的，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN® FET。新产品
2023-12-01 14:11:45
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` 谁来阐述一下5G与人工智能的关系？手把手教你设计人工智能芯片及系统（全阶设计教程+AI芯片FPGA实现+开发板）详情链接：http://url.elecfans.com/u/c422a4bd15`
2019-11-22 17:08:19
搭载高通(Qualcomm®) Quick Charge™ 5技术的通用型氮化镓电源适配器可在5分钟内将智能手机的电量从0%充至50%高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商
2021-08-12 10:55:49
什么是人工智能（AI）芯片？AI芯片的主要用处有哪些？在AI任务中，AI芯片到底有多大优势？
2021-09-22 08:00:01
，“人工智能医生”能做什么呢?
——缓解医疗人力资源紧张。在上海市第九人民医院放射科，每天仅肺部检查就达150件次。该医院引入肺癌影像智能诊断系统后，这一人工智能技术将肺部影像诊断压缩至秒级——在
2019-02-24 09:29:57
从2014年开始，人工智能逐渐成为科技领域最热门的概念，被科技界，企业界和媒体广泛关注。作为一个学术领域，人工智能是在1956年夏季，以麦卡赛、明斯基、罗切斯特和申农等为首的一批有远见卓识的年轻科学家在一起聚会，共同研究和探讨用机器模拟智能的一系列有关问题时首次提出。
2019-08-12 07:53:12
在未来的某个时候，人们必定能够相对自如地运用人工智能，安全地驾车出行。这个时刻何时到来我无法预见；但我相信，彼时“智能”会显现出更“切实”的意义。与此同时，通过深度学习方法，人工智能的实际应用能够在汽车安全系统的发展进步中发挥重要的作用。而这些系统远不止仅供典型消费者群体掌握和使用。
2019-08-06 08:42:40
薪酬涨幅不再处于高位，平均涨幅在5%左右，但以人工智能、大数据为代表的新兴技术岗位薪资出现明显上升，无论薪资基数、薪资涨幅还是发展空间、均高出其他职位！2016年到2017年，人工智能岗位数量种类
2018-03-29 15:46:26
。 在BAT等巨头之外，也不乏十分出色的智能机器人厂商，运用自身技术积累在人工智能领域大放异彩，为这片红海带来新的生机。 相对于巨头厂商不同的是，这部分智能机器人厂商的定位更加明确，产品功能差异化
2015-10-21 12:03:58
机器人就是工厂中常见的类似机械臂，能够代替工人更高效的完成简单且重复率高的流水线上的工作。 说到第二类服务机器人时，先给大家科普一下，当前人工智能大致分为三个阶段：弱人工智能阶段、强人工智能
2015-09-16 15:40:27
，还是将技术作为目标本身。这种差异的体现是，制造越来越强大的计算机、软件和机器人的目的是以人类用户为核心进行设计，还是替代人类。人工智能与注重人机交互的智能增强本是同根同源，却在两条发展的道路上越走越远
2016-03-03 11:05:39
表明，到2030年，人工智能和机器人可能会减少全球多达30%的人类劳动，到2030年自动化将取代4-8亿个工作。1、机械加工机器人从事的零件铸造、激光切割以及水射流切割等工作；2、机器人涂装、点胶
2020-10-23 11:07:34
......无形之中，人工智能正以前所未有的发展速度渗透我们的日常生活。而作为人工智能的核心技术之一，人工智能芯片也向来备受关注。近几年，谷歌、苹果、微软、Facebook、英特尔、高通、英伟达、AMD、阿里巴...
2021-07-27 07:02:46
人工智能芯片是指什么？AI芯片按照应用场景可以分为哪几种？
2021-10-25 07:29:05
人工智能是近三年来最受关注的核心基础技术，将深刻的改造各个传统行业。人工智能在图像识别、语音识别领域的应用自2017年来高速发展，是人工智能最热点的两项落地应用。手把手教你设计人工智能芯片及系统（全
2019-09-11 11:52:08
是人工智能发展的关键组成部分，有助于将AI作为未来的主流。而这仅仅是个开始。AI：反映人类推理的对象根据经典的定义，人工智能是一个相当不引人注目的事件。在他开创性的1976年论文“ 人工智能：个人观点”中
2019-05-29 10:46:39
已经在电池上采用多极耳，多条连接线来降低大电流的发热。氮化镓的低阻抗优势，可以有效的降低快充发热。应用在手机电池保护板上，可以支持更高的快充功率，延长快充持续时间，获得更好的快充体验。同时氮化镓属于宽禁
2023-02-21 16:13:41
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
浅谈智能控制、人工智能、智能算法的发展前景
2019-05-10 01:21:03
气大涨，成为继智能音箱后，又一大热门智能单品。前段时间，暴风TV推出号称第一台干掉电视遥控器的人工智能电视，并希冀将AI智能电视作为智慧家庭交互入口和服务平台。而国内家电巨头创维也不甘落后，和百度联手将
2018-04-20 09:28:21
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。
又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
早已摩拳擦掌，严阵以待，纷纷推出了顺应市场的配件产品。而当各大主流手机厂商把氮化镓快充做为手机的标准配件时，整个产业链将迎来一个新的发展高峰。面对氮化镓快充市场的爆发，你准备好了吗？我准备好了，你呢？我们一起加油。
2020-03-18 22:34:23
的挑战丝毫没有减弱。氮化镓（GaN）等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年，电力电子领域将管理大约80％的能源，而2005年这一比例仅为30％1。这相当于30亿千瓦时以上
2020-11-03 08:59:19
的选择。 生活更环保 为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会，使其在高电压应用中的贡献远远超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
65W 双口氮化镓充电器可以同时对两台设备进行 PD 快充，支持手机 + 手机、笔记本 + 手机等不同设备搭配使用。侦测到两台设备同时供电需求时，智能调整输出功率为45W + 18W，实现双口同时快充
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
却在这两个指标上彰显出了卓越的性能，同时，它还具备某些附加的技术优势。氮化镓的原始功率密度比当前砷化镓和 LDMOS 技术的高很多，且支持将器件技术扩展到高频应用。氮化镓技术允许器件设计师在保持高频率
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
封装技术的效率。三维散热是GaN封装的一个很有前景的选择。
生活更环保
为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会
2019-03-14 06:45:11
更良好的发展前景。斯利通作为一家专业的陶瓷基板生产厂家，将跟随市场方向，致力于生产出更好的陶瓷基板。想必在未来的某一天人类终将会与各种机器人共存，人工智能也将会更好的服务我们的生活。`
2021-04-23 11:34:07
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
，只应用在高端充电器上。一些小功率的，高性价比的充电器无法享受到氮化镓性能提升所带来的红利。目前，国内已经有多家厂商推出了用于33-100W大功率充电器的合封芯片，通过将氮化镓开关管，控制器以及驱动器
2021-11-28 11:16:55
，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告，该技术能够实现智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
：“ST的晶圆制造规模和卓越的运营能力将让MACOM和ST能够推动新的射频功率应用，在制造成本上取得的突破有助于扩大硅上氮化镓市场份额。虽然扩大现有射频应用的机会很有吸引力，但是我们更想将硅上氮化镓用于
2018-02-12 15:11:38
组合多个射频能量通道，例如3x300W或2x500W等。支持的频段范围为915MHz到2.45GHz。“ 商业OEM渴望借助硅基氮化镓抓住高性能射频能量系统的巨大市场机遇，但他们不希望将资源投资于
2017-08-03 10:11:14
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品，这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多：半导体器件可靠性更高，氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
多个方面都无法满足要求。在基站端，由于对高功率的需求，氮化镓（GaN）因其在耐高温、优异的高频性能以及低导通损耗、高电流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
人工智能技术如今已经走进不少工厂和流水线，其帮助不少企业提升了产品制造效率，而使用人工智能来为产品质量把关也成为一个必然趋势。近日，日本IT大厂 NEC 推出了一个“视觉检测（AI Visual
2019-07-29 07:07:23
，GaN-on-Si 将实现成本结构和使用现有大直径晶圆厂的能力，这将是一个很大的优势。由于硅是一种导电基板，因此在处理基板电位以及它与功率器件相互作用的方式方面带来了额外的挑战。第一个具有 GaN FET、GaN
2021-07-06 09:38:20
，随机森林，K-均值算法，支持向量机和人工神经网络等等。在应用方面表现也异常突出，目前89%的人工智能专利申请和40%人工智能范围相关专利都属于机器学习的范畴，可见机器学习的时代化进程多么迅速。归结到
2023-02-17 11:00:15
```▌活动背景随着包括谷歌、脸书、微软、亚马逊以及百度在内的巨头相继入局，人工智能已经开启它庞大的市场机遇。2017 年，针对人工智能企业的投资金额为 754 亿元，到了 2018 上半年投资
2019-01-21 17:20:05
大家：醍醐灌顶！！人工智能九问九答中国自动化学会副理亊长兼秘书长王飞跃对《三联生活周刊》关于人工智能九个问题的回答。特别对图灵测试、奇点理论，公众对人工智能概念及技术的一些误解等进行了冷静剖析。
2015-03-21 15:04:38
：如前所述，氮化镓器件以射频速度开关。比现有的电力电子开关速度快得多。鉴于此，具有高共模瞬变抑制（CMTI）的高速栅极驱动器对优化Transphorm GaN FET的性能至关重要。为此，Si827x
2018-07-19 16:30:38
的新型研发机构。支持骨干企业建设新一代人工智能制造业创新中心。 2.将亟需突破的关键核心技术纳入省重大科技专项支持范围。 3.积极发展人工智能技术离岸孵化，对在我省实现转化的，视同省内创新成果给予
2019-09-02 18:14:08
人工智能恐惧历史溯源人工智能恐惧表现形式
2021-01-26 07:14:15
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓晶体管，可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
，4H-SiC是500，而氮化镓是900，效率非常高。另外，碳化硅具有2.8 MV/cm的绝缘失效电场强度，以及3.3 MV/cm的氮化镓。通常，在低频工作时，其功率损耗是绝缘失效电场的3倍，而在高频时则是2
2023-02-23 15:46:22
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。氮化镓比传统硅材料更大的禁带宽度，使它具有非常细窄的耗尽区，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
如今，采用人工智能的企业遇到了一个主要障碍，那就是在内部开发人工智能产品成本高昂，因此有了外包人工智能产品的需求。而对于从中小企业到预算受限的大型企业来说，通过云计算来采用人工智能的成本要低得多。
2019-09-11 11:51:46
流，但随着5G的到来，砷化镓器件将无法满足在如此高的频率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成为下一个热点。氮化镓作为一种宽禁带半导体，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
` 谁来阐述一下传感器和人工智能的关系？手把手教你设计人工智能芯片及系统（全阶设计教程+AI芯片FPGA实现+开发板）详情链接：http://url.elecfans.com/u/c422a4bd15`
2019-11-25 15:51:45
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
概述：NV6127是一款升级产品，导通电阻更小，只有 125 毫欧，是氮化镓功率芯片IC。型号2：AON6268丝印：6268属性：分立半导体产品 - 晶体管封装：DFN-8参数FET 类型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
先进的人工智能技术的支持，DACOM成功地将AI科技与无线蓝牙耳机相互结合，研发出一款可以全语音交互对话及出行导航线路规划等一站式人工智能蓝牙耳机，成为智能耳机行业中的首席官。据介绍，DACOM推出
2018-11-02 11:55:08
各种来源的大量数据，识别各种模式、提供交互式理解和进行智能预测。这种创新发展的一个例子就是将人工智能应用于由传感器生成的数据，尤其是通过智能手机和其他消费者设备所收集的数据。运动传感器数据以及其他信息比如GPS地址，可提供大量不同的数据集。因此，问题在于：“如何使用人工智能才能充分发挥这些协同作用？”
2019-07-25 06:20:53
的应用可以大大提高效能评估的准确性和实用性，为组织和企业提供更好的管理支持。未来人工智能发展趋势也将是与效能评估系统相互协同，为组织的运营和生产带来全新的变革和提升。
2023-08-30 12:58:14
创建Kynisys平台：我们如何构建人工智能（AI）的未来？
2021-03-03 07:06:02
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
的性能已接近理论极限[1-2]，而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性，可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能，有助消除死区时间且增加PWM频率，从而
2023-06-25 13:58:54
嵌入式人工智能技术是什么？
2021-12-27 07:03:30
嵌入式人工智能是什么东西？
2021-12-27 07:52:21
嵌入式人工智能的实际作用是什么？
2021-12-27 06:34:29
嵌入式与人工智能关系是什么？嵌入式人工智能的发展趋势是什么？
2021-12-27 07:13:40
和功率因数校正 （PFC） 配置。 简单的电路提供了将硅控制器用于GaN器件的过渡能力。对于单个氮化镓器件，隔离式负 V一般事务（关闭）EZDrive®电路是一种低成本、简单的方法，可以使用12V驱动器
2023-02-21 16:30:09
的解决方案会让更多的开发者易于使用，为大数据、人工智能、物联网企业解决更多的实际难题，加速整个行业的发展。www.tuolve.comTel:***
2017-10-09 15:26:53
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年，第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
机器学习和人工智能有什么区别？当今唯一可用的软件选项是 ML 系统。在十年左右的时间里，当计算能力和算法开发达到可以显着影响结果的地步时，我们将见证第一个真正的人工智能。是人工智能软件吗？软件构成
2023-04-12 08:21:03
，预计2017年产业规模达到295.9亿，2018年将达到381亿元。 之前看过一遍报道说到，人工智能已成为科技界的一颗“明星”。在刚刚闭幕的全国两会上，***工作报告提出要“全面实施战略性新兴产业
2017-03-23 17:00:07
识别猫，而不会同事识别狗等其他动物。AGI是人们恐慌人工智能的主要原因，他们恐慌的原因是都相信我们将构建出一个无人监督的学习者，它将以人类无法控制的速度递归地进化自己，如此日复一日，年复一年，AGI
2018-11-14 10:43:43
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗？然后提取参数想基于candence model editor进行氮化镓器件的建模，有可能实现吗？求教ICCAP软件呢？
2019-11-29 16:04:02
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
解决方案，累计近100家客户选用了茂睿芯的氮化镓解决方案。致力于为客户提供最优解，进一步提高PD快充的功率密度，提高GaN系统可靠性，茂睿芯重磅推出33W集成氮化镓PD方案MK2787/MK2788，集成
2021-11-12 11:53:21
了当时功率半导体界的一项大胆技术：氮化镓（GaN）。对于强大耐用的射频放大器在当时新兴的宽带无线网络、雷达以及电网功率切换应用中的使用前景，他们表达了乐观的看法。他们称氮化镓器件为“迄今为止最坚固耐用
2023-02-27 15:46:36
。关于最佳人工智能编程语言的争论从未停止，所以今天Tesra超算网络就来比较5种人工智能项目最常用的编程语言，并列出它们的优缺点。一起来看看吧！Python由于其语法，简单性和多功能性，Python
2018-09-29 10:27:14
通用人工智能啥时候能实现
2020-12-17 06:19:51
，发展高效智能服务，提高社会治理智能化水平，利用人工智能提升公共安全保障能力，促进社会交往的共享互信”。人工智能的迅速发展将深刻改变人类社会生活、改变世界。 为抢抓新一代人工智能发展重大战略机遇，培育
2019-09-16 18:24:23
的转换器。在氮化镓（GaN）功率FET的早期阶段，故障很常见。更严格的栅极环路设计要求，更高的dv/dt和共源电感的影响使得电路对寄生和噪声更敏感。当TI推出第一个600V GaN功率级样品时，我惊叹于该
2019-07-29 04:45:12
的应用。“氮化镓就像一个超级增压引擎，”我们的高压新技术开发组总监Steve Tom说，“它使得系统运行更快，动力更加强劲，并且能够处理更高的功率。它周围的驱动器、封装和其它组件能够真正地提高任何系统的性能
2022-11-16 07:42:26
的应用。“氮化镓就像一个超级增压引擎，”我们的高压新技术开发组总监Steve Tom说，“它使得系统运行更快，动力更加强劲，并且能够处理更高的功率。它周围的驱动器、封装和其它组件能够真正地提高任何系统的性能
2018-08-30 15:05:50
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出首批支持低电压（100/150 V）和高电压（650 V）应用的 E-mode（增强型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是强大的GaN功率半导体（下一代电力系统的未来）领域全球领先的企业。该公司今天推出了三款TOLL封装的SuperGaN®FET，其导通电
2023-10-12 16:40:56251 Transphorm正在对三个650 V GaN FET进行采样，典型导通电阻为35 mΩ、50 mΩ和72 mΩ，采用TO无引线(TOLL)封装。根据制造商的说法，这些通常关闭
2023-10-13 16:16:47403 通过碳化硅 TOLL 封装开拓人工智能计算的前沿
2023-11-23 09:04:41548 
日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）与适配器USB-C PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor
2024-01-03 15:17:33125
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