离子注入半导体材料的射程分布、射程
2010-04-22 11:36:02
M5525100－1/UM型大角度离子注入机:M5525100－1/UM 型大角度离子注入机可满足100 纳米，8 英寸集成电路制造工艺的要求，适合源漏区的大角度晕、袋、栅阈值调整、阱等注入，可获得良好
2009-12-19 12:57:02
12 离子注入技术又是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性高新技术。
2011-05-22 12:13:574275 
本文详细介绍离子注入技术的特点及性能，以及离子注入技术的英文全称。
2011-05-22 12:13:294861 
详细介绍离子注入技术的工作原理和离子注入系统原理图。
2011-05-22 12:24:1618742 
离子注入的特点,与通常的冶金方法不同,离子注入是用高能量的离子注入来获得表面合金层的,因而有其特点。
2011-05-22 12:27:084337 离子注入设备和方法:最简单的离子注入机（图2）应包括一个产生离子的离子源和放置待处理物件的靶室。
2011-05-22 12:29:557367 
离子注入是现代集成电路制造中的一种非常重要的技术,其利用离子注入机实现半导体的掺杂,即将特定的杂质原子（Dopant）以离子加速的方式注入硅半导体晶体内改变其导电特性并最终
2011-05-22 12:34:0083 半导体工艺中应用的离子注入是将高能量的杂质离子导入到半导体晶体，以改变半导体，尤其是表面层的电学性质． 注入一般在50-500kev能量下进行 离子注入的优点 注入杂质不受材料溶
2011-05-22 12:37:320 离子注入是另一种对半导体进行掺杂的方法。将杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，注入到硅中（称为 靶 ）而实现掺杂。 离子束是一种带电原子或带
2011-05-22 12:40:530 离子注入是另一种对半导体进行掺杂的方法。将杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，注入到硅中（称为 靶 ）而实现掺杂。 离子束的性质 离子束是一种
2011-05-22 12:43:520 离子注入的特点是加工温度低，易做浅结，大面积注入杂质仍能保证均匀，掺杂种类广泛，并且易于自动化。由于采用了离子注入技术，大大地推动了半导体器件和集成电路工业的发展
2011-05-22 12:56:47118 上帝在调情 发表于: 2010-5-28 10:45 来源: 德赢Vwin官网
网 1． 什么是离子注入? 离子注入（Ion Implant）是一种把高能量的掺杂元素的离子注入半导体晶片中，以得到所需要的掺杂浓度和结深的
2011-05-22 13:00:000 德赢Vwin官网
为大家整理的离子注入技术专题有离子注入技术基本知识、离子注入技术论文及离子注入技术培训学习资料。离子注入技术就是把掺杂剂的原子引入固体中的一种材料改性方
2011-05-22 16:40:46
概述了国内外半导体设备技术动态, 介绍了光刻技术、CMP 技术、膜生长技术、刻蚀技术、离子注入技术、清洗技术及封装技术的发展现状和技术趋势, 预测了全球半导体制造设备未来市
2011-10-31 16:28:5937 半导体材料 系列的制造方法及应用技术 1、离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体材料的方法 2、一种晶体半导体材料系列A2MM3Q6 3、光致发光的半导体材料 4、在基体或块体特别是由半导体
2011-11-01 17:34:3954 半导体硅工艺学是一部半导体材料技术丛书，重点阐述了半导体硅晶体us恒章、外延、杂质扩散和离子注入等工艺技术
2011-12-15 15:17:38117 半导体制作工艺CH
2017-10-18 10:19:4747 本文详细介绍了离子注入高效SE电池。
2017-11-06 17:27:083 本文首先介绍了半导体制造工艺流程及其需要的设备和材料，其次阐述了IC晶圆生产线的7个主要生产区域及所需设备和材料，最后详细的介绍了半导体制造工艺，具体的跟随小编一起来了解一下。
2018-05-23 17:32:3169224 
本文档的主要内容详细介绍的是半导体制造工艺教程的详细资料免费下载主要内容包括了：1.1 引言 1.2基本半导体元器件结构 1.3半导体器件工艺的发展历史 1.4集成电路制造阶段 1.5半导体制造企业 1.6基本的半导体材料 1.7 半导体制造中使用的化学品 1.8芯片制造的生产环境
2018-11-19 08:00:00200 本文档的主要内容详细介绍的是半导体制造教程之工艺晶体的生长资料概述
一、衬底材料的类型1.元素半导体 Si、Ge…。2. 化合物半导体 GaAs、SiC 、GaN…
2018-11-19 08:00:0040 近日有消息显示，万业企业（600641.SH）全资子公司凯世通的低能大束流集成电路离子注入机已搬进杭州湾洁净室，目前正在根据集成电路芯片客户工艺要求，进行离子注入晶圆验证。
2019-12-31 10:04:085297 。第四章和第五章分别讨论了光刻和刻蚀技术。第六章和第七章介绍半导体掺杂的主要技术；扩散法和离子注入法。第八章涉及一些相对独立的工艺步骤，包括各种薄层淀积的方法。《半导体制造工艺基础》最后三章集中讨论制版和综合。
2020-03-09 08:00:00229 离子注入机是高压小型加速器中的一种，是由离子源得到所需要的离子，经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流，用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入，还能用于太阳能电池等的制造。
2020-10-10 16:55:453314 
介绍工艺之前，我们先聊一下昨天一个朋友提到的日本日新的离子注入设备。日本日新是全球3大离子注入设备商之一。 1973年的时候，该公司就开始做离子注入的工艺设备。 目前的主要业务设备如上表。详细的可以
2020-11-20 10:03:276458 离子注入作为半导体常用的掺杂手段，具有热扩散掺杂技术无法比拟的优势。列表对比 掺杂原子被动打进到基板的晶体内部，但是它是被硬塞进去的，不是一个热平衡下的过程，杂质一般也不出在晶格点阵上，且离子轨迹
2020-11-20 10:10:305208 
MEMS工艺——半导体制造技术说明。
2021-04-08 09:30:41237 通过使半导体制造工艺中浇口蚀刻后生成的聚合物去除顺畅，可以简化后处理序列，从而缩短前工艺处理时间，上述感光膜去除方法是:在工艺室内晶片被抬起的情况下，用CF4+O2等离子体去除聚合物的步骤；将晶片安放在板上，然后用O2等离子体去除感光膜的步骤；和RCA清洗步骤。
2022-04-11 17:02:43783 
与通过传统热扩散工艺进行掺杂的方式相比，离子注入掺杂具有如下优点。
2022-10-31 09:06:015608 第九步退火，离子注入后也会产生一些晶格缺陷，退火是将离子注入后的半导体放在一定温度下进行加热，使得注入的粒子扩散，恢复晶体结构，修复缺陷，激活所需要的电学特性。
2023-04-28 09:32:542021 半导体材料最重要的特性之一是导电率可以通过掺杂物控制。集成电路制造过程中，半导体材料（如硅、错或1E-V族化合物砷化镓）不是通过N型掺杂物就是利用P型掺杂物进行掺杂。
2023-05-04 11:12:512175 
离子注入过程提供了比扩散过程更好的掺杂工艺控制（见下表）。例如，掺杂物浓度和结深在扩散过程中无法独立控制，因为浓度和结深都与扩散的温度和时间有关。离子注入可以独立控制掺杂浓度和结深，掺杂物浓度可以
2023-05-08 11:19:331545 
高电流的硅或错离子注入将严重破坏单晶体的晶格结构，并在晶圆表面附近产生非晶态层。
2023-05-19 09:22:131960 
半导体器件的制造流程包含数个截然不同的精密步骤。无论是前道工艺还是后道工艺，半导体制造设备的电源都非常重要。
2023-05-19 15:39:04479 
高压直流电源用于加速离子，大约为200kV的DC电源供应系统被装配在注入机内。为了通过离子源产生离子，需要用热灯丝或射频等离子体源。热灯丝需要大电流和几百伏的供电系统，然而一个射频离子源需要大约
2023-05-26 14:44:171357 
当质谱仪选择了所需的离子后，离子将进入后段加速区域，射束电流与最后的离子能量被控制在该区内，离子束电流利用可调整的叶片控制，而离子能量则由后段加速电极的电位控制。
2023-06-04 16:38:261185 
离子注入机是芯片制造中的关键装备。在芯片制造过程中，需要掺入不同种类的元素按预定方式改变材料的电性能，这些元素以带电离子的形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中，离子注入机就是执行这一掺杂工艺的芯片制造设备。
2023-06-30 16:41:19412 半导体同时具有“导体”的特性，因此允许电流通过，而绝缘体则不允许电流通过。离子注入工艺将杂质添加到纯硅中，使其具有导电性能。我们可以根据实际需要使半导体导电或绝缘。 重复光刻、刻蚀和离子注入步骤会在
2023-07-03 10:21:572170 
离子注入机是芯片制造中的关键装备。在芯片制造过程中，需要掺入不同种类的元素按预定方式改变材料的电性能，这些元素以带电离子的形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中，离子注入机就是执行这一掺杂工艺的芯片制造设备。
2023-07-03 15:05:55593 
掺杂物的种类、结深与掺杂物浓度是离子注入工艺的最重要因素。掺杂物种类可以通过离子注入机的质谱仪决定，掺杂物浓度由离子束电流与注入时间的乘积决定。四点探针是离子注入监测中最常使用的测量工具，可以测量
2023-07-07 09:51:172240 
半导体制造工艺之光刻工艺详解
2023-08-24 10:38:541223 
在晶硅太阳能电池的生产过程中，离子注入是一项非常重要的工艺，它可以大幅度提高光电转换率，实现在应用中的精益有效。「美能光伏」作为一家具有众多检测电池和组件性能设备的光伏企业，拥有的美能傅里叶红外光
2023-08-29 08:35:56376 
半导体的这些参数的最佳值。在广泛使用的绝缘体上硅晶片的制造过程中，对硅的起泡和分裂过程进行了详细的研究。因此，还对硅和化合物半导体的起泡过程进行了比较。这项比较研究在技术上是相关的，因为离子注入诱导的层分裂与直接晶片键合相结合，
2023-09-04 17:09:31317 
想要使半导体导电，必须向纯净半导体中引入杂质，而离子注入是一种常用的方法，下面来具体介绍离子注入的概念。
2023-12-11 18:20:46764 
离子注入是一种重要的半导体工艺，用于在材料中引入离子，改变其物理和化学性质。离子注入仿真是对离子的注入过程进行建模和模拟，以帮助优化工艺参数并预测材料性能的变化。以下将详细介绍离子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:19256 如今，半导体制造工艺快速发展，每一代新技术都在减小集成电路(IC)上各层特征的间距和尺寸。晶圆上高密度的电路需要更高的精度以及高度脆弱的先进制造工艺。
2023-12-25 14:50:47174 半导体改变电阻率的方式有三种，原位掺杂、扩散和离子注入，这三种方式分别过程如何，有何区别呢？
2024-01-05 18:21:111111 
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