引言 光刻胶又称“光致抗蚀剂”或“光阻剂”，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，是微纳制造技术的关键性材料。 光刻胶是光刻工艺最重要的耗材，其性能决定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
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推动科技进步的半导体技术真的会停滞不前吗？这也不太可能，7nm工艺节点将开始应用EUV光刻工艺，研发EUV光刻机的ASML表示EUV工艺将会支持未来15年，部分客户已经在讨论2030年的1.5nm工艺路线图了。
2017-01-22 11:45:423424 尽管存在从流变学角度描述旋涂工艺的理论，但实际上光刻胶厚度和均匀性随工艺参数的变化必须通过实验来确定。光刻胶旋转速度曲线（图 1-3）是设置旋转速度以获得所需抗蚀剂厚度的重要工具。最终抗蚀剂厚度在旋转速度的平方根上变化，大致与液体光致抗蚀剂的粘度成正比。
2022-08-25 17:12:541021 
传统的光刻工艺是相对目前已经或尚未应用于集成电路产业的先进光刻工艺而言的，普遍认为 193nm 波长的 ArF 深紫外光刻工艺是分水岭（见下表）。这是因为 193nm 的光刻依靠浸没式和多重曝光技术的支撑，可以满足从 0.13um至7nm 共9个技术节点的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2913995 在之前的文章里，我们介绍了晶圆制造、氧化过程和集成电路的部分发展史。现在，让我们继续了解光刻工艺，通过该过程将电子电路图形转移到晶圆上。光刻过程与使用胶片相机拍照非常相似。但是具体是怎么实现的呢？
2023-06-28 10:07:472427 
光刻工艺就是把芯片制作所需要的线路与功能做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用
2023-12-04 09:17:241338 
有人知道 为什么光刻完事 剥离那么容易脱落呢 怎么避免呢
2012-06-26 12:40:30
本帖最后由 iweimo 于 2014-10-20 15:07 编辑
先分享光刻的参考资料。============================2014-10-17========光刻分类
2014-09-26 10:35:02
介质层上的光致抗蚀剂薄层上。 ②刻蚀工艺：利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺
2012-01-12 10:51:59
芯片制造流程其实是多道工序将各种特性的材料打磨成形，经循环往复百次后，在晶圆上“刻”出各种电子特性的区域，最后形成数十亿个晶体管并被组合成电子元件。那光刻，整个流程中的一个重要步骤，其实并没有
2020-09-02 17:38:07
用去离子水清洗并用氮气吹干。除此之外还可以利用反应离子刻蚀或等离子表面清洗仪清洗。SU-8光刻胶的光刻工艺将 SU- 8光刻胶组分旋涂在基材上，旋涂厚度几至几百微米。涂覆晶片经过前烘并冷却至室温。在烘干
2018-07-12 11:57:08
的耐蚀刻薄膜材料，经曝光和显影而使溶解度增加的是正性光刻胶，反之为负性光刻胶。光刻胶的分类及其特点见表1。 随着IC特征尺寸亚微米、深亚微米方向快速发展，现有的光刻机和光刻胶已无法适应新的光刻工艺要求
2018-08-23 11:56:31
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后，受到光照的部分变得容易溶解，经过显影后被
2019-11-07 09:00:18
这是我的版图一部分，然后生成了图案是这样的： 感觉间距小的地方全都有残留，间距大的地方没有残留；工艺参数：s9920光刻胶， evg 620‘未进行蒸汽底漆层涂覆，前烘：100摄氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻，区别如下
2021-01-12 10:17:47
关于光刻工艺的原理，大家可以想象一下胶片照片的冲洗，掩膜版就相当于胶片，而光刻机就是冲洗台，它把掩膜版上的芯片电路一个个的复制到光刻胶薄膜上，然后通过刻蚀技术把电路“画”在晶圆上。 当然
2020-07-07 14:22:55
半导体制造领域的标志：NR9-PY 系列负性光刻胶，适用于lift-off工艺；具有高效粘附性，高反应速度并耐高温性能好。 NR71-PY 系列 负性光刻胶，适用于lift-off工艺，耐高温性能好
2010-04-21 10:57:46
对基材进行清洗。常用的清洗方法是利用浓硫酸及双氧水的混合溶液浸泡，随后用去离子水清洗并用氮气吹干。除此之外还可以利用反应离子刻蚀或等离子表面清洗仪清洗。SU 8光刻胶光刻工艺：将 SU- 8 光刻胶组分
2018-07-04 14:42:34
的历史蚀刻工艺进行了两个主要的工艺更改，这使得这项工作成为必要。首先，我们从 Clariant AZ4330 光刻胶切换到 Shipley SPR220-3。我们发现后者的光刻胶具有更好的自旋均匀性
2021-07-06 09:39:22
版与硅片之间的距离较远,可以完全避免对掩膜版的损伤.为了提高分辨率,在投影式暴光中,每次只暴光硅片的一小部分,然后利用扫描和分步重复的方法完成整个硅片的暴光.在现代集成电路工艺中,使用最多的光刻系统
2012-01-12 10:56:23
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分别采用了什么芯片？ 3协同通信的方式有哪些？ 4大数据及认知无线电（名词解释） 4半导体工艺的4个主要步骤： 4简叙半导体光刻技术基本原理 4给出4个全球著名的半导体设备制造商并指出其生产的设备核心技术： 5卫
2021-07-26 08:31:09
半导体光刻蚀工艺
2021-02-05 09:41:23
中国科学院大学（以下简称国科大）微电子学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院，国科大微电子学院开设的《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》课程是国内少有的研究讨论光刻技术的研究生课程，而开设课程
2021-10-14 09:58:07
本人是菜鸟 需要在玻璃上光刻普通的差值电极 以前一直在硅片上面光刻 用的光刻胶是AZ5214E 正胶 同样的工艺和参数在玻璃上附着力差了很多 恳请哪位高人指点一下PS 插值电极的距离为25微米 小女子这厢谢过了
2010-12-02 20:40:41
电感的基本原理电感的工艺结构电感的应用及选型
2021-03-16 11:28:08
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“超精密制造技术皇冠上的明珠”，根据之前中芯国际的公报，目...
2021-07-29 09:36:46
Intel 22nm光刻工艺背后的故事
去年九月底的旧金山秋季IDF 2009论坛上，Intel第一次向世人展示了22nm工艺晶圆，并宣布将在2011年下半年发布相关产品。
2010-03-24 08:52:581085 光刻胶与光刻工艺技术 微电路的制造需要把在数量上精确控制的杂质引入到硅衬底上的微小 区域内,然后把这些区域连起来以形成器件和VLSI电路.确定这些区域图形 的工艺是由光刻来完成的,也就是说,首先在硅片上旋转涂覆光刻胶,再将 其曝露于某种光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 本文提到MEMS技术中所应有的光刻技术，帮助读者了解光刻技术的原理，应用。
2016-04-28 11:35:320 光刻的本质是把制作在掩膜版上的图形复制到以 后要进行刻蚀和离子注入的晶圆上。其原理与照相 相似，不同的是半导体晶圆与光刻胶代替了照相底 片与感光涂层。
2016-06-08 14:55:420 本文以光刻机为中心，主要介绍了光刻机的分类、光刻机的结构组成、光刻机的性能指标、光刻机的工艺流程及工作原理。
2017-12-19 13:33:01161176 
刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。
2018-01-09 13:37:2316784 
光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上，这一过程通过光刻来实现， 光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能
2018-04-08 16:10:52162273 
光刻机（Mask Aligner） 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。
2018-04-10 09:49:17131483 
一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗、烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。最初的工序是用光来制作一个掩模版，然后在硅片表面均匀涂抹光刻胶，将掩模版上的图形或者电路结构转移复制到硅片上，然后通过光学刻蚀的方法在硅片上刻蚀出已经“复制”到硅片上的内容。
2018-05-03 15:06:1319445 
今年台积电、三星及Globalfoundries等公司都会量产7nm工艺，第一代7nm工艺将使用传统的DUV光刻工艺，二代7nm才会上EUV光刻工艺，预计明年量产。那么存储芯片行业何时会用上EUV
2018-06-07 14:49:006059 随着技术的发展，今年台积电、三星及Globalfoundries等公司都会量产7nm工艺，下一代将在2020年进入5nm工艺，2022年进入3nm工艺。目前第一代7nm工艺将使用传统的DUV光刻工艺，预计到5nm工艺将会上EUV光刻工艺。
2018-08-20 17:41:491149 随着三星宣布7nm EUV工艺的量产，2018年EUV光刻工艺终于商业化了，这是EUV工艺研发三十年来的一个里程碑。不过EUV工艺要想大规模量产还有很多技术挑战，目前的光源功率以及晶圆产能输出还没有
2018-10-30 16:28:403376 光刻技术是包含光刻机、掩模、光刻材料等一系列技术，涉及光、机、电、物理、化学、材料等多个研究方向。目前科学家正在探索更短波长的F2激光（波长为157纳米）光刻技术。由于大量的光吸收，获得用于光刻系统
2019-01-02 16:32:2323711 光刻机是半导体产业中最关键设备，也被誉为半导体产业皇冠上的明珠。集成电路里的晶体管是通过光刻工艺在晶圆上做出来的，光刻工艺决定了半导体线路的线宽，同时也决定了芯片的性能和功耗。
2019-01-23 09:18:0222456 光刻是集成电路最重要的加工工艺，他的作用，如同金工车间中车床的作用。在整个芯片制造工艺中，几乎每个工艺的实施，都离不开光刻的技术。
2019-03-02 09:41:2911136 作为制造芯片的核心装备，光刻机一直是中国的技术弱项,其技术水平严重制约着中国芯片技术的发展。荷兰ASML公司的光刻机设备处于世界先进水平，日本光刻设备大厂都逐渐被边缘化，国内更是还有很大的差距。那么中国光刻工艺与国外顶尖公司究竟相差多少代技术呢？
2019-06-16 11:18:408244 在半导体制造过程中，最重要的一个过程就是光刻工艺，需要用到光刻机，7nm及以下节点工艺则需要EUV光刻机，目前只有荷兰ASML公司能生产，每台售价超过1亿欧元，可以说是半导体行业的明珠了，是门槛非常高的先进技术。
2019-07-12 10:38:434279 制造PCB时，会发生类似的光学对准。它们是光刻工艺的一部分，用于在PCB构建时铺设图案化层。不要因为出现弯曲的滑块而受到影响，当然也不要让PCB设计中的元件错位。了解如何正确规划光刻工艺，以及了解可能影响光刻工艺的因素并导致缺陷。
2019-07-26 08:35:012579 KLA-Tencor光刻工艺控制解决方案将产量优化至0.13微米 SAN JOSE - KLA-Tencor公司推出了一款工艺模块控制（PMC）解决方案芯片制造商实施和控制0.13微米及更小
2020-02-14 11:05:231114 光刻是集成电路最重要的加工工艺，他的作用，如同金工车间中车床的作用。光刻是制造芯片的最关键技术，在整个芯片制造工艺中，几乎每个工艺的实施，都离不开光刻的技术。
2019-11-23 10:45:54158604 三星宣布，位于韩国京畿道华城市的V1工厂已经开始量产7nm 7LPP、6nm 6LPP工艺，这也是全球第一座专门为EUV极紫外光刻工艺打造的代工厂。
2020-02-21 16:19:052214 光刻机是集成电路制造中最精密复杂、难度最高、价格最昂贵的设备，用于在芯片制造过程中的掩膜图形到硅衬底图形之间的转移。集成电路在制作过程中经历材料制备、掩膜、光刻、刻蚀、清洗、掺杂、机械研磨等多个工序，其中以光刻工序最为关键，因为它是整个集成电路产业制造工艺先进程度的重要指标。
2020-03-18 11:00:4172452 作为芯片制造的核心设备之一，光刻机对芯片生产的工艺有着决定性影响。 据悉，光刻机按照用途可分为生产芯片的光刻机、封装芯片的光刻机以及用于LED制造领域的投影光刻机。其中，生产芯片的High End
2020-06-15 08:05:54999 作为光刻工艺中最重要设备之一，光刻机一次次革命性的突破，使大模集成电路制造技术飞速向前发展。了解提高光刻机性能的关键技术以及了解下一代光刻技术的发展情况是十分重要的。 光刻机 光刻机（Mask
2020-08-28 14:39:0411746 
重要要点 l 什么是光刻？ l 光刻工艺的类型。 l 光刻处理如何用于电路板成像。 l 工业平版印刷处理设计指南。 可以说，有史以来研究最多的文物是都灵裹尸布。进行广泛检查的原因，从来源的宗教建议
2020-09-16 21:01:161361 光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机是半导体产业中最关键设备，光刻工艺决定了半导体线路的线宽，同时也决定了芯片的性能和功耗。
2020-09-30 16:17:135162 
在制造芯片的过程中，光刻工艺无疑最关键、最复杂和占用时间比最大的步骤。光刻定义了晶体管的尺寸，是芯片生产中最核心的工艺，占晶圆制造耗时的40％到50％。光刻机在晶圆制造设备投资额中约占23
2020-10-09 15:40:112189 台积电是第一家将EUV（极紫外）光刻工艺商用到晶圆代工的企业，目前投产的工艺包括N7+、N6和N5三代。
2020-10-22 14:48:561425 几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。 光刻技术的基本原理 光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感
2020-11-11 10:14:2022384 在一颗芯片诞生的过程中，光刻是最关键又最复杂的一步。 说最关键，是因为光刻的实质将掩膜版上的芯片电路图转移至硅片，化虚为实。说最复杂，是因为光刻工艺需要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻
2020-11-26 16:19:192472 更多诀窍，领先对手1到2年。 据悉，三星的1z nm DRAM第三代内存已经用上了一层EUV，第四代1a nm将增加到4层。EUV光刻机的参与可以减少多重曝光工艺，提供工艺精度，从而可以减少生产时间、降低成本，并提高性能。 尽管SK海力士、美光等也在尝试EUV，但层数过少对
2020-12-04 18:26:542201 光刻机（Mask Aligner） 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干
2020-12-28 14:17:152440 光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干
2020-12-29 09:14:542095 光刻是集成电路工艺中的关键性技术。在硅片表面涂上光刻胶薄层，经过光照、显影，在光刻胶上留下掩模版的图形。
2021-04-09 14:27:1963 多层PCB内层的光刻工艺包括几个阶段，接下来详细为大家介绍多层PCB内层的光刻工艺每个阶段都需要做什么。 PART.1 在第一阶段，内层穿过化学制剂生产线。铜表面会出现粗糙度，这对于光致抗蚀剂的最佳
2021-09-05 10:00:162160 的、颗粒的、会影响光刻胶的厚度。 涂胶：根据工艺要求，目前常用的两种涂胶工艺，一个就是旋转涂覆、一个就是喷涂。根据工艺要求和光刻胶的性能、可以有不同厚度的光刻胶。 前烘：就比较讲究了，因为这东西肉眼看不见变化。只有最后
2021-10-13 10:59:423893 
光刻胶是光刻机研发的重要材料，换句话说光刻机就是利用特殊光线将集成电路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕迹，就需要网硅片上涂一层光刻胶。
2022-02-05 16:11:0011281 光刻机又被称为掩膜对准曝光机，在芯片生产中用于光刻工艺，而光刻工艺又是生产流程中最关键的一步，所以光刻机又是芯片生产中不可缺少的设备，总得来说光刻机是用来制造芯片的。
2022-02-06 07:25:0029436 。后一种工艺是集成电路微制造技术的基础。微电子工业不断增长的需求需要光刻材料（光刻剂)，具有亚微米分辨率、高灵敏度、对微电子中常用的基质的良好粘附，以及对广泛的等离子体和湿化学蚀刻剂的高抗性。 非晶态半导体材料
2022-01-19 16:08:46375 
待加工基片上。其被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，是微细加工技术的关键性材料。 一言以蔽之，光刻胶是光刻工艺最重要的耗材，其性能决定了加工成品的精密程度和良品率，而光刻工艺又是精密电子元器件制造
2022-01-20 21:02:461208 
平版印刷术被定义为“一种从已经准备好的平坦表面(如光滑的石头或金属板)印刷的方法，以便油墨仅粘附在将要印刷的设计上”。在半导体器件制造中，石头是硅片，而墨水是沉积、光刻和蚀刻工艺的综合效果，从而产生
2022-03-14 15:20:531940 
什么是光刻？光刻是将掩模上的几何形状转移到硅片表面的过程。光刻工艺中涉及的步骤是晶圆清洗；阻挡层的形成；光刻胶应用；软烤；掩模对准；曝光和显影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:02850 
光刻胶作为影响光刻效果核心要素之一，是电子产业的关键材料。光刻胶由溶剂、光引发剂和成膜树脂三种主要成分组成，是一种具有光化学敏感性的混合液体。其利用光化学反应，经曝光、显影等光刻工艺，将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，是用于微细加工技术的关键性电子化学品。
2022-06-21 09:30:0916641 新的方法，通过光刻和刻蚀工艺顺序来提高跨晶片栅极CD的均匀性。我们华林科纳所提出的方法是通过优化整个晶片曝光后烘烤(PEB)温度曲线来补偿光刻工艺顺序中的上游和下游系统CD变化成分。更准确地说，我们首先构建了一个温度-偏移模型，该模型将
2022-06-22 14:58:341301 
众所周知，光刻机一直处于垄断地位，在光刻机领域，最有名的就是ASML公司了。
2022-07-04 11:21:15288331 光刻机是芯片制造的核心设备之一。目前世界上最先进的光刻机是荷兰ASML的EUV光刻机。
2022-07-06 11:03:077000 目前，光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线，EUV是非常深的紫外线。DUV使用的是极紫外光刻技术，EUV使用的是深紫外光刻技术。EUV为先进工艺芯片光刻的发展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1078127 根据所使用的辐射，有不同类型的光刻方法用于曝光的:光刻(光刻)、电子束光刻、x射线光刻、光刻和离子束光刻。在光学光刻技术中，有部分不透明和部分不透明的图案掩模(光片)半透明区域被使用。紫外线辐射或气体激光的照射以1:1的比例完成或者以4:1或10:1的比例减少。
2022-07-27 16:54:533169 
摩尔定律
Intel创始人之一摩尔1964年提出，大约每隔12个月：
1）。芯片能力增加一倍、芯片价格降低- -倍;
2）。广大用户的福音、行业人员的噩梦。
芯片集成密度不断提升、光刻分辨率的不断提升！
2022-08-29 14:20:2710022 光刻是半导体工艺中最关键的步骤之一。EUV是当今半导体行业最热门的关键词，也是光刻技术。为了更好地理解 EUV 是什么，让我们仔细看看光刻技术。
2022-10-18 12:54:053180 计算光刻 (Computational Lithography)技术是指利用计算机辅助技术来增强光刻工艺中图形转移保真度的一种方法，它是分辦率增强技术(ResolutionEnhancement
2022-10-26 15:46:222274 光刻机誉为“现代半导体行业皇冠上的明珠”，是一种高度复杂的设备。光刻机是通过紫外光作为“画笔”，把预先设计好的芯片电路路线书写在硅晶圆旋涂的光刻胶上，光刻工艺直接决定了芯片中晶体管的尺寸和性能，是芯片生产中最为关键的过程。
2022-10-27 09:39:024118 来源：云天半导体 厦门云天半导体继九月初812吋 “晶圆级封装与无源器件生产线”正式通线后，经过团队的不懈努力， 8英寸晶圆Fine Pitch光刻工艺开发终破2/2um L/S大关； 以下为部分工艺
2022-11-30 17:07:07854 光刻胶经曝光后，其化学性质会发生改变。更准确地说，经曝光后，光刻胶在显影液中的溶解度发生了变化：曝光后溶解度上升的物质称作正性（Positive）光刻胶，反之则为负性（Negative）光刻胶。
2023-01-31 15:59:491222 光掩模可以被认为是芯片的模板。光掩模用电子束图案化并放置在光刻工具内。然后，光掩模可以吸收或散射光子，或允许它们穿过晶圆。这就是在晶圆上创建图案的原因。
2023-03-03 10:10:321129 日本最寄望于纳米压印光刻技术，并试图靠它再次逆袭，日经新闻网也称，对比EUV光刻工艺，使用纳米压印光刻工艺制造芯片，能够降低将近四成制造成本和九成电量，铠侠 (KIOXIA）、佳能和大日本印刷等公司则规划在2025年将该技术实用化。
2023-03-22 10:20:391837 新的High NA EUV 光刻胶不能在封闭的研究环境中开发，必须通过精心设计的底层、新型硬掩模和高选择性蚀刻工艺进行优化以获得最佳性能。为了迎接这一挑战，imec 最近开发了一个新的工具箱来匹配光刻胶和底层的属性。
2023-04-13 11:52:121165 光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。依据使用场景，这里的待加工基片可以是集成电路材料，显示面板材料或者印刷电路板。
2023-05-11 16:10:492775 
通常，光刻是作为特性良好的模块的一部分执行的，其中包括晶圆表面制备、光刻胶沉积、掩模和晶圆的对准、曝光、显影和适当的抗蚀剂调节。光刻工艺步骤需要按顺序进行表征，以确保模块末端剩余的抗蚀剂是掩模的最佳图像，并具有所需的侧壁轮廓。
2023-06-02 16:30:25421 
光刻机可分为前道光刻机和后道光刻机。光刻机既可以用在前道工艺，也可以用在后道工艺，前道光刻机用于芯片的制造，曝光工艺极其复杂，后道光刻机主要用于封装测试，实现高性能的先进封装，技术难度相对较小。
2023-06-09 10:49:205860 
外，学生还就感兴趣的课题做深入调研。师生共同讨论调研报告，实现教学互动。调研的内容涉及光刻工艺、光刻成像理论、SMO、OPC和DTCO技术。
2023-06-14 10:16:38226 
光刻机是集成电路生产的关键设备之一，在整个生产过程中占据重要的地位。高精度的工作台作为光刻机核心部件之一，其运动性能和定位精度决定了光刻工艺所能实现的线宽和产率。光刻机的工作台是一个六自由度的运动
2022-03-08 09:07:46859 
外，学生还就感兴趣的课题做深入调研。师生共同讨论调研报告，实现教学互动。调研的内容涉及光刻工艺、光刻成像理论、SMO、OPC和DTCO技术。
2023-06-26 17:00:19766 
外，学生还就感兴趣的课题做深入调研。师生共同讨论调研报告，实现教学互动。调研的内容涉及光刻工艺、光刻成像理论、SMO、OPC和DTCO技术。
2023-06-29 10:02:17329 
半导体制造工艺之光刻工艺详解
2023-08-24 10:38:541223 
光刻蚀（Photolithography）是一种在微电子和光电子制造中常用的加工技术，用于制造微细结构和芯片元件。它的基本原理是利用光的化学和物理作用，通过光罩的设计和控制，将光影投射到光敏材料上，形成所需的图案。
2023-08-24 15:57:422273 光刻胶作为影响光刻效果核心要素之一，是电子产业的关键材料。光刻胶由溶剂、光引发剂和成膜树脂三种主要成分组成，是一种具有光化学敏感性的混合液体。其利用光化学反应，经曝光、显影等光刻工艺，将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，是用于微细加工技术的关键性电子化学品。
2023-10-09 14:34:491674 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工艺
2023-11-23 18:13:02579 
光照条件的设置、掩模版设计以及光刻胶工艺等因素对分辨率的影响都反映在k₁因子中，k₁因子也常被用于评估光刻工艺的难度，ASML认为其物理极限在0.25，k₁体现了各家晶圆厂运用光刻技术的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用。
2024-03-06 14:28:5062 
制造集成电路的大多数工艺区域要求100级（空气中每立方米内直径大于等于0.5μm的尘埃粒子总数不超过约3500）洁净室，在光刻区域，洁净室要求10级或更高。
2024-03-20 12:36:0061 
光刻机经历了5代产品发展，每次改进和创新都显著提升了光刻机所能实现的最小工艺节点。按照使用光源依次从g-line、i-line发展到KrF、ArF和EUV；按照工作原理依次从接触接近式光刻机发展到浸没步进式投影光刻机和极紫外式光刻机。
2024-03-21 11:31:4143 
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