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1. 法拉第未来被曝销量造假，贾跃亭回应：诽谤
近日市场消息，法拉第未来（Faraday Future）被两名前员工举报称，迄今为止的销量数据存在造假，而且法拉第未来还存在通过人力资源部门报复举报人的行为。据披露，目前举报法拉第未来销量不实的人员为前销售和售后总监约瑟·格雷罗(Jose Guerrero)、前市场项目经理维多利亚·谢(Victoria Xie)，他们在两起诉讼中指控法拉第未来、贾跃亭以及人力资源主管杨楠存在非法解雇、违约和精神伤害行为。
关于销量造假问题，两名前员工举报称，法拉第未来在车辆未完成销售即官宣交付，实际上有三辆车未获全额付款，另有一辆延迟60多天才付款，法拉第未来此举是为了抬高股价。维多利亚·谢同时称，她举报两天后即遭解雇。针对被举报一事，贾跃亭回应称，“我认为该诉状中存在大量的虚假陈述和诽谤，目的是阴谋报复和敲诈勒索，我将会对这两人提起反诉！”
2. 恩智浦发布S32N55处理器，率先实现汽车中央实时控制的超高集成度
2024年4月10日，恩智浦半导体发布S32N55处理器， S32N系列超高集成度车载处理器家族的首位成员。
S32N55作为最近发布的S32 CoreRide中央计算解决方案的核心，可提供安全、实时和应用处理的可扩展组合，满足汽车制造商的多样化中央计算需求。S32N55处理器在安全、集中、实时汽车控制方面表现出色，实现这种控制需要高性能、确定性计算能力来支持最高级别的功能安全。通过软件定义的硬件强制隔离，S32N55可以承载数十种具有不同重要性级别的汽车功能，同时避免不同功能间的干扰。
3. 三星研发出16层堆叠HBM3芯片样品，采用混合键合技术
三星电子表示，已经研发制造出16层堆叠的高带宽存储（HBM）的样品。三星副总裁Kim Dae-woo表示，三星采用混合键合技术制造了该芯片。他表示，虽然16层堆栈HBM距离投入量产还需要一段时间，但证实其运行正常。
Kim Dae-woo还补充说，该芯片是作为HBM3制造的，但三星计划在HBM4中使用来提高生产率。消息人士称，由于对准问题，三星预计只会对一两个芯片堆叠组使用混合键合，但后来将该技术应用于所有堆叠。该样品是使用三星晶圆厂设备子公司Semes的设备制造的。
4. Meta推出新款AI芯片 降低对英伟达依赖
脸书母公司 Meta Platforms (10 日)推出新款自研芯片“Meta 训练和推论加速器”帮助驱动人工智能 (AI) 服务，在脸书和 IG 上对内容进行排名和推荐，也减少对英伟达和其他外部公司半导体的依赖。Meta 去年曾发表第一代 MTIA 产品。
值得注意的是，新一代 MTIA 将采用台积电5 纳米制程，效能是上一代芯片的 3 倍。该款芯片已布署在资料中心，替 AI 应用程式提供服务，目前正在进行几个专案，扩大 MTIA 的范围，包括支援生成式 AI 运作。
5. 消息称 AMD APU 核显将长期采用 RDNA3+ 架构，预计将持续到 2027 年
@金猪升级包 表示，由于三星 Exynos 合作的原因，AMD 无法对 APU 的核显进行重大架构升级，因此只能长期维持在 RDNA3+，预计将至少持续到 2027 年。RDNA 3+ 图形架构将首先在接下来的 AMD Zen 5 系列“Strix Point”APU 中采用，至少要等到今年年中才能看到。
实际上，AMD RDNA 3+ 架构已经测试了很长一段时间，之前已经出现在了 Linux 补丁中，ID 属于“GFX115X”系列，可以理解为 RDNA 3.5。官方称，该架构将被命名为 RDNA 3+，只是对现有 RDNA 3 系列（应用于 Radeon RX 7000 GPU 和 Ryzen 7040/8040 APU）IP 的优化。
6. 比亚迪混动 + 华为 HiCar，赛力斯蓝电 E5 荣耀版上市：9.98 万元起
赛力斯蓝电 E5 荣耀版现已上市，官方指导价 9.98 万元-11.98 万元，较上一代车型下调 4.01 万元。该系列车型定位中型大七座插混 SUV，全系标配 100 公里纯电续航及 5 项主动安全科技。
性能方面，蓝电 E5 荣耀版赛力斯集团 DE-i 超级电驱智能平台，搭载弗迪动力 1.5L 高效插混专用发动机，功率达到 81kW，电动机最大功率为 130kW，系统综合功率 211kW，系统综合扭矩 435N.m，WLTC 综合百公里馈电油耗 5.4L，0-50km/h加速 2.9 秒。
今日看点丨三星研发出16层堆叠HBM3芯片样品；Meta推出新款AI芯片
- Meta(11178)
- AI芯片(34315)
- 三星(30155)
- HBM3(49)
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HBM3 IP解决方案可为高性能计算、AI和图形SoC提供高达921GB/s的内存带宽。
2021-10-22 09:46:363130
3130什么是HBM3 为什么HBM很重要
“慢而宽”的内存技术，用于减少芯片外内存中的信号传输延迟，但现在HBM3正变得越来越快，越来越宽。在某些情况下，甚至被用于L4缓存。 Arm首席研究工程师Alejandro Rico表示：“这些新功能将使每传输位的焦耳效率达到更高水平，而且更多设计可以使用
2021-11-01 14:30:506620
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疯抢！HBM成为AI新瓶颈！
SK海力士正忙于处理来自客户的大量HBM3E样品请求。英伟达首先要求提供样品，这次的出货量几乎是千钧一发。这些索取样品的客户公司可能会在今年年底收到样品。全球领先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供应HBM3，并已索取HBM3E样品。各大科技公司都在热切地等待 SK 海力士的样品。
2023-07-12 14:34:39717
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AI加速存储芯片反转 HBM芯片崛起
HBM（High Bandwidth Memory）是一种创新的CPU/GPU内存芯片，它通过堆叠多个DDR芯片并与GPU封装在一起，实现了高容量和高位宽的DDR组合阵列。
2023-07-13 14:53:051131
1131三星计划为英伟达AI GPU提供HBM3和2.5D封装服务；传苹果悄悄开发“Apple GPT” 或将挑战OpenAI
热点新闻 1、三星计划为英伟达AI GPU提供HBM3和2.5D封装服务 据报道，英伟达正在努力实现数据中心AI GPU中使用的HBM3和2.5D封装的采购多元化。消息人士称，这家美国芯片巨头正在
2023-07-20 17:00:02420
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美光推出业界首款8层堆叠的24GB容量第二代HBM3内存
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布，公司已开始出样业界首款 8 层堆叠的 24GB 容量第二代 HBM3 内存，其带宽超过
2023-07-28 11:36:40547
547美光推出性能更出色的大容量高带宽内存 (HBM) 助力生成式人工智能创新
（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布，公司已开始出样业界首款8层堆叠的24GB容量第二代HBM3内存，其带宽超过1.2TB/s，引脚速率超过9.2Gb/s，比当前市面上现有的HBM3解决方案
2023-08-01 15:38:21503
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业界最快、容量最高的HBM？
来源：半导体芯科技编译 业内率先推出8层垂直堆叠的24GB容量HBM3 Gen2，带宽超过1.2TB/s，并通过先进的1β工艺节点实现“卓越功效”。 美光科技已开始提供业界首款8层垂直堆叠的24GB
2023-08-07 17:38:07617
617SK海力士开发出全球最高规格HBM3E，向英伟达提供样品
该公司表示，HBM3E（HBM3的扩展版本）的成功开发得益于其作为业界唯一的HBM3大规模供应商的经验。凭借作为业界最大HBM产品供应商的经验和量产准备水平，SK海力士计划在明年上半年量产HBM3E，巩固其在AI内存市场无与伦比的领导地位。
2023-08-22 16:24:41556
556Rambus通过9.6 Gbps HBM3内存控制器IP大幅提升AI性能
中国北京，2023年12月7日—— 作为业界领先的芯片和IP核供应商，致力于使数据传输更快更安全，Rambus Inc.（纳斯达克股票代码：RMBS）今日宣布Rambus HBM3内存控制器IP
2023-12-07 11:01:13125
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Rambus通过9.6 Gbps HBM3内存控制器IP大幅提升AI性能
作为业界领先的芯片和 IP 核供应商，致力于使数据传输更快更安全，Rambus Inc.（纳斯达克股票代码：RMBS）今日宣布 Rambus HBM3 内存控制器 IP 现在可提供高达 9.6
2023-12-07 14:16:06343
343Meta计划今年部署自研定制芯片，以加速AI研发
Meta公司近日宣布计划在今年内为其数据中心部署一款自研定制芯片，以支持其人工智能（AI）的研发工作。这一举措旨在提高Meta在AI领域的竞争力，并加速其技术发展。
2024-02-03 10:48:23281
281Meta将于今年在数据中心部署新款定制AI芯片
Meta近日宣布，计划于2024年在其数据中心部署新款内部定制的AI芯片。这款芯片将用于支持Meta的人工智能业务，进一步提升数据处理和运算效率。
2024-02-04 10:17:32401
401三星电子成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星电子今日宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。
2024-02-27 11:07:00269
269三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM
近日，三星电子宣布，已成功发布其首款12层堆叠的高带宽内存（HBM3E）产品——HBM3E 12H，再次巩固了其在半导体技术领域的领先地位。据了解，HBM3E 12H不仅是三星迄今为止容量最大的HBM产品，其性能也实现了质的飞跃。
2024-02-27 14:28:21394
394三星开创性研发出12层堆叠HBM3E 12H高带宽存储芯片，存储容量高达36
三星在技术上采用了最新的热压力传导性膜（TC NCF）技术，成功维持了12层产品的高度与其前身8层HBM芯片保持一致，满足了现有的HBM封装要求。
2024-02-27 16:37:45433
433三星电子发布业界最大容量HBM
三星电子近日宣布，公司成功研发并发布了其首款12层堆叠HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，该产品在带宽和容量上均实现了显著的提升，这也意味着三星已开发出业界迄今为止容量最大的新型高带宽存储器（HBM）。
2024-03-08 10:10:51182
182Meta拟将自研AI芯片交由三星代工
Meta正在积极拓展其AI技术领域，寻求与新的芯片代工伙伴合作。据外媒报道，Meta CEO扎克伯格在近期访问韩国期间，与三星高层深入探讨了AI芯片代工合作的可能性。此举被看作是Meta为减少对台积电依赖，进一步推动自研AI芯片发展的重要一步。
2024-03-08 13:55:30182
182Meta寻求与三星合作生产AI芯片
该媒体称，扎克伯格在此次与尹锡悦的会谈中，曾提到担忧公司过度依赖台积电代工，且台积电因产能不足而存在一定程度上的不确定性，这可能对Meta未来的供应链造成影响。据悉，Meta已经向台积电订购两款AI芯片。
2024-03-08 14:09:17165
165三星效仿SK海力士，采用竞争对手主导的芯片封装工艺
就此，知情人士指出，三星此举体现出该公司提升HBM良率的决心。对此，一家行业分析机构表示，考虑到AI行业对HBM3及HBM3E芯片需求日益增长，三星有必要作出调整。
2024-03-13 13:35:19119
119英伟达寻求从三星采购HBM芯片
英伟达正在寻求与三星建立合作伙伴关系，计划从后者采购高带宽存储（HBM）芯片。HBM作为人工智能（AI）芯片的核心组件，其重要性不言而喻。与此同时，三星正努力追赶业内领头羊SK海力士，后者已率先实现下一代HBM3E芯片的大规模量产。
2024-03-25 11:42:04344
344三星电子HBM存储技术进展：12层HBM3E芯片，2TB/s带宽HBM4即将上市
据业内透露，三星在HBM3E芯片研发方面遥遥领先其他公司，有能力在2024年9月实现对英伟达的替代，这意味着它将成为英伟达12层HBM3E的垄断供应商。然而，三星方面不愿透露具体客户信息。
2024-03-27 09:30:09128
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工商网监
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