等离子体图形化刻蚀过程中，刻蚀图形将影响刻蚀速率和刻蚀轮廓，称为负载效应。负载效应有两种:宏观负载效应和微观负载效应。
2023-02-08 09:41:26
2549 单晶硅刻蚀用来形成相邻晶体管间的绝缘区，多晶硅刻蚀用于形成栅极和局部连线。
2023-02-13 11:13:236143 
在上一篇文章，我们介绍了光刻工艺，即利用光罩(掩膜)把设计好的电路图形绘制在涂覆了光刻胶的晶圆表面上。下一步，将在晶圆上进行刻蚀工艺，以去除不必要的材料，只保留所需的图形。
2023-06-28 10:04:58864 
在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料，从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备，在其他类似工艺中也很常见。
2023-09-24 17:42:031060 
干法刻蚀技术是一种在大气或真空条件下进行的刻蚀过程，通常使用气体中的离子或化学物质来去除材料表面的部分，通过掩膜和刻蚀参数的调控，可以实现各向异性及各向同性刻蚀的任意切换，从而形成所需的图案或结构
2024-01-20 10:24:561350 
在半导体加工工艺中，常听到的两个词就是光刻(Lithography)和刻蚀(Etching)，它们像俩兄弟一样，一前一后的出现，有着千丝万缕的联系，这一节介绍半导体刻蚀工艺。
2024-01-26 10:01:58687 
影响深硅刻蚀的关键参数有：气体流量、上电极功率、下电极功率、腔体压力和冷却器。
2024-02-25 10:40:1619 
浅谈FPGA在安全产品中有哪些应用？
2021-05-08 06:36:39
浅谈PWM控制直流电机：1.控制电机正反转2.加减速3.停止按钮
2019-04-21 17:32:49
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2021-06-02 06:07:49
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2022-01-16 09:14:46
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2021-06-01 06:34:33
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2019-03-20 15:07:57
浅谈电子三防漆对PCB板的作用有哪些？
2023-04-14 14:36:27
浅谈移动端适配
2020-04-16 11:52:26
AOE刻蚀氧化硅可以，同时这个设备可以刻蚀硅吗？大致的气体配比是怎样的，我这里常规的刻蚀气体都有，但是过去用的ICP，还没有用过AOE刻蚀硅，请哪位大佬指点一下，谢谢。
2022-10-21 07:20:28
PCB经验浅谈
2012-08-04 09:33:39
新加坡知名半导体晶圆代工厂招聘资深刻蚀工艺工程师和刻蚀设备主管！此职位为内部推荐，深刻蚀工艺工程师需要有LAM 8寸机台poly刻蚀经验。刻蚀设备主管需要熟悉LAM8寸机台。待遇优厚。有兴趣的朋友可以将简历发到我的邮箱sternice81@gmail.com，我会转发给HR。
2017-04-29 14:23:25
典型的硅刻蚀是用含氮的物质与氢氟酸的混合水溶液。这一配比规则在控制刻蚀中成为一个重要的因素。在一些比率上，刻蚀硅会有放热反应。加热反应所产生的热可加速刻蚀反应，接下来又产生更多的热，这样进行下去会
2018-12-21 13:49:20
什么是数码功放？浅谈数码功放
2021-06-07 06:06:15
半导体光刻蚀工艺
2021-02-05 09:41:23
的误差更需要控制在这一数值的十分之一以下。综上所述，刻蚀机是推进单片机IC芯片开发趋向更小化，降低能耗，提高性能的重要设备之一。
2018-08-23 17:34:34
台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）栅阴击穿特性的影响做了实验研究。实验结果表明，随着台面刻蚀深度的增大，器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿
2009-10-06 09:30:24
最近在做一个设计，已经采集到圆弧的起点和终点坐标，半径也知道，怎么用Labview画出它的曲线图，希望知道的帮个忙，谢谢。
2013-03-21 15:40:07
用于运动会终点计时。无线启动开始计时，到终点分别人工终止计时。有想法的可以和我联系。相当于一个计时芯片，多个无线按钮来暂停。
2019-07-03 04:42:36
手机机构设计浅谈，
2017-11-13 11:21:21
手机硬件知识浅谈
2013-05-15 11:04:52
的硅片报废，因此必须进行严格的工艺流程控制。半导体器件的每一层都会经历多个刻蚀步骤。刻蚀一般分为电子束刻蚀和光刻，光刻对材料的平整度要求很高，因此，需要很高的清洁度。 但是，对于电子束刻蚀，由于电子的波长
2017-10-09 19:41:52
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
请问知道圆弧的起点和终点坐标和半径怎么求圆弧的圆心？用labview,,画弧，，
2023-11-01 21:57:54
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 编辑
释放MEMS机械结构的干法刻蚀技术湿法刻蚀是MEMS 器件去除牺牲材料的传统工艺，总部位于苏格兰的Point 35
2013-11-04 11:51:00
因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准全自动离子刻蚀机 MEL 3100伯东公司日本原装进口全自动离子刻蚀机 MEL 3100
2022-11-07 17:22:14
逐点比较法的终点判别
逐点比较法的终点判别方法大致有下列几种：
（1） 设置一个终点减法计数器JE，插
2009-05-06 22:33:032408 浅谈PLC控制系统设计要点及其在使用中的问题
PLC是工业自动化的基础平台。PLC应用系统设计的首要问题是工程选型与编程平台的架构设
2009-06-16 13:47:03598 浅谈控制系统中PLC的合理选择
合理选择PLC，对于提高PLC在控制系统中的应用有着重要作用。本文就PLC的机型、I/O、存储器类型及容量和
2009-06-19 12:55:42603 
浅谈电脑灯控制台的基本使用方法
电脑灯自1981年问世以来，就在各类演出、演播室的节目制作中得到应用。可以说电脑灯的出现是舞
2009-12-12 10:18:513988 干法刻蚀原理
刻蚀作用：去除边缘PN结，防止上下短路。干法刻蚀原理：利用高频辉光放电反应，使CF4气体激活成活性粒子，这些活性
2010-07-18 11:28:205687 本文在浅沟槽隔离刻蚀过程中发现，当刻蚀腔室上石英窗口的温度超过85℃时，刻蚀终止出现在300mm晶圆的中心。我们认为刻蚀终止的原因是由于某些低挥发SiOxCly刻蚀产物再淀积。石英
2012-05-04 17:09:372864 
数控系统加减速控制与程序段终点速度规划。
2016-05-03 09:38:54
13 浅谈变频器矢量变换控制的基本原理及应用
2017-01-21 11:54:398 KICR在转炉炼钢终点温度预测中的应用_严良涛
2017-03-19 11:41:510 晶体硅太阳能电池生产线刻蚀工序培训 1、刻蚀的作用及方法；2、刻蚀的工艺设备、操作流程及常用化学品；3、主要检测项目及标准；4、常见问题及解决方法；5、未来工艺的发展方向；
2017-09-29 10:29:0924 钢水质量通常根据终点命中率来判断，但炼钢过程影响因素众多，机理分析难以准确预测终点温度和含碳量，鉴于此，提出一种由数据驱动的多任务学习（MTL）炼钢终点预测方法。首先，分析并提取炼钢过程的输入和输出
2017-12-05 17:09:131 钝化层刻蚀对厚铝铝须缺陷影响的研究
2018-03-06 09:02:505647 反刻是在想要把某一层膜的总的厚度减小时采用的（如当平坦化硅片表面时需要减小形貌特征）。光刻胶是另一个剥离的例子。总的来说，有图形刻蚀和无图形刻蚀工艺条件能够采用干法刻蚀或湿法腐蚀技术来实现。为了复制硅片表面材料上的掩膜图形，刻蚀必须满足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2768658 北方华创（Naura）官方宣布，ICP等离子刻蚀机第1000腔交付仪式近日在北京亦庄基地举行，NAURA刻蚀机研发团队见证了这一历史性时刻。
2020-12-11 15:30:092197 摘要：在半导体制造工艺的湿法刻蚀中，用热磷酸刻蚀氮化硅和氮氧化硅是其中一个相对复杂又难以控制的工艺。在这个工艺中，热磷酸刻蚀后的去离子水（ＤＩＷ）清洗更是一个非常重要的步骤。主要分析了由于去离子水
2020-12-29 14:36:072548 
摘要：对比了ＲＩＥ，ＥＣＲ，ＩＣＰ等几种ＧａＮ７干法刻蚀方法的特点。回顾了ＧａＮ１法刻蚀领域的研究进展。以ＩＣＰ刻蚀ＧａＮ和ＡＩＧａＮ材料为例，通过工艺参数的优化，得到了高刻蚀速率和理想的选择比及
2020-12-29 14:39:292930 
各向异性刻蚀，可以严格控制纵向和横向刻蚀。 干法的各向异性刻蚀，可以用表面损伤和侧壁钝化两种机制来解释。表面损伤机制是指，与硅片平行的待刻蚀物质的图形底部，表面的原子键被破坏，扩散至此的自由基很容易与其发生反
2020-12-29 14:42:588634 
兼容性好．采用电感耦合等离子体源(inductivelycoupledpla蛐，I凹)技术对金属钛进行三雏深刻蚀，采用不同刻蚀掩模、氯基刻蚀气体，研究了线圈功率、平板功率和娼流量对刻蚀速率和选择比等工艺参数的影响，并对砸深刻蚀参数进行了优化，得到0．
2020-12-29 14:47:002422 芯片制造有三大核心环节：薄膜沉积、光刻与刻蚀。其中，光刻环节成本最高，其次便是刻蚀环节。光刻是将电路图画在晶圆之上，刻蚀则是沿着这一图案进行雕刻。这一过程中，会用到的设备便是刻蚀机。
2021-01-18 11:34:224056 控制框架，设计了有效的Ⅴ型多变量推理控制器。结合实际生产过程中的最大气体供给速率，用以限制系统的控制量输入，建立了基于多变量推理控制的氩氧精炼低碳铬铁合金终点控制系统。仿真结果表眀：该系统能够消除外界不可
2021-05-06 16:32:5014 浅谈电力控制系统中PLC网关的应用
2021-11-06 10:24:03570 
刻蚀机不能代替光刻机。光刻机的精度和难度的要求都比刻蚀机高出很多，在需要光刻机加工的时候刻蚀机有些不能办到，并且刻蚀机的精度十分笼统，而光刻机对精度的要求十分细致，所以刻蚀机不能代替光刻机。
2022-02-05 15:47:0039966 刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度通常用Å/min表示， 刻蚀窗口的深度称为台阶高度。 为了高的产量， 希望有高的刻蚀速率。 在采用单片工艺的设备中， 这是一个很重要的参数。 刻蚀速率由工艺和设备变量决定， 如被刻蚀材料类型、 蚀机的结构配置、 使用的刻蚀气体和工艺参数设置。
2022-03-15 13:41:592948 
左边的电路图是需要分析的电路，我们的目的是要对此电路进行时序分析，那首先要找到该电路需要分析的时序路径，既然找路径，那找到时序分析的起点与终点即可。
2022-05-04 17:13:001851 我们测量了硅化物膜(CoSi2、NiSi2、TiSi2和WSi)的溅射刻蚀速率，并研究了离子能量的依赖性，发现它们与二氧化硅薄膜的相对溅射刻蚀速率几乎与溅射离子能量无关，从相对溅射蚀刻速率和计算
2022-05-07 15:41:461162 
刻蚀室半导体IC制造中的至关重要的一道工艺，一般有干法刻蚀和湿法刻蚀两种，干法刻蚀和湿法刻蚀一个显著的区别是各向异性，更适合用于对形貌要求较高的工艺步骤。
2022-06-13 14:43:316 湿法刻蚀也称腐蚀。硅的湿法刻蚀是 MEMS 加工中常用的技术。其中，各向同性 （Isotropic）湿法刻蚀常用的腐蚀剂是由氢氟酸（HF）、硝酸（ HNO3）和乙酸（CH3COOH）组成的混合物
2022-10-08 09:16:323657 湿法刻蚀是集成电路制造工艺最早采用的技术之一。虽然由于受其刻蚀的各向同性的限制，使得大部分的湿法刻蚀工艺被具有各向异性的干法刻蚀替代，但是它在尺寸较大的非关键层清洗中依然发挥着重要的作用。
2022-11-11 09:34:187474 刻蚀是移除晶圆表面材料，达到IC设计要求的一种工艺过程。刻蚀有两种:一种为图形 化刻蚀，这种刻蚀能将指定区域的材料去除，如将光刻胶或光刻版上的图形转移到衬底薄膜 上
2023-02-01 09:09:351807 刻蚀速率是测量刻蚀物质被移除的速率。由于刻蚀速率直接影响刻蚀的产量，因此刻蚀速率是一个重要参数。
2023-02-06 15:06:264207 湿法刻蚀利用化学溶液溶解晶圆表面的材料，达到制作器件和电路的要求。湿法刻蚀化学反应的生成物是气体、液体或可溶于刻蚀剂的固体。
2023-02-10 11:03:184183 刻蚀有三种:纯化学刻蚀、纯物理刻蚀，以及介于两者之间的反应式离子刻蚀（ReactiveIonEtch,RIE）。
2023-02-20 09:45:072706 氮化镓作为一种宽带隙半导体，已被用于制造发光二极管和激光二极管等光电器件。最近已经开发了几种用于氮化镓基材料的
不同干蚀刻技术。电感耦合等离子体刻蚀因其优越的等离子体均匀性和强可控性而备受关注
2023-02-22 15:45:410 对晶圆温度很敏感，所以图形化刻蚀反应室中必须配备冷却系统，避免光刻胶形成网状结构，并且控制晶圆温度和刻蚀速率。由于刻蚀必须在低压下进行，但低压环境不利于热传导，所以通常在晶圆背面使用加压过的氮气把热量
2023-03-06 13:52:33850 对于湿法刻蚀，大部分刻蚀的终点都取决于时间，而时间又取决于预先设定的刻蚀速率和所需的刻蚀厚度。由于缺少自动监测终点的方法，所以通常由操作员目测终点。湿法刻蚀速率很容易受刻蚀剂温度与浓度的影响，这种影响对不同工作站和不同批量均有差异，因此单独用时间决定刻蚀终点很困难，一般釆用操作员目测的方式。
2023-03-06 13:56:031824 FinFET三维器件也可以用体硅衬底制作，这需要更好地控制单晶硅刻蚀工艺，如CD、深度和轮廓。
2023-03-30 09:39:182586 DRAM栅工艺中，在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素刻蚀钧金属硅化合物层，然后再使用氯元素刻蚀多晶硅。
2023-04-07 09:48:162294 金属刻蚀具有良好的轮廓控制、残余物控制，防止金属腐蚀很重要。金属刻蚀时铝中如果 有少量铜就会引起残余物问题，因为Cu Cl2的挥发性极低且会停留在晶圆表面。
2023-04-10 09:40:542451 压力主要控制刻蚀均匀性和刻蚀轮廓，同时也能影响刻蚀速率和选择性。改变压力会改变电子和离子的平均自由程(MFP),进而影响等离子体和刻蚀速率的均匀性。
2023-04-17 10:36:432015 DRIVE Labs 系列文章 终点站： 寻找车位与自动泊车 始 发 站 | 自 动 驾 驶 基 础 功 能 第 二 站 | 基 本 路 况 感 知 第 三 站 | 读 懂 交 通 标 志 与 信 号 灯 第 四 站 | 监 控 车 外 的 风 吹 草 动 第 五 站 | 提 高 道 路 状 况 的 可 见 性 第 六 站 | 基 于 洞 察 的 智 能 规 划 第 七 站 | 为 驾 乘 人 员 的 安 全 保 驾 护 航 终 点 站 | 寻 找 车 位 与 自 动 泊 车 自动驾驶汽车穿梭过大街小巷，平安经过了各类型的路口，即将到达终点。但随着近年来汽车数量的增
2023-05-11 20:16:27227 
刻蚀硅，硅的均匀剥离，同时带走表面颗粒。随着器件尺寸缩减会引入很多新材料（如高介电常数和金属栅极），那么在后栅极制程，多晶硅的去除常用氢氧化氨或四甲基羟胺（TMAH）溶液，制程关键是控制溶液的温度和浓度，以调整刻蚀对多晶硅和其他材料的选择比。
2023-06-05 15:10:011664 光刻工艺后，在硅片或晶圆上形成了光刻胶的图形，下一步就是刻蚀。
2023-06-08 10:52:353693 
刻蚀在晶圆上完成电路图的光刻后，就要用刻蚀工艺来去除任何多余的氧化膜且只留下半导体电路图。要做到这一点需要利用液体、气体或等离子体来去除选定的多余部分。刻蚀的方法主要分为两种，取决于所使用的物质
2022-07-12 15:49:251503 
第一种是间歇式刻蚀方法(BOSCH)，即多次交替循环刻蚀和淀积工艺，刻蚀工艺使用的是SF6气体，淀积工艺使用的是C4F8气体
2023-07-14 09:54:463488 
刻蚀（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的图案和结构。刻蚀的原理是利用化学反应或物理过程，通过移除材料表面的原子或分子，使材料发生形貌变化。
2023-08-01 16:33:384330 PVP可以在刻蚀过程中形成一层保护性的膜，降低刻蚀剂对所需刻蚀材料的腐蚀作用。它可以填充材料表面的裂缝、孔洞和微小空隙，并防止刻蚀剂侵入。这样可以减少不需要的蚀刻或损伤，提高刻蚀的选择性。
2023-08-17 15:39:393239 光刻蚀（Photolithography）是一种在微电子和光电子制造中常用的加工技术，用于制造微细结构和芯片元件。它的基本原理是利用光的化学和物理作用，通过光罩的设计和控制，将光影投射到光敏材料上，形成所需的图案。
2023-08-24 15:57:422461 在半导体制造中，刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀，这两种技术各有优势，也各有一定的局限性，理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21:003551 
有过深硅刻蚀的朋友经常会遇到这种情况：在一片晶圆上不同尺寸的孔或槽刻蚀速率是不同的。
2023-10-07 11:29:171711 
刻蚀（或蚀刻）是从晶圆表面去除特定区域的材料以形成相应微结构。但是，在目标材料被刻蚀时，通常伴随着其他层或掩膜的刻蚀。
2023-10-07 14:19:252326 
半导体前端工艺（第四篇）：刻蚀——有选择性地刻蚀材料，以创建所需图形
2023-11-27 16:54:26296 
湿法刻蚀由于成本低、操作简单和一些特殊应用，所以它依旧普遍。
2023-11-27 10:20:17531 
对DRIE刻蚀，是基于氟基气体的高深宽比硅刻蚀技术。与RIE刻蚀原理相同，利用硅的各向异性，通过化学作用和物理作用进行刻蚀。不同之处在于，两个射频源：将等离子的产生和自偏压的产生分离
2024-01-14 14:11:59599 
使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测 作者：泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Pradeep Nanja 介绍 半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀
2024-01-19 16:02:42155 
影响深硅刻蚀的关键参数有：气体流量、上电极功率、下电极功率、腔体压力和冷却器。
2024-02-25 10:44:39378 
刻蚀机的刻蚀过程和传统的雕刻类似，先用光刻技术将图形形状和尺寸制成掩膜，再将掩膜与待加工物料模组装好，将样品置于刻蚀室内，通过化学腐蚀或物理磨蚀等方式将待加工物料表面的非掩膜区域刻蚀掉，以得到所需的凹槽和沟槽。
2024-03-11 15:38:24765 
刻蚀过程中形成几乎完全垂直于晶圆表面的侧壁，是一种各向异性的刻蚀。刻蚀后的侧壁非常垂直，底部平坦。这是理想的刻蚀形态，它能够非常精确地复制掩膜上的图案。
2024-03-27 10:49:0676 
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